JPH05144875A - 配線基板の実装方法 - Google Patents

配線基板の実装方法

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JPH05144875A
JPH05144875A JP3301808A JP30180891A JPH05144875A JP H05144875 A JPH05144875 A JP H05144875A JP 3301808 A JP3301808 A JP 3301808A JP 30180891 A JP30180891 A JP 30180891A JP H05144875 A JPH05144875 A JP H05144875A
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JP
Japan
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wiring board
semiconductor chip
liquid crystal
crystal display
epoxy resin
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JP3301808A
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English (en)
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Yoshinao Onuma
義直 大沼
Yasunobu Takusa
康伸 田草
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Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 液晶表示基板1の配線パッド2に、導電性接
着剤5により半導体チップ4の突起電極3を接続すると
共に、液晶表示基板1の接続端子部8に、熱硬化性異方
導電性膜7を介してフレキシブル配線板6を接続する。
次いで、半導体チップ4と対向ガラス基板11との間か
ら半導体チップ4の下面側に熱硬化型エポキシ樹脂10
を流入し、引き続きフィレットを形成する。その後、フ
レキシブル配線板6の先端部とフィレットとを覆うよう
に、熱硬化型エポキシ樹脂10を塗布した後、加熱して
上記熱硬化型エポキシ樹脂10を硬化させる。 【効果】 液晶表示素子の小型化を実現することができ
ると共に、基板接続部の信頼性および耐湿性が向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示基板に
半導体チップおよびフレキシブル配線板を接続する際に
用いられる配線基板の実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、例えば、液晶表示装置では、液晶
駆動用の半導体チップを液晶表示基板上に接続する場合
に、半導体チップをフェイスダウンの形態にて導電性接
着剤、または半田等を用いて直接接続する方法が採用さ
れている。
【0003】液晶表示装置は、図6に示すように、液晶
表示基板21と対向ガラス基板31とが、図示しない液
晶層を挟んで貼着されている。そして、液晶表示基板2
1の延設部には、配線パッド22および接続端子部28
が設けられており、半導体チップ24とフレキシブル配
線板26とが、それぞれ接続されている。
【0004】以下に、上記液晶表示基板21に半導体チ
ップ24およびフレキシブル配線板26を実装する工程
を図6に基づいて説明する。
【0005】まず、半導体チップ24の下面側に設けら
れた複数の突起電極23を導電性接着剤25を用いて、
液晶表示基板21に設けられた複数の配線パッド22お
よび接続端子部28の一端部に接続する。次いで、上記
対向ガラス基板31と、半導体チップ24との隙間を注
入口として、熱硬化型エポキシ樹脂30を注入し、毛細
管現象により半導体チップ24の下面から、半導体チッ
プ24の側面部に至るまで、半導体チップ24の周囲を
覆うように、熱硬化型エポキシ樹脂30を流入する。こ
れにより、半導体チップ24の封止および固着が行われ
る共に、半導体チップ24における接続端子部28側
に、液晶表示基板21の界面への水分侵入を抑制するた
めのフィレット32が形成される。
【0006】なお、上記熱硬化型エポキシ樹脂30とし
ては、液晶表示基板21との濡れ性の良いものが選定さ
れる。したがって、フィレット32の長さは、熱硬化型
エポキシ樹脂30の供給量に依存する。
【0007】次に、液晶表示基板21における接続端子
部28の他端側に、リワークが容易な熱可塑性異方導電
性膜27を介して、フレキシブル配線板26を接続した
後、その接続部を覆うように、例えば常温硬化型のシリ
コーン樹脂33を塗布し、接続部を保護することによ
り、液晶表示基板21に半導体チップ24およびフレキ
シブル配線板26を実装する工程が終了する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
実装方法では、フレキシブル配線板26の接続に熱可塑
性異方導電性膜27が用いられているため、フレキシブ
ル配線板26の接続後は加熱を行うことができない。し
たがって、フレキシブル配線板26の接続前に、熱硬化
型エポキシ樹脂30による半導体チップ24の封止が行
われ、精密な長さを制御できないフィレット32が形成
されるため、液晶表示基板21におけるフレキシブル配
線板26との接続部が上記熱硬化型エポキシ樹脂30の
流出によって封止されるという恐れがある。
【0009】そのため、液晶表示基板21において、半
導体チップ24が接続される配線パッド22と、フレキ
シブル配線板26が接続される接続部との距離を大きく
とる必要があり、液晶表示基板21が大型化するという
問題を有している。
【0010】また、接続端子部28に、耐熱テープ等で
ダムを形成することにより、熱硬化型エポキシ樹脂30
の流出を防ぐという方法もある。しかしながら、この場
合には、工程数が増加するばかりでなく、上記ダムを完
全に除去する手段がないと、接続端子部28上にダムが
残存することにより、フレキシブル配線板26との接続
性が悪くなり、ひいては接続部の信頼性が低下するとい
う問題を有している。
【0011】また、上記フレキシブル配線板26と液晶
表示基板21との接続部を保護するシリコーン樹脂33
には、縮合反応型と付加反応型とがある。付加反応型の
シリコーン樹脂は、縮合反応型のシリコーン樹脂よりも
耐湿性に優れているが、アミン系硬化剤を使用した樹脂
に接触することにより、硬化が不十分になる可能性が高
い。
【0012】ところが、フレキシブル配線板26の接続
に用いられる熱可塑性異方導電性膜27および半導体チ
ップ24の封止用に用いられる熱硬化型エポキシ樹脂3
0には、どちらもアミン系の硬化剤が用いられることが
多いため、上記フレキシブル配線板26の接続部の保護
には、耐湿性に優れた付加反応型のシリコーン樹脂を使
用することができず、縮合反応型のシリコーン樹脂を使
用せざるを得ない。したがって、フレキシブル配線板2
6の接続部において、耐湿信頼性が低下するという問題
が生じている。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板の実装
方法は、上記課題を解決するために、半導体チップを第
1配線基板(例えば、液晶表示基板)上に搭載し、上記
第1配線基板の接続端子部に熱硬化性異方導電性膜を介
して第2配線基板(例えば、フレキシブル配線板)の接
続端子部を接続した後、半導体チップの下面部および周
縁部を熱硬化型エポキシ樹脂で覆うことにより、上記半
導体チップを封止すると共に、第1配線基板と第2配線
基板との接続部を上記熱硬化型エポキシ樹脂で覆うこと
により、上記接続部を保護することを特徴としている。
【0014】
【作用】上記の方法では、半導体チップを第1配線基板
上に搭載し、熱硬化性異方導電性膜を用いて第1配線基
板と第2配線基板とを接続した後、熱硬化型エポキシ樹
脂によって半導体チップが封止される。
【0015】したがって、上記第1配線基板における第
2配線基板との接続部が、第2配線基板との接続前に半
導体チップ封止用の熱硬化型エポキシ樹脂の流出によっ
て封止されることはなく、第1配線基板における半導体
チップ搭載位置と第2配線基板接続部との距離を短縮
し、第1配線基板を縮小することができる。この結果、
上記第1配線基板として、例えば液晶表示基板を用いた
場合には、液晶表示装置の小型化を実現することが可能
となる。
【0016】また、耐熱テープ等により熱硬化型エポキ
シ樹脂の侵入防止用のダムを形成する必要がなく、この
耐熱テープが、完全には除去されず、第1配線基板上に
残存することに起因する接続部の信頼性低下が回避され
る。
【0017】さらに、熱硬化型エポキシ樹脂を用いて、
第1配線基板と第2配線基板との接続部を保護すること
により、上記接続部の耐湿性が向上する。
【0018】
【実施例】本発明の一実施例について、例えば、液晶表
示基板(第1配線基板)に、半導体チップおよびフレキ
シブル配線板(第2配線基板)を接続する場合を例に挙
げ、図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下の通り
である。
【0019】図2に示すように、液晶表示基板1には、
図示しない液晶層を挟んで、対向ガラス基板11が貼着
されており、液晶表示基板1の延設部には、接続端子部
8および複数の配線パッド2が形成されている。また、
半導体チップ4の下面には、内部回路と接続された複数
の突起電極3が設けられている。
【0020】まず、導電性接着剤5を用いて、上記半導
体チップ4の突起電極3を、上記液晶表示基板1の配線
パッド2および接続端子部8の一端部に接続する。な
お、上記液晶表示基板1の配線パッド2と、半導体チッ
プ4の突起電極3との接続は、上記導電性接着剤5の代
わりに、半田付け等を用いて行ってもよい。
【0021】続いて、熱硬化性異方導電性膜7を介して
フレキシブル配線板6の一端部を上記液晶表示基板1の
接続端子部8に接続する。上記熱硬化性異方導電性膜7
は、熱硬化性の樹脂と、この樹脂中に所定量分散させた
導電粒子とから構成されている。
【0022】次に、図3に示すように、上記対向ガラス
基板11と半導体チップ4との間から、ニードル9を用
いて熱硬化型エポキシ樹脂10を注入し、毛細管現象に
よって、熱硬化型エポキシ樹脂10を半導体チップ4の
下面側に侵入させる。なお、このとき液晶表示基板1を
加熱すると、熱硬化型エポキシ樹脂10の粘度が下が
り、熱硬化型エポキシ樹脂10の注入を速やかに行うこ
とができる。
【0023】その後、図4に示すように、熱硬化型エポ
キシ樹脂10を半導体チップ4の下面側から、半導体チ
ップ4の周縁部まで流出させ、半導体チップ4を封止お
よび固着すると共に、半導体チップ4と液晶表示基板1
における接続端子部8との間にフィレット12を形成
し、液晶表示基板1界面からの水分侵入を防止する。
【0024】次いで、図5に示すように、上記フレキシ
ブル配線板6の先端部およびフィレット12を覆うよう
に、再度ニードル9を用いて、熱硬化型エポキシ樹脂1
0を塗布し、加熱を行って、熱硬化型エポキシ樹脂10
を硬化させる。
【0025】これにより、図1に示すように、液晶表示
基板1の所定箇所に、半導体チップ4およびフレキシブ
ル配線板6がそれぞれ接続されると共に、熱硬化型エポ
キシ樹脂10によって、半導体チップ4が封止され、フ
レキシブル配線板6における接続部が保護される。
【0026】上記のように、熱硬化性異方導電性膜7を
用いてフレキシブル配線板6を、液晶表示基板1に接続
することにより、熱硬化型エポキシ樹脂10による半導
体チップ4の封止を行う前に、接続端子部8にフレキシ
ブル配線板6を接続することができる。
【0027】したがって、前記従来のように、フレキシ
ブル配線板6の接続前に、半導体チップ4の封止に用い
られた熱硬化型エポキシ樹脂10の流出によって、液晶
表示基板1の接続端子部8におけるフレキシブル配線板
6との接続部が封止されることはなく、半導体チップ4
と、液晶表示基板1におけるフレキシブル配線板6接続
部との距離を、フィレット12の必要長さと、熱硬化性
異方導電性膜7の流出長さとの合計のみに短縮して設計
することができる。これにより、液晶表示基板21を縮
小することができ、液晶表示装置の小型化を実現するこ
とができる。
【0028】また、耐熱テープ等により熱硬化型エポキ
シ樹脂10の流出防止用のダムを形成する必要がないた
め、液晶表示素子の製造プロセスにおいて、工程数の増
加を防ぐことができると共に、耐熱テープ等が接続端子
部8上に残存することによる接続部の信頼性低下が回避
される。
【0029】さらに、半導体チップ4の封止と同様に熱
硬化型エポキシ樹脂10で、液晶表示基板1とフレキシ
ブル配線板6との接続部を覆うことにより、耐湿性の低
い縮合反応型のシリコン樹脂を用いる場合よりも、耐湿
性の向上を図ることが可能である。
【0030】
【発明の効果】本発明の配線基板の実装方法は、以上の
ように、半導体チップを第1配線基板上に搭載し、上記
第1配線基板の接続端子部に熱硬化性異方導電性膜を介
して第2配線基板の接続端子部を接続した後、半導体チ
ップの下面部および周縁部を熱硬化型エポキシ樹脂で覆
うことにより、上記半導体チップを封止すると共に、第
1配線基板と第2配線基板との接続部を上記熱硬化型エ
ポキシ樹脂で覆うことにより、上記接続部を保護するも
のである。
【0031】それゆえ、半導体チップ封止用の熱硬化型
エポキシ樹脂により、第1配線基板における第2配線基
板との接続部が封止されることはなく、半導体チップと
接続部との距離を短縮することができるため、例えば、
第1配線基板として液晶表示基板を用いた場合には、液
晶表示装置の小型化を実現することができると共に、接
続部の信頼性が向上するという効果を奏する。
【0032】また、熱硬化型エポキシ樹脂を用いて、第
1配線基板と第2配線基板との接続部を保護することに
より、耐湿性の向上を図ることができるという効果も併
せて奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例において、液晶表示基板に半
導体チップおよびフレキシブル配線板がそれぞれ接続さ
れ、熱硬化型エポキシ樹脂により、半導体チップの封止
およびフレキシブル配線板の接続部保護がなされた状態
を示す模式図である。
【図2】上記半導体チップおよびフレキシブル配線板
が、液晶表示基板に接続された状態を示す模式図であ
る。
【図3】上記半導体チップを封止および固着するため
に、熱硬化型エポキシ樹脂が流入された状態を示す模式
図である。
【図4】上記半導体チップとフレキシブル配線板との間
にフィレットが形成された状態を示す模式図である。
【図5】上記フレキシブル配線板6の接続部を覆うよう
に、熱硬化型エポキシ樹脂が塗布された状態を示す模式
図である。
【図6】従来の実装方法において、液晶表示基板上に、
半導体チップおよびフレキシブル配線板が実装された状
態を示す模式図である。
【符号の説明】
1 液晶表示基板(第1配線基板) 4 半導体チップ 6 フレキシブル配線板(第2配線基板) 7 熱硬化性異方導電性膜 8 接続端子部 10 熱硬化型エポキシ樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを第1配線基板上に搭載し、
    上記第1配線基板の接続端子部に熱硬化性異方導電性膜
    を介して第2配線基板の接続端子部を接続した後、半導
    体チップの下面部および周縁部を熱硬化型エポキシ樹脂
    で覆うことにより、上記半導体チップを封止すると共
    に、第1配線基板と第2配線基板との接続部を上記熱硬
    化型エポキシ樹脂で覆うことにより、上記接続部を保護
    することを特徴とする配線基板の実装方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005242032A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 表示装置
JP2007108787A (ja) * 2007-01-09 2007-04-26 Kyocera Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2007298837A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Fuji Xerox Co Ltd 画像表示媒体およびその製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5657811A (en) * 1993-06-04 1997-08-19 Pcc Composites, Inc. Cast-in hermetic electrical feed-throughs
US7081938B1 (en) * 1993-12-03 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
KR100206893B1 (ko) * 1996-03-11 1999-07-01 구본준 반도체 패키지 및 그 제조방법
US5895976A (en) * 1996-06-03 1999-04-20 Motorola Corporation Microelectronic assembly including polymeric reinforcement on an integrated circuit die, and method for forming same
US5866442A (en) 1997-01-28 1999-02-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for filling a gap between spaced layers of a semiconductor
JP3873478B2 (ja) * 1997-12-25 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、電子機器及び液晶表示装置の製造方法
JP3708755B2 (ja) * 1999-06-08 2005-10-19 Towa株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US6636590B1 (en) 2000-10-30 2003-10-21 Ingenio, Inc. Apparatus and method for specifying and obtaining services through voice commands
US7289623B2 (en) * 2001-01-16 2007-10-30 Utbk, Inc. System and method for an online speaker patch-through
US6512182B2 (en) * 2001-03-12 2003-01-28 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring circuit board and method for producing same
US6704403B2 (en) * 2001-09-05 2004-03-09 Ingenio, Inc. Apparatus and method for ensuring a real-time connection between users and selected service provider using voice mail
US7937439B2 (en) * 2001-12-27 2011-05-03 Utbk, Inc. Apparatus and method for scheduling live advice communication with a selected service provider
US7359498B2 (en) * 2003-06-12 2008-04-15 Utbk, Inc. Systems and methods for arranging a call
US20060175711A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Hannstar Display Corporation Structure and method for bonding an IC chip
JP4391508B2 (ja) * 2006-09-29 2009-12-24 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US9239495B2 (en) * 2011-04-27 2016-01-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, electronic device including display device, and method for manufacturing display device
CN106847871B (zh) * 2017-03-22 2020-06-16 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3693252A (en) * 1969-08-21 1972-09-26 Globe Union Inc A method of providing environmental protection for electrical circuit assemblies
JPS52113198A (en) * 1976-03-18 1977-09-22 Seiko Epson Corp Liquid crystal unit
JPS60220317A (ja) * 1984-04-18 1985-11-05 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JPS60238817A (ja) * 1984-05-12 1985-11-27 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005242032A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 表示装置
JP4562403B2 (ja) * 2004-02-26 2010-10-13 京セラ株式会社 表示装置の製造方法
JP2007298837A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Fuji Xerox Co Ltd 画像表示媒体およびその製造方法
JP2007108787A (ja) * 2007-01-09 2007-04-26 Kyocera Corp 液晶表示装置およびその製造方法

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Publication number Publication date
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KR0130051B1 (ko) 1998-04-11
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US5290197A (en) 1994-03-01
EP0543635A2 (en) 1993-05-26

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