JPH05102224A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05102224A
JPH05102224A JP3257907A JP25790791A JPH05102224A JP H05102224 A JPH05102224 A JP H05102224A JP 3257907 A JP3257907 A JP 3257907A JP 25790791 A JP25790791 A JP 25790791A JP H05102224 A JPH05102224 A JP H05102224A
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JP
Japan
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die pad
wire
lead frame
insulating block
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Tetsuya Otsuki
哲也 大槻
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】１はリードフレームでその中央部には支持腕３
で支持されたダイパッド２が設けられている。４はリー
ドフレーム１から中央部に向かって突設された多数のイ
ンナーリードで、その先端はダイパッド２の周辺にダイ
パッド２と所定の間隔を隔てて対向配置されている。ダ
イパッド２上に半導体素子５を囲む形で絶縁ブロック９
が設けられている。絶縁ブロックの高さは、ワイヤーボ
ンディングのループ高さ及び半導体素子厚みに合わせ３
００〜５００μｍに設定されており、エポキシ等の樹脂
及び金属にエポキシ等の樹脂を塗布した絶縁性のあるも
のである。 【効果】ワイヤーボンディング時のワイヤーのたるみ及
びワイヤー変形によるショートを低減されることにより
パッケージの多ピン化、小型化が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造装置及び
その製造方法に係り、特にパッケージの多ピン化に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のワイヤーボンディング方
式の半導体装置を一部断面で示した斜視図、図９は同半
導体装置の要部を拡大して示す斜視図である。図におい
て、１はリードフレームで、中央部には支持腕３で支持
されたダイパッド２が設けられている。４は、リードフ
レーム１から中央部に向かって突設された多数のインナ
ーリードで、その先端部はダイパッド２の周辺にダイパ
ッド２と所定の間隔を隔てて対向配置されている。５
は、ダイパッド２上に接着剤により取り付けられた半導
体素子で、半導体素子５に設けられたボンディングパッ
ドと、これに対応する各インナーリード４とはそれぞれ
ワイヤー６により接続されている。
【０００３】上記のようにして多数のインナーリード４
に接続された半導体素子５はアウターリード７の一部を
残してインナーリード４及びダイパッド２と共にエポキ
シ樹脂ごときプラスチックによりパッケージ８して封止
される。ついで、パッケージ８から突出したアウターリ
ード７を折り曲げて端子とし、ワイヤーボンディング方
式の半導体装置が製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなワイヤー
ボンディング方式の半導体装置にいおいては、半導体素
子の大きさ、ボンディングパッドの配置等に応じて、リ
ードフレームを設計製造している。
【０００５】ところで、最近の電子機器の小型化、薄型
化に伴いパッケージの多ピン化小型化を図るためワイヤ
ーボンディング方式による半導体装置においてもボンデ
ィングパッドの微細化、ボンディングワイヤーの長尺化
が必要であるが、ワイヤー強度が非常に低いためワイヤ
ー６のたるみ及び樹脂封止８の際のワイヤー６の流動変
形によりワイヤー６同士がショートするおそれがあると
いう課題があった。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものでパッケージの多ピン化小型化が図れワイヤ
ー同士のショートを防止できる半導体装置とその製造方
法を得ることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるワイヤー
ボンディング方式の半導体装置は、リードフレームと半
導体素子とを金線およびアルミニウム線等で接続してな
る半導体装置において、リードフレームダイパッド上に
半導体素子を囲むように全面もしくは部分的にポリイミ
ド等の樹脂ブロック及び金属上にポリイミド等を塗布し
た絶縁ブロックを設置し、半導体素子、絶縁ブロック、
アウターリードの一部及びインナーリードを封止材で封
止するようにしたものである。
【０００８】更にもう一つの方法は、リードフレームと
半導体素子とを金線およびアルミニウム線等で接続して
なる半導体装置において、リードフレームダイパッド上
に半導体素子を囲むように全面もしくは部分的ににポリ
イミド等の樹脂ブロック及び金属上にポリイミド等を塗
布した絶縁ブロックを有し、ワイヤーボンディング終了
後さらにポリイミド等の絶縁樹脂を塗布し、半導体素
子、絶縁ブロック、アウターリードの一部及びインナー
リードを封止材で封止するようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明のワイヤーボンディング方式の半導体装
置においては、リードフレームダイパッド上に半導体素
子を囲むように全面もしくは部分的にポリイミド等の樹
脂ブロック及び金属上にポリイミド等を塗布した絶縁ブ
ロックを設置しワイヤーボンディングすることにより絶
縁ブロックによりワイヤーが固定されワイヤーのたるみ
及びワイヤー同士のショートを低減することができる。
また、ワイヤーボンディングの際に特に問題となる半導
体素子コーナー部において部分的に絶縁ブロックを設置
することにより、ワイヤーたるみワイヤーショートが問
題となる部分のみへの対応が可能となる。
【００１０】更に、絶縁ブロックを用いてワイヤーボン
ディングした後ポリイミド等の樹脂を塗布することによ
り、ワイヤーの変形はさらに低減することが可能とな
る。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるワイヤーボン
ディング方式の半導体装置を示す断面図、図２は同半導
体装置の要部を示す斜視図である。図において１はリー
ドフレームでその中央部には支持腕３で支持されたダイ
パッド２が設けられている。４はリードフレーム１から
中央部に向かって突設された多数のインナーリードで、
その先端はダイパッド２の周辺にダイパッド２と所定の
間隔を隔てて対向配置されている。本発明では、ダイパ
ッド２上に半導体素子５を囲む形で絶縁ブロック９が設
けられている。絶縁ブロックの高さは、ワイヤーボンデ
ィングのループ高さ及び半導体素子厚みに合わせ３００
〜５００μｍに設定されており、エポキシ等の樹脂及び
金属にエポキシ等の樹脂を塗布した絶縁性のあるもので
あればよい。また、ブロックの形状においては、ブロッ
ク内壁形状は半導体素子に合わせ円形または楕円でもよ
い。外壁形状においては、円、楕円、長方形等どのよう
な形状でもよい。絶縁ブロック９は、半導体素子５をダ
イパッド２に接着した後もしくは同時に接着剤にて接着
する。半導体素子５のボンディングパッドとインナーリ
ード４はワイヤー６にて接続されるがその際ワイヤー６
は絶縁ブロック９上に乗り固定される。また、絶縁ブロ
ック７の樹脂に粘着性をもたせることによりワイヤー６
の固定はさらに強固なものとなる。
【００１２】図３は、絶縁ブロックに金属にポリイミド
等の樹脂を塗布した実施例でありダイパッドの一部を絶
縁ブロックとして使用した断面図であり、図４はその要
部を示す斜視図である。図において１はリードフレーム
でその中央部には支持腕３で支持されたダイパッド２が
設けられている。４はリードフレーム１から中央部に向
かって突設された多数のインナーリードで、その先端は
ダイパッド２の周辺にダイパッド２と所定の間隔を隔て
て対向配置されている。ダイパッド２の一部は半導体素
子を囲む形に折り曲げられ、その表面にはポリイミド等
の樹脂１０が塗布されている。折り曲げ高さとしては３
００〜５００μｍ、樹脂１０塗布の厚さは１０〜１００
μｍ程度で絶縁のとれるものであればよい。また半導体
素子５のボンディングパッドとインナーリード４はワイ
ヤー６にて接続されるがその際ワイヤー６はダイパッド
の一部２上に乗り固定される。また、樹脂１０に粘着性
をもたせることによりワイヤー６の固定はさらに強固な
ものとなる。金属を用いた絶縁ブロックは、別に設置す
るものでもよい。
【００１３】図５は、絶縁ブロックを用いてワイヤーボ
ンディングした後さらにその上からポリイミド等の樹脂
を塗布した一例である。図において１はリードフレーム
でその中央部には支持腕３で支持されたダイパッド２が
設けられている。４はリードフレーム１から中央部に向
かって突設された多数のインナーリードで、その先端は
ダイパッド２の周辺にダイパッド２と所定の間隔を隔て
て対向配置されている。本発明では、ダイパッド２上に
半導体素子５を囲む形で絶縁ブロック９が設けられてい
る。絶縁ブロックの高さは、ワイヤーボンディングのル
ープ高さ及び半導体素子厚みに合わせ３００〜５００μ
ｍに設定されており、エポキシ等の樹脂及び金属にエポ
キシ等の樹脂を塗布した絶縁性のあるものであればよ
い。また、ブロックの形状においては、ブロック内壁形
状は半導体素子に合わせ円形または楕円でもよい。外壁
形状においては、円、楕円、長方形等どのような形状で
もよい。絶縁ブロック９は、半導体素子５をダイパッド
２に接着した後もしくは同時に接着剤にて接着する。半
導体素子５のボンディングパッドとインナーリード４は
ワイヤー６にて接続されるがその際ワイヤー６は絶縁ブ
ロック９上に乗り固定される。その後、ワイヤー６と絶
縁ブロック９の接している部分にポリイミド等の樹脂を
塗布しこていする。また、ワイヤー６と絶縁ブロック９
の接している部分及び絶縁ブロック内部半導体素子部ま
で含めポリイミド等の樹脂を塗布してもよい。
【００１４】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、本半導体装置
の製造方法を示した説明図である。図６（ａ）はダイパ
ッド２に半導体素子５を接着した斜視図、図６（ｂ）
は、ダイパッド２に半導体素子５を接着した後絶縁ブロ
ック９を接着剤にて接着した図、図６（ｃ）は絶縁ブロ
ック９を接着した後半導体素子５のボンディングパッド
とインナーリード４をワイヤー６にて接続した図であ
る。
【００１５】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、ダイパッド２
の一部を絶縁ブロックとした半導体装置の製造方法を示
した説明図である。図７（ａ）は、ダイパッド２の一部
を折り曲げポリイミド等の樹脂を塗布した斜視図、図７
（ｂ）は、ダイパッド２に半導体素子５を接着した図、
図７（ｃ）は半導体素子５のボンディングパッドとイン
ナーリード４をワイヤー６にて接続した図である。
【００１６】
【発明の効果】本発明では、ダイパッド上に半導体素子
を囲む形で絶縁ブロックが設けられており、絶縁ブロッ
クの高さは、ワイヤーボンディングのループ高さ及び半
導体素子厚みに合わせ３００〜５００μｍに設定されて
おり、エポキシ等の樹脂及び金属にエポキシ等の樹脂を
塗布した絶縁性のあるものであればよい。また、ブロッ
クの形状においては、ブロック内壁形状は半導体素子に
合わせ円形または楕円でもよい。このように、絶縁ブロ
ックの内壁は円形をしているためワイヤーボンディング
時のワイヤーの方向性は緩和される。外壁形状において
は、円、楕円、長方形等どのような形状でもよい。ま
た、絶縁ブロックを用いているためワイヤーは絶縁ブロ
ック上に乗り固定される。また、絶縁ブロックの高さ分
によりワイヤーのたるみはおさえることができる。この
ようにワイヤーのたるみ、変形によるショートが低減さ
れることによりパッケージの多ピン化、小型化が可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるワイヤーボンディング
方式の半導体装置を示す断面図。
【図２】図１の要部拡大の斜視図。
【図３】金属を用いた絶縁ブロックの実施例の断面図。
【図４】図３の要部拡大の斜視図。
【図５】図１に樹脂を塗布した要部拡大の斜視図。
【図６】図１での半導体装置の製造方法を示した斜視
図。
【図７】図１での半導体装置の製造方法を示した斜視
図。
【図８】従来のワイヤーボンディング方式の半導体装置
を一部断面で示した斜視図。
【図９】従来半導体装置の要部を拡大して示す斜視図。
【符号の説明】
１ リードフレーム ８ パッケージ ２ ダイパッド ９ 絶縁ブロッ
ク ３ ダイパッド支持腕 １０ 樹脂 ４ インナーリード ５ 半導体素子 ６ ワイヤー ７ アウターリード ８ パッケージ ９ 絶縁ブロック １０ 樹脂

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームと半導体素子とを金線お
    よびアルミニウム線等で接続してなる半導体装置におい
    て、リードフレームダイパッド上に半導体素子を囲むよ
    うに全面にポリイミド等の樹脂ブロック及び金属上にポ
    リイミド等を塗布した絶縁ブロックを有することを特徴
    とした半導体装置。
  2. 【請求項２】 リードフレームと半導体素子とを金線お
    よびアルミニウム線等で接続してなる半導体装置におい
    て、リードフレームダイパッド上に半導体素子を囲むよ
    うに全面にポリイミド等の樹脂ブロック及び金属上にポ
    リイミド等を塗布した絶縁ブロックを有し、リードフレ
    ームと半導体素子とを金線およびアルミニウム線等で接
    続したのち、さらにポリイミド等の絶縁樹脂を塗布した
    ことを特徴とした半導体装置。
  3. 【請求項３】 リードフレームと半導体素子とを金線お
    よびアルミニウム線等で接続してなる半導体装置におい
    て、リードフレームダイパッド上に半導体素子を囲むよ
    うに部分的にポリイミド等の樹脂ブロック及び金属上に
    ポリイミド等を塗布した絶縁ブロックを有することを特
    徴とした半導体装置。
  4. 【請求項４】 リードフレームと半導体素子とを金線お
    よびアルミニウム線等で接続してなる半導体装置におい
    て、リードフレームダイパッド上に半導体素子を囲むよ
    うに部分的にポリイミド等の樹脂ブロック及び金属上に
    ポリイミド等を塗布した絶縁ブロックを有し、リードフ
    レームと半導体素子とを金線およびアルミニウム線等で
    接続したのち、さらにポリイミド等の絶縁樹脂を塗布し
    たことを特徴とした半導体装置。
JP3257907A 1991-10-04 1991-10-04 半導体装置 Pending JPH05102224A (ja)

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JP3257907A JPH05102224A (ja) 1991-10-04 1991-10-04 半導体装置

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JP3257907A Pending JPH05102224A (ja) 1991-10-04 1991-10-04 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847445A (en) * 1996-11-04 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Die assemblies using suspended bond wires, carrier substrates and dice having wire suspension structures, and methods of fabricating same
US20080191367A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package wire bonding
JP2012204558A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Citizen Electronics Co Ltd ワイヤーボンディング構造

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847445A (en) * 1996-11-04 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Die assemblies using suspended bond wires, carrier substrates and dice having wire suspension structures, and methods of fabricating same
US20080191367A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package wire bonding
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