JPH0494736A - 窒化けい素結合炭化けい素質担体及びその製造方法 - Google Patents
窒化けい素結合炭化けい素質担体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、触媒などを担持するだめの窒化けい素結合炭
化けい素質担体に関する。
化けい素質担体に関する。
触媒担体は、各種セラミックスが素体として用いられる
。その中でも炭化けい素は、耐熱性、化学的安定性及び
高熱伝導性の特徴を有しているため、大量に使用されて
いる。
。その中でも炭化けい素は、耐熱性、化学的安定性及び
高熱伝導性の特徴を有しているため、大量に使用されて
いる。
炭化けい素質担体としては、従来、再結晶質炭化けい素
質担体が用いられている。再結晶質炭化けい素質担体は
高純度、高熱伝導性などの特徴があり、酸化触媒の担体
として利用されている。
質担体が用いられている。再結晶質炭化けい素質担体は
高純度、高熱伝導性などの特徴があり、酸化触媒の担体
として利用されている。
ところが、再結晶質炭化けい素質担体は、再結晶化の工
程において、高温処理されるため、炭化けい素粒子が粒
成長する。この結果、比表面積は０．０１〜０．０５ポ
／ｇｒと低く、触媒化する場合に、金属や化合物の担持
が容易でない欠点を有していた。また、低温処理される
と比表面積は高くなるが、触媒担体として必要な強度を
維持できなくなる問題があった。
程において、高温処理されるため、炭化けい素粒子が粒
成長する。この結果、比表面積は０．０１〜０．０５ポ
／ｇｒと低く、触媒化する場合に、金属や化合物の担持
が容易でない欠点を有していた。また、低温処理される
と比表面積は高くなるが、触媒担体として必要な強度を
維持できなくなる問題があった。
触媒担体の比表面積を大きくする方策は（１）粒成長さ
せないこと （２） ウィスカーなど異方性結晶を介在させること
などが考えられるが、従来の炭化けい素質担体は十分な
まで比表面積を上げることができなかった。
せないこと （２） ウィスカーなど異方性結晶を介在させること
などが考えられるが、従来の炭化けい素質担体は十分な
まで比表面積を上げることができなかった。
本発明の目的は、上記の欠点に関し、上記（１）（２）
を同時に対応させることにより、比表面積を飛躍的に向
上させた炭化けい素質担体及びその製造方法を提供させ
ることにある。
を同時に対応させることにより、比表面積を飛躍的に向
上させた炭化けい素質担体及びその製造方法を提供させ
ることにある。
（問題点を解決するだめの手段〕
すなわち、本発明に係る窒化けい集結合炭化けい素質担
体は、窒化けい素で結合された炭化けい素質多孔体であ
って、該多孔体の細孔部に窒化けい素ウィスカーを形成
させ、比表面積を増大することにより、化学触媒などの
担持を容易にすることを特徴とする。
体は、窒化けい素で結合された炭化けい素質多孔体であ
って、該多孔体の細孔部に窒化けい素ウィスカーを形成
させ、比表面積を増大することにより、化学触媒などの
担持を容易にすることを特徴とする。
本発明の窒化けい集結合炭化けい素質担体は、従来の再
結晶質炭化けい素質担体のように、２０００℃以上の高
温に加熱されることがないため炭化けい素の粒成長を抑
制でき、更に窒化けい素ウィスカーが介在しているため
、比表面積が増大するものである。
結晶質炭化けい素質担体のように、２０００℃以上の高
温に加熱されることがないため炭化けい素の粒成長を抑
制でき、更に窒化けい素ウィスカーが介在しているため
、比表面積が増大するものである。
また、本発明に係る製造方法として、炭化けい素粉末に
金属けい素粉末を混合し、成形後窒素雰囲気中１２００
℃〜１６００’Ｃの範囲で加熱し、窒化けい素を生成さ
せる工程において１、該炭化けい素を結合させる窒化け
い素と同時に、細孔部に窒化けい素ウィスカーを生成さ
せることを特徴とする。
金属けい素粉末を混合し、成形後窒素雰囲気中１２００
℃〜１６００’Ｃの範囲で加熱し、窒化けい素を生成さ
せる工程において１、該炭化けい素を結合させる窒化け
い素と同時に、細孔部に窒化けい素ウィスカーを生成さ
せることを特徴とする。
上記方法によれば、工程数も少なく、容易にウィスカー
の生成が可能てコスト面て有利である。
の生成が可能てコスト面て有利である。
本発明に係る担体の一般的な製法に基づいて説明する。
炭化けい素粉末と金属けい素粉末を混合、混練を所定の
形状に成形する。乾燥後、窒素雰囲気中で１２００〜１
６００℃に加熱することにより上記の金属けい素粉末を
窒化けい素に転化させる。
形状に成形する。乾燥後、窒素雰囲気中で１２００〜１
６００℃に加熱することにより上記の金属けい素粉末を
窒化けい素に転化させる。
この際、窒化けい素は炭化けい素の結合剤として組織内
に介在すると同時に、窒化けい素ウィスカーとして細孔
内に生成される。
に介在すると同時に、窒化けい素ウィスカーとして細孔
内に生成される。
つまり、本発明では、１２００〜１６００℃といった比
較的低温で焼成され粒成長が抑えられ、担体としての強
度は、窒化けい素が結合に関与して得られ、窒化けい素
ウィスカーが比表面積を飛躍的に増大させている。
較的低温で焼成され粒成長が抑えられ、担体としての強
度は、窒化けい素が結合に関与して得られ、窒化けい素
ウィスカーが比表面積を飛躍的に増大させている。
ここで、焼成温度が１２００℃以下の場合、結合剤とし
て窒化けい素の生成が十分でないため、強度が上がらず
、また１６００℃を超える場合、ウィスカーが生成され
にくくなり比表面積が思うほど大きくならない。
て窒化けい素の生成が十分でないため、強度が上がらず
、また１６００℃を超える場合、ウィスカーが生成され
にくくなり比表面積が思うほど大きくならない。
〔実施例］
本発明を実施例により説明する。
炭化けい素（平均粒径３０μｍ）８０ｗｔ％、金属げい
素（平均粒径’ ５ ｕ ｍ） ２０ｉｖｔ％、ＣＭＣ
２ｏｕｔｗｔ、％を乾式混合し、更に水を添加して混練
し、加圧成形によりφ５ｍｍＸｆｆ５ｍｍの円柱形状の
成形体を得た。乾燥後、窒素雰囲気中で焼成温度を変え
下表に示す焼成体を得た。尚、比較のため従来の再結晶
炭化けい素質担体の場合を下表のＮｏ。
素（平均粒径’ ５ ｕ ｍ） ２０ｉｖｔ％、ＣＭＣ
２ｏｕｔｗｔ、％を乾式混合し、更に水を添加して混練
し、加圧成形によりφ５ｍｍＸｆｆ５ｍｍの円柱形状の
成形体を得た。乾燥後、窒素雰囲気中で焼成温度を変え
下表に示す焼成体を得た。尚、比較のため従来の再結晶
炭化けい素質担体の場合を下表のＮｏ。
４に示す。
（表）
上記結果のように、温度１２００〜１６００℃で焼成し
たものはＮ０２２であり良好な結果を示した。
たものはＮ０２２であり良好な結果を示した。
Ｎｏ、 ２の焼成体をＸ線回折により分析した結果、α
−８ｉＣ１α−３ｉ３Ｎ４、β−３ｉ３Ｎ４で構成され
ていた。また、電子顕微鏡により組織を観察したところ
炭化けい素粒子の成長は少なく、気孔部にはウィスカー
が生成した組織となっていた。
−８ｉＣ１α−３ｉ３Ｎ４、β−３ｉ３Ｎ４で構成され
ていた。また、電子顕微鏡により組織を観察したところ
炭化けい素粒子の成長は少なく、気孔部にはウィスカー
が生成した組織となっていた。
Ｎｏ、 ２の焼成体はＮｏ、 ４に示す再結晶炭化けい
素質焼成体に比較して６６倍の比表面積を有し、触媒を
担持し易い特徴を有するものである。
素質焼成体に比較して６６倍の比表面積を有し、触媒を
担持し易い特徴を有するものである。
又、Ｎｏ、 １の１１００℃で焼成したものは、強度が
低く、Ｎ０７３の１８００℃で焼成したものは比表面積
の面で満足できない。
低く、Ｎ０７３の１８００℃で焼成したものは比表面積
の面で満足できない。
本発明によれば、炭化けい素質担体の表面積を従来より
も大巾に増大させることができる。従って、触媒の担持
が容易になり、担体として利用範囲を拡大できる。
も大巾に増大させることができる。従って、触媒の担持
が容易になり、担体として利用範囲を拡大できる。
又本発明に係る製造方法も簡易であり、産業上の効果は
大きい。
大きい。
Claims (2)
- （１）窒化けい素で結合された炭化けい素質多孔体であ
って、該多孔体の細孔部に窒化けい素ウィスカーが形成
されていることを特徴とする窒化けい素結合炭化けい素
質担体。 - （２）炭化けい素粉末に金属けい素粉末を混合し、成形
後窒素雰囲気中１２００℃〜１６００℃の範囲で加熱し
、窒化けい素を生成させる工程において、該炭化けい素
を結合させる窒化けい素と同時に、細孔部に窒化けい素
ウィスカーを生成させることを特徴とする窒化けい素結
合炭化けい素質担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02210481A JP3099195B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 窒化けい素結合炭化けい素質担体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02210481A JP3099195B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 窒化けい素結合炭化けい素質担体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494736A true JPH0494736A (ja) | 1992-03-26 |
| JP3099195B2 JP3099195B2 (ja) | 2000-10-16 |
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ID=16590063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02210481A Expired - Fee Related JP3099195B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 窒化けい素結合炭化けい素質担体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3099195B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132662A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Sharp Corp | 導電性セラミック焼結体 |
| JPH0982792A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nec Corp | ウエハ収納容器 |
| WO2004083148A1 (ja) | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Ngk Insulators Ltd. | 多孔質材料及びその製造方法、並びにハニカム構造体 |
| KR20060004513A (ko) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | 엘지전자 주식회사 | 고전압 점화기용 질화규소/탄화규소 복합재료 제조방법 |
| KR100711797B1 (ko) * | 2005-10-13 | 2007-04-30 | 주식회사 포스코 | 탄화규소계 다공체 및 그 제조방법. |
| US7588628B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-09-15 | Noritake Co., Limited | Microporous ceramic materials |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP02210481A patent/JP3099195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132662A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Sharp Corp | 導電性セラミック焼結体 |
| JPH0982792A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nec Corp | ウエハ収納容器 |
| JP2780682B2 (ja) * | 1995-09-12 | 1998-07-30 | 日本電気株式会社 | ウエハ収納容器 |
| US7588628B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-09-15 | Noritake Co., Limited | Microporous ceramic materials |
| WO2004083148A1 (ja) | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Ngk Insulators Ltd. | 多孔質材料及びその製造方法、並びにハニカム構造体 |
| EP1634859A1 (en) * | 2003-03-20 | 2006-03-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Porous material and method for preparation thereof, and honeycomb structure |
| EP1634859A4 (en) * | 2003-03-20 | 2008-11-26 | Ngk Insulators Ltd | POROUS MATERIAL AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND HONEYCOMB STRUCTURE |
| KR20060004513A (ko) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | 엘지전자 주식회사 | 고전압 점화기용 질화규소/탄화규소 복합재료 제조방법 |
| KR100711797B1 (ko) * | 2005-10-13 | 2007-04-30 | 주식회사 포스코 | 탄화규소계 다공체 및 그 제조방법. |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3099195B2 (ja) | 2000-10-16 |
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