JPH10253259A - ローラハース炉用ローラ材及びその製造方法 - Google Patents
ローラハース炉用ローラ材及びその製造方法Info
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- JPH10253259A JPH10253259A JP9076554A JP7655497A JPH10253259A JP H10253259 A JPH10253259 A JP H10253259A JP 9076554 A JP9076554 A JP 9076554A JP 7655497 A JP7655497 A JP 7655497A JP H10253259 A JPH10253259 A JP H10253259A
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- Japan
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- roller
- sic
- sintered body
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックス製品や電子部品等を急速加熱処
理するローラハース炉のローラとして好適に用いること
ができる、特に反り精度および耐クリープ性に優れたロ
ーラ材及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 平均気孔径が１０μm 以上の再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含
有率が１０〜３０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成から成
るローラハース炉用ローラ材。また、その製造方法はＳ
ｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練、成形した
のち加熱乾燥し、非酸化性雰囲気中１９００〜２３００
℃の温度で熱処理して得られた平均気孔径１０μm 以上
の再結晶質ＳｉＣ焼結体に、金属Ｓｉの融液を接触させ
て再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉを１０〜３
０重量％の含有率で充填する。
理するローラハース炉のローラとして好適に用いること
ができる、特に反り精度および耐クリープ性に優れたロ
ーラ材及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 平均気孔径が１０μm 以上の再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含
有率が１０〜３０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成から成
るローラハース炉用ローラ材。また、その製造方法はＳ
ｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練、成形した
のち加熱乾燥し、非酸化性雰囲気中１９００〜２３００
℃の温度で熱処理して得られた平均気孔径１０μm 以上
の再結晶質ＳｉＣ焼結体に、金属Ｓｉの融液を接触させ
て再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉを１０〜３
０重量％の含有率で充填する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス製品
や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のロー
ラとして好適に用いることのできる、特に反りが少な
く、耐クリープ性に優れたローラ材およびその製造方法
に関する。
や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のロー
ラとして好適に用いることのできる、特に反りが少な
く、耐クリープ性に優れたローラ材およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種セラミックス製品や電子部品
等の製造において急速加熱する必要性が増大するととも
に、従来のプッシャー型炉に替わり連続的に搬送するロ
ーラハース炉への転換が図られてきた。一般にローラハ
ース炉用ローラには耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐
摩耗性、耐食性などの材質特性に優れていることが必要
であり、従来からムライトが使用されている。ムライト
は高温においても安定で耐熱性は優れているが、耐熱衝
撃性や高温強度が低く、熱冷サイクルの繰り返しにより
クラックや材質破損が生じ易い欠点がある。
等の製造において急速加熱する必要性が増大するととも
に、従来のプッシャー型炉に替わり連続的に搬送するロ
ーラハース炉への転換が図られてきた。一般にローラハ
ース炉用ローラには耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐
摩耗性、耐食性などの材質特性に優れていることが必要
であり、従来からムライトが使用されている。ムライト
は高温においても安定で耐熱性は優れているが、耐熱衝
撃性や高温強度が低く、熱冷サイクルの繰り返しにより
クラックや材質破損が生じ易い欠点がある。
【０００３】そこで、ムライトに比べて耐熱衝撃性や高
温強度が高いＳｉＣ系のローラ材の検討が行われてい
る。ＳｉＣ材は上記の耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、
耐摩耗性、耐食性などの材質特性に優れており、ＳｉＣ
粉粒を焼結する方法で製造される。例えば、再結晶焼結
法はＳｉＣ粉末を成形したのち２０００℃以上の温度で
熱処理してＳｉＣ粒子の再配列と粒成長作用によりＳｉ
Ｃ粒子相互を強固に結合焼結するものである。
温強度が高いＳｉＣ系のローラ材の検討が行われてい
る。ＳｉＣ材は上記の耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、
耐摩耗性、耐食性などの材質特性に優れており、ＳｉＣ
粉粒を焼結する方法で製造される。例えば、再結晶焼結
法はＳｉＣ粉末を成形したのち２０００℃以上の温度で
熱処理してＳｉＣ粒子の再配列と粒成長作用によりＳｉ
Ｃ粒子相互を強固に結合焼結するものである。
【０００４】しかしながら、再結晶焼結法により製造さ
れたＳｉＣ焼結体には多数の気孔が存在する。そのため
に表面の平滑性が低く、ローラ材として使用するのは不
適当である。そこで、ＳｉＣ焼結体中に存在する気孔
に、高温で融解した金属Ｓｉの融液を含浸して組織の緻
密化を図る方法（例えば特公昭54−10825 号公報）も行
われている。
れたＳｉＣ焼結体には多数の気孔が存在する。そのため
に表面の平滑性が低く、ローラ材として使用するのは不
適当である。そこで、ＳｉＣ焼結体中に存在する気孔
に、高温で融解した金属Ｓｉの融液を含浸して組織の緻
密化を図る方法（例えば特公昭54−10825 号公報）も行
われている。
【０００５】また、反応焼結法はＳｉＣ粉末と炭素粉末
とを混合して成形した混合成形体に高温で融解した金属
Ｓｉの融液を含浸して加熱し、Ｓｉ融液の一部を成形体
中の炭素と反応させて生成したＳｉＣ（二次ＳｉＣ）に
より成形体中のＳｉＣ（一次ＳｉＣ）を結合焼結し、残
余のＳｉが気孔を充填するものである。
とを混合して成形した混合成形体に高温で融解した金属
Ｓｉの融液を含浸して加熱し、Ｓｉ融液の一部を成形体
中の炭素と反応させて生成したＳｉＣ（二次ＳｉＣ）に
より成形体中のＳｉＣ（一次ＳｉＣ）を結合焼結し、残
余のＳｉが気孔を充填するものである。
【０００６】反応焼結法で製造されたＳｉＣ焼結体を用
いたＳｉＣ系ローラとして、例えば特開昭５８−４８６
１９号公報には、主としてＳｉＣおよびＳｉから成り、
そのＳｉ含有率が５〜２５重量％で、且つ開気孔率が
０．５％以下であることを特徴とする金属熱処理炉用ハ
ースロールが提案されている。しかしながら、反応焼結
ＳｉＣ焼結体は二次ＳｉＣが生成する過程で変形が起こ
り易く、また二次ＳｉＣによる一次ＳｉＣを強固に結合
焼結することが難しいために、耐クリープ性が不充分と
なり易い難点がある。したがって、ローラとして基本的
に要求される反り精度および耐クリープ性が低下する問
題がある。
いたＳｉＣ系ローラとして、例えば特開昭５８−４８６
１９号公報には、主としてＳｉＣおよびＳｉから成り、
そのＳｉ含有率が５〜２５重量％で、且つ開気孔率が
０．５％以下であることを特徴とする金属熱処理炉用ハ
ースロールが提案されている。しかしながら、反応焼結
ＳｉＣ焼結体は二次ＳｉＣが生成する過程で変形が起こ
り易く、また二次ＳｉＣによる一次ＳｉＣを強固に結合
焼結することが難しいために、耐クリープ性が不充分と
なり易い難点がある。したがって、ローラとして基本的
に要求される反り精度および耐クリープ性が低下する問
題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の反
応焼結ＳｉＣ焼結体や再結晶焼結ＳｉＣ焼結体はローラ
材として、特に急速加熱処理するローラハース炉用のロ
ーラ材として反り精度や耐クリープ性の点で難点があ
り、長期に亘って安定使用することができないという問
題点がある。このため、ＳｉＣ系ローラ材はムライト質
ローラ材に比べて優れた耐熱衝撃性や高温強度を有しな
がら、全面的にムライト質ローラ材に代替することが困
難となっている。
応焼結ＳｉＣ焼結体や再結晶焼結ＳｉＣ焼結体はローラ
材として、特に急速加熱処理するローラハース炉用のロ
ーラ材として反り精度や耐クリープ性の点で難点があ
り、長期に亘って安定使用することができないという問
題点がある。このため、ＳｉＣ系ローラ材はムライト質
ローラ材に比べて優れた耐熱衝撃性や高温強度を有しな
がら、全面的にムライト質ローラ材に代替することが困
難となっている。
【０００８】本発明者らは、再結晶焼結ＳｉＣ焼結体を
対象にして、特定気孔径を有する再結晶質ＳｉＣ焼結体
の気孔に所定量の金属Ｓｉを含浸充填した場合には、耐
熱衝撃性や高温強度を損なうことなく、反り精度および
耐クリープ性の向上を図ることができることを見い出し
た。
対象にして、特定気孔径を有する再結晶質ＳｉＣ焼結体
の気孔に所定量の金属Ｓｉを含浸充填した場合には、耐
熱衝撃性や高温強度を損なうことなく、反り精度および
耐クリープ性の向上を図ることができることを見い出し
た。
【０００９】本発明は上記の知見に基づいて開発された
ものであり、その目的は高い耐熱衝撃性および高温強度
を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに
耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材及びそ
の製造方法を提供することにある。
ものであり、その目的は高い耐熱衝撃性および高温強度
を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに
耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材及びそ
の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明によるローラハース炉用ローラ材は、平均気
孔径が１０μm 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に金
属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量
％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなることを構成上の特徴
とする。
めの本発明によるローラハース炉用ローラ材は、平均気
孔径が１０μm 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に金
属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量
％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなることを構成上の特徴
とする。
【００１１】また、その製造方法は、ＳｉＣ粉に有機バ
インダー及び水を加えて混練、成形したのち加熱乾燥
し、非酸化性雰囲気中１９００〜２３００℃の温度で熱
処理して得られた平均気孔径１０μm 以上の再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体に、金属Ｓｉの融液を接触させて再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉを１０〜３０重量％の含
有率で充填することを構成上の特徴とする。
インダー及び水を加えて混練、成形したのち加熱乾燥
し、非酸化性雰囲気中１９００〜２３００℃の温度で熱
処理して得られた平均気孔径１０μm 以上の再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体に、金属Ｓｉの融液を接触させて再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉを１０〜３０重量％の含
有率で充填することを構成上の特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のローラハース炉用ローラ
材は、再結晶焼結法で得られたＳｉＣ焼結体を基材とす
る。この再結晶質ＳｉＣ焼結体は原料ＳｉＣ粒子の再配
列と粒成長によりＳｉＣ粒子相互が結合焼結したもの
で、気孔が多く存在する傾向があるが、本発明において
は、気孔として平均気孔径が１０μm 以上であることが
必要である。平均気孔径を１０μm 以上にするためには
充分に再結晶焼結することによりＳｉＣ粒子とＳｉＣ粒
子間を強固緊密な結合組織とすることにより行われる。
なお、平均気孔径が大きくなると気孔中に含浸した金属
Ｓｉ融液が漏出し易くなり充分に充填することが難しく
なるため、平均気孔径は３０μm 以下であることが好ま
しい。平均気孔径が１０μm 未満の場合には再結晶によ
る焼結が不充分であり、ＳｉＣ粒子とＳｉＣ粒子の結合
組織が弱いために金属Ｓｉ融液の含浸充填時に変形し易
く、更に反り精度および耐クリープ性の低下を招くこと
となる。
材は、再結晶焼結法で得られたＳｉＣ焼結体を基材とす
る。この再結晶質ＳｉＣ焼結体は原料ＳｉＣ粒子の再配
列と粒成長によりＳｉＣ粒子相互が結合焼結したもの
で、気孔が多く存在する傾向があるが、本発明において
は、気孔として平均気孔径が１０μm 以上であることが
必要である。平均気孔径を１０μm 以上にするためには
充分に再結晶焼結することによりＳｉＣ粒子とＳｉＣ粒
子間を強固緊密な結合組織とすることにより行われる。
なお、平均気孔径が大きくなると気孔中に含浸した金属
Ｓｉ融液が漏出し易くなり充分に充填することが難しく
なるため、平均気孔径は３０μm 以下であることが好ま
しい。平均気孔径が１０μm 未満の場合には再結晶によ
る焼結が不充分であり、ＳｉＣ粒子とＳｉＣ粒子の結合
組織が弱いために金属Ｓｉ融液の含浸充填時に変形し易
く、更に反り精度および耐クリープ性の低下を招くこと
となる。
【００１３】再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に含浸する金
属Ｓｉの充填量は、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量
％の範囲に設定制御することが必要である。すなわち、
金属Ｓｉを充填したＳｉＣ−Ｓｉ材はＳｉＣが９０〜７
０重量％、Ｓｉが１０〜３０重量％の複合組成から成
る。金属Ｓｉの含有率が１０重量％未満では残存する気
孔が多く気孔率が高くなるために耐酸化性が低下し、ま
た３０重量％を越えると必然的に気孔率の高い基材を用
いることとなり、結果的に反り精度および耐クリープ性
が劣るものとなるためである。なお、再結晶質ＳｉＣ焼
結体の気孔率は１０〜４０％の範囲であることが望まし
い。
属Ｓｉの充填量は、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量
％の範囲に設定制御することが必要である。すなわち、
金属Ｓｉを充填したＳｉＣ−Ｓｉ材はＳｉＣが９０〜７
０重量％、Ｓｉが１０〜３０重量％の複合組成から成
る。金属Ｓｉの含有率が１０重量％未満では残存する気
孔が多く気孔率が高くなるために耐酸化性が低下し、ま
た３０重量％を越えると必然的に気孔率の高い基材を用
いることとなり、結果的に反り精度および耐クリープ性
が劣るものとなるためである。なお、再結晶質ＳｉＣ焼
結体の気孔率は１０〜４０％の範囲であることが望まし
い。
【００１４】また、本発明のローラハース炉用ローラ材
の製造方法は、先ず原料となるＳｉＣ粉にメチルセルロ
ースやグリセリン等の有機バインダーおよび水を加えて
充分に混練し、混練物を加圧成形や鋳込成形等の適宜な
手段により所望形状に成形したのち加熱乾燥して水およ
び有機バインダーを除去し、次いで窒素、アルゴン等の
非酸化性雰囲気中で１９００〜２３００℃の温度で熱処
理することによって、基材となる再結晶質ＳｉＣ焼結体
を得る。この場合、ＳｉＣ粉の粒度調整、有機バインダ
ーの混合比率等を変えることにより基材の気孔性状を調
節することができるが、平均気孔径を１０μm 以上とす
るためには熱処理温度を１９００℃以上に設定してＳｉ
Ｃ粒子を充分に粒成長させることが必要である。熱処理
温度が１９００℃未満では再結晶化が充分に進まず、平
均気孔径を１０μm 以上とするこができない。一方、熱
処理温度が２３００℃を越えると再結晶時の粒成長が著
しくなって、平均気孔径は大きくなるが強度低下を招く
こととなるため、熱処理温度は１９００〜２３００℃の
範囲に設定される。
の製造方法は、先ず原料となるＳｉＣ粉にメチルセルロ
ースやグリセリン等の有機バインダーおよび水を加えて
充分に混練し、混練物を加圧成形や鋳込成形等の適宜な
手段により所望形状に成形したのち加熱乾燥して水およ
び有機バインダーを除去し、次いで窒素、アルゴン等の
非酸化性雰囲気中で１９００〜２３００℃の温度で熱処
理することによって、基材となる再結晶質ＳｉＣ焼結体
を得る。この場合、ＳｉＣ粉の粒度調整、有機バインダ
ーの混合比率等を変えることにより基材の気孔性状を調
節することができるが、平均気孔径を１０μm 以上とす
るためには熱処理温度を１９００℃以上に設定してＳｉ
Ｃ粒子を充分に粒成長させることが必要である。熱処理
温度が１９００℃未満では再結晶化が充分に進まず、平
均気孔径を１０μm 以上とするこができない。一方、熱
処理温度が２３００℃を越えると再結晶時の粒成長が著
しくなって、平均気孔径は大きくなるが強度低下を招く
こととなるため、熱処理温度は１９００〜２３００℃の
範囲に設定される。
【００１５】このようにして得られた平均気孔径１０μ
m 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた
状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓ
ｉの融液は毛細管現象により再結晶質ＳｉＣ焼結体の気
孔中に含浸して充填される。この場合に、充填するＳｉ
量はＳｉＣ焼結体に対して１０〜３０重量％の含有率の
範囲に設定される。すなわち、金属Ｓｉを充填したＳｉ
Ｃ−Ｓｉ材はＳｉＣが９０〜７０重量％、Ｓｉが１０〜
３０重量％の複合組成割合に制御される。
m 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた
状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓ
ｉの融液は毛細管現象により再結晶質ＳｉＣ焼結体の気
孔中に含浸して充填される。この場合に、充填するＳｉ
量はＳｉＣ焼結体に対して１０〜３０重量％の含有率の
範囲に設定される。すなわち、金属Ｓｉを充填したＳｉ
Ｃ−Ｓｉ材はＳｉＣが９０〜７０重量％、Ｓｉが１０〜
３０重量％の複合組成割合に制御される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１７】実施例１〜４、比較例１〜４ 平均粒子径の異なるＳｉＣ粉に、有機バインダーとして
メチルセルロース及び水を用い、これらの混合比を変え
て充分に混練し、混練物を押し出し成形により外径３５
mm、内径２５mm、長さ２０００mmのパイプ状に成形し
た。これらの成形体を乾燥後、アルゴンガス雰囲気中で
加熱温度を変えて熱処理し、気孔性状の異なる再結晶質
ＳｉＣ焼結体を作製した。次いで、これらの再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の上に金属Ｓｉを敷き詰め、アルゴンガス雰
囲気中で１８００℃の温度に加熱して金属Ｓｉを溶融さ
せ、再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉ融液を異
なる量比で含浸して、金属Ｓｉを充填した。このように
して得られたＳｉＣ−Ｓｉ複合材について、再結晶焼結
時の熱処理温度、ＳｉＣ焼結体の気孔性状および充填し
た金属Ｓｉの含有率を表１に示した。
メチルセルロース及び水を用い、これらの混合比を変え
て充分に混練し、混練物を押し出し成形により外径３５
mm、内径２５mm、長さ２０００mmのパイプ状に成形し
た。これらの成形体を乾燥後、アルゴンガス雰囲気中で
加熱温度を変えて熱処理し、気孔性状の異なる再結晶質
ＳｉＣ焼結体を作製した。次いで、これらの再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の上に金属Ｓｉを敷き詰め、アルゴンガス雰
囲気中で１８００℃の温度に加熱して金属Ｓｉを溶融さ
せ、再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉ融液を異
なる量比で含浸して、金属Ｓｉを充填した。このように
して得られたＳｉＣ−Ｓｉ複合材について、再結晶焼結
時の熱処理温度、ＳｉＣ焼結体の気孔性状および充填し
た金属Ｓｉの含有率を表１に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、これらＳｉＣ−Ｓｉ複合材のローラ
材としての性能を評価するために、下記の方法により特
性を測定して、その結果を表２に示した。 (1)反り精度；ＪＩＳ Ｒ２２０３に準じて定板の上に
ローラを置き、ローラと定板との隙間の最大値ｈ(mm)を
測定し、次式から反りＷa(％）を求めた。 Ｗa ＝ｈ／ｌ×１００ 但しｌはローラの長さ(mm) (2)耐クリープ性；各ローラから切り出した４×１０×
２８０mmの試験片を、１３００℃の温度において２５０
mmのスパンで８００g の荷重を掛けた状態で１０００時
間保持後の変形量で評価した。 (3)耐酸化性；ＪＩＳ Ｒ１６０９に準じて１３００℃
の温度で測定し、測定前後の重量増加率で示した。 (4)高温強度；ＪＩＳ Ｒ１６０４に準じて１３００℃
の温度で測定した。 (5)耐熱衝撃性；各ローラから切り出した試験片を３０
０℃に加熱したのち水中に投下急冷し、ＪＩＳ Ｒ１６
０１に準じた方法で強度試験を実施し、下記の判定基準
により劣化の状況を評価した。 ○…劣化が認められない △…やや劣化有り ×…劣化有り
材としての性能を評価するために、下記の方法により特
性を測定して、その結果を表２に示した。 (1)反り精度；ＪＩＳ Ｒ２２０３に準じて定板の上に
ローラを置き、ローラと定板との隙間の最大値ｈ(mm)を
測定し、次式から反りＷa(％）を求めた。 Ｗa ＝ｈ／ｌ×１００ 但しｌはローラの長さ(mm) (2)耐クリープ性；各ローラから切り出した４×１０×
２８０mmの試験片を、１３００℃の温度において２５０
mmのスパンで８００g の荷重を掛けた状態で１０００時
間保持後の変形量で評価した。 (3)耐酸化性；ＪＩＳ Ｒ１６０９に準じて１３００℃
の温度で測定し、測定前後の重量増加率で示した。 (4)高温強度；ＪＩＳ Ｒ１６０４に準じて１３００℃
の温度で測定した。 (5)耐熱衝撃性；各ローラから切り出した試験片を３０
０℃に加熱したのち水中に投下急冷し、ＪＩＳ Ｒ１６
０１に準じた方法で強度試験を実施し、下記の判定基準
により劣化の状況を評価した。 ○…劣化が認められない △…やや劣化有り ×…劣化有り
【００２０】
【表２】
【００２１】表１、２の結果から、実施例のＳｉＣ−Ｓ
ｉ複合材は、本発明の要件を外れる比較例に比べて反り
精度および耐クリープ性が優れており、高温変形が少な
いことが判る。また、耐酸化性、高温強度ならびに耐熱
衝撃性も高く、ローラハース炉用のローラとして優れた
性能を具備するものである。
ｉ複合材は、本発明の要件を外れる比較例に比べて反り
精度および耐クリープ性が優れており、高温変形が少な
いことが判る。また、耐酸化性、高温強度ならびに耐熱
衝撃性も高く、ローラハース炉用のローラとして優れた
性能を具備するものである。
【００２２】
【発明の効果】以上のとおり、本発明のローラハース炉
用ローラ材によれば、高い耐酸化性、高温強度、耐熱衝
撃性を備えるとともに、優れた反り精度および耐クリー
プ性を有し、従来のムライト質ローラに代替してセラミ
ックス製品や電子部品等の急速加熱を主目的とするロー
ラハース炉用のローラ材として極めて有用である。また
その製造方法によれば、これら高性能を備えるローラ材
を容易かつ能率よく製造することが可能である。
用ローラ材によれば、高い耐酸化性、高温強度、耐熱衝
撃性を備えるとともに、優れた反り精度および耐クリー
プ性を有し、従来のムライト質ローラに代替してセラミ
ックス製品や電子部品等の急速加熱を主目的とするロー
ラハース炉用のローラ材として極めて有用である。また
その製造方法によれば、これら高性能を備えるローラ材
を容易かつ能率よく製造することが可能である。
Claims (2)
- 【請求項１】 平均気孔径が１０μm 以上の再結晶質Ｓ
ｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含
有率が１０〜３０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からな
ることを特徴とするローラハース炉用ローラ材。 - 【請求項２】 ＳｉＣ粉に有機バインダー及び水を加え
て混練、成形したのち加熱乾燥し、非酸化性雰囲気中１
９００〜２３００℃の温度で熱処理して得られた平均気
孔径１０μm 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体に、金属Ｓｉ
の融液を接触させて再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金
属Ｓｉを１０〜３０重量％の含有率で充填することを特
徴とするローラハース炉用ローラ材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076554A JPH10253259A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | ローラハース炉用ローラ材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076554A JPH10253259A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | ローラハース炉用ローラ材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253259A true JPH10253259A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13608485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9076554A Pending JPH10253259A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | ローラハース炉用ローラ材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10253259A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7501370B2 (en) * | 2004-01-06 | 2009-03-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High purity silicon carbide wafer boats |
| US8058174B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-11-15 | Coorstek, Inc. | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby |
| JP2013075799A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Taiheiyo Cement Corp | ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体の接合方法及びＳｉＣ／Ｓｉ複合材料接合体 |
| WO2019235028A1 (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 日本碍子株式会社 | 熱処理炉 |
| JPWO2022049819A1 (ja) * | 2020-09-01 | 2022-03-10 |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP9076554A patent/JPH10253259A/ja active Pending
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