JPH0476530A - ハロゲン化銀写真感光材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、支持体上Ｉコハロゲン化銀感光層を有する写
真感光材料に関し、更に詳しくは高コントラストが得ら
れるハロゲン化銀写真感光材料に関する。

〔発明の背景〕

写真製版工程では連続調の原稿を網点画像に変換する工
程が含まれる。この工程には、超硬調の画像再現をなし
得る写真技術として伝染現像による技術が用いられてき
ｔ；。

伝染現像に用いられるリス型ハロゲン化銀写真感光材料
は、例えば平均粒子径が０　、２層ｍで粒子分布が狭く
粒子の形も揃っていて、かつ塩化銀の含有率の高い（少
なくとも５０モル％以上）塩臭化銀乳剤よりなる。この
リス型ハロゲン化銀写真感光材料を亜硫酸イオン濃度か
低し・アルカリ性ハイドロキノン現像液で処理すること
により高いコントラスト、高鮮鋭度、高解像力の画像か
得られる。

しかしなから、これらのリス型現像液は空気酸化を受け
やすいことがら保恒性か極めて悪いため、連続使用の際
においても、現像品質を一定に保つことは難しい。

上記のリス型現像液を使わずに迅速に、かつ高コントラ
ストの画像を得る方法か知られている。

例又は米国特許２，４１９，９７５号、特開昭５１−１
６６２３号及び特開昭５１−２０９２１号、特開昭５６
−１０６２４４号等に見られるように、ハロゲン化銀感
光材料中にヒドラジン誘導体を含有せしめるものである
。

これらの方法によれば、現像液中に亜硫酸イオン濃度を
高く保つことかでき、保恒性を高めた状態で処理するこ
とができる。

しかしながら、これらの方法では、ヒドラジン誘導体の
硬調性を充分発揮させるためにｐＨ１１以上のｐＨを有
する現像液で処理しなければならなかった。ｐ旧１以上
の高いｐＨを有する現像液は、空気にふれると現像主薬
が酸化しやすいリス現像液よりは安定であるが、現像主
薬の酸化によって、しばしば超硬調な画像が得られない
ことがある。

この欠点を補うために特開昭６３−２９７５１号及びヨ
ーロンパ特許３３３，４３５号、同３４５０２５号には
、比較的低ＰＲの現像液でも硬調化する硬調化剤を含む
ハロゲン化銀写真感光材料が開示されている。

しかし、これらのような硬調化剤を含むハロゲン化銀写
真感光材料をｐＨ１１未満の現像液で処理した場合、硬
調化が不充分であり、満足な網点性能が得られないのが
現状である。

一方、ヨーロッパ特許３６４，１６６号及び特開昭６２
２２２２４１号、同６０−１４０３４０号、同６２−２
５０４３９号、同６２−２８０７３３号等には硬調化を
促進する為の造核促進剤か記載されており、確かにこれ
らの化合物を乳剤層に添加することにより、網点性能は
良くなるが、網点中に砂状、ピン状のカブリいわゆる黒
ビンが発生して網点画像の品質を損なうという問題点を
生ずることがわかった。

従って、上記のような諸問題を解決した、有効な硬調化
剤及び造核促進剤を用いた感光材料か望まれている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ｐ［（１１未満の現像液で処理しても
硬調な写真特性を有すると共に、網点画像中に発生する
カブリを抑制して良好な網点性能を有するハロゲン化銀
写真感光材料を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の上記目的は、下記構成のハロゲン化銀写真感光
材料により達成された。

即ち、少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有するハ
ロゲン化銀写真感光材料において、下記一般式（Ａ）及
びＣＢ）で表されるヒドラジン化合物を少なくとも１種
含有し、かつアミン化合物、ヒドラジン化合物、四級オ
ニウム塩化合物から選ばれる少なくとも１種の造核促進
化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感
光材料によって上記目的は達成された。

般式〔Ａ〕 Ｙ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＯＯＩ
Ｉ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｉ；　　ＩＲ
＋（Ｎ）、ＣＮ　　Ｒ４Ｌ　　Ｒｓ　　ＮＨＮＨＣＣＸ
Ｒ２Ｒ。

式中、Ｒ，及びＲ３は各々、水素原子、置換されてもよ
いアルキル基、アリール基、シクロヘキシル基、ピリジ
ル基又はピロリジル基、Ｒ３は水素原子又は置換されて
もよいベンジル基、アルコキシ基又はアルキル基、Ｒ４
及びＲ５は２価の芳香族基、Ｘは−ＮＲ６Ｒ，又は−Ｏ
Ｒ，、Ｒ６，Ｒ７及びＲ８は各々、水素原子、置換され
てもよいアルキル基又はアリール基、Ｙは硫黄原子又は
酸素原子、Ｌは２価の結合基、ｎはＯ又は１を表す。

一般式〔Ｂ〕 １′ Ａｒ　−ＮＨＮＨ−Ｃ−Ｒ 式中、Ａｒは耐拡散性基又はハロゲン化銀吸着促進基を
少なくとも一つ含むアリール基、Ｒはアルコキシ、アリ
ールアミノ、複素環オキシ、メルカプト、アルキルチオ
、アリールチオ、複素環チオ、アルキルスルホニル、ア
リールスルホニル、複素環スルホニル、アシル、ンアノ
、塩素、臭素、弗素、アルコキンカルボニル、アリール
オキシカルボニル、カルポキンル、カルバモイル、アル
キルカルバモイル、アリールカルバモイル、アミン、ア
ルキルアミノ、アリールアミノ、アンルアミノ、アルコ
キンカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミ
ノ、アンルアミノ、アルキルアミノカルボニルオキシ、
アリールアミノカルボニルオキシ、スルホ、スルファモ
イル、アルキルスルファモイル又はアリールスルファモ
イルの多基のいずれかで置換されｔ；置換アルキル基を
表す。

なお、一般式（Ａ）及びＣＢ）で表される化合物は、式
中の−ＮＨＮＨ−の少なくとも一方のＨが筺換基で置換
されたものを含む。

上記一般式〔Ａ〕中、Ｒ８及びＲ１は水素原子、置換さ
れてもよいアルキル基（例えばメチル、エチル、ブチル
、ドデシル、２−ヒドロキシプロピル、２−ンアノエチ
ル、２−タロロエチル等）、置換されてもよいアリール
基、シクロヘキシル基、ピリジル基、ピロリジル基（例
えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、ａ−ヒ
ドロキシナフチル、シクロヘキシル、ｐ−メチルシクロ
ヘキシル、ピリジル、４−プロピル−２−ピリジル、ピ
ロリジル、４−メチル−２−ピロリジル等）を表す。

Ｒ１は水素原子又は置換されてもよいベンジル基、アル
コキシ基又はアルキル基（例えばベンジル、ｐ−メチル
ベンジル、メトキシ、エトキシ、エチル、ブチル等）を
表す。

Ｒ６及びＲ２は各々、２価の芳香族基（例えば、フェニ
レン基又はナフチレン基）を表す。

Ｙは硫黄原子又は酸素原子を表し、Ｌは２価の結合基（
例えば−５ＯｚＣＨｚＣＨｚＮＨ−、−５ＯｚＮＨ−、
−ＯＣＨ＊ＣＨｚＣＯＮＨ−、−ＯＣＨ！５０２ＮＨ−
、−０−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ＊ＮＨ−）を表すが、
−５ｏ２ＮＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ！ＮＨ−等が好
ましい。

Ｘは−ＮＲ，Ｒア又は−０Ｒａを表し、Ｒ、、Ｒ、及び
Ｒ８は、各々水素原子、置換されてもよいアルキル基（
例えばメチル、エチル、ドデシル）、アリール基（例工
ばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−メトキシフェニ
ル、α−ナフチル、β−ナフチル等）ヲ表す。

Ｘが−ＯＲ，を表す時、Ｙは硫黄原子を表すのが好まし
い。

一般式ＣＢ）中、Ａ「は耐拡散基又はハロゲン化銀吸着
促進基を少なくとも一つ含むアリール基を表すが、耐拡
散基としてはカプラー等の不動性写真・用添加剤におい
て常用されているバラスト基が好ましい。バラスト基は
８以上の炭素数を有する写真性に対して比較的不活性な
基であり、例えばアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、アルキルフェ
ノキシ基などの中から選ぶことができる。

ハロゲン化銀吸着促進基としてはチオ尿素基、チオウレ
タン基、複素環チオアミド基、メルカプト複素環基、ト
リアゾール基などの米国特許４，３８５．１０８号に記
載された基が挙げられる。

Ａｒで表されるアリール基にはアルキレン、アルキレン
オキシ、−３Ｏ２ＮＨ−、−ＣＨ−Ｎ−、−ＣＨ！ＮＨ
−等の基を介して耐拡散基やハロゲン化銀吸着促進基が
結合することが好ましい。

Ｒは置換アルキル基を表すが、アルキル基トシては、直
鎖、分岐、環状の任意のアルキル基を表し、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、ペンチ
ル、シクロヘキンル等の基が挙げられる。

これらのアルキル基へ導入される置換基としては、アル
コキシ（例えばメトキシ、エトキシ等）、アリールオキ
シ（例えばフェノキシ、ｐ−クロルフェノキシ等）、複
素環オキシ（例えばピリジルオキシ等）、メルカプト、
アルキルチオ（例えばメチルチオ、エチルチオ等）、ア
リールチオ（例えば７ヱニルチオ、ｐ−クロロフェニル
チオ等）　、複素環チオ（例えばピリジルチオ、ピリミ
ジルチオ、チアジアゾリルチオ等）、アルキルスルホニ
ル（例えばメタンスルホニル、ブタンスルホニル等）、
アリールスルホニル（例えば、ベンゼンスルホニル等）
、複素環スルホニル（例えばピリジルスルホニル、モル
ホリノスルホニル等）、アシル（例えばアセチル、ベン
ゾイル等）、シアノ、塩素、臭素、弗素、アルフキ／カ
ルボニル（例えばエトキンカルボニル、メトキシカルボ
ニル等）、アリールオキン力ルボニル（例えばフェノキ
シカルボニル等）、カルボキシル、カルバモイル、アル
キルカルバモイル（例えばＮ−メチルカルバモイル、Ｎ
。

Ｎ−ジメチルカルバモイル等）、アリールカルバモイル
（例えばＮ−７エニルカルバモイル等）、アミン、アル
キルアミノ（例えばメチルアミノ、Ｎ、Ｎ〜ジメチルア
ミノ等）、アリールアミノ（例えばアニリノ、ナフチル
アミノ等）、アシルアミノ（例えばアセチルアミノ、ベ
ンゾイルアミノ等）、アルコキシカルボニルアミノ（例
えばエトキシカルボニルアミノ等）、アリールオキシカ
ルボニルアミノ（例えばフェノキシカルボニルアミノ等
）、アシルオキシ（例えばアセチルオキシ、ベンゾイル
オキシ等）、アルキルアミノカルボニルオキシ（例えば
メチルアミノ力ルポニルオキン等）、アリールアミノカ
ルボニルオキシ（例えばフェニルアミノカルボニルオキ
シ等）、スルホ、スルファモイル、アルキルスルファモ
イル（例えばメチルスルファモイル等）、アリールスル
ファモイル（例えばフェニルスルファモイル等）等の多
基が挙げられる。

一般式（Ａ〕及びＣＢ）中の−ＮＨＮＨのＨ１即ちヒド
ラジンの水素原子は、スルホニル基（例えばメタンスル
ホニル、トルエンスルホニル等）、アンル基（例えばア
セチル、トリフルオロアセチル等）、オキザリル基（例
えばエトキザリル等）等の置換基で置換されていてもよ
く、一般式（Ａ）及びＣＢ）で表される化合物はこのよ
うなものをも含む。

上記一般式［Ａ）及びＣＢ）で表される化合物の代表的
具体例を以下に示すが、本発明はこれら（ｌＯ） 本ＮＨＮＨＣＯＣＯＮＨＣＨｚＣＨｔＳＣＨｚＣＨｓＳ
ＣＨｚＣＨｚＯＨし１ｉ ○ ＣＨ２ＣＨ２ＳＨ ■ 次に上記具体的化合物の合成法の一例を示す。

（化合物ｌ の合成） （Ｄ） （Ｅ） （Ｆ） 即ち、４−ニトロフェニルヒドラジン１５３ｇと５００
−〇のジエチルオキザレートを混合し、１時間還流する
。反応を進めながらエタノールを除去し、最後に冷却し
て結晶を析出させる。濾過し、石油エーテルで数回洗浄
し、再結晶する。次に得られた結晶（Ａ）のうち５０ｇ
を１０００ｍ１２のメタノールで加温溶解し、パラジウ
ム−炭素触媒下に５０Ｐｓ　ｉの加圧した水素雰囲気で
還元し、化合物（Ｂ）を得る。

この化合物（Ｂ）２２ｇをアセトニトリル２００Ｉとピ
リジン１６ｇの溶液に溶かし、室温で化合物（Ｃ）２４
ｇのアセトニトリル溶液を滴下した。不溶物を濾別後、
濾液を濃縮し再結晶精製して化合物（Ｄ）３１ｇを得た
。化合物（Ｄ）３０ｇを上記と同様に氷菓添加をして化
合物（Ｅ）２０ｇを得ｔ；。

化合物（Ｅ）１０ｇをアセトニトリル１００ｆｆＩＱに
溶解し、エチルインチオシアナート３．０ｇを加え、１
時間還流した。溶媒を溜去後、再結晶精製して化合物（
Ｆ）７．０ｇを得た。

化合物（Ｆ）５．０ｇをメタノール５０ｍｆｆに溶解し
てメチルアミン（４０％水溶液８　ｉ＋２）を加え撹拌
した。メタノールを若干濃縮後、析出した固体を取り出
し、再結晶精製して化合物ｌを得た。

（化合物３の合成） （Ｂ） （Ｃ′） （Ｄ“） （Ｅ′） （化合物３） 化合物ＣＢ）２２ｇをピリジン２００ｍＱに溶解し撹拌
スる中へ、ｐ−二トロベンゼンスルホニルクロライド２
２ｇを加えた。反応混合物を水中にあけ、析出する固体
を取り出し化金物（Ｃ′）を得た。この化合物（Ｃ′）
を合成スキームに従って化合物１と同様の反応により化
合物３を得た。

（化合物ｌＯの合成） （ｎ） ＊　ＱＮＨＮＨＣＯＣＦｂＯＣＨｓ （化合物１０） アセトニトリル７５ｍＱ中にｐ−ニトロフェニルヒドラ
ジン１５．３ｇ　（０，１モル）を溶解し、氷水冷下メ
トキシアセチルクロライド１６．３ｇ　（０，１５モル
）を滴下し、次いでトリエチルアミン１５．２ｇ　（０
，１５モル）を滴下する。滴下終了後、反応液を水７５
０ｍ１２中に流し込み、水溶液を水酸化ナトリウム水溶
液にて中和後、析出した結晶を濾取・乾燥して、メトキ
シアセチル体（ｒ　）　１５．５ｇを得た（収率７０％
）。

酢酸１２０＋ｎＱ中に上記メトキシアセチル体（１）１
５．５ｇ　（０，０７モル）及びパラジウム−カーボン
触媒３．０ｇを加え、水素気流下、常圧・室温にて強く
撹拌する。約５時間抜水素ガスの吸収が止まり反応が終
了した後、濾過した触媒残査を除去する。

濾液中に酢酸カリウム１４−０ｇを加え、２−（２’、
４　’−ジーむ一ペンチル）フェノキシブチリルクロラ
イド（Ｉ［Ｉ）　２０．７ｇ　（０，０６モル）を室温
にて滴下する。

滴下終了後反応液を水１１２中に流し込み、分離した油
状物質をデカンテーションにて取り出し、クロロホルム
３００ａ＋１２に溶解、希アルカリ水にて洗浄する。分
液後クロロホルム層に硫酸マグ不シウムを加えて乾燥し
、濾過後濾液を濃縮して組成物２７ｇを得た。これをカ
ラムクロマトグラフィー（シリカ２００ｇ、クロロホル
ム：酢酸エチル＝１００：ｌ）によって精製し、化合物
１０を１６．６ｇ得た（収率５０％、融点５０．８〜５
２．０°）。

（化合物２５の合成） （Ｉ） （Ｉ［） （ＩＶ） （化合物２５） 前記化合物ｌＯの合成法と同様にして、メトキシアセチ
ル体（Ｉ　）　９．４ｇ　（４２ミリモル）を用いて反
応し、化合物（ＩＩ）を合成した。

触媒残置を除去後、濾液中に酢酸５０ｍＱ、酢酸ナトリ
ウム３．５　ｇ　（４２ミリモル）を溶解後、１５℃以
下に冷却しながらクロル蟻酸フェニル６−６　ｇ　（４
２ミリモル）を滴下する。更に１０分間室温撹拌後、氷
水５００ｍ（＋中に反応液を流し込み、炭酸水素ナトリ
ウムにて中和後、クロロホルムにて抽出する。

クロロホルム層を水洗、脱水（硫酸マグネシウムによる
）、濾過後、濃縮して粗製物９．３ｇを得た。

これを混合溶媒中（アセトニトリル：酢酸エチル：ヘキ
サン−１０：５：ｌ）撹拌洗浄によって精製し、フェニ
ルエステル体（ＩＶ）７．４ｇを得た（収率７８％）。

トルエン５６０ｍ１ｌ中に上記フェニルエステル体ＣＩ
Ｖ）７．４ｇ　（２３ミリモル）、イミダゾール０．２
ｇ　１４−（２’。

４′−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミン（１
８，４ｇ　（２８ミ！Ｊモル）を加え、加熱還流下１．
５時間撹拌する。終了後反応液を濃縮し、残量１６．２
ｇを得た。これをカラムクロマトグラフィー（シリカ２
００ｇ、クロロホルム：酢酸エチル−１ｏｏ：１）によ
って精製し、化合物２５を９．９ｇ得た（収率８２％）
。

（化合物２７の合成） （Ｉ） ニジＣ，Ｈ，ＮＨＣＳＮベトＨＮＨＣＯＣ眩Ｈ３（化合
物２７） 前記化合物ｌＯの合成法と同様にして、メトキシアセチ
ル体（Ｉ　）　１１−６ｇ　（５２ミリモル）を用いて
反応し、触媒残置を除去した。

濾液を濃縮後、残量を酢酸エチル４６０ＩＩｌａに溶解
し、無水炭酸カリウムにて中和後、不溶物を濾過する。

濾液を脱水（ｉｌＥ＃マグネシウムによる）、濾過後、
濃縮して、粗製物９．７ｇを得た。これをクロロホルム
による再結晶によって精製し、アミノ体（Ｉ［）を６．
２ｇ得た（収率６１％）。

アセトニトリル６０１ＩＩＱ中に上記アミノ体（Ｉｆ）
６．２ｇ（３２ミリモル）を溶解し、加熱還流下、エチ
ルインチオシアナート４．１ｇ　（４７ミリモル）を滴
下する。滴下後頁に２時間加熱還流し、５°Ｃ以下に冷
却後、析出物を濾取、乾燥して粗製物４．５ｇを得た。

これをアセトンによる再結晶によって精製し、化合物２
７を３．９ｇ得た（収率４３％、融点１６４．２〜１６
５．０℃）。

（化合物４８の合成） ＊　−ＮＨＮＨＣＯＣＨｘＯＣＨｓ （化合物４８） 化合物（１）ｌＯｇ、５％パラジウム−炭素触媒２．０
ｇをエタノール８０ｍｆｌ中に加え、強撹拌下、理論量
の水素を吸収させた。触媒を濾別し、濾液を濃縮し、残
置にエタノール５０Ｉ０１２を加え、１５°Ｃ以下でｐ
−デシルオキシベンズアルデヒド１４．４ｇを滴下し、
窒素気流下に一夜反応させた。

析出結晶を濾別し、イソプロピルエーテル洗浄を２＠行
い、粗製物１６．０ｇを得た。粗製物６ｇをベンゼン３
０ｍ１２より再結晶して、化合物４８を５．５ｇ得た（
融点１２７〜１２７．５℃）。

（化合物６６の合成） ＣＩａＨｘｒ＋Ｈ−％ＮＨＮＨＣＯＣＨ２０ＣＨ３Ｐ、
”／Ｃ（化合物４８） Ｃ１゜Ｈ２１べ’１−ｃＨ，Ｎぺ＞ＮＨＮＨＣＯＣＨｚ
ＯＣＨｓ（化合物６６） ８．５ｇの化合物４８．１．２ｇの５％パラジウム−炭
素触媒をエタノール７７ＩＩＩＱ中に加え、理論量の水
素を吸収させた。反応液にエタノールを加え結晶を溶解
後、触媒を除き、濾液を乾固し、残置をイソプロピルエ
ーテル／メタノールで再結晶して化合物６６を５．９ｇ
得た（融点８６〜８７°Ｃ）。

（化合物６７の合成） （Ｉ） （Ｉ［） ＊　−ＮＨＮＨＣＯＣＨ２０ＣＨ３ （化合物６７） ９．４ｇの化合物（１）、１．８ｇの５％パラジウム−
炭素触媒を酢酸５０ｍ＋２中に加え、理論量の水素を吸
収させた。反応後、触媒を除き、濾液中に酢酸ナトリウ
ム３．５ｇを加え、１５℃以下でｐ−オクチルオキシベ
ンゾイルクロライド１１．３ｇを滴下し、室温で一晩反
応した。反応液を５００ｍＩｌの水に注入し、発泡を抑
えるためにクロロホルムを加え、炭酸水素ナトリウムで
中和した。結晶を濾別、乾燥し、イソプロピルエーテル
／メタノールで再結晶して、化合物６７を８．２ｇ得た
（融点１８３〜１８４℃）。

化合物４６．５２．７６、７８は次の方法で合成できる
。

（化合物５２） （化合物７８） （化合物７６） 化合物８９．９０は次の方法で合成できる。

（化合物４６） ネ−ＮＨＮＨＣＯＣＯＮＨＣＨ 化合物８８は次の方法で合成できる。

化合物１００は次の方法で合成できる。

（化合物１００） 化合物１１１は次の方法で合成できる。

本発明において一般式（Ａ）及び〔Ｂ）で表される化合
物と併用される造核促進化合物のアミン化合物、ヒドラ
ジン化合物、四級オニウム塩化合物としては、下記の一
般式ＣＩ）〜〔■〕の化合物が挙げられる。

この中で好ましい化合物としては、［Ｖ］−ａ。

（Ｖ）−ｂ、（Ｖ）−ｃ、（Ｖｌ）−ａ、（■）−ｂ、
（ＶＩ）−〇　の化合物が挙げられる。

ＮＩＩＬ−ＩＪＩ−１１！シｎ２ （化合物１ｌｌ） Ｒｌ＋Ｒｚ、Ｒｓは水素原子又は置換基表す。Ｒ１゜Ｒ
２，Ｒ３は互いに連結して環を形成してもよい。

ＲＩ＋Ｒｘ、Ｒｓが表す置換基としては、例えばアルキ
ル基（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキ
シル、シクロヘキシル等の基）、アルケニル基（例えば
アリル、ブテニル等の基）、アルキニル基（例えばプロ
パルギル、ブチニル等の基）、アリール基（例えばフェ
ニル、ナフチル等の基）、ヘテロ環基（例えばピペリジ
ニル、ピペラジニル、モルホリニル、ピリジル、フリル
、チエニル、テトラヒドロフリル、テトラヒドロチエニ
ル、スルホラニル等の基）が挙げられる。

Ｒ、、Ｒ、、Ｒ、が互いに連結して形成してもよい環と
しては、例えばピペリジン、モルホリン、ピペラジン、
キヌクリジン、ピリジン等の環が挙げられる。

Ｒｌ、Ｒ２，Ｒ３で表される基には更に置換基（例えば
ヒドロキシル、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキ
シル、スルホ、アルキル、アリール等の基）が置換して
いてもよい。Ｒ、、Ｒ２，Ｒ、としては水素原子及びア
ルキル基が好ましい。

以下に代表的具体例を示す。

Ｉ−Ｉ　　　　　　　　ｌ−２ ＣＣｚＨｓ）ｚＮｃＨｘｃＨｚｃＨｚＯＨＣＨｓＮＨＣ
ｋｂＣＨｚＯＨＩ−３１−４ （ＣｚＨｓ）ｚＮＣＨ：Ｃ）１２０）１　　　　　　　
（ＣＪｓ）２ＮＣＨｚＣＨＣＨｚＯＨＨ ■ （ｉ−Ｃｚ）Ｉｔ）２ＮＨ ■ （ＣａＨＪ２ＮＣＨ２ＣＦＩｚＯＨ ■ ■ ■ ■ ■ Ｃ，ＨｓＮ（ＣＨｚＣＨ２０１（）２ ■ （Ｃ４Ｈ９）２ＭＣＩ（２０ＨＣＨ２０ＨＨ ■ ■ ■ ■ ＝２０ ■ ＝２１ ０■ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２ＮｃＨ２ｃ）Ｉ２０Ｈ（ＣｓＨ＋
　ｙ）ｔＮｃＨ２ｃＨｚＯＨ■ （ＣｌａＨ３ｘ）ｚＮｃＨｚｃＦｌｚＯＨ一般式ＣＩ＋
） に３ ＱはＮ又はＰ原子を表し、Ｒｌ＋　Ｒｚ、Ｒｓ、Ｒ４は
各々、水素原子又は置換可能な基を表す。Ｘｏはアニオ
ンを表す。Ｒ，、Ｒ２，Ｒ１，Ｒ，は互いに連結して環
を形成してもよい。

Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，で表される置換可能な基として
は、例えばアルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ル、ヘテロ環、アミノ等の多基が挙げられ、具体的には
一般式（Ｉ）のＲ，、Ｒ，、Ｒ３゜で説明したものか挙
げられる。

Ｒｌ＋　Ｒ２＋　Ｒ３，Ｒ４か形成し得る環としては、
般式（Ｉ）のＲｌ、　Ｒ２，Ｒｓで形成し得る環として
説明したものと同様のものが挙げられる。

Ｘｅが表すアニオンとしては、ハロゲン化物イオン、硫
酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、パラトルエンスル
ホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙げられる
。

以下に代表的具体例を示す。

ｎ−Ｉ　　　　　　　　Ｕ−２ Ｐｈ　ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）３　　ＣＱ”　　　Ｃｌ６Ｈ
３３Ｎ（ＣＨ３）３　　ＢｒｅＩ［−３１ｌ−４ （Ｃ４Ｈ９）４Ｎ　　　ＣＱｏＣＣＨｓ）３ＮｃＨｘｃ
Ｈ２０ＨＣＱＱＰｈ　　ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２　　Ｃ１
２゜Ｃ１４８２う ■ （ｃ、Ｈｓ）ｘＮｃｎ２ｃｏｚＮ（ｃ４Ｈｇ）ｓ（Ｃｆ
ｆｉＨ５）３Ｎ（ＣＨ，）ｓＮ（Ｃ，Ｈ，）。

Ｓ０４′。

２０１２゜ ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００（ＣＩ（２）＋０ＣＯＣＨｚＣＨ２
ＣＩ（２Ｃ８２００Ｃ（ＣＨ２）４ＣＯＯＣＦＩ２ＣＨ
２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ ■ ■ ■ ■ Ｃｌ２Ｏ ■ （ＣＩＨり３　Ｐ’１ Ｃ１＠Ｈ３！ Ｂｒ０ Ｂｒ０ 一般式ＣＩＩＩ） Ｒ＋、Ｒｚはアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は連結して
環を形成してもよい。Ｒ３はアルキル基、アリール基、
ヘテロ環基を表し、Ａはアルキレン基を表す。

Ｙは−ＣＯＮＲ，−、−０ＣＯＮＲ，−，−ＮＲ，Ｃ０
ＮＲ，−、−ＮＲ４ＣＯＯ−。

ｃｏｏ−、−ｏｃｏ−、−ｃｏ〜、　−０ＣＯＯ−、−
ＮＲ，Ｃｏ−、−ＳＯ，ＮＲ，−−ＮＲ、Ｓｏ□−、−
ＮＲ，５Ｏ２ＮＲ，−、−５ｏ□−、−Ｓ−、−０−、
−ＮＨ４Ｎ−基を表し、Ｒ４は水素原子又はアルキル基
を表す。

Ｒ、、Ｒ２で表されるアルキル基としては、一般式（１
）で説明したＲ　１．Ｒｚ、Ｒｓのアルキル基と同様の
ものが挙げられ、Ｒ１とＲ２で形成し得る環も同様のも
のが挙げられる。

Ｒ１で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロ環基も
一般式ＣＩ）のＲ、、Ｒ２，Ｒ、の表すアルキル基、ア
リール基、ヘテロ環基と同様のものが挙げられる。

Ａで表されるアルキレン基としては、例えばメチレン、
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等が挙げられ
、Ａの置換基としてはアリール基、アルコキシ基、ヒド
ロキシル基、ハロゲン原子などを挙げることができる。

Ｒ４で表されるアルキル基は、炭素数１〜５の低級アル
キル基又はアラルキル基（例えばベンジル基など）が好
ましい。

以下に代表的具体例を示す。

■ ■ Ｉ［［−６ １ｌ−８ （ＣＪｓ）ｚＮ（ＣＨｔ）　ＩＮＨｃＯＮＨｃＩ　２Ｈ
！　ｇ（Ｃ４Ｈｓ）ｚＮ（ＣＩ（ｚ）２０ｃＯＮＨｃａ
Ｌｙ（ｃ２ｕｓ）ｚＮ（ｃｏｚ）２Ｎｏｃｏｃ＋ｘＨｚ
ｙ（ＣＨ３）ｚＮ（ＣＨｚ）ｚｃＯＮＨｃ＋　４８２１
■　−１９ ■　〜２０ （Ｃ４Ｈ＊）ｚＮ（ＣＨｚ）ＪＨ５Ｏ□Ｎ（Ｃ［（２Ｐ
ｂ）２ｌｌ−２１ １［［−１５ （Ｐｈ−ＣＢりＩＮ（Ｃ）１ｍ）３０ＣＩＨｔ■−２２ （Ｐｈ−ＣＨ２）、Ｎ（ＣＨ，）、Ｎ）ＩｓＯ□Ｎ（Ｃ
Ｈ３）！Ｖ−１ （ｉ　　Ｃ３Ｈ２）ｘＮ（ＣＨ２Ｃ１（２０）〜、ＨＶ
−２ （ＣＪｙ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨ２０）ｓ）Ｉ−数式（ＩＶ
） １・〉、−〇 Ｒｒ　、　Ｒ＊は水素原子、アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、Ｒ、
、Ｒ、、Ｅで環を形成してもよい。

Ｅは一＋ｃＨｚＣＨｚＯ坩で表される基を少なくとも一
つ含む基であり、ｎは２以上の整数を表す。

Ｒ＋　、　Ｒ！で表されるアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基１．アリール基、ヘテロ環基及びＲ３゜Ｒ
！、Ｅで形成し得る環としては、−数式ＣＩ）のＲｌ＋
Ｒ２＋Ｒｓで説明したものと同様のものが挙げられる。

以下に代表的具体例を示す。

ＩＶ−５ ＩＶ−６ ＩＶ−７ （ＣｚＨｓ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）ｉＨ（ＣｚＨｓ）
ｚＮ（ＣＨｚＣＨ２０）〜ｌ　４ＣＩ（２Ｃ８２Ｎ（０
２Ｈ５）２（ｉ　−ＣｓＨｙ）ｚＮ（ＣＨｚＣ）Ｉ＊Ｏ
）ｚｃＨ２ｃＨｚＮ（ＣｓＨｔ（Ｃ２Ｈｓ）ｚＮ（ＣＨ
２ＣＨ２Ｏ）〜ｘｚＣＨ２ＣＨＪ（Ｃ２Ｈｓ）２（ＣＬ
）ｚｃＨ（ＣＨ２”ｈＣＨＮＨ（ＣＬＣＬＯ）〜＋　ａ
ｃＨｔｃＨｘＮＨｃＨｃｃＨｔ）ｓｃＨｃｃＨｓ’ｌｘ
Ｖ−１１ ■ （Ｃ３１（７）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜、ＣＨ，ＣＨ
，Ｎ（Ｃ３Ｈア）２ＣｓＨ＋　ＩＮ＋（（ＣＨ２ＣＨ２
０）〜＋　ａ　ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣｓ　Ｈｒ□■ Ｃ７ＨＩ　５ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜＋　ｔｃＨｔｃ
ＨｚＮＨｃ、Ｈ＋　ｓ■ （）１０ＣＨ２ＣＨｆ）２Ｎ（ＣＨ２Ｃ！（２０）〜＋
４ＣＨｚＣＨｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）２（Ｃ３Ｈ７）
２Ｎ（ＣＨ２Ｃｌ、Ｏ）〜＋　、ＣＨｚＣＨｚＮ（Ｃａ
Ｂ７）２■ ＣＨ，−Ｃ４ＣＨ２０Ｈ（ＣＩ（２ＣＨ，Ｏ）〜ｒｉｃ
Ｈ２ｃＨ２ＮＨｃＨ２ｃＨ−ＣＨ２■ ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ（ＣＨ２Ｃｌ、Ｏ）〜＋　ａｃＨｔｃ
ＨｚＮＨｃＨ２ｃ＝ｃＨ（ＣｓＨ＋）２Ｎ（ＣＨｚＣＨ
ｚＯ）〜３□ＣＦｌｚＣＨ２Ｎ（ＣｓＨ＋）ｚ（ＣａＨ
ｓ）ｚＮ（ＣＨｚＣ）ｌｚＯ）〜６ＣＨ２ＣＨＪ（Ｃ４
Ｈり！■ （ＣａＢ６）Ｊ（Ｃ４ＣＨ２０）Ｊ （Ｃ４ＨＩ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜＋　４　ＣＨ２
ＣＨ２Ｎ　（Ｃ４Ｈｓ　）　２■−２９ ＣＨ３ＣＨ５ （ＣＨ３）　２ＣＨＣＨｚｃＨＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２０）
−＋　−ＣＨｘＣＨ２Ｎ）ｌｃＨｃＨ２ｃＨ（ＣＨ３）
　２■−３０ （ｃ、＋（、７）２Ｎ（ＣＨ，ＣＩ（２０）！）１（Ｃ
ａａＨ＋１）ｚＮ（ＣＨｚＣ）＋２０）２Ｈ（Ｐｈ−Ｃ
Ｈ２）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）２Ｈ（Ｃ４Ｈｓ）２Ｎ（
ＣＩ（２ｃＨ２０）ｚｃＨ２ｃＨ２Ｎ（Ｃ２）（Ｊｚ（
ＣｓＨ＋　７）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）２ＣＨ２ＣＨ２
Ｎ（ＣＩＨＩ　７）２（ＨＯＣＨ，ＣＨ，）２Ｎ（ＣＨ
，ＣＨ，０）２ＣＨ２ＣＨ，Ｎ（ＣＨ２Ｃｌ、０）Ｉ）
２−数式（Ｖ）　−ａ （ｃＨ２−ＣＨ２ＣＨ２）、Ｎ（ＣＨ，ＣＯ２０）２Ｈ
■−３６ （ＣＨｚ　＝　Ｃ）ＩＣＨｚ　）　２Ｎ（Ｃ４ＣＨ２０
）ｚｃＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ルａＨ１ｓ ＣＨｚ　　Ｐｈ Ｃ＠Ｈｒ３ ＣＩ（ｚ　　Ｐｈ ＲＩ＋Ｒ２＋Ｒｓはアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、ヘテロ環基を示す。

但し、ＲＩＲ２，Ｒ３のうち少なくとも一つはアルケニ
ル基又はアルキニル基を表すか、又はＲＩ＋Ｒ２のうち
少なくとも一つはアリール基又はヘテロ環基を表すもの
とする。Ｒｒ　、　Ｒ！　、Ｌ　、Ｒｓで環を形成して
もよい。Ｌは連結基を表す。

Ｒｌ＋Ｒ２，Ｒ３が表すアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、−数式
ＣＩ）のＲ、、Ｒ、、Ｒ、で挙げた基と同様のものが挙
げられる。

Ｒ、、Ｒ、、Ｌ　、Ｒ！で形成し得る環としては、例え
ばピペリジン、モルホリン、ピロリジン等のへテロ環が
挙げられる。

Ｌで表される連結基としては、例えば−数式Ｃ１１１）
で挙げたーＡ−Ｙ−が挙げられる。

以下に代表的具体例を示す。

−ａ−１ （ＣＨｓ）ｚＮ（ＣＨｚ）ｓＮＨｃＯＮＨ（Ｃ）ｌｘ）
ａｃＨ＝ｃＨｃｓｆＬ□−ａ−２ （Ｃ２Ｈｓ）２Ｎ（ＣＨ２）３ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７Ｃ
Ｈ−ＣＨＣａｌ（、？−ａ−３ （Ｃ，ＨＩ）ｊＮ（ＣＨ２）２０ＣＯＮＨ（Ｃ）１２）
、ＣＨ−ＣＨＣａｌ、。

−ａ−４ （ＣｚＨｓ）２Ｎ（Ｃ［（ｚ）ｓＮＨｃＯＯ（ＣＨｚ）
ｇｃＨ＝ｃＨｃａＨ＋　７−ａ−５ −ａ−６ −ａ−７ −ａ−８ −ａ−１０ −ａ−１１ −ａ−１２ −ａ−１３ −ａ−１４ −ａ−１５ （Ｃ２Ｈ５：）ｚＮ（ＣＨ２）３０ＣＯＣ＝ＣＣ，Ｈ，
３（Ｃ２Ｈｓ：ｈＮ（ＣＩ（ＪｚＮｆ（ＣＯＯＣＨｚＣ
ｆｆｉＣＣｙＨ＋　５（Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮ（Ｃ）Ｉ
り２０ＣＯＮＨＣＨｚＣ；ＣＦＩ（Ｐｂ　　ＣＨ２）２
Ｎ（ＣＨｚ）ＪＨＣＯＮ（ＣＨｚＣＨ＝ＣＦ［ｚ）２（
Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮ（ＣＨ２）ｚＮＨｃＯｃミＣＣＩ
Ｈ１３（Ｐｈ　　ＣＨｚ）Ｊ（ＣＨ２）２ＮＨＣＯＯＣ
Ｈ２ＣＨ−ＣＨｚ−ａ−２４ −ａ−２５ Ｖ　−ａ　−２１ （ＣＨ，−ＣＨＣＨｘ）２ＮＣＣＨ２）２ＮＨ５Ｏ２Ｎ
ＣＣＨ２−Ｐｈ）　２−ａ−２２ （Ｃ，ＨＩ）２Ｎ（ＣＨり３ＮＨＳＯ，Ｎ（ＣＨ，ＣＨ
−ＣＯ，）。

−ａ−２３ （Ｐｈ　　ＣＨｓ）ｚＮ（ＣＨｚ）２ＮＦｌｓｏ□Ｎ（
ＣＨ２Ｃ）ｌ−ＣＨ２）！一般式 ％式％ Ｒｌ＋Ｒ２，Ｒ４はアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、Ｒ１は水素原
子又は置換可能な基を表す。

Ｌは連結基を表し、ｎは０又は１の整数を表す。

Ｒ、、Ｒ２，Ｒ、、Ｌ　、Ｒ、で連結して環を形成して
もよい。

Ｒ、、Ｒ２，Ｒ４で表されるアルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、−
数式（ｌのＲ＋　、　Ｒ２、Ｒｓで説明したのと同様の
基が挙げられる。

Ｒ１で表される基のうち置換可能な基としては、例えば
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ
環等の多基であり、上述したと同様の基が挙げられる。

　Ｌは連結基を表すが、例えば〜ｃｏ　−、−ｃｏｏ　
−、〜Ｃ０ＮＲ５−，−Ｓｏ□−、−５Ｏ２ＮＲ６−等
の基を表す。Ｒ３は水素原子又は置換可能な基を表す。

Ｒ、、Ｒ２，Ｒ、、Ｌ　、Ｒ、で形成し得る環としては
、例えはピペリジン、モルホリン等のへテロ環が挙げら
れる。

−ｂ−３ −ｂ−４ ■〜ｂ−６ （ＣＨ＋）ｚＮＮＨ５Ｏ２ｃ＋５ｔ（ｓ。

（ＣＨ３）２ＮＮＨ３０２（Ｃ）１２　　Ｐｂ）ｚ−ｂ −ｂ −ｂ−１５ −ｂ−１６ Ｃｔｌ　！　）　２　ＮＮＨ３０□Ｃ，Ｈ１７■ （Ｐｂ　　ＣＨ２）２Ｎ　　ＮＣＯＣｌ３Ｈ２７ＣＨ，
−Ｐｈ −ｂ−１８ ■ （ＣＨ２＝ＣＨＣＨｚ）２ＮＮＨ３Ｏ２ｃ＋２Ｈｚｓ−
ｂ−１９ −ｂ−１３ ■ ｂ−２０ −ｂ −ｂ −ｂ 一般式（Ｖ）　−ｃ Ｒ，−Ｎ．、、＼（Ｌ）ｎ　Ｒ２ Ｒ１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ２はアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ環基の多基を
表す。Ｌは連結基を表す。

杓，：“は含窒素へテロ環を表す。ｎはＯ又はｌの整数
を表す。Ｒ１は　〜　ｊと共に環を形成してもよい。

Ｒ２で表されるアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロ環の多基としては、一般式ＣＩ）のＲ　
＋，Ｒ　２＋Ｒ　ｓで説明したものと同様の基が挙げら
れる。Ｒ１で表される基のうち置換基としては、例えば
上記Ｒ２で説明したものと同様の基が挙げられる。

Ｌで表される連結基としては、例えば一般式（Ｉ［Ｉ）
のＹで表されるものと同様のものが挙げられる。

以下に代表的具体例を示す。

ーｃー４ 成し得るヘテロ環としては、例えばキヌクリジン、ピペ
リジン、ピラゾリジン等のへテロ環が挙げらーｃー５ れる。

■ ■ ーｃー９ ーｃー２１ ■ ２ＨＳ ■ ■ −ｃ ■ ■ Ｖ−ｃ−２９ Ｖ−ｃ−３３ −ｃ−３０ −ｃ３４ Ｖ　−ｃ　−３１ −Ｃ−３２ 一般式（ＶＩ）　−ａ Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基
、アリール基、ヘテロ環基を表し、Ｒ３は水素原子又は
置換基を表す。

Ｒ４ハ（ＣＨ２ＣＨＸ）Ｈ又ハ’（ＣＨ２ＣＨＣ）１２
　Ｏｉ　Ｔ　表される基を少なくとも一つ含む基である
。Ｒは水素原子又はアルキル基を表し、ＸはＯｌＳ又は
ＮＨ基を表し、Ｙは水素原子又はＯＨ基を表し、ｎは２
以上の整数を表す。Ｒｌ＋Ｒ２＋Ｒｓ、Ｒ＋で連結して
環を形成してもよい。

Ｒｌ、　Ｒ２で表されるアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、−数式
〔Ｉ〕のＲＩ、Ｒ！＋Ｒｓの同様の基で説明したものと
同じものが挙げられる。

Ｒ１で表される基のうち置換基としては、例えばアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテ
ロ環基、アシル基、スルホニル基、オキシカルボニル基
、カルバモイル基等が挙げられる。Ｒ１で表される置換
基のうち、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、ヘテロ環基としては、−数式ＣＩ）のＲ、
、Ｒ、、Ｒ、で説明したのと同様の基が挙げられる。

アシル基としては、アセチル、ベンゾイル等が挙げられ
、スルホニル基としては、メタンスルホニル、トルエン
スルホニル等が挙げられ、オキシカルボニル基としては
、エトキンカルボニル、フェノキシカルボニル等が挙げ
られ、カルバモイル基としては、メチルカルバモイル、
フェニルカルバモイル等が挙げられる。

Ｒ１，Ｒ２＋Ｒｆｆ＋Ｒ−で形成し得る環としては、ピ
ペリジン、モルホリン等の環が挙げられる。

Ｒで表される基のうちアルキル基はメチル、エチル等で
あり、メチル基が好ましい。

以下に代表的具体例を示す。

Ｔ−ａ−１ （ＣＨｊ’１２ＮＮＨＣＣＨ，ＣＨ２Ｏ’）〜、ＨＩ−
ａ−２ ＣＨ２−Ｐｈ （Ｃ）１３）２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２ＣＨｚＯ）３Ｈ１−ａ
−３ （ＣＨ，）、ＮＮＨ（ＣＨ２Ｃ１１２０）〜＋　４ＣＨ
２ＣＨ２ＮＨＮ　（ＣＨ３）　２１−ａ−４ （Ｃ３Ｆ＋７）２８ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜ａｃＨｚ
　　Ｐｈ■ Ｖｌ−ａ ｌ２ Ｃ．Ｈ５ Ｃ２Ｈ， （Ｃ２Ｈ５）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ，ＣＨ．０）−３２ＣＨ２
Ｃ８２ＮＮ（Ｃ２Ｈ，）２■ （Ｐｈ−ＣＨ２）２ＮＮＨ（ＣＨ２ＣＨｚＯ）−＋ａＣ
ＨｚＣＨｚＮＨＮ（ＣＨ２Ｐｈ）ｚ■ ａ−７ ＳＯ２ＣＨ３ ＳＯ２Ｃｌ｛， （Ｐｈ−ＣＨ２）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ．Ｏ）〜３２Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＮＮ（ＣＨ， Ｐｈ）２ ■ ａ−３ Ｖｌ−ａ ＣＨ２ ｐｈ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜，．ＣＩ｛２ Ｐｈ Ｖｌ−ａ ｌ５ ■ ＣＯＯＣ２Ｈ５ ＣＯＯＣ　２　Ｈ　ａ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２Ｃ｝＋２０）〜
，。ＣＨ　２Ｃ｝Ｉ　２ＮＮ（ＣＨ２　　Ｐｈ）ｚ ■ ａ　−１６ （Ｐｈ−ｃＨ２）　２ＮＮＨ（ＣＨ．ＣＨ２０）　２Ｃ
ｌ｛２Ｃ８２Ｎｌ｛Ｎ（ＣＨ２Ｐｈ）． Ｖｌ−ａ−１０ ＣＯＣＨ３ ＣＯＣＨｓ ＶＴ−ａ ｌ７ （ｌ Ｃ３Ｈ，）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）−，　，ＣＨ２
ＣＨ２Ｎ−Ｎ（Ｃ３Ｈ７ｔ）ｚ （Ｐｈ−ＣＨ２）２８ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜，。Ｈ
■ ｌ８ ＣＨ． ■ ＣＨ， ＣＨ， （ＣＩｔｓ）２ＮＮＨ（ＣＨ２ＣＨＯ）−＋ｏＨ（ＣＨ
２＝ＣＨＧＨｚ）２Ｎ　Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）−３０Ｃ
Ｈ２Ｃ８２Ｎ　Ｎ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２■ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２８ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）〜１
６Ｈ（ＣＨ．）２ＮＮＨ（ＣＨ２ＣＨＯル。ＣＨ２ＣＨ
ＮＨＮ（ＣＨ＋）ｚ■ ■ ＣＨ２ ｐｈ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ　　Ｎ（（ＣＨ２Ｃ｝ＩＪＨ）
〜，Ｈ）２（ＣＨ３）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ．ＣＨＣＨ２０）
〜６Ｈ■ ０Ｈ （ＣＨ３）２ＮＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２Ｓ）６ＣＨ２Ｃｌ｛
２ＮＨＮ（ＣＨ３）２■ ａ　−２１ ＣＨ． ■ ＣＯＣＨ　３ ＣＯＣＨ． ＣＣＨ．’）２ＮＮＨＣＣＨ２ＣＨＯ）〜１　２（ＣＨ
２ＣＨＣＨ２０）〜６Ｈ（Ｐｈ−ＣＨ２）２Ｎ−Ｎ（Ｃ
Ｈ２Ｃ！｛２Ｓ）〜８ＣＨ２ＣＨ２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２ｐ
ｈ）　２ ０Ｈ Ｖｌ−ａ Ｃ２Ｈ５ ＣＨ． ＶＩ−ａ （Ｐｈ−ＣＨ２）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ２ＣＦＩＣＨ２０ル．
ｏ（ｃｏｚｃｏｏ）−＋ｏＨ（Ｐｈ　　Ｃ［｛２）２Ｎ
ＮＨ（ＣＨ２ＣＨＣ｝１２０）〜１４Ｈ０Ｈ ０Ｈ ■ ３ｌ ■ ＣＨ２ Ｐｂ　ＣＨ２−Ｐｈ Ｈ（ＯＣＲ２ＣＨ２）〜１４Ｎ Ｎ（ＣＨｚＣＬＯ）〜１４｝１ ■ ａ−３２ ＣＨ， ＣＨ． ■ ａ−２４ Ｐｈ−ＣＨ２（ＯＣ８２ＣＨ２）−１０ＮＮ（ＣＨ２Ｃ
｝１２０）−１０ｃＨ２ Ｐｈ （ＣＨＩ）２Ｎ−Ｎ（（ＣＨ．Ｃ｝１２０）〜，。ｔＯ
ｚ■ ａ−３３ ■ ＣＯＣＨ３ ＣＯＣ｝ｌ　ｓ （Ｃ２Ｈ６）２Ｎ　　ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）−１０
８ＣＣＨ３）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜３２ＣＨ２
ＣＨ２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ３）２（Ｐｈ−ＣＨ２）、Ｎ−Ｎ
（ＣＩ（２ＣＨ２０）−、、ＣＨ，Ｃ）Ｉ２Ｎ−Ｎ（Ｃ
Ｈ，−Ｐｈ）。

（Ｐｈ−ＣＩ（２）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ＝ＣＨ２ＣＨ，Ｏ）
−、ａ（ＣＨ，ＣＨＣＨ，Ｏ）−、ｏＨ■ ＯＨ ＣＨＣＨ３ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ｓ
ｓｃＨ２Ｐｈ■ （Ｐｂ　　ＣＨｚ’）ｚＮ　　ＮＣＣＨｘＣＨ２ＣＨｙ
Ｏ）〜ａｃＨｚｃＨ２ｃＨ２ＮＮ（ＣＨ２Ｐｈ”。

ｒＨｌ 一般式 ％式％） アルキル基、 アルケニル 基、 アルキニル基、 アリール基、 ヘテロ環基を表し ＯＨ 、Ｒ２，Ｔで環を形成してもよい。

■ （ｃｔ　８９）　２ＮＮＨＣＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０）−
２０ＣＨ２ＣＨ，ＣＨ２ＮＨＮＣＣ４Ｈ９’ｈＴは −（ＣＨ２−ＣＩ（−Ｘ）Ｈ又バー（ＣＨ，−ＣＨ−Ｃ
）（、−ｏ’ｙ　Ｔ表される基を少なく とも一つ含む基である。

（Ｃ２Ｈ５）２Ｎ　　ＮＣＣＨ＊ＣＨ２ＣＨ２０）−ａ
ｃＨｚｃＨ２ｃＨ２Ｎ　　Ｎ（Ｃ２Ｈ６）２Ｒは水素原
子又はアルキル基を表し、 Ｘは０゜ 又は ＮＨ基を表し、 Ｙは水素原子又は ＯＨ基を表 し、 ｎは２以上の整数を表す。

但し、 Ｒが水素原 子の時、 ＸはＳ又は Ｎｌ（基を表すものとする。

Ｒ。

Ｒ２で表される基のうち、 アルキル基、 ア ■ ルケニル基、 アルキニル基、 ア リ ル基、 ヘテロ 環基と しては、 一般式 ％式％ 明したものと同様の基が挙げられる。

Ｒ、、Ｒ２，Ｔで形成し得る環としては、ピペリジ ＣｓＨ＋　ＩＮ）ｌ（ＣＨ３ＣＯＯ）−１０Ｃ）１２ｃ
ｌ（ＮＦＩＣ５Ｉ（ｌ　＋ン、モルホリン、キヌクリジ
ン、ピラゾリジン等のベテロ環が挙げられる。

Ｒで表されるアルキル基としてはメチル、エチ （ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２）２Ｎ（Ｃ）Ｉ２ＣＨＯ）−、Ｃ
Ｈ２ＣＨＮ（ＣＨ，ＣＨ＝ＣＨ２）２ル等であり、 メチル基が好ま しい。

以下に代表的具体例を示す。

■ ■ ＣＨ。

■ （ＣｘＨｙ）ｚＮ（ＣｌｈＣＨＯ）〜、ＨＣＨ。

■ （ＣｓＨ＋　ｙ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２）ｚＨＨｉ （Ｃ，Ｈｓ）２Ｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）＋Ｈ（Ｐｈ　　ＣＨ
ｚ）、Ｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）ｚｃＨｚｃｌｌＮ（ＣＨｚＰ
ｈ）　！ （Ｃ２）１．）２Ｎ（ＣＨ２Ｃ）ｔｏ）〜、　、ＣＨ２
ＣＨＮ（Ｃ２Ｈ５）２■−ｂ ■−ｂ ■ １’Ｊ４゜ ■ ＣｓＨ＋　ＩＮＨ（ＣＨ２ＣＨＣＨ２０）〜Ｉ２ＨＨ ■ しＨ３ Ｖｌ−ｂ−２５ ■ ■ （Ｃ２Ｈ５）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＣＨ２０）〜６ＨＨ ■ ＣＣｓＨ１７）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＣＨ２０）〜ｒ４ＨＨ ■ （ＣＨ２ ＣＯＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２Ｃｌ（ＣＨ２０）−＋ｏＨＨ ■ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨｚＣＨＣＨｚＯ）〜、Ｈ
Ｈ ■ ＣＨ。

（Ｃ−８９）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯ）−８（ＣＨ２ＣＨＣ
Ｈ２０）−１Ｑ）ＩＨ ■ ■ ＣＨ。

（Ｃ）Ｉ　２ ＣＯＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２Ｃ）ＩＣＨ２０）−、、（Ｃ
）Ｉ２Ｃｌ（Ｏ）−、ｏＨｏｌ（ ■ ＣＨ。

Ｃ，Ｈ，、ＮＨ（ＣＨ，ＣＨＯ）−１、（ＣＨ２ＣＨＣ
Ｈ２０）〜２゜ＨＨ ■ ■ ■ ｂ ■ （Ｃ，Ｈり２Ｎ（ＣＨ，ＣＨ，ＮＨ）〜１４ＨＴ−ｂ （ＣＦ＋２−ＣＨＣ）１２）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨｚＮＨ）
−２０８ＣＨ。

■−ｂ ｔ−ｂ Ｃ，Ｈ，アＮ１（（ＣＩ（、ＣＨ２ＮＨ）〜ｔａＨ■−
ｂ Ｖｌ−ｂ−４５ Ｖｌ−ｂ−４６ ■ ■ （ＣＪｙ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２Ｓ）〜ａｃＨ２ｃＨｚＮ
（ＣｘＨ＋）２■ ＣＨ，＝ＣＣＨ２Ｎ（ＣＨ，ＣＨ２５）〜１゜ＣＨ，Ｃ
Ｈ，ＮＣＨ２ＣＨＣＨ２ＣＨ畿ＣＨ２ＣＨ−ＣＨＣＨ２
）Ｊ（ＣＨ２ＣＨ２Ｓ）〜、　ＤＣｌ（２Ｃ［（２Ｎ（
ＣＨ２ＣＨ２ＶＴ−ｂ＝５６ ■ Ｃ６ｔ（１３ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２Ｓ）〜＋　２ＣＨ＋Ｃ
ＨｚＮＨＣａ）！＋　３■ ■−ｂ ■ （Ｃ，Ｈ＃）ｆＮ（ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ，０）−５８Ｖｌ
−ｂ−５９ ■−ｂ （ＣＨ２＝　ＣＨＣＨ！　）２ＮＣＣＨｚＣＨｘＣＨ２
０）〜、。ＨＶｌ−ｂ−６０ Ｃ，Ｈ。

ＣＩ（＝ＣＣＨ２Ｎ（Ｃｔ（ｚｃＨ２ｃＨｓｏ）〜１１
Ｈｖ＋−ｂ−６１ ｖ＋−ｂ Ｃｓ　Ｈ７ Ｃ１（−ｉｉｃｃＨ，聞（ＣＩ（２Ｃ）Ｉ２Ｓ）〜２゜
ＣＨ３ＣＮ、ＮＨＣＨ，Ｃ＝ＣＨＣＩ（ｌ−ＣＨ２Ｈ２
Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０）−Ｉｉ（ＣＦ］２ＣＨＣＨ
ｚＯ）−＋　ｏＨｖ’＋−ｂ Ｈ ■ ＣｓＨ＋　＋ＮＨ（ＣＨｚＣＨｚＣＨｚＯ）−１１Ｈ■ ｂ 一般式ＣＶＩ）　−ｃ ■ Ｖｌ−ｂ−６５ ■ ■ ＶＩ−ｂ−６８ しＭｌ （Ｃ２Ｈｓ）２Ｎ（ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ，Ｏ）〜、。ＣＨ
２ＣＨ２ＣＨｚＮ（Ｃ２ｔ（ｓ）２Ｒ、、Ｒ２は水素原
子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリー
ル基、ヘテロ環基を表しＲ、、Ｒ２，Ｇで環を形成して
もよい。

Ｇは−（ＣＨ２Ｃｌ、Ｏ：ｌ−ｙで表される基を少なく
とも一つ含み、かつ疎水性置換基定数π値が−０５〜−
１，０の置換基を少なくとも二つ含むか、又はに値が１
．０より小の置換基を少なくとも一つ含むものとする。

ｎは２以上の整数を表す。

Ｒ＋　、　Ｒ！で表される基のうち、アルキル、アルケ
ニル、アルキニル、アリール、ヘテロ環の各基としては
、一般式（Ｉ）のＲｌ、Ｒ２，Ｒｓで説明したのと同様
の基が挙げられる。

Ｒ、、Ｒ、、Ｇで形成し得る環としては、例えばピペリ
ジン、キヌクリジン、モルホリン等の環が挙げられる。

疎水性置換基定数πについては、薬物の構造活性相関（
南江堂）、７９〜１０３頁（昭和５４年）に記載されて
いる。

π値が−０，５〜−１，０の置換基としては、例えば−
Ｎ）ＩＣＯＣＲ，、−Ｃｏ　　　等の基が挙げられ、π
値が１．０より小の置換基としては、例えば−ＣＯＮＨ
ｘＣＯＮＨＯｆ（、−ＣＯＮＨＣＨｓ、　−ＮＪ、　−
ＮＨＣＯＮ）１２．−ＮＨＣ５ＮＨｘ。

Ｎ　ＨＳ　Ｏ２ＣＨ３＋　Ｎ　”　（ＣＨｓ　）　３　
＋　　Ｏｅ＋　−ＯＣＯＮ　Ｈｚ　＋　−５Ｏｓ　ｅ＊
Ｓｏ□Ｎ１（２，−５ＯＣＦ＋、、　−５ｏ、ＣＨ，、
−Ｃｏｏｅ等（７）基カ挙Ｉｆられる。

以下に代表的具体例を示す。

Ｔ−ｃ−１ （ｌｃｓｕ＋）ｚＮ（ｃｏ２ｃｏｚｏ）ｚｃｕ２ｃｏＮ
ｏｚＶＩ　−ｃ　−２ （ｉ　　Ｃ３Ｈ７）ｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）＋Ｃ）１２
ＣＯＯＮａＶｌ　−ｃ　−３ （Ｃ２Ｈｓ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）ｉｃＯＮＨ２Ｔ−
ｃ−４ （ＨＯＣＨ２ＣＨｚ（Ｊ１２）ｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２０）
Ｊ１−ｃ−５ １−ｃ−６ ■ ■ ■〜Ｃ ＣＨｘ””ＣＨＣ旧Ｎ）＋（ＣＨ２ＣＨ２０）〜．ＣＨ
２ＣＯＯＫ（ＣＩ（ミＣＣＨ２）ｚＮ（ＣＨｚＣＨｚＯ
）〜，ＣＨ２ＣＯＮ！（２Ｃ，Ｈ７ ＣＨ２−ＣＨ２Ｈ２ＮＣ（Ｊ１２ＣＨ２０）〜６ｃＨｚ
ｃＯＮＨｃＨ３！ ０１。

（ＣＨ２−ＣＨＣＨり．Ｎ（ＣＨ，ＣＨ２０）〜６ＣＨ
２ＣＯＮＩ（。

■ ■ ■ Ｉ−ｃ ■ 「（ＨＯＣ８２ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）３ＮＣＨ，Ｃ）
１２０ＣＨ，−１（ＣＨｚＣＨ２０）４ｃＨ３Ｌ２ ■ （ＨＯＣＨ，ＣＨ２）、Ｎ（ＣＩ（２（Ｈ２Ｏ）〜、４
ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２Ｃｌ（２０Ｈ）２■ ■ ■ ■ Ｖｌ−ｃ−３６ ■ 本発明を適用した高フントラストな画像を得ることがで
きるハロゲン化銀写真感光材料中には、上記一般式〔Ａ
〕及び（Ｂ）で表されるヒドラジン化合物が少なくとも
１種及びＣＩ）〜（ＶＴ）で表される造核促進化合物の
少なくとも１種が含有されるが、該写真感光材料に含ま
れる一般式〔Ａ〕。

ＣＢ）及び（Ｉ）〜（Ｖｌ）の化合物の量は、写真感光
材料中に含有されるハロゲン化銀１モル当たり５　Ｘ　
１０−’モル−５Ｘ　１０−’モルであることが好まし
い。特に５　Ｘ　１０−’モル−ｌＸｌ０−”モルの範
囲とすることが好ましい。

本発明のハロゲン化銀写真感光材料は、少なくとも一層
のハロゲン化銀乳剤層を有する。すなわちハロゲン化銀
乳剤層は、支持体の片面に少なくとも一層設けられてい
ることもあるし、支持体の両面に少なくとも一層設けら
れていることもある。

そして、このハロゲン化銀乳剤は支持体上に直接塗設さ
れるか、あるいは他の層例えはハロゲン化銀乳剤を含ま
ない親水性コロイド層を介して塗設されることができ、
さらにハロゲン化銀乳剤層の上には、保護層としての親
水性コロイド層を塗設してもよい。又、ハロゲン化銀乳
剤層は、異なる感度、例えば高感度及び低感度の各ハロ
ゲン化銀乳剤層に分けて塗設してもよい。この場合、各
ハロゲン化銀乳剤層の間に、中間層を設けてもよい。

すなわ′ち必要に応じて親水性コロイドから成る中間層
を設けてもよい。又、ハロゲン化銀乳剤層と保護層との
間に、中間層、保護層、アンチハレーンヨン層、バッキ
ング層などの非感光性親水性コロイド層を設けてもよい
。

一般式（Ａ）、ＣＢ：］　、ＣＩ）〜（Ｖｌ）で表され
る化合物は本発明のハロゲン化銀写真感光材料中のハロ
ゲン化銀乳剤層または該ハロゲン化銀乳剤層に隣接する
親水性コロイド層に含有させる。

次に本発明のハロゲン化銀写真感光材料に用いるハロゲ
ン化銀について説明する。ハロゲン化銀としては、４モ
ル％以下の沃化銀、好ましくは３モル％以下の沃化銀を
含む塩沃臭化銀、もしくは沃臭化銀である。このハロゲ
ン化銀の粒子の平均径は０．０５〜０．５μｍの範囲の
ものが好ましく用いられるが、なかでも０．ｌＯ〜０．
４０μｍのものが好適である。

本発明で用いるハロゲン化銀粒子の粒径分布は任意であ
るが、以下定義する単分散度の値が１〜２０％のものが
好ましく、更に好ましくは５〜１５％の範囲となるよう
にｍｕする。

ここで単分散度は、粒径の標準偏差を平均粒径で割った
値（変動係数）を１００倍した数値（％）として定義さ
れるものである。なおハロゲン化銀粒子の粒径は、匣宣
上、立方晶粒子の場合は稜長で表し、その他の粒子（８
面体、１４面体等）は、投影面積の平方根で算出する。

本発明を実施する場合、例えばハロゲン化銀の粒子とし
て、その構造が少なくとも２層の多層積層＊造を有する
タイプのものを用いることができ、例えばコア部に沃臭
化銀、シェル部が臭化銀である沃臭化銀粒子から成るも
のを用いることができる。このとき、沃素を任意の層に
５モル％以内で含有させることができる。

本発明のハロゲン化銀乳剤に用いられるハロゲン化銀粒
子は、粒子を形成する過程及び／又は成長させる過程で
、カドミウム塩、亜鉛塩、鉛塩、タリウム塩、イリジウ
ム塩帽塩を含む）、ロジウム塩（錯塩を含む）及び鉄塩
（錯塩を含む）から選ばれる少なくとも１種を用いて金
属イオンを添加し、粒子内部に及び／又は粒子表面にこ
れらの金属元素を含有させることができ、又、適当な還
元的雰囲気におくことにより、粒子内部及び／又は粒子
表面に還元増感核を付与できる。

更に又、ハロゲン化銀は種々の化学増感剤によって増感
することができる。その増感剤として、例えば、活性ゼ
ラチン、硫黄増感剤（チオ硫酸ソダ、アリルチオカルバ
ミド、チオ尿素、アリルイソチア７不−ト等）、セレン
増感剤（Ｎ、Ｎ−ジメチルセレノ深索、セレノ尿素等）
、還元増感剤（トリエチレンテトラミン、塩化銀１スズ
等）、例えばカリウムクロロオーライト、カリウムオー
リチオシアネート、カリウムクロロオーレート、２−オ
ーロスルホベンゾチアゾールメチルクロライド、アンモ
ニウムクロロパラデート、カリウムクロロブラチネート
、ナトリウムクロロパラダイト等で代表される各種貴金
属増感剤等をそれぞれ巣独で、あるいは２種以上併用し
て用いることができる。

なお金増感剤を使用する場合は助剤的にロダンアンモン
を使用することもできる。

本発明に用いるハロゲン化銀粒子は、内部の感度より表
面感度の高い粒子、謂ゆるネガ画像を与えるハロゲン化
銀粒子に好ましく適用することかできるので上記化学増
感剤で処理することにより性能を高めることができる。

又、本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤は、メルカプ
ト類（１−７二二ルー５−メルカプトテトラゾール、２
−メルカプトベンツチアゾール）、ベンゾトリアゾール
類（５−ブロムベンゾトリアゾール−５−メチルベンゾ
トリアゾール）、ベンツイミダゾール類（６−ニドロペ
ンツイミダゾール）などを用いて安定化又はカブリ抑制
を行うことができる。

感光性ハロゲン化銀乳剤層又はその１４接層には、感度
上昇、フントラスト上昇または現像促進の目的でリサー
チ・ディスクロージャー（Ｒｅ５ｅａｒｃｈＤｉｓｃｌ
ｏｕｓｕｒｅ）　１７４６３号のＸＸＩ項Ｂ−Ｄ項に記
載されている化合物を添加することができる。

又、下記の一般式〔Ｐ〕で表される化合物を添加するこ
とが好ましい。

一般式〔Ｐ） Ｒ，−０−（’ＣＨ２ＣＨ，Ｏ坩Ｈ Ｃ式中Ｒ，は水素原子、あるいは無置換又は置換基をも
つ芳香族環を表し、ｎは１０〜２００までの整数を表す
。〕 まず、一般式〔Ｐ〕で表される化合物より好ましい具体
例をあげる。分子量は１５００以上のものが好ましいが
、これらに限定されるものではない。

Ｐ　　Ｉ　　　　　ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２０）ｎＨｎ−１
゜Ｐ　−２８０（ＣＨ２ＣＨ２０）ｎｌ（ｎ＝３０Ｐ　
−３ＨＯ（ＣＨＣＨ２０）ｎＨｎ＝５０Ｐ　−ｉ　　　
　　ＨＯ（ＣＨｚＣＨｚＯ）ｎＨｎ＝７０Ｐ　−５ＨＯ
（ＣＨ，ＣＨ２０）ｎＦｌ　　　　　ｎ＝１５０Ｐ　−
５ＨＯ（ＣＨ，ＣＨ２０）ｎＨｎ；２００Ｐ　　−　１
３ これらの化合物は、市販されており容易に入手すること
ができる。これらの化合物はハロゲン化銀１モルに対し
０．Ｏｌ〜４．０モル添加するのが好ましく、０．０２
〜２モルがより好ましい。又、乳剤層中に含有させるこ
とが好ましい。又、ｎの値が異なる２種以上の化合物を
含んでも構わない。

本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤には、増感色素、
可塑剤、帯電防止剤、界面活性剤、硬膜剤などを加える
こともできる。

本発明に係る一般式（Ａ）、　（ＢＩ　Ｃ　Ｉ　）〜Ｃ
ＶＴ）の化合物を親水性コロイド層に添加する場合、該
親水性コロイド層のバインダーとしてはゼラチンが好適
であるが、ゼラチン以外の親水性コロイドも用いること
ができる。これらの親水性バインダーは支持体の両面に
それぞれ１０ｇ／ｍ”以下で塗設することか好ましい。

本発明の実施に際して用い得る支持体としては、例えば
バライタ紙、ポリエチレン被覆紙、ポリプロピレン合成
紙、ガラス板、セルロースアセテート、セルロースナイ
トレート、例えばポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステルフィルムを挙げることができる。これらの支
持体は、それぞれハロゲン化銀写真感光材料の使用目的
に応じて適宜選択される。

本発明のハロゲン化銀写真感光材料を現像処理するには
、例えば以下の現像主薬が用いられる。

８０−　（ＣＨ＝　ＣＨ）ｎ　−ＯＨ型現像主薬の代表
的なものとしては、ハイドロキノンがあり、その他にカ
テコール、ピロガロールなどがある。

又、）１０　　（ＣＩ　＝　ＣＨ）ｎ　−ＮＨ２型現像
現像剤ては、オルト及びパラのアミンフェノール又はア
ミノピラゾロンが代表的なもので、Ｎ−メチル−ｐ−ア
ミノフェノール、Ｎ−β−ヒドロキシエチル−ｐ−アミ
ノフェノール、ｐ−ヒドロキシフェニルアミノ酢酸、２
−アミノナフトール等がある。

ペテロ環型現像剤としては、■−フ二二ルー３−ピラゾ
リドン、１−７エニルー４．４−ジメチル−３−ピラゾ
リドン、ｌ−フェニル−４−メチル−４−ヒドロキンメ
チル−３−ピラゾリドン、■−フェニルー４−メチルー
４−ヒドロキシメチル−３−ピラゾリドンのような３−
ピラゾリドン類等を挙げることができる。

その他、　Ｔ、）１．ジェームス著ザ・セオリイ・オブ
・ザ・ホトグラフィック・プロセス第４版（Ｔｈｅ　Ｔ
ｈｅｏｒｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ
　ＰｒｏｃｅｓｓＦｏｕｒｔｈ　Ｅｄｉｔｉｏｎ）第２
９１−３３４頁及びジャーナル・オブ・ザ・アメリカン
・ケミカル・ソサエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈ
ｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅ
ｔｙ）７３巻、３，１００頁（１９５１）に記載されて
いる如き現像剤が本発明に有効に使用し得るものである
。これらの現像剤は単独で使用しても２種以上組み合わ
せてもよいが、２種以上を組み合わせて用いる方が好ま
しい。

又、本発明の感光材料の現像に使用する現像液には保恒
剤として、例えば亜硫酸ソーダ、亜硫酸カリ等の亜硫酸
塩を用いても、本発明の効果が損なわれることはない。

又、保恒剤としてヒドロキンメチルン、ヒドラジド化合
物を用いてもよい。

その他一般白黒現像液で用いられるような苛性アルカリ
、炭酸アルカリ又はアミンなどによるｐＨの調整とバッ
ファー機能をもたせることができる。

本発明に用いられる現像液はｐＨ１１未満のものが使用
できるのが特徴である。又現像液にはブロムカリなど無
機現像抑制剤及び５−メチルベンゾトリアゾール、５−
メチルベンツイミダゾール、５−二トロインダゾール、
アデニン、グアニン、■−フェニルー５−メルカプトテ
トラゾールなどの有機現像抑制剤、エチレンジアミン四
酢酸等の金属イオン捕捉剤、メタノール、エタノール、
ベンジルアルコール、ポリアルキレンオキシド等の現像
促進剤、アルキルアリールスルホン酸ナトリウム、天然
のサポニン、糖類または前記化合物のアルキルエステル
物等の界面活性剤、グルタルアルデヒド、ホルマリン、
グリオキザール等の硬膜剤、硫酸ナトリウム等のイオン
強度調整剤等の添加を行うことは任意である。

本発明において使用される現像液には、有機溶媒として
ジェタノールアミンやトリエタノールアミン等のアルカ
ノールアミン類やジエチレングリコール、トリエチレン
グリコール等のグリコール類、又、ジエチルアミノ−１
，２−プロパンジオール、ブチルアミツブロバノール等
のアルキルアミノアルコール類を含有させてもよい。

〔実施例〕

以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施
の態様はこれらに限定されない。

実施例１ （ハロゲン化銀乳剤Ａの調製） 同時混合法を用いて沃臭化銀乳剤（銀１モル当たり沃化
銀２モル％）を調製した。この混合時にに２１ｒＣＱ、
を銀１モル当たり８Ｘ　１０−’モル添加した。

得られた乳剤は、平均粒径０．２０μｌの立方体単分散
粒子（変動係数９．５％）からなる乳剤であった。

この乳剤に銀１モル当たり６．５ａ＋＋２の１％沃化カ
リウム水溶液を添加した後、変成ゼラチン（特願平１−
１８０７８７号の例示化合物Ｇ−８）を加え、特願平１
−１８９０７８７号の実施例１と同様の方法で水洗、脱
塩した。脱塩後の４０℃でのｐＡｇは８．０であった。

更Ｊコ再分散時に抗菌剤として下記化合物（Ａ）、〔Ｂ
〕、〔Ｃ〕の混合物を添加した。

（Ａ：ｌ　　　　　ＣＢ）　　　　　［：Ｃ］キング層
をゼラチン量が２．４ｇ／ｍ２ｊ二なるように塗設し、
更にその上に下記処方（４）のバッキング保護層をゼラ
チン量か１．ｏｇ／ｍ２になるように塗設して試料１〜
３５を得た。

処方（１）（ハロゲン化銀乳剤層組成）ゼラチン　　　
　　　　　　　　　　２．０ｇ／ｍ２ハロゲン化銀乳剤
Ａ（銀量）　　　　　３．２ｇ／ｍ″増感色素： （ハロゲン化銀写真感光材料の作製） 両面に厚さ０．１μｍの下塗層（特開昭５９−１９９４
１号の実施例１参照）を施した厚さ１００μｍのポリエ
チレンテレフタートフィルムの一方の下塗層上ｊこ、下
記処方（１）のハロゲン化銀乳剤層をゼラチン量が２．
０ｇ／ｍ２、銀量か３．２ｇ／ｌｎ”になるように塗設
し、更にその上に下記処方（２）の乳剤保護層をゼラチ
ン量が１．ｏｇ／ｍ”になるように塗設し、又、反対側
のもう一方の下塗層上には下記処方（３）のバラ安定剤
：４−メチル−６−ヒドロキン １．３．３ａ、７−チトラザインデン カブリ防止剤：アデニン 界面活性剤：サポニン ３０ｍｇ／ｍ２ １０　　＋ａｇ／嘗２ ０−１ｇ／ｍ” 界面活性剤ニ ８．０ｍｇ／ｍ’ 本発明に係るヒドラジン誘導体 本発明に係る造核促進化合物 ３０ｍｇ／ｍ” １００ωｇｅｍ２ ラテ／クスポリマー： １ｇ／ｍ” マット剤：平均粒径３．５μｍのシリカ硬膜剤：　ホル
マリン 界面活性剤：Ｓ−３ Ｎａ０３Ｓ　ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）ｓＨＣＨ２Ｃ
ＯＯＣＦ＋２（ＣＦ２）６Ｈ 処方（３）（バッキング層組成） ３ｍｇ／ｌｎ” ３０ｍｇ／ｍ” １０ｍｇ／＠２ ｍ　　＋　　ｎ　　−５０：　　５０ ポリ工チレングリコール分子量４０００　０．１ｇ７ｍ
２硬膜剤：Ｈ−１ 処方（２）（乳剤保護層組成） ゼラチン ０．９ｇ／贈２ 界面活性剤：Ｓ ２Ｈ５ し２＋１８ ５０、Ｎａ ゼラチン　　　　　　　　　　　　　２．４ｇ／ｌ１１
２界面活性剤：　Ｓ　−１６，０ｍｇ／ａ２：サポニン
　　　　　　　　０．１ｇ／ｍ２処方（４）（バッキン
グ保護層組成） ゼラチン　　　　　　　　　　　　　　１ｇ／ｌ１１２
マット剤：平均粒径３．０〜５．０μｍのポリメチルメ
タクリレート　１５ＩＩ１ｇ／ｍ２界面活性剤：　Ｓ　
−２１０ｍｇ／ｍ”硬膜剤：グリオキザール　　　　　
　　２５ｍｇ／ａ２ｔｔ　　：Ｈ−１３５ｍｇ／Ｉｌ＋
” 得られた試料について、下記の方法による網点品質試験
を行った。

（網点品質試験方法） ステップウェッジに網点面積５０％の返し網スクリーン
（１５０線／インチ）を一部付して、これに試料を密着
させてキセノン光源で５秒間露光を与え、この試料を下
記現像液、下記定着液を投入した迅速処理用自動現像機
にて下記の条件で現像処理を行い、試料の網点品質を１
００倍のルーペで観察し、網点品質の高いものを「５」
ランクとし、以下「４」、「３」、「２」、「１」と、
そのランクを順次下げて評価した。尚、ランク「ｌ」及
び「２」は実用上好ましくないレベルである。

又、網点中のカブリも同様に評価し、網点中に全く黒ピ
ンの発生していないものを最高ランク「５」とし、網点
中に発生する黒ピンの発生度に応じてランク「４」、「
３」、「２」、「ｌ」とそのランクを順次下げて評価し
た。尚、ランク「ｌ」及び「２」では黒ピンも大きく実
用上好ましくないレベルである。

現像液処方　　　　　　　　　　　　　　　現像液ｌ　
現像液２エチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩　　　　
　１ｇ　　　　１ｇ亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　
　　　　　６０ｇ　　　　６０ｇ燐酸三ナトリウム（１
２水塩）７５ｇ 硼酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　−４０ｇ
ハイドロキノン　　　　　　　　　　　　　　２２．５
ｇ　　　３５ｇ水酸化ナトリウム　　　　　　　　　　
　　　８ｇ　　　　８ｇ臭化ナトリウム　　　　　　　
　　　　　　　３ｇ　　　　３ｇ５−メチルベンゾトリ
アゾール　　　　　　　　０．２５ｇ　　０．２ｇ１−
フェニル−５−メルカプトテトラゾール　　　０．０８
ｇ　　０．０８ｇメトール　　　　　　　　　　　　　
　　　０．２５ｇ１−フェニル−４−メチル−４−ヒド
ロキンメチル　　−０，２ｇ３−ビラゾリドン フエ不チルビコリニウムブロマイド　　　　　−２，５
ｇ水を加えて　　　　　　　　　　　　　　　ｌ（！　
　　　　ｌａ水酸化ナトリウムにてｐＨを調整　　　　
　　ｐＨ＝１０．８　　ｐＨ＝１０．８定着液処方 （組成Ａ） チオ硫酸アンモニウム（７２，５豐／Ｖ％水溶液）　　
２４０ｍ１２亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　
　　　１７ｇ酢酸ナトリウム・３水塩　　　　　　　　
　　６．５ｇ硼酸　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　６ｇクエン酸ナトリウム・２水塩　　　　　　　
　　２ｇ（組成り） 純水（イオン交換水）　　　　　　　　　　　　　１７
ｍ１２硫酸（５０％ｖ／ｖの水溶液）　　　　　　　　
　　　４．７ｇ硫酸アルミニウム　　　　　　　　　　
　　　２６．５ｇ（ＡＩ２２０３換算含量が８．１ｖ／
ｖ％の水溶液）定着液の使用時に水５００ａ＋ｉ２中に
上記組成Ａ１組成りの順に溶かし、ＩＱに仕上げて用い
た。この定着液のｐＨは酢酸で４．８に調整した。

（現像処理条件） （工　程）　　（温　度）　　（時　間）現　　像　　
　　　４０　°Ｏ１５秒 定　　着　　　　　３５　°Ｃ１５抄 本　　洗　　　　　３０　°ＣｌＯ秒 乾　　燥　　　　　５０　℃　　　　　　ｌＯ秒尚、処
方（１）における／％ロゲン化銀乳剤層に添加した本発
明のヒドラジン誘導体の比較化合物としては、以下の（
ａ）及び（ｂ）の化合物を添加しｔこ。

化合物（ａ） （ａ） （ｂ） 表 表−１から明らかなように本発明に係る試料は、比較ｌ
こ対して、網点品質と黒ピンが良いことがわかる。

〔発明の効果〕

本発明により、ｐＨ１１未満の低ｐＨの現像液で処理し
ても、硬調でカブリが少なく網点性能の良好なハロゲン
化銀写真感光材料を提供することができた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン
   化銀写真感光材料において、下記一般式〔Ａ〕及び〔Ｂ
   〕で表されるヒドラジン化合物を少なくとも１種含有し
   、かつアミン化合物、ヒドラジン化合物、四級オニウム
   塩化合物から選ばれる少なくとも１種の造核促進化合物
   を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料
   。 一般式〔Ａ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は各々、水素原子、置換され
   てもよいアルキル基、アリール基、シクロヘキシル基、
   ピリジル基又はピロリジル基、Ｒ＿３は水素原子又は置
   換されてもよいベンジル基、アルコキシ基又はアルキル
   基、Ｒ＿４及びＲ＿５は２価の芳香族基、Ｘは−ＮＲ＿
   ６Ｒ＿７又は−ＯＲ＿８、Ｒ＿６、Ｒ＿７及びＲ＿８は
   各々、水素原子、置換されてもよいアルキル基又はアリ
   ール基、Ｙは硫黄原子又は酸素原子、Ｌは２価の結合基
   、ｎは０又は１を表す。〕 一般式〔Ｂ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒは耐拡散性基又はハロゲン化銀吸着促進基
   を少なくとも一つ含むアリール基、Ｒはアルコキシ、ア
   リールオキシ、複素環オキシ、メルカプト、アルキルチ
   オ、アリールチオ、複素環チオ、アルキルスルホニル、
   アリールスルホニル、複素環スルホニル、アシル、シア
   ノ、塩素、臭素、弗素、アルコキシカルボニル、アリー
   ルオキシカルボニル、カルボキシル、カルバモイル、ア
   ルキルカルバモイル、アリールカルバモイル、アミノ、
   アルキルアミノ、アリールアミノ、アシルアミノ、アル
   コキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルア
   ミノ、アシルオキシ、アルキルアミノカルボニルオキシ
   、アリールアミノカルボニルオキシ、スルホ、スルファ
   モイル、アルキルスルファモイル又はアリールスルファ
   モイルの各基のいずれかで置換された置換アルキル基を
   表す。 なお、一般式〔Ａ〕及び〔Ｂ〕で表される化合物は、式
   中の−ＮＨＮＨ−の少なくとも一方のＨが置換基で置換
   されたものを含む。〕