JPH0458179B2 - - Google Patents
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- JPH0458179B2 JPH0458179B2 JP58008962A JP896283A JPH0458179B2 JP H0458179 B2 JPH0458179 B2 JP H0458179B2 JP 58008962 A JP58008962 A JP 58008962A JP 896283 A JP896283 A JP 896283A JP H0458179 B2 JPH0458179 B2 JP H0458179B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造工程中に行われ
るその各半導体ウエハに対する酸洗いや水洗い等
の洗浄装置に関するものである。
るその各半導体ウエハに対する酸洗いや水洗い等
の洗浄装置に関するものである。
半導体装置の製造工程中において、通常そのウ
エハの拡散工程前に拡散異常や拡散炉の汚染を防
止するために、ウエハの洗浄処理が行われる。こ
の洗浄には、処理液として通常、硫酸や硝酸など
が使用され、これを100℃〜150℃に加熱した中に
被洗浄半導体ウエハを一定時間浸漬処理し、続い
て水洗い、乾燥処理が行われるものである。この
際、多数の半導体ウエハは、通常これらを並立状
態に保持する第１図に示すような、例えばフツ素
樹脂製のバスケツト１内に入れてまとめてロツト
ごとに処理されている。
エハの拡散工程前に拡散異常や拡散炉の汚染を防
止するために、ウエハの洗浄処理が行われる。こ
の洗浄には、処理液として通常、硫酸や硝酸など
が使用され、これを100℃〜150℃に加熱した中に
被洗浄半導体ウエハを一定時間浸漬処理し、続い
て水洗い、乾燥処理が行われるものである。この
際、多数の半導体ウエハは、通常これらを並立状
態に保持する第１図に示すような、例えばフツ素
樹脂製のバスケツト１内に入れてまとめてロツト
ごとに処理されている。
このような従来の処理では、当然相当数の洗浄
専用のバスケツトを確保しておく必要があり、ま
た、洗浄を終えた各バスケツトを回収し、これら
を一定期間ごとに洗浄処理するという煩雑な作業
を必要とするばかりでなく、これらが不十分な場
合、バスケツトに付着した塵埃を洗浄槽に持ち込
んでしまうなどの品質面での問題点もあつた。
専用のバスケツトを確保しておく必要があり、ま
た、洗浄を終えた各バスケツトを回収し、これら
を一定期間ごとに洗浄処理するという煩雑な作業
を必要とするばかりでなく、これらが不十分な場
合、バスケツトに付着した塵埃を洗浄槽に持ち込
んでしまうなどの品質面での問題点もあつた。
この発明は、これらの欠点を解消するように改
良したものである。以下この発明を図面に基づい
て説明する。
良したものである。以下この発明を図面に基づい
て説明する。
第２図は被洗浄半導体ウエハの移送→受渡し→
浸漬の前半工程を示すものであり、また、第３図
はその後における浸漬→受渡し→移送の後半工程
を示すものである。
浸漬の前半工程を示すものであり、また、第３図
はその後における浸漬→受渡し→移送の後半工程
を示すものである。
具体的には、例えば酸洗いされる被洗浄半導体
ウエハ２は、これらを並立状態に載置した移送具
３によつて処理工程が進行方向に向つて間欠的に
移送され、硫酸あるいは硝酸等の所定の洗浄液４
が満たされた洗浄槽５の真上に移送されて、ま
ず、第２図ａの位置で移送が一たん停止する。こ
の時、洗浄槽５内に設けた石英材等よりなる受け
具６が上昇し、そしてこれが移送具３と交さし、
これを貫通した第２図ｂの所定上昇位置で移送具
３上の各半導体ウエハ２を受け取り、この位置で
上昇は停止する。この際、各半導体ウエハ２の受
け渡しが円滑に行われるように、前記受け具６に
対する貫通溝穴３ａを第４図のように設けたこの
移送具３と、受け具６にはそれぞれ各半導体ウエ
ハ２の保持溝７のすれ違い位置が互いに合致する
ように前記の貫通溝穴３ａによる貫通位置があら
かじめ調整してある。
ウエハ２は、これらを並立状態に載置した移送具
３によつて処理工程が進行方向に向つて間欠的に
移送され、硫酸あるいは硝酸等の所定の洗浄液４
が満たされた洗浄槽５の真上に移送されて、ま
ず、第２図ａの位置で移送が一たん停止する。こ
の時、洗浄槽５内に設けた石英材等よりなる受け
具６が上昇し、そしてこれが移送具３と交さし、
これを貫通した第２図ｂの所定上昇位置で移送具
３上の各半導体ウエハ２を受け取り、この位置で
上昇は停止する。この際、各半導体ウエハ２の受
け渡しが円滑に行われるように、前記受け具６に
対する貫通溝穴３ａを第４図のように設けたこの
移送具３と、受け具６にはそれぞれ各半導体ウエ
ハ２の保持溝７のすれ違い位置が互いに合致する
ように前記の貫通溝穴３ａによる貫通位置があら
かじめ調整してある。
このようにして、半導体ウエハ２の授受が行わ
れた後は、移送具３は第２図ｃの所定位置に移動
して洗浄槽５より逃げ、この移送具３が各半導体
ウエハ２と衝合しない位置まで逃げると、今度は
受け具６が下降を始め、第２図ｄで示すようにこ
れが洗浄槽５内の洗浄液４中に浸漬された所定位
置で受け具６の下降が停止する。
れた後は、移送具３は第２図ｃの所定位置に移動
して洗浄槽５より逃げ、この移送具３が各半導体
ウエハ２と衝合しない位置まで逃げると、今度は
受け具６が下降を始め、第２図ｄで示すようにこ
れが洗浄槽５内の洗浄液４中に浸漬された所定位
置で受け具６の下降が停止する。
この状態で、所定時間半導体ウエハ２は第３図
ａの状態で酸洗い処理される。そして、所定時間
経過後は、第３図ｂで示すように各半導体ウエハ
２を載置した受け具６が上昇してこの位置に停止
する。一方、この間に移動してきた移送具３は、
第３図ｃの位置で停止し、この停止と同時に受け
具６が下降を始め、移送具３との交さ貫通位置
で、その上の各半導体ウエハ２を第３図ｄに示す
ように、移送具３に渡して洗浄槽５内の所定下降
位置でその下降が停止する。
ａの状態で酸洗い処理される。そして、所定時間
経過後は、第３図ｂで示すように各半導体ウエハ
２を載置した受け具６が上昇してこの位置に停止
する。一方、この間に移動してきた移送具３は、
第３図ｃの位置で停止し、この停止と同時に受け
具６が下降を始め、移送具３との交さ貫通位置
で、その上の各半導体ウエハ２を第３図ｄに示す
ように、移送具３に渡して洗浄槽５内の所定下降
位置でその下降が停止する。
このようにして、受け具６が移送具３と衝合し
ない位置になると、移送具３は第３図ｅで示すよ
うに次の工程中に設けた、例えば水洗い洗浄槽等
に向つて移動するようになつている。なお、上記
動作中での移送具３の洗浄槽５上での停止位置お
よび受け具６の上昇停止位置ならびに下降停止位
置は、あらかじめこれらの間でシーケンスを組ん
で所定関係位置になるように設定しており、ま
た、これら両者間にはセンサ等による相互の衝合
防止手段が備えられている。
ない位置になると、移送具３は第３図ｅで示すよ
うに次の工程中に設けた、例えば水洗い洗浄槽等
に向つて移動するようになつている。なお、上記
動作中での移送具３の洗浄槽５上での停止位置お
よび受け具６の上昇停止位置ならびに下降停止位
置は、あらかじめこれらの間でシーケンスを組ん
で所定関係位置になるように設定しており、ま
た、これら両者間にはセンサ等による相互の衝合
防止手段が備えられている。
さらに、第４図は上記した移送具３および受け
具６を示す拡大斜視図であり、特に受け具６は高
温での酸洗いを考慮して耐熱耐酸性の石英材等で
構成するのがよい。
具６を示す拡大斜視図であり、特に受け具６は高
温での酸洗いを考慮して耐熱耐酸性の石英材等で
構成するのがよい。
以上は、半導体ウエハ２の酸洗い時における移
送具３と受け具６間での当該半導体ウエハ２の授
受について説明したが、酸洗い後における水洗い
から乾燥処理工程への移行に際しても同一手段の
授受が行われるものである。
送具３と受け具６間での当該半導体ウエハ２の授
受について説明したが、酸洗い後における水洗い
から乾燥処理工程への移行に際しても同一手段の
授受が行われるものである。
以上説明したように、この発明の洗浄装置で
は、各洗浄槽には専用の受け具を備え、そして、
洗浄槽間の半導体ウエハの移送は、これから独立
した自走移送具で行つているので、この移送具か
ら洗浄槽内への異物の持ち込みがなく、また、移
送具による半導体ウエハの搬送ならびに受け具間
での授受が円滑に行われ、また、被洗浄用の半導
体ウエハは複数枚が並立状態において処理される
ので、各半導体ウエハが密着することなく洗浄が
十分に行われるとともに、複数枚が同時に処理さ
れるため作業能率も大幅に改善される利点があ
る。
は、各洗浄槽には専用の受け具を備え、そして、
洗浄槽間の半導体ウエハの移送は、これから独立
した自走移送具で行つているので、この移送具か
ら洗浄槽内への異物の持ち込みがなく、また、移
送具による半導体ウエハの搬送ならびに受け具間
での授受が円滑に行われ、また、被洗浄用の半導
体ウエハは複数枚が並立状態において処理される
ので、各半導体ウエハが密着することなく洗浄が
十分に行われるとともに、複数枚が同時に処理さ
れるため作業能率も大幅に改善される利点があ
る。
第１図は従来のこの種の装置に使用される洗浄
用バスケツトの斜視図、第２図および第３図はこ
の発明の一実施例を示す動作説明図、第４図はこ
の発明の装置における半導体ウエハの授受用移送
具と受け具を示す拡大斜視図である。 図中、２は半導体ウエハ、３は移送具、３ａは
貫通溝穴、４は洗浄液、５は洗浄槽、６は受け具
である。なお、図中の同一符号は同一または相当
部分を示す。
用バスケツトの斜視図、第２図および第３図はこ
の発明の一実施例を示す動作説明図、第４図はこ
の発明の装置における半導体ウエハの授受用移送
具と受け具を示す拡大斜視図である。 図中、２は半導体ウエハ、３は移送具、３ａは
貫通溝穴、４は洗浄液、５は洗浄槽、６は受け具
である。なお、図中の同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (1)
- １ 半導体ウエハの複数枚を並立状態で着脱自在
に載置するために、その上部に各半導体ウエハの
下側になる周縁部の複数箇所を挾持する挾持部を
複数個所に設けるとともに、この挾持部に隣接し
て上下方向の貫通部を設け、かつ処理工程の進行
方向に沿つて移動される移送具、この移送具の直
下に設けられた洗浄液を満たした洗浄槽内と前記
移送具の貫通部を通り抜けた上昇位置との間を上
下動し、前記移送具の貫通部を通り抜けたとき、
その移送具上の前記複数枚の半導体ウエハを前記
並立状態のまま受け取るために、その上部に各半
導体ウエハの下側になる周縁部の複数箇所を挾持
する挾持部を複数箇所に設けた受け具を備えたこ
とを特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP896283A JPS59134834A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP896283A JPS59134834A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134834A JPS59134834A (ja) | 1984-08-02 |
| JPH0458179B2 true JPH0458179B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=11707292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP896283A Granted JPS59134834A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134834A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234823Y2 (ja) * | 1985-04-12 | 1990-09-19 | ||
| JPS62232930A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Nec Corp | 半導体ウエ−ハの浸漬方法 |
| JPH071794Y2 (ja) * | 1990-12-28 | 1995-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 浸漬型基板処理槽 |
| JP2634359B2 (ja) * | 1991-08-30 | 1997-07-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハ保持装置およびその保持方法 |
| JP2888409B2 (ja) * | 1993-12-14 | 1999-05-10 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ洗浄槽 |
| KR0179783B1 (ko) * | 1995-12-19 | 1999-04-15 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54159871A (en) * | 1978-06-08 | 1979-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Small piece washing method |
| JPS5643718A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer shifting device |
| JPS56126930A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Washing tank |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6138182Y2 (ja) * | 1978-12-23 | 1986-11-05 | ||
| JPS57128142U (ja) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP896283A patent/JPS59134834A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54159871A (en) * | 1978-06-08 | 1979-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Small piece washing method |
| JPS5643718A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer shifting device |
| JPS56126930A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Washing tank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59134834A (ja) | 1984-08-02 |
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