JPH07234262A - Icソケットの洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

Icソケットの洗浄方法及び洗浄装置

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JPH07234262A
JPH07234262A JP6049861A JP4986194A JPH07234262A JP H07234262 A JPH07234262 A JP H07234262A JP 6049861 A JP6049861 A JP 6049861A JP 4986194 A JP4986194 A JP 4986194A JP H07234262 A JPH07234262 A JP H07234262A
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socket
cleaning
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solvent
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JP6049861A
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Shigeo Ikeda
重男 池田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICの評価測定に用いるICソケットの導電
性を維持させることによって、IC評価測定の精度向上
とコストの低減を図る。 【構成】 ICの評価測定を行い(S1,S2)、その
後次のICの評価測定を行うまでの間に評価測定に用い
たICソケットを以下の手順で洗浄する。第1の工程
(S3)ではICソケットの電極を酸性の薬液からなる
はんだ除去液に浸漬する。第2の工程(S4)では上記
ICソケットを純水で洗浄する。その後、ICソケット
を超音波で振動させたIPA中に浸漬した後、第3の工
程(S5)でこのICソケットを乾燥させる。これによ
って、ICのアウターリードからICソケットの電極に
転移したはんだを除去し、電極へのはんだの拡散を防止
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICソケットの洗浄方
法及び洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂でパケッケージされたICの評価測
定を行う際には、ICソケット(以下ソケットと記す)
が用いられている。このソケットには、測定を行うIC
のアウターリード(以下、リードと記す)の形状と配置
位置に対応して電極が形成されている。
【0003】上記ソケットを用いたICの評価測定で
は、ICをソケットに差し込む前にソケットの電極に異
物が付着しているか否かを外観で検査する。そして異物
が付着している場合には、ブラッシングや高圧空気の吹
きつけによって上記異物を除去している。その後、ソケ
ットの電極とICのリードとが合致するようにICをソ
ケットに差し込んで評価測定を行う。上記異物として
は、環境中から飛来したダストやはんだメッキ不良のた
めに上記リードから脱落したはんだ等である。これらの
異物を除去することによって、ソケットの電極とICの
リードとの間で起きる接触不良及びショートを防止して
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
高圧空気やブラシを用いた異物の除去は、異物を飛散さ
せる方法であるため、微細な異物を確実に除去すること
はできない。さらに、ブラシを用いる方法は、電極を損
傷する恐れがある。
【0005】また、ソケットにICを差し込んで評価測
定を行う際には、ソケットの電極とICのリードとが接
触する。そして、この接触面では上記リード表面から極
微量のはんだメッキが上記電極に転移する。このように
して電極に付着したはんだは、微細であるため上述のよ
うな方法で除去することが困難である。このため、評価
測定を繰り返すことによって、ソケットの電極表面には
徐々にはんだメッキが堆積する。それとともに、はんだ
成分が電極表面の金メッキ中に拡散して拡散層を形成す
る。この拡散層は、時間の経過に伴って酸化して被膜層
を形成するため、電極とリードとの間の電気的な抵抗が
高くなる。さらに、この状態で評価測定を続けると、被
膜層が形成されていない部分に電流が集中してジュール
熱が発生する。この発熱によって、ICのリードからソ
ケットの電極へのはんだの転移と、上記拡散とが促進さ
れる。
【0006】上記のように、被膜層が成長して電極とリ
ードとの間の電気的な抵抗が徐々に増加すると、ついに
は上記抵抗が測定条件の上限を越える。このため、正確
な評価測定が不可能になる。しかも、ソケットの電極本
体は測定回数100万回程度の耐久性があるにもかかわ
らず、測定回数30万回程度でソケットの使用が不可能
になる。このようなソケットは、廃棄処分される。
【0007】そこで、本発明は上記の課題を解決するI
C評価測定におけるソケットの洗浄方法及び洗浄装置を
提供することによって、IC評価測定の精度向上と半導
体装置の製造コストの低減を図ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、ICの評価測定を行った後に次のICの
評価測定を行うまでの間に評価測定に用いたICソケッ
トを洗浄する方法であり、以下の手順で行う。先ず、第
1の工程ではICソケットの電極を酸性の薬液からなる
はんだ除去液に浸漬する。次に、第2の工程では上記I
Cソケットを純水で洗浄する。その後、第3の工程では
上記ICソケットを自然乾燥かまたは加熱乾燥させる。
また、上記第2の工程と第3の工程との間には、ICソ
ケットをアルコール系の溶剤に浸漬する工程を行う。こ
の際、当該溶剤を超音波で振動しても良い。さらに、上
記第2の工程では、純水に超音波を加えても良い。
【0009】そして、本発明のICソケットの洗浄装置
は、酸性の薬液からなるはんだ除去液が溜められたはん
だ除去槽と、当該はんだ除去槽に隣合わせて配置され純
水がオーバーフロー状態で供給される純水槽とを備えて
いる。さらに、上記純水槽の隣にはアルコール系の溶剤
が溜められた溶剤槽を備えても良い。そして、ソケット
を保持すると共に、当該ソケットを上記各槽に対して昇
降自在にかつ当該各槽方向に自在に移動させる駆動手段
を備えている。この駆動手段には、当該駆動手段の動作
を制御する制御部が接続されている。また、この溶剤槽
と、上記純水槽とは超音波洗浄槽で構成しても良い。
【0010】
【作用】上記ICソケットの洗浄方法では、ICの評価
測定の際にICのアウターリードの表面からICソケッ
トの電極表面に転移したはんだが、当該電極表面から除
去される。そして、純水洗浄とその後の乾燥とによって
金属の腐食原因になる酸及び水分がICソケットの表面
から除去される。このため、ICソケットの電極表面の
金メッキにはんだが拡散することが防止され、当該IC
ソケットを用いた次のIC評価測定は、ICソケットの
電極表面から異物が取り除かれた状態で行われる。した
がって、ICソケットとICとの間には良好な導電状態
が保たれる。そして、アルコール系の溶剤でICソケッ
トを洗浄することによって、当該ICソケットに付着し
た純水が溶剤に置換される。このため、ICソケットを
乾燥させる際には、溶剤が蒸発することによって乾燥が
確実に行われる。また、上記純水や上記溶剤に超音波を
加えた場合には、はんだ中の成分が溶解した後の残留物
が超音波による衝撃で電極から剥離される。それと共
に、ICソケットのすみずみに上記溶剤や純水が回り込
むので、ICソケットの電極表面の洗浄が充分に行われ
る。
【0011】また、上記ICソケットの洗浄装置では、
はんだ除去槽内,純水槽内,溶剤槽内の順にICソケッ
トが移動するように駆動手段の動作を制御部によって制
御することで、上記ICソケットの洗浄方法が自動的に
行われる。
【0012】
【実施例】以下、本発明のICソケットの洗浄方法の実
施例を図1の工程図に基づいて説明する。ここで、洗浄
を行うICソケットは、電極の表面に金(Au)メッキ
が施されたものである。そして、このICソケットを用
いて評価測定を行うICは、アウターリード(以下、リ
ードと記す)の表面に錫−鉛(Sn−Pb)からなるは
んだメッキが施されたものである。上記ICソケット
(以下、ソケットと記す)の洗浄は、先ずステップS1
では、ICをソケットに差し込んで当該ICの評価測定
を行う。
【0013】次いで、ステップS2では、上記評価測定
が終了した後に評価測定に使用したソケットの洗浄を行
うか否かを判断する。ここでは、例えば以下のようにし
て判断を行う。上記ソケットを用いて評価測定を行った
ICが所定の個数に達した場合(yes)には、次のス
テップS3に進んでソケットの洗浄を行う。一方、所定
の個数に達しない場合(no)には、ステップS1に戻
って上記ソケットを用いて次のICの評価測定を行う。
ここで、所定の個数とは、1個以上から、ICの評価測
定の際にICのリードからソケットの電極に転移したは
んだが電極表面のAuメッキ内部に拡散し始めるまでの
個数とする。
【0014】そして、ステップS3では、ソケット洗浄
の第1の工程を行う。この第1の工程では、ソケットを
酸性の薬液からなるはんだ除去液に浸漬する。これによ
ってICのリードからソケットの電極に転移したはんだ
を除去する。
【0015】その後、ステップS4では、ソケット洗浄
の第2の工程を行う。この第2の工程では、ソケットを
純水で洗浄することによって、ソケットに付着している
はんだ除去液を洗い流す。
【0016】次に、ステップS5では、ソケット洗浄の
第3の工程を行う。この第3の工程ではソケットの乾燥
を行う。
【0017】上記のようにしてソケットを洗浄した後ス
テップS1に戻り、洗浄したソケットを用いてICの評
価測定を繰り返す。
【0018】上記ICソケットの洗浄方法では、以下の
ようにソケットが洗浄される。先ず、図2(1)に示す
ように、洗浄を行うソケットの電極21上面には、はん
だ23が付着している。このはんだ23は、ICをソケ
ットに差し込んでICの評価測定を行った際に、ICの
リード表面からソケットの電極21上に転移したもので
ある。このように電極21にはんだ23が付着した状態
のソケットを、上記のように洗浄すると、図2(2)に
示すように、上記はんだが電極21の表面から除去され
る。そして、純水洗浄とその後の乾燥とによって金属の
腐食原因になる酸及び水分がソケットの表面から除去さ
れる。このため、ソケットの電極21表面の金メッキ2
2にはんだ成分が拡散することが防止される。したがっ
て、当該ソケットを用いた次のICの評価測定は、ソケ
ットとICとの間の導電性が良好な状態で行われる。
【0019】以下、上記ステップS3〜S5で示したソ
ケットの洗浄方法の詳細を図3に基づいて説明する。先
ず、ソケット洗浄の第1の工程では、図3(1)に示す
ように、酸性の薬液からなるはんだ除去液31にソケッ
ト3を約30分間浸漬する。はんだ除去液31として
は、例えば50%の塩酸(HCl)を用いる。この他に
も、硝酸(HNO3 )やほう酸(H3 BO3 )の水溶液
でも良い。
【0020】次に、ソケット洗浄の第2の工程では、図
3(2)に示すように、純水32の流水中にソケット3
を2〜3分間浸漬する。この際、純水32に超音波を加
えても良い。
【0021】その後、ソケット洗浄の第3の工程でソケ
ット3の乾燥を行う前に、図3(3)に示すように、ア
ルコール系の溶剤33中にソケット3を5〜10分間浸
漬する。溶剤33としては、例えばイソプロピルアルコ
ール(IPA)などのプロパノールまたはメタノール,
エタノール等を用いる。この際、溶剤33を超音波で振
動させる。
【0022】そして、ソケット洗浄の第3の工程では、
図3(4)に示すようにソケット3を、溶剤33から取
り出して乾燥させる。乾燥は、自然乾燥かまたは加熱乾
燥とする。加熱乾燥を行う場合には、加熱温度は、常温
よりも高い温度からソケット3のパッケージ樹脂の耐熱
温度より低い温度までとする。この加熱温度は、例えば
25℃〜200℃程度である。
【0023】上記のICソケットの洗浄方法では、先
ず、第1の工程でソケット3の電極表面の金メッキを剥
離することなく、当該電極上に付着したはんだ成分のS
nがはんだ除去液31に溶解される。そして、第2の工
程では、純水32によってソケット3から上記はんだ除
去液が洗い流される。さらに、第3の工程の前に、アル
コール系の溶剤33でソケット3を洗浄することによっ
て、蒸発し易い溶剤33でソケット3に付着した上記純
水が置換される。したがって、第3の工程では、溶剤3
3を蒸発させることでソケット3の乾燥が行われる。こ
のため、ソケット3の乾燥が素早く確実に行われる。ま
た、溶剤33を超音波で振動させているので、はんだ中
のSnがはんだ除去液31に溶解した後にソケット3の
電極上に残ったPbが、超音波による衝撃で電極から剥
離される。さらに、ソケットのすみずみに溶剤33や純
水32が回り込み、ソケット3の電極表面の洗浄が充分
に行われる。したがって、ソケット3の電極表面の良好
な導電性が保たれる。
【0024】次に、ICソケットの洗浄方法の他の実施
例を説明する。先ず、上記図3(1)で説明したと同様
にして、ソケット3をはんだ除去槽31に浸漬する。次
いで、上記図3(2)で説明たと同様にして純水32の
流水中にソケット3を浸漬する。この際、純水を超音波
で振動させる。その後、純水32中からソケット3を取
り出し、このソケット3を加熱して乾燥させる。加熱温
度は、上記で示したと同様に設定する。
【0025】この洗浄方法では、上記で示した洗浄方法
と同様に、ソケット3の電極表面の良好な導電性が保た
れる。
【0026】次に、上記ソケットの洗浄を行うICソケ
ットの洗浄装置の実施例を、図4の装置構成図と図5の
フローチャートとに基づいて説明する。図4に示すよう
に、ICソケットの洗浄装置4は、はんだ除去槽41
と、はんだ除去槽41に隣合わせて配置される純水槽4
2と、純水槽42に隣合わせて配置される溶剤槽43
と、溶剤槽43に隣合わせて配置されるロード/アンロ
ード槽44とを有している。これらの各槽41〜44
は、処理室45内に配置されている。そして、処理室4
5内及び処理室45に隣接する位置には、駆動手段50
が設けられている。そして、駆動手段50には制御部6
0が接続されている。
【0027】上記はんだ除去槽41は、例えばビーカー
からなり、内部にはんだ除去液を溜めておくものであ
る。このはんだ除去槽41は、受水パン47内に配置さ
れ、はんだ除去液が外部に漏れ出さないような構造にな
っている。
【0028】上記純水槽42は、上記はんだ除去槽41
と同様に例えばビーカーからなり、並設されている純水
供給管48からオーバーフロー状態で純水が供給される
ものである。この純水槽42は、排水パン49内に配置
され、純水が外部に溢れ出さないような構造になってい
る。
【0029】上記溶剤槽43は、例えば超音波槽431
とこの内部に配置される洗浄槽432との二重構造にな
っている。超音波槽431の内部には水が張られ、洗浄
槽432の内部には例えばイソプロピルアルコールのよ
うなアルコール系の溶剤が溜められる。
【0030】上記ロード/アンロード槽44は、上記の
各槽41〜43とは隔離された槽であり、洗浄を行う前
と洗浄を行った後のソケットを待機させる場所である。
また、上記処理室45は、ソケットや薬液等を出し入れ
する扉(図示せず)が設けられており、処理雰囲気が外
部に漏れ出さないように構成されている。また、はんだ
除去槽41が配置されている付近の壁面には、はんだ除
去槽41の上方の雰囲気を排気する排気ダクト46が設
けられている。
【0031】上記駆動手段50は、例えばキャリア5に
収納したソケットを、上記各槽41〜44に対して昇降
自在にかつ各槽41〜44方向に自在に移動させるもの
である。この駆動手段50は、保持部51と、上下モー
ター52と、搬送ベルト53と、水平モーター54とを
備えている。保持部51は、上記処理室45内に配置さ
れ上記キャリア5を保持するものである。上下モーター
52は、保持部51を上下方向に移動させるものであ
る。そして、搬送ベルト53は、上下モーター52を搬
送するものである。また、水平モーター54は、搬送ベ
ルト53を水平方向に回動させることによって、保持部
51を上記各層41〜44上で自在に移動させるもので
ある。
【0032】ここで、ソケットのキャリア5は、内部に
溶液が溜まらないように例えば編み目構造にし、さら
に、保持部51で保持し易いように例えば把手を設け
る。そして、ソケットを収納した状態でソケットのIC
差し込み部分に液溜まりができないように、ソケットを
垂直にした状態で収納できるような構造にする。また、
キャリア5の材質としては、洗浄に使用する薬液及び溶
剤に対する耐性を有するものを用いることとする。
【0033】上記制御部60は、駆動手段50の動作を
制御するものである。この制御部60は、キャリアが各
槽41〜44内に搬入される順序がプログラムされてい
る。そして、各槽41〜44内にキャリア5を保持する
時間をセットするタイマー61と、処理の開始と終了を
制御するスタート/ストップボタン62と、処理の終了
を知らせる表示ランプ63とが設けられている。
【0034】ここで、上記制御部60による駆動手段5
0の動作プログラムの一例を、上記図4及び図5のフロ
ーチャートを用いて説明する。先ず、図5に示すステッ
プS51では、スタート/ストップボタン62が押され
ることによって洗浄作業の開始を検知し、保持部51を
上昇させてはんだ除去槽41上に移動させる。そして、
はんだ除去層41に対して保持部51を下降させる。上
記の状態で所定時間経過した後、次のステップS52で
は、保持部51を上昇させて純水層42上に移動させ
る。そして、純水槽42に対して保持部51を下降させ
る。上記の状態で所定時間が経過した後のステップS5
3では、保持部51を上昇させて溶剤槽43上に移動さ
せる。そして、溶剤槽43に対して保持部51を下降さ
せる。上記の状態で所定時間が経過した後、ステップS
54では、保持部51を上昇させてロード/アンロード
槽44上に移動させる。そして、ロード/アンロード槽
44に対して保持部51を下降させる。上記の動作が終
了した後、表示ランプ63を点滅させる。
【0035】上記構成のICソケットの洗浄装置4によ
るソケットの洗浄は、以下のように行う。先ず、はんだ
除去層41に、はんだ除去液として例えば50%塩酸を
注入してはんだ除去液を溜めておく。そして、はんだ除
去槽41の上方の雰囲気を、排気ダクト46で排気す
る。また、純水層42には、純水供給管48から純水を
オーバーフロー状態で供給する。溶剤槽43の洗浄槽4
32中には、溶剤として例えばIPAを注入して溶剤を
溜めておく。また、超音波バス431には水を張る。
【0036】そして、制御部60で駆動手段50を制御
し、保持部51の先端をロード/アンロード槽44上に
移動させておく。次いで、ソケットを収納したキャリア
5を保持部51に保持させる。上記のように設定した後
に、処理室45の扉を閉める。
【0037】次いで、上記で説明した駆動手段50の動
作プログラムによって、以下のようにしてソケットを洗
浄する。先ず、スタート/ストップボタン62を押して
洗浄を開始させる。そして、ステップS51の動作によ
って、キャリア5をはんだ除去槽41内のはんだ除去液
中に浸漬させる。そして、この状態を例えば30分間程
維持する。その後、ステップS52の動作によって、キ
ャリア5をはんだ除去槽41から引き上げて隣接する純
水槽42内の純水中に浸漬させる。この状態を例えば2
〜3分間維持する。次いで、ステップ53の動作によっ
て、キャリア5を純水槽41から引き上げて隣接する溶
剤槽43の洗浄槽432内の溶剤中に浸漬させる。この
状態を5〜10分維持する。最後に、ステップ54の動
作によって、キャリア5を溶剤槽43から引き上げて隣
接するロード/アンロード槽44内にキャリア5を搬送
する。そして、終了ランプ63を点滅させる。
【0038】上記ICソケットの洗浄装置4では、上記
のように制御部60によって駆動手段50の動作を制御
することで、上記実施例で示したICソケットの洗浄方
法が自動的に行われる。
【0039】ICソケットの洗浄装置は、上記で示した
構成に限るものではない。例えば、ソケットの洗浄に溶
剤を用いない場合には、溶剤槽43を設ける必要はな
い。この場合、純水槽42を超音波槽の内部に配置する
構成にしても良い。また、ソケットを乾燥させる乾燥室
をロード/アンロード槽44に隣合わせて設けても良
い。この乾燥室には、その内部に収納されたソケットを
加熱する加熱手段を設けることもできる。
【0040】
【発明の効果】以上、説明したように本発明のICソケ
ットの洗浄方法によれば、複数のICの評価測定を行う
間に、はんだ除去液を用いてICソケットの洗浄を行う
よことによって、ICソケットとICとの間の良好な導
電状態を保持することが可能になる。これによって、I
Cの評価測定の信頼性を向上させることができる。さら
にICソケットの寿命が引き延ばされるため、半導体装
置の製造コストを低減することが可能になる。また、本
発明のICソケットの洗浄装置によれば、上記ICソケ
ットの洗浄方法を自動で行うことが可能になる。このた
め、上記ICソケット洗浄の作業性を向上させることが
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例を説明するフローチャートである。
【図2】実施例を説明する断面模式図である。
【図3】ICソケットの洗浄方法を説明する工程図であ
る。
【図4】ICソケットの洗浄装置の構成図である。
【図5】駆動手段の動作プログラムのフローチャートで
ある。
【符号の説明】
3 ICソケット 4 ICソケット洗浄装置 5 キャリア 21 電極 23 はんだ 31 はんだ除去液 32 純水 33 溶剤 41 はんだ除去槽 42 純水槽 43 溶剤槽 50 駆動手段 60 制御部

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICの評価測定を行った後に次のICの
    評価測定を行うまでの間に評価測定に用いたICソケッ
    トを洗浄する方法であって、 前記ICソケットの電極を酸性の薬液からなるはんだ除
    去液に浸漬する第1の工程と、 前記ICソケットを純水で洗浄する第2の工程と、 前記ICソケットを乾燥する第3の工程とを行うことを
    特徴とするICソケットの洗浄方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のICソケットの洗浄方法
    において、 前記第2の工程と前記第3の工程との間に、前記ICソ
    ケットをアルコール系の溶剤に浸漬する工程を行うこと
    を特徴とするICソケットの洗浄方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のICソケットの洗浄方法
    において、 前記ICソケットを前記溶剤に浸漬する工程では、当該
    溶剤を超音波で振動させることを特徴とするICソケッ
    トの洗浄方法。
  4. 【請求項4】 請求項1,2または3記載のICソケッ
    トの洗浄方法において、 前記第2の工程は、超音波で振動させた前記純水中に前
    記ICソケットを浸漬することによって当該ICソケッ
    トを純水で洗浄することを特徴とするICソケットの洗
    浄方法。
  5. 【請求項5】 請求項1,2,3または4記載のICソ
    ケットの洗浄方法において、 前記第3の工程では、当該ICソケットを加熱して乾燥
    させることを特徴とするICソケットの洗浄方法。
  6. 【請求項6】 酸性の薬液からなるはんだ除去液が溜め
    られるているはんだ除去槽と、 前記はんだ除去槽に隣合わせて配置され純水がオーバー
    フロー状態で供給される純水槽と、 ICソケットを保持すると共に、当該ICソケットを前
    記各槽方向に自在に移動させかつ当該各槽に対して自在
    に昇降させる駆動手段と、 前記駆動手段に接続されるものであって当該駆動手段の
    動作を制御する制御部とを備えていることを特徴とする
    ICソケットの洗浄装置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のICソケットの洗浄装置
    において、 前記純水槽の隣には、アルコール系の溶剤が溜められて
    いる溶剤槽が配置され、 前記駆動手段は、当該駆動手段に保持したICソケット
    を前記溶剤槽を含む前記各槽方向に自在に移動させかつ
    当該各槽に対して自在に昇降させるものであることを特
    徴とするICソケットの洗浄装置。
  8. 【請求項8】 請求項7記載のICソケットの洗浄装置
    において、 前記溶剤槽は、超音波洗浄槽であることを特徴とするI
    Cソケットの洗浄装置。
  9. 【請求項9】 請求項6,7または8記載のICソケッ
    トの洗浄装置において、 前記純水槽は、超音波洗浄槽であることを特徴とするI
    Cソケットの洗浄装置。
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JP6049861A Pending JPH07234262A (ja) 1994-02-22 1994-02-22 Icソケットの洗浄方法及び洗浄装置

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JP (1) JPH07234262A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6322433B1 (en) 1998-07-24 2001-11-27 Makoto Matsumura Grinding chip
JP2002501177A (ja) * 1998-01-02 2002-01-15 インテル・コーポレーション プローブカードのプローブ機構から堆積ハンダを取り除くための方法
US7025600B2 (en) 2003-02-25 2006-04-11 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having external contact terminals and method for using the same
KR101663932B1 (ko) * 2016-05-18 2016-10-10 (주)원프랜트 발전소 제어용 제어카드의 부품 검사 장치 및 그 검사 방법

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