JPS6138182Y2 - - Google Patents
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- JPS6138182Y2 JPS6138182Y2 JP1978180167U JP18016778U JPS6138182Y2 JP S6138182 Y2 JPS6138182 Y2 JP S6138182Y2 JP 1978180167 U JP1978180167 U JP 1978180167U JP 18016778 U JP18016778 U JP 18016778U JP S6138182 Y2 JPS6138182 Y2 JP S6138182Y2
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- processed
- cvd
- semiconductor substrate
- vacuum chuck
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案はCVD連続成長装置の改良に関するも
のである。例えば集積回路素子等の製造に於いて
は、多層配線の層間絶縁や素子の表面保護の目的
で燐ガラス（PSG）等の皮膜が用いられる。
のである。例えば集積回路素子等の製造に於いて
は、多層配線の層間絶縁や素子の表面保護の目的
で燐ガラス（PSG）等の皮膜が用いられる。
然して該燐ガラス（PSG）等の皮膜を形成せし
めるに際して従来はモノシラン（SiH4）＋ホフス
イン（PH3）と酸素（O2）を流入させながら約450
℃に加熱した成長炉内を移動するコンベアベルト
を有するCVD連続成長装置を使用し、前記コン
ベアベルト上にマニアルで被処理半導体基板を載
置させ、前記成長炉内を通過させてPSG皮膜を被
処理半導体基板上に気相成長せしめる方法が行な
われていた。
めるに際して従来はモノシラン（SiH4）＋ホフス
イン（PH3）と酸素（O2）を流入させながら約450
℃に加熱した成長炉内を移動するコンベアベルト
を有するCVD連続成長装置を使用し、前記コン
ベアベルト上にマニアルで被処理半導体基板を載
置させ、前記成長炉内を通過させてPSG皮膜を被
処理半導体基板上に気相成長せしめる方法が行な
われていた。
然し上記従来のCVD連続成長装置は成長炉直
前に被処理半導体基板に対する洗浄機能を持たな
いため、被処理半導体基板の取り扱いの際に発生
した半導体の粉末や空中のごみが該被処理半導体
基板に附着したまま、CVD成長炉に入るため
に、該半導体基板に附着している半導体の粉末や
空中のごみが核となつてPSGの異常成長が起り
1.5μｍ程度の厚さのPSG皮膜を成長せしめた際
に５μｍ程度の高さの突起が発生する。
前に被処理半導体基板に対する洗浄機能を持たな
いため、被処理半導体基板の取り扱いの際に発生
した半導体の粉末や空中のごみが該被処理半導体
基板に附着したまま、CVD成長炉に入るため
に、該半導体基板に附着している半導体の粉末や
空中のごみが核となつてPSGの異常成長が起り
1.5μｍ程度の厚さのPSG皮膜を成長せしめた際
に５μｍ程度の高さの突起が発生する。
然して該異常成長による突起は集積回路素子等
の製造に於いて層間シヨート、アルミ配線の断
線、表面保護膜のひび割れ等の原因となり集積回
路素子等の製造歩留りや、信頼性を低下せしめる
という問題があつた。
の製造に於いて層間シヨート、アルミ配線の断
線、表面保護膜のひび割れ等の原因となり集積回
路素子等の製造歩留りや、信頼性を低下せしめる
という問題があつた。
本考案は上記問題点に鑑み、異常成長の発生を
防止せしめるような機能を有するCVD連続成長
装置を提供するものである。
防止せしめるような機能を有するCVD連続成長
装置を提供するものである。
即ち、本考案は被処理半導体基板にCVD成長
させる処理を一貫して行うための装置であつて、
防塵カバー内に、被処理基板の供給手段と、上下
移動及び回動自在な被処理基板固持手段と、洗浄
水噴射手段と、排水手段及び排気手段を備え、被
処理基板の搬入口及び搬出口が開口する基板洗浄
室と、上下移動及び回動自在な被処理基板固持手
段と加熱ガス噴射手段と排気手段及び排水手段を
備え被処理基板の搬入口及び搬出口が開口する基
板乾燥室と、基板搬送用コンベアベルトを有する
CVD成長炉と、処理済み基板収容手段とが、基
板搬送機構を介し連結配置されてなることを特徴
とするCVD連続成長装置に関するものである。
させる処理を一貫して行うための装置であつて、
防塵カバー内に、被処理基板の供給手段と、上下
移動及び回動自在な被処理基板固持手段と、洗浄
水噴射手段と、排水手段及び排気手段を備え、被
処理基板の搬入口及び搬出口が開口する基板洗浄
室と、上下移動及び回動自在な被処理基板固持手
段と加熱ガス噴射手段と排気手段及び排水手段を
備え被処理基板の搬入口及び搬出口が開口する基
板乾燥室と、基板搬送用コンベアベルトを有する
CVD成長炉と、処理済み基板収容手段とが、基
板搬送機構を介し連結配置されてなることを特徴
とするCVD連続成長装置に関するものである。
以下本考案による装置を実施例により詳細に説
明する。
明する。
第１図は本考案による装置の主な構成を表わす
図面で、図に於いて装置の入口側１から順序被処
理半導体基板２を収容させた基板ホルダー３、基
板押し出し棒４、上下移動機構を有する基板仮り
置き用真空チヤツク５、左右前後の移動機構を有
する基板搬送板６を配設し、続いて下部に上下移
動機構を回転機構を有する洗浄用真空チヤツク７
と排水口８を有し、上部に純水シヤワーノズル９
と排気口１０を有する洗浄室１１を配設し、該洗
浄室１１と隣接して下部に上下移動機構と回転機
構とを有する乾燥用真空チヤツク１２と排水口１
３とを有し上部にガス加熱器１４を具備したガス
噴射ノズル１７を命する乾燥室１８が配設せしめ
られ、前記洗浄室１１と該乾燥室１８との間には
左右前後の移動機構を有する基板搬送板１９が設
けられている。続いて乾燥室１８の隣りに反応ガ
ス導入管２０，２１，２２と反応生成ガス排気管
２３，２４，２５，２６と発熱体２７を有し、内
部に基板搬送用のコンベアベルト２８を有する
CVD成長炉２９が配設されており、該成長炉２
９と前記乾燥室１８との間には左右前後の移動機
構を有する基板搬送板３０と基板かき落し板３１
が設けられている。
図面で、図に於いて装置の入口側１から順序被処
理半導体基板２を収容させた基板ホルダー３、基
板押し出し棒４、上下移動機構を有する基板仮り
置き用真空チヤツク５、左右前後の移動機構を有
する基板搬送板６を配設し、続いて下部に上下移
動機構を回転機構を有する洗浄用真空チヤツク７
と排水口８を有し、上部に純水シヤワーノズル９
と排気口１０を有する洗浄室１１を配設し、該洗
浄室１１と隣接して下部に上下移動機構と回転機
構とを有する乾燥用真空チヤツク１２と排水口１
３とを有し上部にガス加熱器１４を具備したガス
噴射ノズル１７を命する乾燥室１８が配設せしめ
られ、前記洗浄室１１と該乾燥室１８との間には
左右前後の移動機構を有する基板搬送板１９が設
けられている。続いて乾燥室１８の隣りに反応ガ
ス導入管２０，２１，２２と反応生成ガス排気管
２３，２４，２５，２６と発熱体２７を有し、内
部に基板搬送用のコンベアベルト２８を有する
CVD成長炉２９が配設されており、該成長炉２
９と前記乾燥室１８との間には左右前後の移動機
構を有する基板搬送板３０と基板かき落し板３１
が設けられている。
然してCVD成長炉２９の出口側にはスライド
板３２を介して処理済み基板用カセツト３３がセ
ツトし得るようになつており、前記構成部は総て
防塵カバー３４内に収容せしめられた構造になつ
ている。
板３２を介して処理済み基板用カセツト３３がセ
ツトし得るようになつており、前記構成部は総て
防塵カバー３４内に収容せしめられた構造になつ
ている。
然して基板仮り置き用真空チヤツク５から洗浄
用真空チヤツク７、洗浄用真空チヤツク７から乾
燥用真空チヤツク１２へ、乾燥用真空チヤツク１
２からCVD成長炉２９のコンベアベルト２８へ
の被処理半導体基板２の搬送機構は第２図ａに示
したように上昇せしめて被処理半導体基板２を固
定した真空チヤツク３５の真空を絶ち下降せしめ
て、予め該真空チヤツク３５の直下に差し込まれ
ている基板搬送板３６の先端の爪部で被処理半導
体基板２を第２図ｂに示したようにすくい取り、
続いて被処理半導体基板２を載置した基板搬送板
３６は工程の進行方向に移動し、次工程の予め下
降せしめられている真空チヤツク３７の直上に位
置せしめ第２図ｃに示したように真空チヤツク３
７を上昇させ基板搬送板３６より被処理半導体基
板２を受けとり固定する。然して被処理半導体基
板２を渡し終つた基板搬送板３６は後方に引つ込
み前工程の位置へ戻る。
用真空チヤツク７、洗浄用真空チヤツク７から乾
燥用真空チヤツク１２へ、乾燥用真空チヤツク１
２からCVD成長炉２９のコンベアベルト２８へ
の被処理半導体基板２の搬送機構は第２図ａに示
したように上昇せしめて被処理半導体基板２を固
定した真空チヤツク３５の真空を絶ち下降せしめ
て、予め該真空チヤツク３５の直下に差し込まれ
ている基板搬送板３６の先端の爪部で被処理半導
体基板２を第２図ｂに示したようにすくい取り、
続いて被処理半導体基板２を載置した基板搬送板
３６は工程の進行方向に移動し、次工程の予め下
降せしめられている真空チヤツク３７の直上に位
置せしめ第２図ｃに示したように真空チヤツク３
７を上昇させ基板搬送板３６より被処理半導体基
板２を受けとり固定する。然して被処理半導体基
板２を渡し終つた基板搬送板３６は後方に引つ込
み前工程の位置へ戻る。
上記本考案によるCVD連続成長装置を用いた
半導体基板処理の一例を示すと、被処理半導体基
板２は先ず基板ホルダー３から基板仮り置き用真
空チヤツク５を介して洗浄室１１内に送り込み、
洗浄用真空チヤツク７に固定し約500r.p.m.で回
転させながら約５Kg／cm2の圧力で純水シヤワーノ
ズル９から噴出させた純水により約３分洗浄して
後、該被処理半導体基板を隣の乾燥室１８に送り
込み乾燥用真空チヤツク１２に固定し1500r.p.m.
で回転させながらガス加熱器１４で約80℃に加熱
させた３Kg／cm2の圧を有する窒素ガスをガス噴射
ノズル１６から約３分間吹きつけて乾燥させ、然
る後該被処理半導体基板をCVD成長炉２９のコ
ンベアベルト２８上に載置し、反応ガス導入管２
０，２２よりモノシラン（SiH4）＋ホスフイン
（PH3）を同じく反応ガス導入管２１よりO2を流入
せしめ約450℃に昇温せしめたCVD成長炉２９を
通して該半導体基板上にPSG成長を行わせ、スラ
イダー３２を経て処理済み基板ホルダー３３に収
容させる。
半導体基板処理の一例を示すと、被処理半導体基
板２は先ず基板ホルダー３から基板仮り置き用真
空チヤツク５を介して洗浄室１１内に送り込み、
洗浄用真空チヤツク７に固定し約500r.p.m.で回
転させながら約５Kg／cm2の圧力で純水シヤワーノ
ズル９から噴出させた純水により約３分洗浄して
後、該被処理半導体基板を隣の乾燥室１８に送り
込み乾燥用真空チヤツク１２に固定し1500r.p.m.
で回転させながらガス加熱器１４で約80℃に加熱
させた３Kg／cm2の圧を有する窒素ガスをガス噴射
ノズル１６から約３分間吹きつけて乾燥させ、然
る後該被処理半導体基板をCVD成長炉２９のコ
ンベアベルト２８上に載置し、反応ガス導入管２
０，２２よりモノシラン（SiH4）＋ホスフイン
（PH3）を同じく反応ガス導入管２１よりO2を流入
せしめ約450℃に昇温せしめたCVD成長炉２９を
通して該半導体基板上にPSG成長を行わせ、スラ
イダー３２を経て処理済み基板ホルダー３３に収
容させる。
以上説明したように、本考案によるCVD連続
成長装置は、被処理半導体基板をCVD成長炉に
送入する直前において、半導体の粉末や塵埃を除
去するための充分な洗浄が行われ、そして充分な
洗浄後の乾燥が行われ且つ乾燥後、CVD成長炉
へ送入されるまでの搬送途中において被処理基板
が塵埃によつて再び汚染されるのが防止されるの
で、CVD成長炉へ送入される被処理半導体基板
面は充分に清浄に保たれる。
成長装置は、被処理半導体基板をCVD成長炉に
送入する直前において、半導体の粉末や塵埃を除
去するための充分な洗浄が行われ、そして充分な
洗浄後の乾燥が行われ且つ乾燥後、CVD成長炉
へ送入されるまでの搬送途中において被処理基板
が塵埃によつて再び汚染されるのが防止されるの
で、CVD成長炉へ送入される被処理半導体基板
面は充分に清浄に保たれる。
従つて、本考案による装置を用いてPSG皮膜等
の絶縁膜のCVD成長を行うことによつて、該絶
縁膜に異常成長による突起が発生することがなく
なり、集積回路素子等の製造における、層間シヨ
ート、アルミ配線の断線、表面保護膜のひび割れ
等の発生が防止きるので、集積回路素子等の製造
歩留りや信頼性が向上する。
の絶縁膜のCVD成長を行うことによつて、該絶
縁膜に異常成長による突起が発生することがなく
なり、集積回路素子等の製造における、層間シヨ
ート、アルミ配線の断線、表面保護膜のひび割れ
等の発生が防止きるので、集積回路素子等の製造
歩留りや信頼性が向上する。
第１図は本考案によるCVD連続成長装置の構
成図で第２図は搬送機構説明図である。 図に於いて、２……被処理半導体基板、３……
基板ホルダー、５……基板仮り置き用真空チヤツ
ク、６，１９，３０，３６……基板搬送板、７…
…洗浄用真空チヤツク、９……純水シヤワーノズ
ル、１１……洗浄室、１２……乾燥用真空チヤツ
ク、１４……ガス加熱器、１６……ガス噴射ノズ
ル、１８……乾燥室、２０，２１，２２……反応
ガス導入管、２７……発熱体、２８……コンベア
ベルト、２９……CVD成長炉、３３……処理済
み基板用カセツト、３４……防塵カバー、３５，
３７……真空チヤツク。
成図で第２図は搬送機構説明図である。 図に於いて、２……被処理半導体基板、３……
基板ホルダー、５……基板仮り置き用真空チヤツ
ク、６，１９，３０，３６……基板搬送板、７…
…洗浄用真空チヤツク、９……純水シヤワーノズ
ル、１１……洗浄室、１２……乾燥用真空チヤツ
ク、１４……ガス加熱器、１６……ガス噴射ノズ
ル、１８……乾燥室、２０，２１，２２……反応
ガス導入管、２７……発熱体、２８……コンベア
ベルト、２９……CVD成長炉、３３……処理済
み基板用カセツト、３４……防塵カバー、３５，
３７……真空チヤツク。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 被処理半導体基板にCVD成長させる処理を一
貫して行うための装置であつて、 防塵カバー内に、 被処理基板の供給手段と、 上下移動及び回動自在な被処理基板固持手段
と、洗浄水噴射手段と、排水手段及び排気手段を
備え、被処理基板の搬入口及び搬出口が開口する
基板洗浄室と 上下移動及び回動自在な被処理基板固持手段
と、加熱ガス噴射手段と、排気手段及び排水手段
を備え、被処理基板の搬入口及び搬出口が開口す
る基板乾燥室と、 基板搬送用コンベアベルトを有するCVD成長
炉と、 処理済み基板収容手段とが、 基板搬送機構を介し連結配置されてなることを
特徴とするCVD連続成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978180167U JPS6138182Y2 (ja) | 1978-12-23 | 1978-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978180167U JPS6138182Y2 (ja) | 1978-12-23 | 1978-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5594044U JPS5594044U (ja) | 1980-06-30 |
| JPS6138182Y2 true JPS6138182Y2 (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=29191837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978180167U Expired JPS6138182Y2 (ja) | 1978-12-23 | 1978-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6138182Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59134834A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115185A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing apparatus |
| JPS53116071A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
-
1978
- 1978-12-23 JP JP1978180167U patent/JPS6138182Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115185A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing apparatus |
| JPS53116071A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5594044U (ja) | 1980-06-30 |
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