JPS59134834A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPS59134834A JPS59134834A JP896283A JP896283A JPS59134834A JP S59134834 A JPS59134834 A JP S59134834A JP 896283 A JP896283 A JP 896283A JP 896283 A JP896283 A JP 896283A JP S59134834 A JPS59134834 A JP S59134834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiver
- cleaning
- carrier
- tool
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造工程中に行われるその各
半導体ウェハに対する酸洗いや水洗い等の洗浄装置に関
するものである。
半導体ウェハに対する酸洗いや水洗い等の洗浄装置に関
するものである。
半導体装置の製造工程中において、通常その゛ウェハの
拡散工程前に拡散異常や拡散炉の汚染を防止するために
、ウニへの洗浄処理が行われる。この洗浄には、処理液
として通常、硫酸や硝酸などが使用され、これを１００
℃〜１５０℃に加熱した中に被洗浄半導体ウェハを一定
時間浸漬処理し、続いて水洗い、乾燥処理が行われるも
のである。
拡散工程前に拡散異常や拡散炉の汚染を防止するために
、ウニへの洗浄処理が行われる。この洗浄には、処理液
として通常、硫酸や硝酸などが使用され、これを１００
℃〜１５０℃に加熱した中に被洗浄半導体ウェハを一定
時間浸漬処理し、続いて水洗い、乾燥処理が行われるも
のである。
この際、多数の半導体ウェハは、通常これらを並立状態
に保持する第１図に示すような、例えはフッ素樹脂製の
バスケット１内に入れてまとめてロットごとに処理され
ている。
に保持する第１図に示すような、例えはフッ素樹脂製の
バスケット１内に入れてまとめてロットごとに処理され
ている。
このような従来の処理では、当然相当数の洗浄専用のバ
スケットを確保してお（必要があり、また、洗浄を終え
た各バスケットを回収し、これらを一定期間ごとに洗浄
処理すると（・う煩雑な作業を必要とするはかりでなく
、これらが不十分な場合、バスケットに付着した塵埃を
洗浄槽に持ち込んでしまうなどの品賃面での問題点もあ
った。
スケットを確保してお（必要があり、また、洗浄を終え
た各バスケットを回収し、これらを一定期間ごとに洗浄
処理すると（・う煩雑な作業を必要とするはかりでなく
、これらが不十分な場合、バスケットに付着した塵埃を
洗浄槽に持ち込んでしまうなどの品賃面での問題点もあ
った。
この発明は、これらの欠点を解消するように改良したも
のである。以下この発明を図面に基づいて説明する。
のである。以下この発明を図面に基づいて説明する。
第２図は被洗浄半導体ウェハの移送−受渡し一浸消の前
半工程を示すものであり、また、第３図はその後におけ
る浸漬−受渡１＝移送の後半工程を示すものである。
半工程を示すものであり、また、第３図はその後におけ
る浸漬−受渡１＝移送の後半工程を示すものである。
具体的には、例えは酸洗いされる被洗浄半導体ウェハ２
は、これらを並立状態に載置した移送具３によって処理
工程が進行方向に向って間欠的に移送され、硫酸あるい
は硝酸等の所定の洗浄液４が満たされた洗浄槽５の真上
に移送されて、まず、第２図（ａ）の位置で移送が＝た
ん停止する。この時、洗浄槽５内に設けた柘英材等より
なる受は具６が上昇し、そしてこれが移送具３と交さし
、これを貫通した第２図（ｂ）の所定上昇位置で移送具
３上の各半導体ウェハ２を受は取り、この位置で上昇は
停止する。この際、各半導体ウェハ２の受は渡しが円滑
に行われるように、前記受は具６に対する貫通溝穴３ａ
を第４図のように設けたこの移送具３と、受は具６には
それぞれ各半導体ウェハ２の保持溝７のすれ違い位置が
互いに合致するように前記の貫通溝穴３ａによる貫通位
置があらかじめ調整しである。
は、これらを並立状態に載置した移送具３によって処理
工程が進行方向に向って間欠的に移送され、硫酸あるい
は硝酸等の所定の洗浄液４が満たされた洗浄槽５の真上
に移送されて、まず、第２図（ａ）の位置で移送が＝た
ん停止する。この時、洗浄槽５内に設けた柘英材等より
なる受は具６が上昇し、そしてこれが移送具３と交さし
、これを貫通した第２図（ｂ）の所定上昇位置で移送具
３上の各半導体ウェハ２を受は取り、この位置で上昇は
停止する。この際、各半導体ウェハ２の受は渡しが円滑
に行われるように、前記受は具６に対する貫通溝穴３ａ
を第４図のように設けたこの移送具３と、受は具６には
それぞれ各半導体ウェハ２の保持溝７のすれ違い位置が
互いに合致するように前記の貫通溝穴３ａによる貫通位
置があらかじめ調整しである。
このようにして、半導体ウェハ２の授受が行われた後は
、移送具３は第２図（ｅ）の所定位置に移動して洗浄槽
５より逃げ、この移送具３が各半纏体ウェハ２と衝合し
ない位置まで逃げると、今度は受は具６が下降を始め、
第２図（ｄ）で示すようにこれが洗浄槽５内の洗浄液４
中に浸漬された所定位置で受は具６の下降が停止する。
、移送具３は第２図（ｅ）の所定位置に移動して洗浄槽
５より逃げ、この移送具３が各半纏体ウェハ２と衝合し
ない位置まで逃げると、今度は受は具６が下降を始め、
第２図（ｄ）で示すようにこれが洗浄槽５内の洗浄液４
中に浸漬された所定位置で受は具６の下降が停止する。
この状態で、所定時間半導体ウェハ２は第一３図（ａ）
の状態で酸洗い処理される。そして、所定時間経過後は
、第３図（ｂ）で示すように各半導体ウェハ２を載置し
た受゛けＡ６が上昇してこの位置に停止する。一方、こ
の間に移動してきた移送具３は、第３図（ｃ）の位置で
停止し、この停止と同時に受は具６が下降を始め、移送
具３との父さ貫通位置で、その上の各半導体ウェハ２を
第３図（ｄ）に示すように、移送具３に渡して洗浄槽５
内の所定下降位置でその下降が停止する。
の状態で酸洗い処理される。そして、所定時間経過後は
、第３図（ｂ）で示すように各半導体ウェハ２を載置し
た受゛けＡ６が上昇してこの位置に停止する。一方、こ
の間に移動してきた移送具３は、第３図（ｃ）の位置で
停止し、この停止と同時に受は具６が下降を始め、移送
具３との父さ貫通位置で、その上の各半導体ウェハ２を
第３図（ｄ）に示すように、移送具３に渡して洗浄槽５
内の所定下降位置でその下降が停止する。
このようにして、受は具６が移送具３と衝合しない位置
になると、移送具３は第３図＜６５で示すように次の工
程中に設けた、例えば水洗い洗浄槽等に向って移動する
ようになっている。なお、上記動作中での移送具３の洗
浄槽５上での停止位置および受は具６の上昇停止位置な
らびに下降停止位置は、あらかじめこれらの間でシーケ
ンスを組んで所定関係位置になるように設定しており、
また、これら両者間にはセンサ等による相互の衝合防止
手段が備えられている。
になると、移送具３は第３図＜６５で示すように次の工
程中に設けた、例えば水洗い洗浄槽等に向って移動する
ようになっている。なお、上記動作中での移送具３の洗
浄槽５上での停止位置および受は具６の上昇停止位置な
らびに下降停止位置は、あらかじめこれらの間でシーケ
ンスを組んで所定関係位置になるように設定しており、
また、これら両者間にはセンサ等による相互の衝合防止
手段が備えられている。
さらＫ、第４図は上記した移送具３および受は具６を示
す拡大斜視図であ、す、特に受げ具６は高温での酸洗い
を考慮して耐熱耐酸性の石英材等で構成するのがよい。
す拡大斜視図であ、す、特に受げ具６は高温での酸洗い
を考慮して耐熱耐酸性の石英材等で構成するのがよい。
以上は、半導体ウェハ２の酸洗い時における移送具３と
受は具６間での当該半導体ウニノ・２の授受について説
明したが、酸洗い後における水洗いから乾燥処理工程へ
の移行に際しても同一手段の授受が行われるものである
。
受は具６間での当該半導体ウニノ・２の授受について説
明したが、酸洗い後における水洗いから乾燥処理工程へ
の移行に際しても同一手段の授受が行われるものである
。
以上説明したように、この発明の洗浄装置では、各洗浄
槽には専用の受は具を備え、そして、洗浄槽間の半導体
ウェハの移送は、これらから独立した自走移送具で行っ
ているので、この移送具から洗浄槽内への異物の持ち込
みがな（、また、移送具による半導体ウェハの搬送なら
びに受は具間での授受が円滑に行われ、これにより作業
能率も大幅に改善される利点がある。
槽には専用の受は具を備え、そして、洗浄槽間の半導体
ウェハの移送は、これらから独立した自走移送具で行っ
ているので、この移送具から洗浄槽内への異物の持ち込
みがな（、また、移送具による半導体ウェハの搬送なら
びに受は具間での授受が円滑に行われ、これにより作業
能率も大幅に改善される利点がある。
第１図は従来のこの楯装置に使用される洗浄用ノくスケ
ットの斜視図、第２図および第３図はこの分明の一実施
例を示す動作説明図、第４図はこの発明の装置における
半導体ウニへの授受用移送具と受は具を示す拡大斜視図
である。 図中、２は半導体ウェハ、３は移送具、３ａは貫通溝穴
、４は洗浄液、５は洗浄相、６は受は具である。なお、
図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第４図 （ａ） （ｂ） （ａ） （ｂ） 第 ２ 図 （ｃ） （ｄ） ＠３図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−００８９ｆ３２号２
、発明の名称 半導体ウェハの洗浄装置３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の山王丁目２番３号名
称 （６０１，）三菱電機株式会社代表者片山仁八
部 ４、代理人 明細書の図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁最下行の「この種装置」を、「この種の装
置」と補正する。 以上
ットの斜視図、第２図および第３図はこの分明の一実施
例を示す動作説明図、第４図はこの発明の装置における
半導体ウニへの授受用移送具と受は具を示す拡大斜視図
である。 図中、２は半導体ウェハ、３は移送具、３ａは貫通溝穴
、４は洗浄液、５は洗浄相、６は受は具である。なお、
図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第４図 （ａ） （ｂ） （ａ） （ｂ） 第 ２ 図 （ｃ） （ｄ） ＠３図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−００８９ｆ３２号２
、発明の名称 半導体ウェハの洗浄装置３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の山王丁目２番３号名
称 （６０１，）三菱電機株式会社代表者片山仁八
部 ４、代理人 明細書の図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁最下行の「この種装置」を、「この種の装
置」と補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （］ン 処理工程の進行方向に向って送られ、上部に
被洗浄用半導体ウニ／％を着脱自在に載置させた移送具
、この移送具の直下に設けられた所定の洗浄液を満たし
た洗浄槽内を繰り返し上下動し、その所定上昇位置で前
記移送具を貫通し又この移送具上の前記半導体ウェハを
受は取る受は具を備え、受は取Ｉ）後のこの受は具の下
降によりその上の半導体ウェハを前記洗浄槽内で所定時
間洗浄するとともに、洗浄後の半導体ウェハをこの受は
具のその後の上昇により、次の処理工程に向って移動す
る前記移送具上に戻すようにしたことを特徴とする半導
体ウニ・〜洗浄装置。 （２ン 移送具と受は具相互間での洗浄時と洗浄後に
おける自該半導体ウェハの授受を、一方の移送具の洗浄
槽上の所定停止位置でのこれを貫通する他方の受は具の
上下通過動作により行わせるようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第（Ｊ）項記載の半導体ウニへの洗浄
装置。 （３）半導体ウェハを並立状態に載置させた移送具には
、この半導体ウェハの授受用受は具の貫通溝穴を形成さ
せるとともに、少なくとも一方の前記受は兵はこれを耐
熱耐酸性の石英材で構成したことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の半導体ウェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP896283A JPS59134834A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP896283A JPS59134834A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134834A true JPS59134834A (ja) | 1984-08-02 |
| JPH0458179B2 JPH0458179B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=11707292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP896283A Granted JPS59134834A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134834A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171244U (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-24 | ||
| JPS62232930A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Nec Corp | 半導体ウエ−ハの浸漬方法 |
| JPH0492632U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| JPH05200689A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハ保持装置およびその保持方法 |
| EP0658923A1 (en) * | 1993-12-14 | 1995-06-21 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Wafer cleaning tank |
| US5799678A (en) * | 1995-12-19 | 1998-09-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54159871A (en) * | 1978-06-08 | 1979-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Small piece washing method |
| JPS5594044U (ja) * | 1978-12-23 | 1980-06-30 | ||
| JPS5643718A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer shifting device |
| JPS56126930A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Washing tank |
| JPS57128142U (ja) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP896283A patent/JPS59134834A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54159871A (en) * | 1978-06-08 | 1979-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Small piece washing method |
| JPS5594044U (ja) * | 1978-12-23 | 1980-06-30 | ||
| JPS5643718A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer shifting device |
| JPS56126930A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Washing tank |
| JPS57128142U (ja) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171244U (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-24 | ||
| JPH0234823Y2 (ja) * | 1985-04-12 | 1990-09-19 | ||
| JPS62232930A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Nec Corp | 半導体ウエ−ハの浸漬方法 |
| JPH0492632U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| JPH05200689A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハ保持装置およびその保持方法 |
| EP0658923A1 (en) * | 1993-12-14 | 1995-06-21 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Wafer cleaning tank |
| US5503173A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer cleaning tank |
| US5799678A (en) * | 1995-12-19 | 1998-09-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458179B2 (ja) | 1992-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI645915B (zh) | 基板溼處理裝置 | |
| JP2901098B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| US4714086A (en) | Apparatus for washing and drying substrates | |
| EP0658923B1 (en) | Wafer cleaning tank | |
| KR101964568B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치 | |
| JPH0259240B2 (ja) | ||
| KR910006087B1 (ko) | 반도체 제조용 웨이퍼 세정기 | |
| JPS59134834A (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置 | |
| TWI604522B (zh) | Semiconductor wafer cleaning method and device | |
| JPH053184A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JPS63208223A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| JP2002520132A (ja) | 基板をクリーニングする方法及び装置 | |
| JPH04196531A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2984006B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2613039B2 (ja) | ウエハ搬送処理装置 | |
| JP2767165B2 (ja) | ウエーハ洗浄槽 | |
| JPH04329636A (ja) | ウエット処理装置及びウエット処理方法 | |
| JP2002172367A (ja) | 基板洗浄システムおよびその基板洗浄方法 | |
| JPS60187027A (ja) | 部品の洗浄方法 | |
| JPS61121337A (ja) | ウエハの処理方法 | |
| JPH04313227A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPS63119240A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JPS6059747A (ja) | 半導体ウエ−ハの処理装置 | |
| JPH01316934A (ja) | 基板ウェット処理装置 | |
| JPH06120186A (ja) | ウエハキャリア洗浄方法 |