JPH0443930A - 温度センサ - Google Patents

温度センサ

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JPH0443930A
JPH0443930A JP2153620A JP15362090A JPH0443930A JP H0443930 A JPH0443930 A JP H0443930A JP 2153620 A JP2153620 A JP 2153620A JP 15362090 A JP15362090 A JP 15362090A JP H0443930 A JPH0443930 A JP H0443930A
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広次 谷
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    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/021Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、温度センサに関するもので、特に、抵抗体
が有する抵抗温度係数を用いる温度センサに関するもの
である。
[従来の技術] この発明にとって興味ある温度センサは、セラミックか
らなる絶縁基板上に抵抗パターンが形成された構造を有
している。抵抗パターンを構成する材料は、適当な抵抗
温度係数を有しているため、温度変化を抵抗パターンの
抵抗値の変化としてとらえることができる。
従来、このような温度センサの抵抗パターンを構成する
材料としては、白金などの貴金属が主として用いられて
いた。絶縁基板上に、このような貴金属からなる抵抗パ
ターンを形成するとき、たとえば、貴金属を含むペース
トを用いて、絶縁基板上に抵抗パターンを印刷により形
成した後、焼成することを行なっていた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述したような白金などの貴金馬は、そ
の価格が高いという欠点がある。
そこで、抵抗パターンを構成する材料として、安価な卑
金属を用いる試みが、本件発明者によってなされた。
安価な卑金属材料として、たとえば銅があるが、抵抗温
度係数が43301)pm/℃と比較的高いにもかかわ
らず、抵抗値が小さい(20℃において、ρ=1.72
μΩcm)こと、空気中で酸化されやすいためたとえば
窒素雰囲気中のような雰囲気焼成が必要なこと、などの
ために、これまで、銅を用いる場合、巻線タイプとされ
、また、ごく限られた分野でしか使用されていなかった
同様のことが、ニッケルについてもいえる。
それゆえに、この発明の目的は、絶縁基板上に抵抗パタ
ーンが形成された構造を有する温度センサにおいて、抵
抗パターンとして、銅またはニッケルのような卑金属を
用いることを可能にしようとすることである。
「課題を解決するための手段] この発明による温度センサは、上述した技術的課題を解
決するため、複数のセラミックシートからなる積層構造
を有するセラミック積層体と、前記複数のセラミックシ
ートの主面上にそれぞれが形成される、卑金属を含有す
る複数の抵抗パターンと、前記複数の抵抗パターンを直
列接続する導電経路と、前記直列接続された複数の抵抗
パターンの両端にそれぞれ接続される端子とを備えるこ
とを特徴としている。
上述した卑金属としては、たとえば、銅またはニッケル
が用いられる。
また、複数の抵抗パターンを直列接続する導電経路は、
好ましくは、セラミックシートを貫通して延びる、バイ
アホール、スルーホールのような導電経路によって、そ
の少なくとも一部が構成される。
[作用] この発明において、卑金属の抵抗値が小さいという欠点
を補うため、複数の抵抗パターンが積層状に形成される
とともに、これら抵抗パターンが直列接続される。
[発明の効果] このように、この発明によれば、抵抗パターンを構成す
る材料として、銅またはニッケルのような卑金属が用い
られるので、安価な温度センサを提供することができる
また、このような卑金属によって与えられる抵抗値を高
めるために直列接続される複数の抵抗パターンは、積層
状に配置されるので、たとえば単に長い抵抗回路を形成
して抵抗値を高める場合において遭遇し得る素子の大型
化を招かない。
セラミックシートを貫通して延びる、バイアホール、ス
ルーホールのような導電経路によって、複数の抵抗パタ
ーンが接続されると、複数の抵抗パターンを電気的に接
続するための処置を、すべて、セラミック積層体の内部
で行なうことができる。したがって、このようなセラミ
ック積層体を含む温度センサを、コンパクトに構成する
ことができる。
なお、この発明による温度センサは、好ましくは、セラ
ミックグリーンシート上に、銅またはニッケルのような
卑金属を含有する抵抗パターンを厚膜印刷により形成し
た後、そのような複数のセラミックグリーンシートを積
層し、圧着した後、焼成することによって、製造される
。このとき、銅またはニッケルのような卑金属は、空気
中で酸化されやすいという性質を有しているた6、焼成
は、窒素雰囲気中のような還元性または中性の雰囲気中
で行なわれる。そして、このような雰囲気焼成によって
も、セラミックシートを構成すべきセラミックが還元さ
れないように、セラミックグリーンシートには、非還元
性セラミック材料を用いることが好ましい。
[実施例〕 第1図は、この発明の一実施例による温度センサ1の外
観を示す斜視図である。第2図は、第1図に示した温度
センサ1に含まれるセラミック積層体2を、それを構成
するセラミックシート3ごとに分解して示゛す斜視図で
ある。
まず第2図を参照して、セラミック積層体2は、複数の
セラミックシート3からなる積層構造を有する。
セラミックシート3は、その主面上に形成されるパター
ンに応じて4種類に分類される。第2図では、これらの
セラミックシート3を区別するため、セラミックシート
を示す参照符号“3”には、a 、 “b”、   、
 “d”の添字が付されている。
セラミックシート3aの主面上には、蛇行状に延びる抵
抗パターン4aが形成される。抵抗パターン4aの一方
端と接続されるように、ランド5aが形成され、同じく
他方端と接続されるように、ランド6aが形成される。
ランド6aには、バイアホール7aが形成される。また
、抵抗パターン4a、ならびにランド5aおよび6aと
は独立して、ランド8aが形成される。ランド8aには
、スルーホール9aが形成される。
セラミックシート3bの主面上には、蛇行状に延びる抵
抗パターン4bが形成される。抵抗パターン4bの一方
端と接続されるように、ランド5bが形成され、同じ(
他方端と接続されるように、ランド6bが形成される。
ランド5bには、バイアホール7bが形成される。また
、抵抗パターン4b、ならびにランド5bおよび6bと
は独立して、ランド8bが形成される。ランド8bには
、スルーホール9bが形成される。
セラミックシー)3cの主面上には、蛇行状に延びる抵
抗パターン4Cが形成される。抵抗パターン4Cの一方
端と接続されるように、ランド5Cが形成され、同じく
他方端と接続されるように、ランド6cが形成される。
ランド6Cには、スルーホール9Cが形成される。
セラミックシート3dには、ランド8dが形成される。
このランド8dには、スルーホール9dが形成される。
第2図において、矢印10で示すように、バイアホール
7aはランド6bに対応する位置にあり、矢印11で示
すように、バイアホール7bはランド5aに対応する位
置にあり、同じくバイアホール7bは、矢印12で示す
ように、ランド5Cに対応する位置にある。また、矢印
13で示すように、スルーホール9a、9b、9c、9
dは、それぞれ互いに対応する位置にある。
抵抗パターン4a、4b、4cは、それぞれ、銅または
ニッケルのような卑金属を含有するペーストを厚膜印刷
することにより形成される。このような印刷の工程にお
いて、ランド5a、5b。
5c、ランド6a、6b、6c、ならびにランド8a、
8bも同時に形成される。また、ランド8dも、また、
卑金属を含有するペーストを厚膜印刷することにより形
成される。
上述したような卑金属を用いた印刷工程において、卑金
属ペーストは、バイアホール7a、7t)sならびにス
ルーホール9a、9b、9c、9d内にも入り込み、各
セラミックシート3a、3b。
3c、3dの反対側の主面にまで達する。したがって、
第2図に示すような順序、すなわち、上から、セラミッ
クシート3a、3b、3a、3b。
・・・、3c、3dの順に、これらセラミックシート3
a、3b、3c、3dが積層されたとき、ランド6aは
バイアホール7aを介してランド6bと接続され、ラン
ド5bはバイアホール7bを介してランド5aまたはラ
ンド5cと接続され、スルーホール9a、9b、9c、
9dは、一連の導電経路を形成する。
なお、スルーホール9a、9b、9c、9dによって一
連の導電経路を与えるため、上述した卑金属ペーストの
印刷に代えて、あるいはこのような印刷に加えて、セラ
ミックシー)3a、3b。
3c、3dが所望の如く積層された後で、卑金属ペース
トを真空吸引または針のような工具でスルーホール9a
、9b、9c、9d内に付与するようにしてもよい。
上述したような工程は、実際には、セラミックシー)3
a、3b、3c、3dがそれぞれ生の状態にある段階で
行なわれる。したがって、セラミックシート3a、3b
、3c、3dが積層された後、圧着され、次いで焼成さ
れる。このとき、同時に、抵抗パターン4a、4b、4
c等を形成していた卑金属ペーストも焼成される。
上述したように、セラミックシート3a、3b。
3c、3dに含まれるセラミックと抵抗パターン4a、
4b、4c等に含まれる卑金属とを同時に焼成すること
を可能にするため、セラミックシー)3a、3b、3c
、3dに含まれるセラミックには、非還元性セラミック
が用いられ、窒素雰囲気中における焼成のような雰囲気
焼成が適用される。
このようにして、第1図に示すようなセラミック積層体
2が得られる。このセラミック積層体2の上面に形成さ
れているランド5aおよびランド8aに、それぞれ端子
となるべきリード線14および15を接続すれば、温度
センサ1が完成される。
なお、セラミック積層体2の表面に現れる抵抗パターン
4aを湿気、埃などから保護するため、図示しないが、
樹脂、ガラスなどからなる保護コートを形成してもよい
上述した温度センサ1において、複数の抵抗パターン4
a、4b、4cは直列接続されている。
より詳細には、リード線14からリード線15に至る接
続経路で見ると、リード線14に接続されたランド5a
から、第2図に示すように、抵抗パターン4a、ランド
5a、バイアホール7a、ランド6b、抵抗パターン4
b、ランド5b、バイアホール7bを経て、ランド5a
に至る接続が所定の回数だけ繰り返され、この繰り返し
の最後に来るバイアホール7bがランド5Cに接続され
、次いで、抵抗パターン4c、ランド6csおよび一連
のスルーホール9a、9b、9c、9dを経て、もう一
方のリード線15に接続されるランド8aに至る。
なお、上述した実施例では、複数の抵抗パターン4a、
4b、4cを互いに直列接続するため、バイアホール7
a、7bが用いられ、また、リード線14および15を
セラミック積層体2の同一面上に取付けるため、スルー
ホール9a、  9b。
9c、9dが用いられたが、このような導電経路は、セ
ラミック積層体2の外表面上に形成されてもよい。また
、このような導電経路は、上述した実施例では、抵抗パ
ターン4a、4b、4cを形成するための卑金属ペース
トと同一のペーストをもって構成されたが、これに代え
て、別の組成を有する抵抗性または導電性材料によって
構成されてもよい。
また、リード線14および15は、セラミック積層体2
の互いに異なる面上にそれぞれ取付けられてもよい。た
とえば、リード線15を、第1図に示すようにセラミッ
ク積層体2の上面ではなく、下面に取付けるようにして
もよい。この場合には、第2図に示したセラミックシー
)3dの下面であって、スルーホール9dに対応する位
置に、リード線15を接続するためのランドが形成され
ればよい。また、この場合には、スルーホール9aおよ
び9bならびにそれらに関連するランド8aおよび8b
は形成される必要がない。
また、第1図に示したセラミック積層体2を得るため、
上述した説明では、第2図に示すように、すでに所定の
寸法にされたセラミックシート3a。
3b、3C,3dを積層するとしたが、このような方法
に代えて、個々のセラミックシートに、それぞれ、複数
のセラミック積層体を得るためのパターンを形成してお
き、セラミックシートを積層した後で、切断することに
よって、複数のセラミック積層体が得られるような方法
を採用してもよい。
次に、この発明にかかる温度センサ1の特性を評価する
ため行なった実験例について説明する。
まず、セラミックシート3a、3b、3c、3dを構成
するセラミック材料として、後で述べる抵抗パターン等
を銅ペーストによって形成する場合には、BaO−8i
02・Al2O3・CaO・B2O3系の低温焼結タイ
プの非還元性セラミック材料を用い、抵抗パターン等を
ニッケルペーストによって形成する場合には、特公昭5
6−46641号公報に記載されたようなTiClBa
O2・CaO−ZrO2化合物系の非還元性セラミック
材料を用いた。
抵抗パターン4a、4b、4c、およびランド5a、 
 5b、  5c、  6a、 6b、 6c、 8a
、  8b、8dを形成する材料、ならびにパイアホー
ル7 a、  7 bsおよびスルーホール9a、  
9b、  9c、9dを埋める材料として、卑金属であ
る銅を含有するペーストおよびニッケルを含有するペー
ストを、それぞれ用いた。
印刷により形成された抵抗パターン4a、  4b。
4cは、その印刷用パターンにおいて、ラインの幅を1
50μmとし、ギャップの幅を200μmとした。
セラミックシート3a、3b、3c、3dの積層数を、
30とした。すなわち、セラミックシート3aとセラミ
ックシー)3bとが、各々14枚ずつ交互に積層され、
この積層されたものの下に、1つのセラミックシート3
Cおよび1つのセラミックシート3dが順に積層された
セラミック積層体2を得るための焼成条件については、
焼成雰囲気をN2−13%以下H2雰囲気とし、焼成温
度を、銅ペーストを用いた場合には990℃とし、ニッ
ケルペーストを用いた場合には1330〜1350℃と
した。
リード線14および15として、白金クラッド線を用い
、それぞれ、ランド5aおよび8aに対して抵抗溶接し
た。
得られた試料のいくつかの特性が、第3図、第4図およ
び第5図に示されている。
第3図は、温度変化による抵抗値Rの変化を示す。
第4図は、ある温度における抵抗値(Rt)の、0℃に
おける抵抗値(RO)に対する比率(Rt/ Ro )
を示している。
第5図は、各温度における抵抗温度係数TCRを示して
いる。なお、TCRは、以下の式によって表される。
TCR[ppm/℃コ = (Rt−Ro)xlO−’/ (Roxt)ここで
、Rtはある温度(t[’c])における抵抗値、RO
は0℃における抵抗値である。
第3図ないし第5図において、抵抗パターンを形成する
ために銅ペーストを用いたものを“Cuで示し、ニッケ
ルペーストを用いたものを“Ni”で示している。また
、比較例として、抵抗パターンを白金ペーストで形成し
た温度センサについても、同様の評価を行なった。なお
、この比較例は、市販の温度センサであり、0℃におけ
る抵抗値が100Ωを示すもので、より具体的には、焼
成済みのアルミナ基板の上に、白金ペーストを用いて自
然雰囲気中で850℃の温度で焼付けた抵抗パターンを
有するものである。
このように、第3図ないし第5図に示された特性かられ
かるように、抵抗パターンとして、銅またはニッケルの
ような卑金属を用いても、白金を用いて構成された温度
センサに匹敵する特性が得られ、十分に実用化できるこ
とが認められる。
なお、抵抗パターンに銅ペーストを用い、この抵抗パタ
ーンとセラミックシートとを同時焼成する場合、セラミ
ックシートを構成するセラミック材料として、前述した
BaO−8iO2・Al2O3・CaO・B2O3系の
ほか、A1203−CaO・5i02・MgO−B2O
3系、コージェライト系、ZnO*Mg0−A I20
3 a S iO□系、S i 02 ΦB203系ガ
ラス+Al201、などの非還元性セラミックも用いる
ことができる。
また、ニッケルを用いて、抵抗パターンとセラミックシ
ートとを同時に焼成する場合には、セラミックシートを
構成する材料として、前述したTi0−BaO2・Ca
O−ZrO2系のほか、特公昭57−37081号公報
、特公昭57−42588号公報、特公昭57−495
15号公報に記載された非還元性セラミックを用いるこ
ともできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例による温度センサ1の外
観を示す斜視図である。 第2図は、第1図に示した温度センサ1に含まれるセラ
ミック積層体2を、それを構成するセラミックシートご
とに分解して示す斜視図である。 第3図は、実験により得られた試料の温度変化による抵
抗値Rの変化を示す図である。 第4図は、実験により得られた試料のある温度における
抵抗値(Rt)の、0℃における抵抗値(Ro)に対す
る比率(Rt/Ro)を示す図である。 第5図は、実験により得られた試料の各温度における抵
抗温度係数TCRを示す図である。 図において、1は温度センサ、2はセラミック積層体、
3a、3b、3c、3dはセラミックシート、4a、4
b、4cは抵抗パターン、5a。 5b、5c、6a、6b、6c、8a、8b、8dはラ
ンド、7a、7bはノくイアホール、9a。 9b、9c、9dはスルーホール、14.15はリード
線である。 第1図 第3 1准(℃) 第4図 第5図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数のセラミックシートからなる積層構造を有す
    るセラミック積層体と、 前記複数のセラミックシートの主面上にそれぞれが形成
    される、卑金属を含有する複数の抵抗パターンと、 前記複数の抵抗パターンを直列接続する導電経路と、 前記直列接続された複数の抵抗パターンの両端にそれぞ
    れ接続される端子と、 を備える、温度センサ。
  2. (2)前記卑金属は、銅またはニッケルである、請求項
    1に記載の温度センサ。
  3. (3)前記導電経路は、前記セラミックシートを貫通し
    て延びる導電経路を含む、請求項1または2に記載の温
    度センサ。
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