JPH08292108A - サーミスタ式温度センサ - Google Patents
サーミスタ式温度センサInfo
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- JPH08292108A JPH08292108A JP7266298A JP26629895A JPH08292108A JP H08292108 A JPH08292108 A JP H08292108A JP 7266298 A JP7266298 A JP 7266298A JP 26629895 A JP26629895 A JP 26629895A JP H08292108 A JPH08292108 A JP H08292108A
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- JP
- Japan
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- thermistor
- temperature sensor
- thermistor element
- resistor
- terminal
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーミスタ素子の歩留りを向上させる温度セ
ンサの提供。 【解決手段】 サーミスタ素子１１と第１端末部１２
１，１２２を備えた感温部１０と，複数の検出抵抗２１
１〜２１３と第２端末部２２１〜２２５を備えた外付回
路部２０と，第１端末部１２１，１２２と第２端末部２
２１〜２２５の間の接続を変更する接続切替手段３０と
を有する温度センサ１である。接続切替手段３０には，
例えば，コネクタ３１と短絡ワイヤ３２によって接続変
更するものがあり，またコネクタの対になる嵌合部の嵌
着位置を変更するものなどがある。第二発明では，調整
抵抗はサーミスタ素子と直列及び並列に挿入されてお
り，感温部と別体の部材（例えばコネクタ付きの中継部
等）に配置されている。
ンサの提供。 【解決手段】 サーミスタ素子１１と第１端末部１２
１，１２２を備えた感温部１０と，複数の検出抵抗２１
１〜２１３と第２端末部２２１〜２２５を備えた外付回
路部２０と，第１端末部１２１，１２２と第２端末部２
２１〜２２５の間の接続を変更する接続切替手段３０と
を有する温度センサ１である。接続切替手段３０には，
例えば，コネクタ３１と短絡ワイヤ３２によって接続変
更するものがあり，またコネクタの対になる嵌合部の嵌
着位置を変更するものなどがある。第二発明では，調整
抵抗はサーミスタ素子と直列及び並列に挿入されてお
り，感温部と別体の部材（例えばコネクタ付きの中継部
等）に配置されている。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は内燃機関の排気温度等を検知する
サーミスタ式温度センサに関する。
サーミスタ式温度センサに関する。
【０００２】
【従来技術】エンジンの排気管に設置され排気ガスの温
度を検出するサーミスタ式温度センサは図８に示すよう
に温度によって抵抗値ＲT が変化するサーミスタ素子９
２を設けた感温部９１と直流電源９３及び検出抵抗９４
を有する外付回路部９５とからなる。そしてサーミスタ
素子９２の抵抗値ＲT の変化によって変わる検出抵抗９
４の端子電圧Ｖｄから感温部９１の温度を検出する。図
８において符号９６はコネクタである。
度を検出するサーミスタ式温度センサは図８に示すよう
に温度によって抵抗値ＲT が変化するサーミスタ素子９
２を設けた感温部９１と直流電源９３及び検出抵抗９４
を有する外付回路部９５とからなる。そしてサーミスタ
素子９２の抵抗値ＲT の変化によって変わる検出抵抗９
４の端子電圧Ｖｄから感温部９１の温度を検出する。図
８において符号９６はコネクタである。
【０００３】上記サーミスタ素子９２は悪環境に設置さ
れるため絶縁性の基板の上に膜状にサーミスタを形成し
この膜状のサーミスタの上を絶縁性の被覆板で被ってサ
ーミスタを保護する構造を有する。この積層型サーミス
タ式温度センサは上記基板とサーミスタの積層体を熱圧
着しながら焼成によって製作されている。
れるため絶縁性の基板の上に膜状にサーミスタを形成し
この膜状のサーミスタの上を絶縁性の被覆板で被ってサ
ーミスタを保護する構造を有する。この積層型サーミス
タ式温度センサは上記基板とサーミスタの積層体を熱圧
着しながら焼成によって製作されている。
【０００４】
【解決しようとする課題】しかしながら上記積層型サー
ミスタ式温度センサは感温部のサーミスタ素子の製造時
における抵抗値のばらつきが大きく製造歩留りが悪いと
いう問題がある。即ち製造条件の僅かな変化によって抵
抗値が大きく変化し抵抗値が規格外となるものが生じこ
のサーミスタ素子は廃棄処分にせざるを得ないため生産
歩留りを大きく低下させている。
ミスタ式温度センサは感温部のサーミスタ素子の製造時
における抵抗値のばらつきが大きく製造歩留りが悪いと
いう問題がある。即ち製造条件の僅かな変化によって抵
抗値が大きく変化し抵抗値が規格外となるものが生じこ
のサーミスタ素子は廃棄処分にせざるを得ないため生産
歩留りを大きく低下させている。
【０００５】そのため特開昭５５−８５００１号公報で
はサーミスタの電極部に設けた抵抗調整用の凹状電極部
を切断しこれによって抵抗値のばらつきを調整する方法
が提案されている。しかしながら電極の一部を切断する
上記方法は作業性が悪くコストを上昇させるという問題
がある。
はサーミスタの電極部に設けた抵抗調整用の凹状電極部
を切断しこれによって抵抗値のばらつきを調整する方法
が提案されている。しかしながら電極の一部を切断する
上記方法は作業性が悪くコストを上昇させるという問題
がある。
【０００６】また，特開昭５１−１４０６６９号公報に
は，高温度検出用のサーミスタの引き出し線に固定抵抗
器を直列に接続し，高温時におけるサーミスタの抵抗値
を補正し，抵抗値のばらつきを低減する方法が提案され
ている。しかしながら，この方法は，高温の１点におけ
る抵抗値を補正し，１点における抵抗のばらつきを低減
することが出来るに過ぎず，測定範囲の全域におけるば
らつきを補正するものではない。また，測定温度範囲が
大幅に狭められるため，用途が極めて限定されたものに
なるという問題がある。
は，高温度検出用のサーミスタの引き出し線に固定抵抗
器を直列に接続し，高温時におけるサーミスタの抵抗値
を補正し，抵抗値のばらつきを低減する方法が提案され
ている。しかしながら，この方法は，高温の１点におけ
る抵抗値を補正し，１点における抵抗のばらつきを低減
することが出来るに過ぎず，測定範囲の全域におけるば
らつきを補正するものではない。また，測定温度範囲が
大幅に狭められるため，用途が極めて限定されたものに
なるという問題がある。
【０００７】更に，特開平０７−１１１２０６号公報に
は，サーミスタの自己加熱による抵抗値の誤差に対する
対策法が開示されている。即ち，上記のように膜状のサ
ーミスタを絶縁基板間に配置した積層型サーミスタ式温
度センサでは，サーミスタに印加する電圧によって電流
が流れて温度が上昇し，この自己加熱によって抵抗値が
高温側に変化する。この抵抗値の変化量（所謂オフセッ
ト量）を補正するために，サーミスタを搭載した基板上
に，トリミング可能な膜状の調整用抵抗体を設ける方法
が上記公報には示されている。
は，サーミスタの自己加熱による抵抗値の誤差に対する
対策法が開示されている。即ち，上記のように膜状のサ
ーミスタを絶縁基板間に配置した積層型サーミスタ式温
度センサでは，サーミスタに印加する電圧によって電流
が流れて温度が上昇し，この自己加熱によって抵抗値が
高温側に変化する。この抵抗値の変化量（所謂オフセッ
ト量）を補正するために，サーミスタを搭載した基板上
に，トリミング可能な膜状の調整用抵抗体を設ける方法
が上記公報には示されている。
【０００８】しかしながら，特開平０７−１１１２０６
号公報に示された構成によると，調整抵抗がサーミスタ
と同一の基板上にあるため，基板の熱伝導による加熱，
または周囲の温度による加熱によって調整抵抗の温度が
変わり，これによって調整抵抗の抵抗値が変化して正確
な補正が出来ないという問題が残されている。また，こ
の調整抵抗には，サーミスタと並列に接続されているも
のがあり，この並列抵抗の抵抗値は，同一基板上にある
サーミスタとの並列接続を切り離さなければ測定出来な
いから，一旦サーミスタとの接続を切り離し，調整後に
再度接続する必要がある。そのため，製造工数が増加
し，また切断と接続の両作業により信頼性を低下させる
という問題がある。
号公報に示された構成によると，調整抵抗がサーミスタ
と同一の基板上にあるため，基板の熱伝導による加熱，
または周囲の温度による加熱によって調整抵抗の温度が
変わり，これによって調整抵抗の抵抗値が変化して正確
な補正が出来ないという問題が残されている。また，こ
の調整抵抗には，サーミスタと並列に接続されているも
のがあり，この並列抵抗の抵抗値は，同一基板上にある
サーミスタとの並列接続を切り離さなければ測定出来な
いから，一旦サーミスタとの接続を切り離し，調整後に
再度接続する必要がある。そのため，製造工数が増加
し，また切断と接続の両作業により信頼性を低下させる
という問題がある。
【０００９】本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり広い温度範囲において，サーミスタ素子
の抵抗値のばらつきを補正し，高価なサーミスタ素子の
生産歩留りを向上させることのできるサーミスタ式温度
センサを提供しようとするものである。
れたものであり広い温度範囲において，サーミスタ素子
の抵抗値のばらつきを補正し，高価なサーミスタ素子の
生産歩留りを向上させることのできるサーミスタ式温度
センサを提供しようとするものである。
【００１０】
【課題の解決手段】本願の第一発明はサーミスタ素子を
有し該サーミスタ素子を外部と電気接続する第１端末部
を備えた感温部と上記サーミスタ素子と直列又は並列に
電気接続するための複数の検出抵抗を有し該検出抵抗の
それぞれを外部と電気接続することのできる第２端末部
を備えた外付回路部と上記第１端末部と第２端末部との
間の接続を変更する接続切替手段とを有していることを
特徴とするサーミスタ式温度センサにある。
有し該サーミスタ素子を外部と電気接続する第１端末部
を備えた感温部と上記サーミスタ素子と直列又は並列に
電気接続するための複数の検出抵抗を有し該検出抵抗の
それぞれを外部と電気接続することのできる第２端末部
を備えた外付回路部と上記第１端末部と第２端末部との
間の接続を変更する接続切替手段とを有していることを
特徴とするサーミスタ式温度センサにある。
【００１１】第一発明において最も注目すべきことは外
付回路部に複数の検出抵抗が設けられておりまた検出抵
抗に接続された第２端末部のいずれかを選択的に第１端
末部に接続する接続切替手段が設けられていることであ
る。上記接続切替手段には例えば第１端末部と第２端末
部とを接続するコネクタの端子間をワイヤなどの短絡手
段で選択的に短絡するものがある（図１符号３２参
照）。
付回路部に複数の検出抵抗が設けられておりまた検出抵
抗に接続された第２端末部のいずれかを選択的に第１端
末部に接続する接続切替手段が設けられていることであ
る。上記接続切替手段には例えば第１端末部と第２端末
部とを接続するコネクタの端子間をワイヤなどの短絡手
段で選択的に短絡するものがある（図１符号３２参
照）。
【００１２】また上記接続切替手段の他の例として第２
端末部に接続されたコネクタの第２嵌合部においてコネ
クタの第１嵌合部の嵌着位置を変えることによって所望
の検出抵抗を第１端末部に接続するものがある。なお上
記２つの例におけるコネクタはいずれも外付回路部側に
設けることが好ましくまた外付回路部と構造的に一体的
にすることが好ましい。コネクタが感温部に近ければ測
温対象物による温度の影響を受けやすくなるが外付回路
部側に設ければそのようなことがなくまた外付回路部と
コネクタとを一体とすることにより温度センサ全体の占
有スペースを小さくすることができるからである。
端末部に接続されたコネクタの第２嵌合部においてコネ
クタの第１嵌合部の嵌着位置を変えることによって所望
の検出抵抗を第１端末部に接続するものがある。なお上
記２つの例におけるコネクタはいずれも外付回路部側に
設けることが好ましくまた外付回路部と構造的に一体的
にすることが好ましい。コネクタが感温部に近ければ測
温対象物による温度の影響を受けやすくなるが外付回路
部側に設ければそのようなことがなくまた外付回路部と
コネクタとを一体とすることにより温度センサ全体の占
有スペースを小さくすることができるからである。
【００１３】本発明にかかる上記構成の温度センサはエ
ンジンの排気温度等を測る積層型サーミスタ式温度セン
サにおいて特に効果的である。積層型サーミスタ式温度
センサにおいては前記のように焼成を含む製造工程から
サーミスタ素子の抵抗値にばらつきが生じ易いが本発明
の温度センサは検出抵抗を選択することによりばらつき
を補正できるからである。
ンジンの排気温度等を測る積層型サーミスタ式温度セン
サにおいて特に効果的である。積層型サーミスタ式温度
センサにおいては前記のように焼成を含む製造工程から
サーミスタ素子の抵抗値にばらつきが生じ易いが本発明
の温度センサは検出抵抗を選択することによりばらつき
を補正できるからである。
【００１４】次に第一発明の作用効果について述べる第
一発明にかかる温度センサにおいては接続切替手段によ
ってサーミスタ素子に接続する検出抵抗を選択すること
ができる。従って製造されたサーミスタ素子の抵抗値Ｒ
T の値がばらついてもサーミスタ素子に接続する検出抵
抗Ｒａの値を選択することにより抵抗値ＲT の変化が検
出信号のばらつきとなって表れないようにすることがで
きる。
一発明にかかる温度センサにおいては接続切替手段によ
ってサーミスタ素子に接続する検出抵抗を選択すること
ができる。従って製造されたサーミスタ素子の抵抗値Ｒ
T の値がばらついてもサーミスタ素子に接続する検出抵
抗Ｒａの値を選択することにより抵抗値ＲT の変化が検
出信号のばらつきとなって表れないようにすることがで
きる。
【００１５】例えば図８に示すようにサーミスタ素子９
２と検出抵抗９４が直列に接続され検出抵抗９４の両端
の電圧Ｖｄを検出信号（電圧）とする場合には抵抗値Ｒ
T の変化に応じて検出抵抗の値Ｒａを変えることにより
一定の基準温度Ｔｓにおける検出電圧Ｖｄが所定の範囲
内に入るようにすることができる。そのため製造された
サーミスタ素子の抵抗値がばらついても利用できないサ
ーミスタ素子の数が減少しサーミスタ素子の生産歩留り
を大幅に上昇させることができる。
２と検出抵抗９４が直列に接続され検出抵抗９４の両端
の電圧Ｖｄを検出信号（電圧）とする場合には抵抗値Ｒ
T の変化に応じて検出抵抗の値Ｒａを変えることにより
一定の基準温度Ｔｓにおける検出電圧Ｖｄが所定の範囲
内に入るようにすることができる。そのため製造された
サーミスタ素子の抵抗値がばらついても利用できないサ
ーミスタ素子の数が減少しサーミスタ素子の生産歩留り
を大幅に上昇させることができる。
【００１６】一方検出抵抗を複数設けること及び接続切
替手段を新たに設けることに伴うコスト上昇はサーミス
タ素子自体のコストに比べると小さいから温度センサの
コストは全体として低下する。上記のように第一発明に
よれば高価なサーミスタ素子の利用率（歩留り）を向上
させ全体のコストを引き下げることのできるサーミスタ
式温度センサを提供することができる。
替手段を新たに設けることに伴うコスト上昇はサーミス
タ素子自体のコストに比べると小さいから温度センサの
コストは全体として低下する。上記のように第一発明に
よれば高価なサーミスタ素子の利用率（歩留り）を向上
させ全体のコストを引き下げることのできるサーミスタ
式温度センサを提供することができる。
【００１７】次に，本願の第二発明は，温度に応じて抵
抗値が変化するサーミスタ素子を備えた感温部と，上記
サーミスタ素子と直列及び並列に接続されサーミスタ素
子の抵抗値を調整する複数の調整抵抗とを有するサーミ
スタ式温度センサであって，上記サーミスタ素子は，絶
縁性基板の上に厚膜又は薄膜のサーミスタを形成し，こ
の膜状のサーミスタを絶縁性基板で覆ってなり，また，
上記調整抵抗は，上記感温部から離隔した別体の部材上
に配置されていることを特徴とするサーミスタ式温度セ
ンサにある。
抗値が変化するサーミスタ素子を備えた感温部と，上記
サーミスタ素子と直列及び並列に接続されサーミスタ素
子の抵抗値を調整する複数の調整抵抗とを有するサーミ
スタ式温度センサであって，上記サーミスタ素子は，絶
縁性基板の上に厚膜又は薄膜のサーミスタを形成し，こ
の膜状のサーミスタを絶縁性基板で覆ってなり，また，
上記調整抵抗は，上記感温部から離隔した別体の部材上
に配置されていることを特徴とするサーミスタ式温度セ
ンサにある。
【００１８】第二発明において最も注目すべきことの第
一点は，サーミスタ素子に直列な調整抵抗とサーミスタ
素子に並列な調整抵抗の２種類の調整抵抗を設けたこと
である。上記のような調整抵抗を設けることにより，サ
ーミスタ素子の測定温度範囲の上限と下限の両点におい
て，所望の抵抗値に合わせることが出来るから，測定温
度範囲の全域に渡って精度良くサーミスタ素子の抵抗値
を調整することが出来る。
一点は，サーミスタ素子に直列な調整抵抗とサーミスタ
素子に並列な調整抵抗の２種類の調整抵抗を設けたこと
である。上記のような調整抵抗を設けることにより，サ
ーミスタ素子の測定温度範囲の上限と下限の両点におい
て，所望の抵抗値に合わせることが出来るから，測定温
度範囲の全域に渡って精度良くサーミスタ素子の抵抗値
を調整することが出来る。
【００１９】即ち，サーミスタ素子の目標抵抗曲線が例
えば図６の符号６１であり，実際の抵抗曲線が同図の符
号６２である場合に，サーミスタ素子に並列な抵抗と直
列な抵抗と（例えば図５の符号５３，５２）の両者を調
整することにより，曲線６２上において曲線６１との間
に差の生じている離れた位置の２点（通常は両端）を曲
線６１に合致させることが可能である（詳細は実施形態
例１参照）。その結果，両曲線の全域に渡って，両者間
の差異を極めて小さくすることが出来る。
えば図６の符号６１であり，実際の抵抗曲線が同図の符
号６２である場合に，サーミスタ素子に並列な抵抗と直
列な抵抗と（例えば図５の符号５３，５２）の両者を調
整することにより，曲線６２上において曲線６１との間
に差の生じている離れた位置の２点（通常は両端）を曲
線６１に合致させることが可能である（詳細は実施形態
例１参照）。その結果，両曲線の全域に渡って，両者間
の差異を極めて小さくすることが出来る。
【００２０】第二発明において最も注目すべきことの第
二点は，調整抵抗が，感温部から離隔した別体の部材上
に配置されていることである。その結果，調整抵抗は，
感温部からの熱伝導や，感温部周囲からの熱伝達を受け
ることがなくなり，調整抵抗自体の抵抗変化を抑制する
ことが可能となり，検出精度が向上する。
二点は，調整抵抗が，感温部から離隔した別体の部材上
に配置されていることである。その結果，調整抵抗は，
感温部からの熱伝導や，感温部周囲からの熱伝達を受け
ることがなくなり，調整抵抗自体の抵抗変化を抑制する
ことが可能となり，検出精度が向上する。
【００２１】なお，上記調整抵抗は，電源などを備えた
制御部とも別体とすることが好ましい。何故ならば，調
整抵抗は，１個１個のサーミスタ素子と１対１に対応す
るものであり，それぞれが異なったものであるから，制
御部と別体にすることにより，制御部を互換性のある同
一のものにすることが出来るからである。そして，請求
項７記載のように，コネクタを設けた中継部に調整抵抗
を配置することにより，更に各部間の接続が容易となり
取扱や保守が容易になる。
制御部とも別体とすることが好ましい。何故ならば，調
整抵抗は，１個１個のサーミスタ素子と１対１に対応す
るものであり，それぞれが異なったものであるから，制
御部と別体にすることにより，制御部を互換性のある同
一のものにすることが出来るからである。そして，請求
項７記載のように，コネクタを設けた中継部に調整抵抗
を配置することにより，更に各部間の接続が容易となり
取扱や保守が容易になる。
【００２２】また，請求項８記載のように，調整抵抗を
トリミング可能な抵抗体とすることにより，抵抗値を連
続的に増加させることができ，調整精度が向上し且つ調
整作業が容易となる。また，請求項９記載のように，出
力信号を取り出すための検出抵抗も上記調整抵抗と一体
に配置することが好ましい。このように構成することに
より，ここに所定の電圧（又は電流）を供給すれば出力
信号が得られるようになり，温度センサに固有のもの
は，感温部と抵抗部の２つになり，全体の構成が簡素に
なる。なお，上記において，検出抵抗とは，調整抵抗を
含む温度可変抵抗部と直列に接続して分圧された電圧と
して，出力を取り出す抵抗である。
トリミング可能な抵抗体とすることにより，抵抗値を連
続的に増加させることができ，調整精度が向上し且つ調
整作業が容易となる。また，請求項９記載のように，出
力信号を取り出すための検出抵抗も上記調整抵抗と一体
に配置することが好ましい。このように構成することに
より，ここに所定の電圧（又は電流）を供給すれば出力
信号が得られるようになり，温度センサに固有のもの
は，感温部と抵抗部の２つになり，全体の構成が簡素に
なる。なお，上記において，検出抵抗とは，調整抵抗を
含む温度可変抵抗部と直列に接続して分圧された電圧と
して，出力を取り出す抵抗である。
【００２３】更に，請求項１０記載のように，上記検出
抵抗もトリミング可能な抵抗体とすることが好ましい。
検出抵抗をトリミング可能とすることにより，温度可変
部の抵抗値に合わせて，温度変化に対する感度が最もよ
くなる抵抗値に検出抵抗を調整することが出来るからで
ある。ここで，感度とは，温度変化に対する出力電圧の
変化の大きさのことである。上記のように，第二発明に
よれば，広い温度範囲において，サーミスタ素子の抵抗
値のばらつきを補正し，高価なサーミスタ素子の生産歩
留りを向上させことのできるサーミスタ式温度センサを
提供することが出来る。
抵抗もトリミング可能な抵抗体とすることが好ましい。
検出抵抗をトリミング可能とすることにより，温度可変
部の抵抗値に合わせて，温度変化に対する感度が最もよ
くなる抵抗値に検出抵抗を調整することが出来るからで
ある。ここで，感度とは，温度変化に対する出力電圧の
変化の大きさのことである。上記のように，第二発明に
よれば，広い温度範囲において，サーミスタ素子の抵抗
値のばらつきを補正し，高価なサーミスタ素子の生産歩
留りを向上させことのできるサーミスタ式温度センサを
提供することが出来る。
【００２４】
実施形態例１ 本例は図１に示すようにサーミスタ素子１１を有しサー
ミスタ素子１１を外部と電気接続する第１端末部１２
１，１２２を備えた感温部１０とサーミスタ１１と直列
に接続するための複数の検出抵抗２１１〜２１３を有し
検出抵抗２１１〜２１３のそれぞれを外部と電気低続す
る第２端末部２２１〜２２５を備えた外付回路部２０と
第１端末部１２１，１２２と第２端末部２２１〜２２５
との間の接続を変更する接続切替手段３０とを有するサ
ーミスタ式温度センサ１である。
ミスタ素子１１を外部と電気接続する第１端末部１２
１，１２２を備えた感温部１０とサーミスタ１１と直列
に接続するための複数の検出抵抗２１１〜２１３を有し
検出抵抗２１１〜２１３のそれぞれを外部と電気低続す
る第２端末部２２１〜２２５を備えた外付回路部２０と
第１端末部１２１，１２２と第２端末部２２１〜２２５
との間の接続を変更する接続切替手段３０とを有するサ
ーミスタ式温度センサ１である。
【００２５】接続切替手段３０は第１端末部１２１，１
２２又は第２端末部２２１〜２２５に接続された互いに
対になる雌型又は雄型の嵌合部３３，３４を備えたコネ
クタ３１と第１嵌合部３３における端子間を選択的に短
絡する短絡手段（ワイヤ）３２とを有する。またコネク
タ３１と外付回路部２０とは構造上一体的に結合されて
いる。そしてサーミスタ素子１１は絶縁性の基板１２と
基板１２上に厚膜状に形成されたサーミスタ１３とサー
ミスタ１３を被う絶縁被覆部材１４とを有する。
２２又は第２端末部２２１〜２２５に接続された互いに
対になる雌型又は雄型の嵌合部３３，３４を備えたコネ
クタ３１と第１嵌合部３３における端子間を選択的に短
絡する短絡手段（ワイヤ）３２とを有する。またコネク
タ３１と外付回路部２０とは構造上一体的に結合されて
いる。そしてサーミスタ素子１１は絶縁性の基板１２と
基板１２上に厚膜状に形成されたサーミスタ１３とサー
ミスタ１３を被う絶縁被覆部材１４とを有する。
【００２６】本例の温度センサ１はエンジンの排気管に
装着され排気ガスの温度を検出するセンサであり保持金
具１５によって排気管に固定されサーミスタ素子１１は
排気管中に挿入される。同図において符号１６１はサー
ミスタ１３に接触する白金等からなるリード電極であ
る。外付回路部２０は直流電源２３と検出抵抗２１１〜
２１３を備えており検出抵抗２１１〜２１３の一端は共
通ライン２２６を介して直流電源２３の負極に接続され
他端はそれぞれ第２端末部２２３〜２２５に接続され
る。
装着され排気ガスの温度を検出するセンサであり保持金
具１５によって排気管に固定されサーミスタ素子１１は
排気管中に挿入される。同図において符号１６１はサー
ミスタ１３に接触する白金等からなるリード電極であ
る。外付回路部２０は直流電源２３と検出抵抗２１１〜
２１３を備えており検出抵抗２１１〜２１３の一端は共
通ライン２２６を介して直流電源２３の負極に接続され
他端はそれぞれ第２端末部２２３〜２２５に接続され
る。
【００２７】検出信号は接続切替手段３０の端子３３２
を介してサーミスタ素子１１の一端に接続される検出端
末２２７と共通ライン２２６との間の電圧Ｖｄとして検
知される。また検出抵抗２１１〜２１３の他端である第
２端末部２２３〜２２５は接続切替手段３０の端子３３
４〜３３６及び３３３と短絡ワイヤ３２を介してサーミ
スタ素子１１の一端に接続される。
を介してサーミスタ素子１１の一端に接続される検出端
末２２７と共通ライン２２６との間の電圧Ｖｄとして検
知される。また検出抵抗２１１〜２１３の他端である第
２端末部２２３〜２２５は接続切替手段３０の端子３３
４〜３３６及び３３３と短絡ワイヤ３２を介してサーミ
スタ素子１１の一端に接続される。
【００２８】次に接続切替手段３０を介して検出抵抗２
１１〜２１３を選択する方法及び効果について述べる。
直流電源２３の電圧をＥ，検出抵抗２１１〜２１３及び
サーミスタ素子１１の抵抗値をＲａ, ＲT とすると検出
電圧Ｖｄは次式の通りである。 Ｖｄ＝Ｒａ（Ｒａ＋ＲT ）-1×Ｅ ここで所定の温度Ｔｏ（例えば８００℃）におけるサー
ミスタ素子の抵抗値ＲTOにばらつき（偏差δＲ）が生ず
ると検出電圧は上式によって算出される正規の値Ｖｄｏ
から下式によって示される値（Ｖｄｏ＋δＶ）に変化す
る（δＶは検出電圧の偏位を示す） Ｖｄｏ＋δＶ＝Ｒａ（Ｒａ＋ＲTO＋δＲ）-1×Ｅ・・・・・（１）
１１〜２１３を選択する方法及び効果について述べる。
直流電源２３の電圧をＥ，検出抵抗２１１〜２１３及び
サーミスタ素子１１の抵抗値をＲａ, ＲT とすると検出
電圧Ｖｄは次式の通りである。 Ｖｄ＝Ｒａ（Ｒａ＋ＲT ）-1×Ｅ ここで所定の温度Ｔｏ（例えば８００℃）におけるサー
ミスタ素子の抵抗値ＲTOにばらつき（偏差δＲ）が生ず
ると検出電圧は上式によって算出される正規の値Ｖｄｏ
から下式によって示される値（Ｖｄｏ＋δＶ）に変化す
る（δＶは検出電圧の偏位を示す） Ｖｄｏ＋δＶ＝Ｒａ（Ｒａ＋ＲTO＋δＲ）-1×Ｅ・・・・・（１）
【００２９】しかしながらここで検出抵抗の値Ｒａを
（２）式で示すＲａ′に変化させることができれば上記
検出電圧の偏位δＶをゼロにすることができる。 Ｒａ′＝Ｒａ（ＲTO＋δＲ）ＲTO -1・・・・・・・（２） 即ち検出抵抗２１１〜２１３のうちで抵抗値が上記Ｒ
ａ′に近いものを選択することにより検出電圧の偏位δ
Ｖを低めに抑制しサーミスタ素子１１を良品として使用
することが可能となる。それ故サーミスタ素子１１の実
質的な生産歩留りを上昇させることが可能となる。
（２）式で示すＲａ′に変化させることができれば上記
検出電圧の偏位δＶをゼロにすることができる。 Ｒａ′＝Ｒａ（ＲTO＋δＲ）ＲTO -1・・・・・・・（２） 即ち検出抵抗２１１〜２１３のうちで抵抗値が上記Ｒ
ａ′に近いものを選択することにより検出電圧の偏位δ
Ｖを低めに抑制しサーミスタ素子１１を良品として使用
することが可能となる。それ故サーミスタ素子１１の実
質的な生産歩留りを上昇させることが可能となる。
【００３０】そして検出抵抗２１１〜２１３のコストは
低くまた接続切替手段３０によるコスト上昇（ワイヤ３
２などのコスト）も比較的低いから全体として温度セン
サ１のコストは低下する。上記のように本例によれば高
価なサーミスタ素子１１の利用率（歩留り）を向上させ
全体のコストを引き下げることのできるサーミスタ式温
度センサ１を提供することができる。
低くまた接続切替手段３０によるコスト上昇（ワイヤ３
２などのコスト）も比較的低いから全体として温度セン
サ１のコストは低下する。上記のように本例によれば高
価なサーミスタ素子１１の利用率（歩留り）を向上させ
全体のコストを引き下げることのできるサーミスタ式温
度センサ１を提供することができる。
【００３１】実施形態例２ 本例は図２に示すように実施形態例１において接続切替
手段３０の構成を変更したもう１つの実施形態例であ
る。接続切替手段３０のコネクタの第２嵌合部３６は正
の共通電位に接続された３つのプラス端子３６１と外付
回路部２０の検出端末２２７に接続される３つの中間端
子３６４と検出抵抗２１１〜２１３に接続される切換え
端子３６７〜３６９とを有する。
手段３０の構成を変更したもう１つの実施形態例であ
る。接続切替手段３０のコネクタの第２嵌合部３６は正
の共通電位に接続された３つのプラス端子３６１と外付
回路部２０の検出端末２２７に接続される３つの中間端
子３６４と検出抵抗２１１〜２１３に接続される切換え
端子３６７〜３６９とを有する。
【００３２】一方第１嵌合部３５は上記プラス端子３６
１に接続される正端子３５１と上記中間端子３６４に接
続される中間端子３５２と上記切換端子３６７〜３６９
のいずれかに接続する検出端子３５３とを有し中間端子
３５２と検出端子３５３とは短絡されている。そして第
１嵌合部３５を接続する第２嵌合部３６の端子の位置
（３６１３６４３６７）（３６１３６４３６８）又は
（３６１３６４３６９）を変更することによりサーミス
タ１１に接続される検出抵抗２１１〜２１３を変更する
ことができる。その他については実施形態例１と同様で
ある。
１に接続される正端子３５１と上記中間端子３６４に接
続される中間端子３５２と上記切換端子３６７〜３６９
のいずれかに接続する検出端子３５３とを有し中間端子
３５２と検出端子３５３とは短絡されている。そして第
１嵌合部３５を接続する第２嵌合部３６の端子の位置
（３６１３６４３６７）（３６１３６４３６８）又は
（３６１３６４３６９）を変更することによりサーミス
タ１１に接続される検出抵抗２１１〜２１３を変更する
ことができる。その他については実施形態例１と同様で
ある。
【００３３】実施形態例３ 本例は図３に示すように実施形態例１において検出抵抗
２１１〜２１３をコネクタの第２嵌合部３８の内部に配
置したもう１つの実施形態例である。検出抵抗２１１〜
２１３をコネクタの第２嵌合部３８に取り付けることに
より第２嵌合部３８に接続される外線の数を減らすこと
ができる。即ち実施形態例１の方式では検出抵抗の数を
ｎとすると（ｎ＋２）本の外線がコネクタ３１の第２嵌
合部３４に接続されるが本例によれば第２嵌合部３８に
接続される外線は常に３本で済む。その他については実
施形態例１と同様である。なお検出抵抗２１１〜２１３
は第１嵌合部３３の側に取付けることも可能であり同様
の効果を得ることができる。
２１１〜２１３をコネクタの第２嵌合部３８の内部に配
置したもう１つの実施形態例である。検出抵抗２１１〜
２１３をコネクタの第２嵌合部３８に取り付けることに
より第２嵌合部３８に接続される外線の数を減らすこと
ができる。即ち実施形態例１の方式では検出抵抗の数を
ｎとすると（ｎ＋２）本の外線がコネクタ３１の第２嵌
合部３４に接続されるが本例によれば第２嵌合部３８に
接続される外線は常に３本で済む。その他については実
施形態例１と同様である。なお検出抵抗２１１〜２１３
は第１嵌合部３３の側に取付けることも可能であり同様
の効果を得ることができる。
【００３４】実施形態例４ 本例は，第二発明にかかる実施形態例である。本例は，
図４に示すように，温度に応じて抵抗値が変化するサー
ミスタ素子４１を備えた感温部４０と，感温部４０に供
給する電源部を備え感温部４０とは別体の図示しない制
御部と，感温部４０及び上記制御部と別体で両部の間を
接続する中継部５０とを有するサーミスタ式温度センサ
１である。
図４に示すように，温度に応じて抵抗値が変化するサー
ミスタ素子４１を備えた感温部４０と，感温部４０に供
給する電源部を備え感温部４０とは別体の図示しない制
御部と，感温部４０及び上記制御部と別体で両部の間を
接続する中継部５０とを有するサーミスタ式温度センサ
１である。
【００３５】サーミスタ素子４１は，絶縁性基板４５の
上に厚膜又は薄膜のサーミスタ４２を形成し，この膜状
のサーミスタ４２を絶縁性基板４６で覆ってなり，中継
部５０は，互いに対になる雄型と雌型の嵌合部を備えた
中継用のコネクタ５１（但し，雌型部は図示略）と，サ
ーミスタ素子４１と直列及び並列に接続されサーミスタ
素子４１の抵抗値を調整する２個の調整抵抗５２，５３
（図５）とを有する。調整抵抗５２，５３は，基板５５
上に配置されており，一部を切除することにより抵抗値
を調整することのできるトリミング可能な抵抗体であ
る。
上に厚膜又は薄膜のサーミスタ４２を形成し，この膜状
のサーミスタ４２を絶縁性基板４６で覆ってなり，中継
部５０は，互いに対になる雄型と雌型の嵌合部を備えた
中継用のコネクタ５１（但し，雌型部は図示略）と，サ
ーミスタ素子４１と直列及び並列に接続されサーミスタ
素子４１の抵抗値を調整する２個の調整抵抗５２，５３
（図５）とを有する。調整抵抗５２，５３は，基板５５
上に配置されており，一部を切除することにより抵抗値
を調整することのできるトリミング可能な抵抗体であ
る。
【００３６】以下，それぞれについて説明を補足する。
感温部４０は，図４に示すように，絶縁性基板４５上に
膜状のサーミスタ４２と白金等からなるリード電極４３
を配置し，その上を絶縁性の基板４６で覆い，外部と接
続するための引き出し線４４１，４４２を設けてある。
中継部５０は，プリント基板５５上に調整抵抗５２，５
３を搭載し，調整抵抗５２，５３はコネクタピン５１
１，５１２に接続されている。
感温部４０は，図４に示すように，絶縁性基板４５上に
膜状のサーミスタ４２と白金等からなるリード電極４３
を配置し，その上を絶縁性の基板４６で覆い，外部と接
続するための引き出し線４４１，４４２を設けてある。
中継部５０は，プリント基板５５上に調整抵抗５２，５
３を搭載し，調整抵抗５２，５３はコネクタピン５１
１，５１２に接続されている。
【００３７】図５は，サーミスタ４１と調整抵抗５２，
５３の接続回路図である。次に，調整抵抗５２（抵抗値
Ｒ２），５３（抵抗値Ｒ１）によって，サーミスタ素子
４１の抵抗値を調整する方法について述べる。本例のサ
ーミスタ素子４１はＮＴＣ（負特性）サーミスタであ
り，図６の曲線６１，６２に示すように，低温域では高
い抵抗値を示し，高温になるに従って対数的に抵抗値が
減少する。そこで，目標とする抵抗変化曲線を同図の符
号６１であるとし，調整前の抵抗変化曲線が符号６２の
ようであったとする。
５３の接続回路図である。次に，調整抵抗５２（抵抗値
Ｒ２），５３（抵抗値Ｒ１）によって，サーミスタ素子
４１の抵抗値を調整する方法について述べる。本例のサ
ーミスタ素子４１はＮＴＣ（負特性）サーミスタであ
り，図６の曲線６１，６２に示すように，低温域では高
い抵抗値を示し，高温になるに従って対数的に抵抗値が
減少する。そこで，目標とする抵抗変化曲線を同図の符
号６１であるとし，調整前の抵抗変化曲線が符号６２の
ようであったとする。
【００３８】そうすると，以下に述べるように，サーミ
スタ素子４１（抵抗値Ｒｔ）と調整抵抗５２，５３との
合成抵抗Ｒｏは，低温域では並列調整抵抗５３により抵
抗値の低い側に，また，高温域では直列調整抵抗５１に
より抵抗値の高い側に調整することができる。しかしな
がら，正確には両調整抵抗５２，５３は各温度域で単独
で寄与するわけではなく，各温度域で他方に僅かずつ影
響を与える。そして，調整抵抗５２，５３の最適値Ｒ
１，Ｒ２を選択することにより，上記合成抵抗Ｒｏを任
意の曲線６１にほぼ合致させることが出来る。従って，
抵抗値がばらつく個々のサーミスタ素子４１に対して，
別個に調整抵抗５２，５３の調整を行い，それぞれの合
成抵抗Ｒｏを目標の曲線６１に高精度で合わせることが
出来る。
スタ素子４１（抵抗値Ｒｔ）と調整抵抗５２，５３との
合成抵抗Ｒｏは，低温域では並列調整抵抗５３により抵
抗値の低い側に，また，高温域では直列調整抵抗５１に
より抵抗値の高い側に調整することができる。しかしな
がら，正確には両調整抵抗５２，５３は各温度域で単独
で寄与するわけではなく，各温度域で他方に僅かずつ影
響を与える。そして，調整抵抗５２，５３の最適値Ｒ
１，Ｒ２を選択することにより，上記合成抵抗Ｒｏを任
意の曲線６１にほぼ合致させることが出来る。従って，
抵抗値がばらつく個々のサーミスタ素子４１に対して，
別個に調整抵抗５２，５３の調整を行い，それぞれの合
成抵抗Ｒｏを目標の曲線６１に高精度で合わせることが
出来る。
【００３９】次に，調整抵抗５２，５３の抵抗値Ｒ２，
Ｒ１の決定方法を具体的に述べる。温度がＴ1 ℃の時の
サーミスタ素子４１の抵抗値をＲｔ１とすると，図５の
合成抵抗Ｒｏ（Ｔ１）は， Ｒｏ（Ｔ１）＝Ｒ２＋Ｒｔ１×Ｒ１／（Ｒｔ１＋Ｒ１） であり，同様に，Ｔ２℃のサーミスタ素子４１の抵抗値
をＲｔ２とすると，合成抵抗Ｒｏ（Ｔ２）は， Ｒｏ（Ｔ２）＝Ｒ２＋Ｒｔ２×Ｒ１／（Ｒｔ２＋Ｒ１） である。そして，任意のＲｔ１，Ｒｔ２に対して合成抵
抗Ｒｏ（Ｔ１），Ｒｏ（Ｔ２）を目標値とするためのＲ
１，Ｒ２は，上記２式を解くことによって得ることが出
来る。
Ｒ１の決定方法を具体的に述べる。温度がＴ1 ℃の時の
サーミスタ素子４１の抵抗値をＲｔ１とすると，図５の
合成抵抗Ｒｏ（Ｔ１）は， Ｒｏ（Ｔ１）＝Ｒ２＋Ｒｔ１×Ｒ１／（Ｒｔ１＋Ｒ１） であり，同様に，Ｔ２℃のサーミスタ素子４１の抵抗値
をＲｔ２とすると，合成抵抗Ｒｏ（Ｔ２）は， Ｒｏ（Ｔ２）＝Ｒ２＋Ｒｔ２×Ｒ１／（Ｒｔ２＋Ｒ１） である。そして，任意のＲｔ１，Ｒｔ２に対して合成抵
抗Ｒｏ（Ｔ１），Ｒｏ（Ｔ２）を目標値とするためのＲ
１，Ｒ２は，上記２式を解くことによって得ることが出
来る。
【００４０】即ち，調整抵抗５１，５２を上記式の解と
して得られる抵抗値Ｒ２，Ｒ１にトリミング（調整）す
ることにより，温度範囲Ｔ１〜Ｔ２における目標の抵抗
曲線に高精度で合わせることが可能となる。また，目標
抵抗値Ｒｏ（Ｔ１），Ｒｏ（Ｔ２）の選択の幅は大きい
から，温度の変化に対する抵抗の変化の程度（例えば，
Ｂ値＝Δ（ｌｏｇＲ）／Δ（１／Ｔ））を所望の値に選
定できるという優れた効果を有する。
して得られる抵抗値Ｒ２，Ｒ１にトリミング（調整）す
ることにより，温度範囲Ｔ１〜Ｔ２における目標の抵抗
曲線に高精度で合わせることが可能となる。また，目標
抵抗値Ｒｏ（Ｔ１），Ｒｏ（Ｔ２）の選択の幅は大きい
から，温度の変化に対する抵抗の変化の程度（例えば，
Ｂ値＝Δ（ｌｏｇＲ）／Δ（１／Ｔ））を所望の値に選
定できるという優れた効果を有する。
【００４１】そして，本例では，調整抵抗５２，５３を
前記のようなトリミング可能な抵抗体としてあり，上記
調整を容易に行うことが出来る。なお，トリミクング可
能な抵抗体は，立体形状の所謂チップタイプの抵抗体で
もよく，また，例えばプリント基板に印刷した膜状の抵
抗体でもよい。
前記のようなトリミング可能な抵抗体としてあり，上記
調整を容易に行うことが出来る。なお，トリミクング可
能な抵抗体は，立体形状の所謂チップタイプの抵抗体で
もよく，また，例えばプリント基板に印刷した膜状の抵
抗体でもよい。
【００４２】また，調整抵抗５２，５３が，感温部４０
から離隔した別体の中継部５０に配置されているため，
調整抵抗５２，５３は，感温部４０からの熱伝導や，感
温部４０の周囲からの熱伝達を受けることがなくなり，
調整抵抗５２，５３自体の抵抗変化を抑制することが可
能となり，検出精度が一段と向上する。上記のように，
本例によれば，広い温度範囲において，サーミスタ素子
４１の抵抗値のばらつきを補正し，高価なサーミスタ素
子の生産歩留りを向上させることのできるサーミスタ式
温度センサ１を得ることが出来る。
から離隔した別体の中継部５０に配置されているため，
調整抵抗５２，５３は，感温部４０からの熱伝導や，感
温部４０の周囲からの熱伝達を受けることがなくなり，
調整抵抗５２，５３自体の抵抗変化を抑制することが可
能となり，検出精度が一段と向上する。上記のように，
本例によれば，広い温度範囲において，サーミスタ素子
４１の抵抗値のばらつきを補正し，高価なサーミスタ素
子の生産歩留りを向上させることのできるサーミスタ式
温度センサ１を得ることが出来る。
【００４３】実施形態例５ 本例は，実施形態例４において，図５に示すサーミスタ
素子４１と調整抵抗５２，５３からなる温度可変抵抗部
（合成抵抗値Ｒｏ）に対して直列に，信号取り出し用の
検出抵抗５４（図７）が接続されており，検出抵抗５４
は，調整抵抗５２，５３を配置する中継部５０の基板５
５上に配置されているもう一つの実施形態例である。そ
して，検出抵抗５４は，一部を切除することにより抵抗
値を調整することのできるトリミング可能な抵抗体であ
る。
素子４１と調整抵抗５２，５３からなる温度可変抵抗部
（合成抵抗値Ｒｏ）に対して直列に，信号取り出し用の
検出抵抗５４（図７）が接続されており，検出抵抗５４
は，調整抵抗５２，５３を配置する中継部５０の基板５
５上に配置されているもう一つの実施形態例である。そ
して，検出抵抗５４は，一部を切除することにより抵抗
値を調整することのできるトリミング可能な抵抗体であ
る。
【００４４】図７に示すように，検出抵抗５４を調整抵
抗５２，５３と共に中継部５０に取り付けることによ
り，外部に所定の電圧を印加するだけで，コネクタピン
５１１，５１３間に出力の電圧信号を得ることが出来
る。その結果，温度センサ１に固有のものとして必要な
ものは，感温部４０と中継部５０の２つになり，全体の
構成が簡素になる。
抗５２，５３と共に中継部５０に取り付けることによ
り，外部に所定の電圧を印加するだけで，コネクタピン
５１１，５１３間に出力の電圧信号を得ることが出来
る。その結果，温度センサ１に固有のものとして必要な
ものは，感温部４０と中継部５０の２つになり，全体の
構成が簡素になる。
【００４５】また，検出抵抗をトリミング可能な抵抗体
とすることにより，一般に温度変化に対する出力電圧変
化の大きさで表す感度の良さが最良値となるように，検
出抵抗値を調整（トリミング）することが出来る。な
お，実施形態例１，２では，調整抵抗５２，５３をコネ
クタと同一の部材に配置したが，コネクタとは別の部材
に収納することも出来る。また，直列調整抵抗５２，並
列調整抵抗５３及び検出抵抗５４が，それぞれ１個の抵
抗体からなる例を示したが，複数の抵抗体によって構成
することもできる。
とすることにより，一般に温度変化に対する出力電圧変
化の大きさで表す感度の良さが最良値となるように，検
出抵抗値を調整（トリミング）することが出来る。な
お，実施形態例１，２では，調整抵抗５２，５３をコネ
クタと同一の部材に配置したが，コネクタとは別の部材
に収納することも出来る。また，直列調整抵抗５２，並
列調整抵抗５３及び検出抵抗５４が，それぞれ１個の抵
抗体からなる例を示したが，複数の抵抗体によって構成
することもできる。
【００４６】
【発明の効果】上記のように，第一発明，第二発明によ
れば，サーミスタ素子の抵抗値のばらつきを補正し，高
価なサーミスタ素子の生産歩留りを向上させることので
きるサーミスタ式温度センサを得ることができる。
れば，サーミスタ素子の抵抗値のばらつきを補正し，高
価なサーミスタ素子の生産歩留りを向上させることので
きるサーミスタ式温度センサを得ることができる。
【図１】実施形態例１のサーミスタ式温度センサの回路
図及び要部斜視図（サーミスタ素子は部分破断図示）。
図及び要部斜視図（サーミスタ素子は部分破断図示）。
【図２】実施形態例２のサーミスタ式温度センサの感温
部を省略したシステム構成図。
部を省略したシステム構成図。
【図３】実施形態例３のサーミスタ式温度センサの感温
部を省略したシステム構成図。
部を省略したシステム構成図。
【図４】実施形態例４のサーミスタ温度センサの感温部
と中継部の部分破断斜視図。
と中継部の部分破断斜視図。
【図５】実施形態例４のサーミスタ温度センサの感温部
と中継部の回路図。
と中継部の回路図。
【図６】実施形態例４において，調整抵抗を調整する前
の合成抵抗曲線と目標抵抗曲線の例を示す図。
の合成抵抗曲線と目標抵抗曲線の例を示す図。
【図７】実施形態例５のサーミスタ温度センサの中継部
の部分破断斜視図。
の部分破断斜視図。
【図８】従来のサーミスタ式温度センサの回路図。
【符号の説明】 １・・・温度センサ， １０・・・感温部， １１・・・サーミスタ素子， １２１，１２２・・・第１端末部， ２０・・・外付回路部， ２１１〜２１３・・・検出抵抗， ２２１〜２２５・・・第２端末部， ３０・・・接続切替手段， ３１・・・コネクタ， ３２・・・短絡手段，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｃ 13/02 4231−5Ｅ Ｈ０１Ｃ 13/02 Ｂ Ｈ０３Ｋ 17/00 9184−5Ｋ Ｈ０３Ｋ 17/00 Ｅ // Ｈ０１Ｒ 31/08 Ｈ０１Ｒ 31/08 Ｚ
Claims (10)
- 【請求項１】 サーミスタ素子を有し該サーミスタ素子
を外部と電気接続する第１端末部を備えた感温部と，上
記サーミスタ素子と直列又は並列に電気接続するための
複数の検出抵抗を有し，該検出抵抗のそれぞれを外部と
電気接続することのできる第２端末部を備えた外付回路
部と，上記第１端末部と第２端末部との間の接続を変更
する接続切替手段とを有していることを特徴とするサー
ミスタ式温度センサ。 - 【請求項２】 請求項１において，前記接続切替手段
は，前記第１端末部又は第２端末部に接続された互いに
対になる雄型又は雌型の嵌合部を備えたコネクタと，上
記嵌合部における端子間を選択的に短絡することのでき
る短絡手段とを有していることを特徴とするサーミスタ
式温度センサ。 - 【請求項３】 請求項１において，前記接続切替手段
は，前記第１端末部又は第２端末部に接続された互いに
対になる雄型又は雌型の嵌合部を備えたコネクタを有し
ており，第２端末部と接続された第２嵌合部において，
第１端末部と接続された第１嵌合部の嵌着位置を変える
ことにより，所望の検出抵抗を上記第１端末部に選択的
に接続可能としたことを特徴とするサーミスタ式温度セ
ンサ。 - 【請求項４】 請求項２又は請求項３において，前記接
続切替手段のコネクタと外付回路部とは構造上一体的に
結合されていることを特徴とするサーミスタ式温度セン
サ。 - 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれか１項にお
いて，前記サーミスタ素子は，絶縁性の基板と，該基板
上に厚膜又は薄膜の膜状に形成されたサーミスタと該サ
ーミスタを被う絶縁被覆部材とを有していることを特徴
とするサーミスタ式温度センサ。 - 【請求項６】 温度に応じて抵抗値が変化するサーミス
タ素子を備えた感温部と，上記サーミスタ素子と直列及
び並列に接続されサーミスタ素子の抵抗値を調整する複
数の調整抵抗とを有するサーミスタ式温度センサであっ
て，上記サーミスタ素子は，絶縁性基板の上に厚膜又は
薄膜のサーミスタを形成し，この膜状のサーミスタを絶
縁性基板で覆ってなり，また，上記調整抵抗は，上記感
温部から離隔した別体の部材上に配置されていることを
特徴とするサーミスタ式温度センサ。 - 【請求項７】 温度に応じて抵抗値が変化するサーミス
タ素子を備えた感温部と，この感温部に供給する電源部
を備え感温部とは別体の制御部と，上記感温部及び制御
部と別体で両部の間を接続する中継部とを有するサーミ
スタ式温度センサであって，上記サーミスタ素子は，絶
縁性基板の上に厚膜又は薄膜のサーミスタを形成し，こ
の膜状のサーミスタを絶縁性基板で覆ってなり，上記中
継部は，互いに対になる雄型又は雌型の嵌合部を備えた
中継用のコネクタと，上記サーミスタ素子と直列及び並
列に接続されサーミスタ素子の抵抗値を調整する複数の
調整抵抗とを有することを特徴とするサーミスタ式温度
センサ。 - 【請求項８】 請求項６または請求項７において，前記
調整抵抗は，基板上に配置されており，一部を切除する
ことにより抵抗値を調整することのできるトリミング可
能な抵抗体であることを特徴とするサーミスタ式温度セ
ンサ。 - 【請求項９】 請求項６から請求項８のいずれか１項に
おいて，前記サーミスタ素子と調整抵抗からなる温度可
変抵抗部に対して直列に，信号取り出し用の検出抵抗が
接続されており，上記検出抵抗は，上記調整抵抗を配置
する同一部材上に配置されていることを特徴とするサー
ミスタ式温度センサ。 - 【請求項１０】 請求項９において，前記検出抵抗は，
一部を切除することにより抵抗値を調整することのでき
るトリミング可能な抵抗体であることを特徴とするサー
ミスタ式温度センサ。
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