JP2971200B2 - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
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- JP2971200B2 JP2971200B2 JP19328491A JP19328491A JP2971200B2 JP 2971200 B2 JP2971200 B2 JP 2971200B2 JP 19328491 A JP19328491 A JP 19328491A JP 19328491 A JP19328491 A JP 19328491A JP 2971200 B2 JP2971200 B2 JP 2971200B2
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- Japan
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- thermistor
- temperature
- temperature range
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のサーミスタ素子
を用い、低い温度から高い温度までの広い温度範囲で使
用できるサーミスタに関する。
を用い、低い温度から高い温度までの広い温度範囲で使
用できるサーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、サーミスタは、温度計や温度
補償回路等の温度検出素子として広く使用されており、
特に近年では、自動車の排ガス浄化用のアフターバー
ナ，触媒コンバータ，サーマルリアクタ等に用いられて
いる。
補償回路等の温度検出素子として広く使用されており、
特に近年では、自動車の排ガス浄化用のアフターバー
ナ，触媒コンバータ，サーマルリアクタ等に用いられて
いる。
【０００３】この種のサーミスタに使用されるサーミス
タ素子の材料としては、例えば酸素イオン伝導体である
安定化ジルコニアや、電子伝導体であるスピネル型化合
物，ペロブスカイト型化合物が知られており、更にこれ
らの材料に種々の物質を加えることによってサーミスタ
の特性の改善が図られている。
タ素子の材料としては、例えば酸素イオン伝導体である
安定化ジルコニアや、電子伝導体であるスピネル型化合
物，ペロブスカイト型化合物が知られており、更にこれ
らの材料に種々の物質を加えることによってサーミスタ
の特性の改善が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の酸素
イオン伝導体或は電子伝導体を用いたサーミスタでは、
材料の組成等によって、それぞれＢ定数（サーミスタ定
数）が異なるので、使用できる温度範囲に限定があると
いう問題があった。
イオン伝導体或は電子伝導体を用いたサーミスタでは、
材料の組成等によって、それぞれＢ定数（サーミスタ定
数）が異なるので、使用できる温度範囲に限定があると
いう問題があった。
【０００５】例えば、自動車の排ガスの浄化装置におい
ては、負の温度係数を有するサーミスタ（ＮＴＣサーミ
スタ）が用いられるが、通常この種の浄化装置の使用温
度範囲は、低温から高温に及ぶ非常に広い範囲（例えば
３００〜９００℃程度）であるので、この様な広い温度
領域では、サーミスタの抵抗値を望ましい値の範囲（例
えば２００〜０.１ｋΩ）で変化させることができなか
った。そのため、好適な抵抗温度特性が得られないの
で、正確な温度測定できないという問題があった。 つ
まり、例えば酸素イオン伝導体の場合には、Ｂ定数はＴ
＜Ｔ0の低温域では小さく、Ｔ＞Ｔ0の高温域では大きい
ので、図５に示す様に、その抵抗温度特性を示すグラフ
（α）は急峻な傾きとなり、その結果、高温域では良好
な抵抗値が得られるが、低温域では高過ぎる抵抗値とな
るという問題があった。
ては、負の温度係数を有するサーミスタ（ＮＴＣサーミ
スタ）が用いられるが、通常この種の浄化装置の使用温
度範囲は、低温から高温に及ぶ非常に広い範囲（例えば
３００〜９００℃程度）であるので、この様な広い温度
領域では、サーミスタの抵抗値を望ましい値の範囲（例
えば２００〜０.１ｋΩ）で変化させることができなか
った。そのため、好適な抵抗温度特性が得られないの
で、正確な温度測定できないという問題があった。 つ
まり、例えば酸素イオン伝導体の場合には、Ｂ定数はＴ
＜Ｔ0の低温域では小さく、Ｔ＞Ｔ0の高温域では大きい
ので、図５に示す様に、その抵抗温度特性を示すグラフ
（α）は急峻な傾きとなり、その結果、高温域では良好
な抵抗値が得られるが、低温域では高過ぎる抵抗値とな
るという問題があった。
【０００６】一方、電子伝導体の場合には、Ｂ定数は全
域でそれほど変化しないので、同図に示す様に、その抵
抗温度特性を示すグラフ（β）は緩やかな傾きとなり、
その結果、低温域では良好な抵抗値が得られるが、高温
域では抵抗値が高過ぎるという問題があった。
域でそれほど変化しないので、同図に示す様に、その抵
抗温度特性を示すグラフ（β）は緩やかな傾きとなり、
その結果、低温域では良好な抵抗値が得られるが、高温
域では抵抗値が高過ぎるという問題があった。
【０００７】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れ、広い温度範囲で好適な抵抗温度特性が得られ、使用
温度範囲の広いサーミスタを提供すること。
れ、広い温度範囲で好適な抵抗温度特性が得られ、使用
温度範囲の広いサーミスタを提供すること。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、請求項１の発明は、リード線に接続されたＢ定数
の異なる２種以上のサーミスタ素子が、並列に接続され
たサーミスタであり、実際の使用温度範囲において、所
定の温度（Ｔ 0 ）よりも低温域では、温度に対する抵抗
値の変化の傾きが緩く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高温
域では、温度に対する抵抗値の変化の傾きが急になるよ
うに、折れ線状に変化する特性を有することを特徴とす
るサーミスタを要旨とする。
めに、請求項１の発明は、リード線に接続されたＢ定数
の異なる２種以上のサーミスタ素子が、並列に接続され
たサーミスタであり、実際の使用温度範囲において、所
定の温度（Ｔ 0 ）よりも低温域では、温度に対する抵抗
値の変化の傾きが緩く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高温
域では、温度に対する抵抗値の変化の傾きが急になるよ
うに、折れ線状に変化する特性を有することを特徴とす
るサーミスタを要旨とする。
【０００９】請求項２の発明は、前記Ｂ定数の異なる２
種以上のサーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接続さ
れたリード線とが、絶縁性を有するセラミックス基板上
に設けられたことを特徴とする請求項１記載のサーミス
タを要旨とする。
種以上のサーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接続さ
れたリード線とが、絶縁性を有するセラミックス基板上
に設けられたことを特徴とする請求項１記載のサーミス
タを要旨とする。
【００１０】請求項３の発明は、前記セラミックス基板
が、前記リード線が形成された熱伝導率の高い第１セラ
ミックス層と、該第１セラミックス層より熱伝導率の低
い第２セラミックス層とから形成されたことを特徴とす
る請求項２記載のサーミスタを要旨とする。
が、前記リード線が形成された熱伝導率の高い第１セラ
ミックス層と、該第１セラミックス層より熱伝導率の低
い第２セラミックス層とから形成されたことを特徴とす
る請求項２記載のサーミスタを要旨とする。
【００１１】ここで、前記Ｂ定数の異なるサーミスタ素
子の材料としては、下記表１に記載した〜の成分系
からなるサーミスタ素子を組み合わせて使用することが
できる。
子の材料としては、下記表１に記載した〜の成分系
からなるサーミスタ素子を組み合わせて使用することが
できる。
【００１２】
【表１】
【００１３】本発明のサーミスタの形状としては、例え
ばセラミックス基板表面にリード線を形成し、このリー
ド線にセラミックス素子を並列に接続して配置したもの
が考えられるが、それ以外にも、並列に配置されたペレ
ット状のセラミックス素子をリード線が貫く形状にして
もよい。
ばセラミックス基板表面にリード線を形成し、このリー
ド線にセラミックス素子を並列に接続して配置したもの
が考えられるが、それ以外にも、並列に配置されたペレ
ット状のセラミックス素子をリード線が貫く形状にして
もよい。
【００１４】 また、前記リード線としては、白金等の
貴金属線又はその合金線，耐熱金属線，クラッド線等を
使用できる。前記セラミックス基板の材料としては、電
機絶縁性に優れたアルミナ，ムライト，マグネシア・ア
ルミナスピネル等を採用できる。
貴金属線又はその合金線，耐熱金属線，クラッド線等を
使用できる。前記セラミックス基板の材料としては、電
機絶縁性に優れたアルミナ，ムライト，マグネシア・ア
ルミナスピネル等を採用できる。
【００１５】 また、セラミックス基板が異なる種類の
層から形成されている場合には、リード線が形成された
第１セラミックス層を、熱伝導率の高いアルミナ，ムラ
イト，マグネシア・アルミナスピネル等から形成し、一
方、第１セラミックス層のリード線が形成されていない
側に配置された第２セラミックス層を、それより熱伝導
率の低いジルコニア等で形成してもよい。
層から形成されている場合には、リード線が形成された
第１セラミックス層を、熱伝導率の高いアルミナ，ムラ
イト，マグネシア・アルミナスピネル等から形成し、一
方、第１セラミックス層のリード線が形成されていない
側に配置された第２セラミックス層を、それより熱伝導
率の低いジルコニア等で形成してもよい。
【００１６】更に、セラミックス基板上に形成されたリ
ード線やセラミックス素子を被うように、他のセラミッ
クス層をセラミックス基板に積層してもよい。
ード線やセラミックス素子を被うように、他のセラミッ
クス層をセラミックス基板に積層してもよい。
【００１７】
【作用】本発明のサーミスタの場合には、Ｂ定数の異な
る２種以上のサーミスタ素子が並列に接続されており、
しかも、実際の使用温度範囲において、所定の温度（Ｔ
0 ）よりも低温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾
きが緩く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高温域では、温度
に対する抵抗値の変化の傾きが急になるように、折れ線
状に変化する特性を有している。このＢ定数とは、サー
ミスタ素子の特性を表すもので、下記(1)式の抵抗Ｒと
温度Ｔとの関係を示す係数であり、一般に抵抗値が低い
ものほど小さく、高いものほど大きい。
る２種以上のサーミスタ素子が並列に接続されており、
しかも、実際の使用温度範囲において、所定の温度（Ｔ
0 ）よりも低温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾
きが緩く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高温域では、温度
に対する抵抗値の変化の傾きが急になるように、折れ線
状に変化する特性を有している。このＢ定数とは、サー
ミスタ素子の特性を表すもので、下記(1)式の抵抗Ｒと
温度Ｔとの関係を示す係数であり、一般に抵抗値が低い
ものほど小さく、高いものほど大きい。
【００１８】 Ｒ＝ＲXexpＢ（１／Ｔ−１／ＴX） …（1） （Ｒ，ＲXは各々温度がＴ，ＴX［Ｋ］の時の抵抗
値）また、異なるＢ定数を有するサーミスタ素子が、或
る温度領域で、例えば異なる抵抗値Ｒa，Ｒbである場合
には、サーミスタの全抵抗Ｒは、下記(2)式で表され
る。
値）また、異なるＢ定数を有するサーミスタ素子が、或
る温度領域で、例えば異なる抵抗値Ｒa，Ｒbである場合
には、サーミスタの全抵抗Ｒは、下記(2)式で表され
る。
【００１９】 Ｒ＝（Ｒａ・Ｒｂ）／（Ｒａ＋Ｒｂ） …（２）本発明のサーミスタの場合には 、その抵抗温度特性は、
図１に例示する様に、その途中（Ｔ0）で折れ曲がった
グラフ（γ）となるので、実際に使用される広い温度範
囲にて（Ｔ1〜Ｔ2）にて望ましい抵抗値（例えば０．１
〜２００ｋΩ）が得られる。
図１に例示する様に、その途中（Ｔ0）で折れ曲がった
グラフ（γ）となるので、実際に使用される広い温度範
囲にて（Ｔ1〜Ｔ2）にて望ましい抵抗値（例えば０．１
〜２００ｋΩ）が得られる。
【００２０】つまり、低温域ではグラフの傾きが緩くな
り、高温域ではグラフの傾きが急になり、結果として、
好ましい抵抗温度特性を備えたサーミスタとなる。尚、
抵抗値が１ＭΩ以上では、絶縁抵抗との区別が難しくな
るため、上限は２００ｋΩ以下が望ましく、下限は、リ
ード線の抵抗値である１０Ω以下のレベルに対して区別
可能とするために、０.１ｋΩ以上が望ましい。
り、高温域ではグラフの傾きが急になり、結果として、
好ましい抵抗温度特性を備えたサーミスタとなる。尚、
抵抗値が１ＭΩ以上では、絶縁抵抗との区別が難しくな
るため、上限は２００ｋΩ以下が望ましく、下限は、リ
ード線の抵抗値である１０Ω以下のレベルに対して区別
可能とするために、０.１ｋΩ以上が望ましい。
【００２１】ここで、特に、セラミックス基板上にリー
ド線やセラミックス素子を形成したものは、サーミスタ
が破損しにくく、しかも各種の装置に対して取り付けや
適用が容易であるので好ましい。また、セラミックス基
板を、熱伝導率が異なるセラミックス層で形成すること
によって、熱容量や熱の伝わり方を調節できるので好適
である。
ド線やセラミックス素子を形成したものは、サーミスタ
が破損しにくく、しかも各種の装置に対して取り付けや
適用が容易であるので好ましい。また、セラミックス基
板を、熱伝導率が異なるセラミックス層で形成すること
によって、熱容量や熱の伝わり方を調節できるので好適
である。
【００２２】
【実施例】以下に本発明による実施例のサーミスタにつ
いて説明する。図２に示す様に、本発明を例示する第１
実施例のサーミスタ１は、Ｂ定数の異なる２つのサーミ
スタ素子２，３とそれらに挿入された一対のリード線
４，５とから構成されており、これらの両サーミスタ素
子２，３は並列に接続され、前記図１に例示する様に、
所定の温度（Ｔ 0 ）よりも低温域では、温度に対する抵
抗値の変化の傾きが緩く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高
温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾きが急にな
り、折れ線状に変化するという特性を有している。
いて説明する。図２に示す様に、本発明を例示する第１
実施例のサーミスタ１は、Ｂ定数の異なる２つのサーミ
スタ素子２，３とそれらに挿入された一対のリード線
４，５とから構成されており、これらの両サーミスタ素
子２，３は並列に接続され、前記図１に例示する様に、
所定の温度（Ｔ 0 ）よりも低温域では、温度に対する抵
抗値の変化の傾きが緩く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高
温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾きが急にな
り、折れ線状に変化するという特性を有している。
【００２３】これらのサーミスタ素子２，３のうち、先
端側の第１のサーミスタ素子２は、配合比（mol％）７
０：２０：１０のＭｎＯ2とＮｉＯとＣｕＯとからな
り、そのＢ定数は３７００である。一方、根本側の第２
のサーミスタ素子３は、配合比（mol％）９２：８のＺ
ｒＯ2とＹ2Ｏ3とからなり、そのＢ定数は１２０００で
ある。
端側の第１のサーミスタ素子２は、配合比（mol％）７
０：２０：１０のＭｎＯ2とＮｉＯとＣｕＯとからな
り、そのＢ定数は３７００である。一方、根本側の第２
のサーミスタ素子３は、配合比（mol％）９２：８のＺ
ｒＯ2とＹ2Ｏ3とからなり、そのＢ定数は１２０００で
ある。
【００２４】次に、本実施例のサーミスタの製造方法に
ついて説明する。 第１のサーミスタ素子２の原料として、純度９９重量
％以上の原料であるＭｎＯ2とＮｉＯとＣｕＯとを、mol
％で７０：２０：１０の配合比となる様に用い、ボール
ミルで湿式混合する。
ついて説明する。 第１のサーミスタ素子２の原料として、純度９９重量
％以上の原料であるＭｎＯ2とＮｉＯとＣｕＯとを、mol
％で７０：２０：１０の配合比となる様に用い、ボール
ミルで湿式混合する。
【００２５】この湿式混合されたスラリーを乾燥し、
その後１４００℃で仮焼成し、ポットミルにて粉砕し
て、６０メッシュ全通のスラリーとする。 この様にして得られたスラリーを乾燥し、再び１５０
μm全通に粉砕し、乾燥後成形助剤として、ＰＶＢ，Ｄ
ＢＰ，トルエン，ＭＥＫ，アセトンの混合物を１０重量
％混合する。
その後１４００℃で仮焼成し、ポットミルにて粉砕し
て、６０メッシュ全通のスラリーとする。 この様にして得られたスラリーを乾燥し、再び１５０
μm全通に粉砕し、乾燥後成形助剤として、ＰＶＢ，Ｄ
ＢＰ，トルエン，ＭＥＫ，アセトンの混合物を１０重量
％混合する。
【００２６】一方、第２のサーミスタ素子３の材料と
して、純度９９重量％以上の原料であるＺｒＯ2とＹ2Ｏ
3とを、mol％で９２：８の配合比となる様に用い、前記
〜と同様な工程にて、所定の混合物を形成する。 次に、これら２種類の混合物を、各々金型の異なる所
定位置に充填し、０.４mmφの白金線を２本挿通して、
１０００kg／cm2の圧力でプレス成形する。
して、純度９９重量％以上の原料であるＺｒＯ2とＹ2Ｏ
3とを、mol％で９２：８の配合比となる様に用い、前記
〜と同様な工程にて、所定の混合物を形成する。 次に、これら２種類の混合物を、各々金型の異なる所
定位置に充填し、０.４mmφの白金線を２本挿通して、
１０００kg／cm2の圧力でプレス成形する。
【００２７】その後、このプレスした成形品を、１４
００〜１５００℃にて焼成して、本実施例のサーミスタ
１を完成する。 この様にして製造されたサーミスタ１は、３００〜９０
０℃の範囲にて、抵抗値が２００〜０.１ｋΩの範囲で
変化する抵抗温度特性を有しており、特に、自動車の浄
化装置等の様な使用する温度範囲が広い装置に好適に適
用することができる。
００〜１５００℃にて焼成して、本実施例のサーミスタ
１を完成する。 この様にして製造されたサーミスタ１は、３００〜９０
０℃の範囲にて、抵抗値が２００〜０.１ｋΩの範囲で
変化する抵抗温度特性を有しており、特に、自動車の浄
化装置等の様な使用する温度範囲が広い装置に好適に適
用することができる。
【００２８】次に、第２実施例のサーミスタについて説
明する。図３に示す様に、本実施例のサーミスタ１１
は、アルミナ製のセラミックス基板１２上に、一対のリ
ード線１３，１４が設けられ、そのリード線１３，１４
上に、２つのサーミスタ素子１５，１６が並列に配置さ
れて接続されている。
明する。図３に示す様に、本実施例のサーミスタ１１
は、アルミナ製のセラミックス基板１２上に、一対のリ
ード線１３，１４が設けられ、そのリード線１３，１４
上に、２つのサーミスタ素子１５，１６が並列に配置さ
れて接続されている。
【００２９】このサーミスタ素子１５，１６のうち、先
端側の第１のサーミスタ素子１５は、配合比（mol％）
９０：５：５のＭｎＯ2とＮｉＯとＣｒ2Ｏ3とからな
り、そのＢ定数は４７００である。一方、根本側の第２
のサーミスタ素子１６は、配合比（mol％）９２：８の
ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3とからなり、そのＢ定数は、１２００
０である。
端側の第１のサーミスタ素子１５は、配合比（mol％）
９０：５：５のＭｎＯ2とＮｉＯとＣｒ2Ｏ3とからな
り、そのＢ定数は４７００である。一方、根本側の第２
のサーミスタ素子１６は、配合比（mol％）９２：８の
ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3とからなり、そのＢ定数は、１２００
０である。
【００３０】 尚、セラミックス基板には、リード線１
３，１４及びサーミスタ素子１５，１６を覆って、セラ
ミックス層１７が形成されている。次に、本実施例のサ
ーミスタの製造方法について説明する。まず、セラミ
ックス基板１２となるグリーンシートを製造する。この
グリーンシートは、アルミナ粉末に、ＳｉＯ2 −ＣａＯ
−ＭｇＯ系ガラスを２重量％添加し、これらを公知のＰ
ＶＢバインダで混練し、ドクターブレード法でシート化
することにより製造する。
３，１４及びサーミスタ素子１５，１６を覆って、セラ
ミックス層１７が形成されている。次に、本実施例のサ
ーミスタの製造方法について説明する。まず、セラミ
ックス基板１２となるグリーンシートを製造する。この
グリーンシートは、アルミナ粉末に、ＳｉＯ2 −ＣａＯ
−ＭｇＯ系ガラスを２重量％添加し、これらを公知のＰ
ＶＢバインダで混練し、ドクターブレード法でシート化
することにより製造する。
【００３１】次に、このグリーンシート上に白金ペー
ストを印刷することによって、リード線１３，１４を形
成する。この白金ペーストとしては、白金粉末にＺｒＯ
2−Ｙ2Ｏ3系固体電解質を１６重量％含有させ、セルロ
ース系バインダで混練することにより、ペースト化した
ものを使用する。
ストを印刷することによって、リード線１３，１４を形
成する。この白金ペーストとしては、白金粉末にＺｒＯ
2−Ｙ2Ｏ3系固体電解質を１６重量％含有させ、セルロ
ース系バインダで混練することにより、ペースト化した
ものを使用する。
【００３２】そして、印刷されたリード線１３，１４
の上に、第１のサーミスタ素子１５のペーストを印刷し
て、第１のサーミスタ素子１５を形成する。この第１の
サーミスタ素子１５の原料として、純度９９重量％以上
の原料であるＭｎＯ2とＮｉＯとＣｒ2Ｏ3とを、mol％で
９０：５：５の配合比で用い、セルロース系バインダで
ペースト化して使用する。
の上に、第１のサーミスタ素子１５のペーストを印刷し
て、第１のサーミスタ素子１５を形成する。この第１の
サーミスタ素子１５の原料として、純度９９重量％以上
の原料であるＭｎＯ2とＮｉＯとＣｒ2Ｏ3とを、mol％で
９０：５：５の配合比で用い、セルロース系バインダで
ペースト化して使用する。
【００３３】同様に、第２のサーミスタ素子１６のペ
ーストを、第１のサーミスタ素子１５と並列に印刷し
て、第２のサーミスタ素子１６を形成する。この第２の
サーミスタ素子１６の原料としては、ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3
とを、mol％で９２：８の配合比で使用する。
ーストを、第１のサーミスタ素子１５と並列に印刷し
て、第２のサーミスタ素子１６を形成する。この第２の
サーミスタ素子１６の原料としては、ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3
とを、mol％で９２：８の配合比で使用する。
【００３４】次に、上記白金のリード線１３，１４の
端部に、図示しないＰＲ線を接続し、その後、このリー
ド線１３，１４及び第１，２のサーミスタ素子１５，１
６を覆って、上記グリーンシートと同様なセラミックス
層１７となるグリーンシートを圧着する。
端部に、図示しないＰＲ線を接続し、その後、このリー
ド線１３，１４及び第１，２のサーミスタ素子１５，１
６を覆って、上記グリーンシートと同様なセラミックス
層１７となるグリーンシートを圧着する。
【００３５】その後、樹脂抜きしてから、１５２０〜
１５３０℃の雰囲気にて１時間焼成して本実施例のサー
ミスタ１１を完成する。この様にして製造されたサーミ
スタ１１は、前記第１実施例のサーミスタ１と同様に、
広い温度範囲で良好な抵抗温度特性を有しており、特
に、自動車の浄化装置等に好適に適用することができ
る。
１５３０℃の雰囲気にて１時間焼成して本実施例のサー
ミスタ１１を完成する。この様にして製造されたサーミ
スタ１１は、前記第１実施例のサーミスタ１と同様に、
広い温度範囲で良好な抵抗温度特性を有しており、特
に、自動車の浄化装置等に好適に適用することができ
る。
【００３６】更に、本実施例のサーミスタ１１では、サ
ーミスタ素子１５，１６がセラミックス基板１２とセラ
ミックス層１７とに挟まれて密閉されているので、外界
のガスや電気の影響を受け難く、精度が高くしかも耐久
性に富むという利点がある。また、取り付けが容易で破
損しにくという特長がある。
ーミスタ素子１５，１６がセラミックス基板１２とセラ
ミックス層１７とに挟まれて密閉されているので、外界
のガスや電気の影響を受け難く、精度が高くしかも耐久
性に富むという利点がある。また、取り付けが容易で破
損しにくという特長がある。
【００３７】次に、第３実施例のサーミスタについて説
明する。図４に示す様に、本実施例のサーミスタ２１
は、ほぼ前記第２実施例と同様であるが、セラミックス
基板２２の構造が異なる。即ち、セラミックス基板２２
は、リード線２３，２４やセラミックス素子２５，２６
が形成された第１セラミックス層２２ａと、その裏側に
配置された第２セラミックス層２２ｂとから構成されて
いる。この第１セラミックス層２２ａは、絶縁性に優れ
しかも熱伝導率が高いアルミナからなる層であり、一
方、第２セラミックス層２２ｂは、熱伝導率が低いジル
コニアからなる層である。
明する。図４に示す様に、本実施例のサーミスタ２１
は、ほぼ前記第２実施例と同様であるが、セラミックス
基板２２の構造が異なる。即ち、セラミックス基板２２
は、リード線２３，２４やセラミックス素子２５，２６
が形成された第１セラミックス層２２ａと、その裏側に
配置された第２セラミックス層２２ｂとから構成されて
いる。この第１セラミックス層２２ａは、絶縁性に優れ
しかも熱伝導率が高いアルミナからなる層であり、一
方、第２セラミックス層２２ｂは、熱伝導率が低いジル
コニアからなる層である。
【００３８】従って、本発明のサーミスタ２１は、上述
した第２実施例と同様な効果を奏するとともに、熱伝導
の状態を調節できるという利点がある。尚、本発明は、
上記実施例に何等限定されることなく、本実施例の容易
を逸脱しない範囲内で各種の態様で実施できることは勿
論である。
した第２実施例と同様な効果を奏するとともに、熱伝導
の状態を調節できるという利点がある。尚、本発明は、
上記実施例に何等限定されることなく、本実施例の容易
を逸脱しない範囲内で各種の態様で実施できることは勿
論である。
【００３９】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、Ｂ定数の異なるサーミスタ素子が並列に接続さ
れ、しかも、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも低温域では、温
度に対する抵抗値の変化の傾きが緩く、所定の温度（Ｔ
0 ）よりも高温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾
きが急になり、折れ線状に変化するという特性を有して
いる。そのため、サーミスタは良好な抵抗温度特性を備
えており、広い温度範囲にて好適に使用することができ
る。
れば、Ｂ定数の異なるサーミスタ素子が並列に接続さ
れ、しかも、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも低温域では、温
度に対する抵抗値の変化の傾きが緩く、所定の温度（Ｔ
0 ）よりも高温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾
きが急になり、折れ線状に変化するという特性を有して
いる。そのため、サーミスタは良好な抵抗温度特性を備
えており、広い温度範囲にて好適に使用することができ
る。
【００４０】特に、セラミックス基板上にリード線やセ
ラミックス素子を形成したものは、サーミスタが破損し
にくく、しかも各種の装置に対して取り付けや適用が容
易であるという利点がある。また、セラミックス基板
を、熱伝導率が異なるセラミックス層で形成する場合に
は、熱容量や熱の伝わり方を調節できるという効果があ
る。
ラミックス素子を形成したものは、サーミスタが破損し
にくく、しかも各種の装置に対して取り付けや適用が容
易であるという利点がある。また、セラミックス基板
を、熱伝導率が異なるセラミックス層で形成する場合に
は、熱容量や熱の伝わり方を調節できるという効果があ
る。
【図１】 本発明のサーミスタの抵抗温度特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図２】 第１実施例のサーミスタを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】 第２実施例のサーミスタを一部破断して示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】 第３実施例のサーミスタを一部破断して示す
斜視図である。
斜視図である。
【図５】 従来のサーミスタの抵抗温度特性を示すグラ
フである。
フである。
１，１１，２１…サーミスタ ２，１５…第１のサーミスタ素子 ３，１６…第２のサーミスタ素子 ４，５，１３，１４，２３，２４…リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭58−95602（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−93934（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01K 7/22
Claims (3)
- 【請求項１】 リード線に接続されたＢ定数の異なる２
種以上のサーミスタ素子が、並列に接続されたサーミス
タであり、 実際の使用温度範囲において、所定の温度（Ｔ 0 ）より
も低温域では、温度に対する抵抗値の変化の傾きが緩
く、所定の温度（Ｔ 0 ）よりも高温域では、温度に対す
る抵抗値の変化の傾きが急になるように、折れ線状に変
化する特性を有する ことを特徴とするサーミスタ。 - 【請求項２】 前記Ｂ定数の異なる２種以上のサーミス
タ素子と、該サーミスタ素子に接続されたリード線と
が、絶縁性を有するセラミックス基板上に設けられたこ
とを特徴とする請求項１記載のサーミスタ。 - 【請求項３】 前記セラミックス基板が、前記リード線
が形成された熱伝導率の高い第１セラミックス層と、該
第１セラミックス層より熱伝導率の低い第２セラミック
ス層とから形成されたことを特徴とする請求項２記載の
サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19328491A JP2971200B2 (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19328491A JP2971200B2 (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534208A JPH0534208A (ja) | 1993-02-09 |
| JP2971200B2 true JP2971200B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16305365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19328491A Expired - Fee Related JP2971200B2 (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971200B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011033343A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600296A (en) * | 1993-10-14 | 1997-02-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Thermistor having temperature detecting sections of substantially the same composition and dimensions for detecting subtantially identical temperature ranges |
| JPH08292108A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-11-05 | Nippondenso Co Ltd | サーミスタ式温度センサ |
| US6365880B1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-04-02 | Delphi Technologies, Inc. | Heater patterns for planar gas sensors |
| JP5267860B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-08-21 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| JP5595466B2 (ja) | 2012-11-08 | 2014-09-24 | 本田技研工業株式会社 | 温度検出回路 |
| JP5657628B2 (ja) | 2012-11-12 | 2015-01-21 | 本田技研工業株式会社 | 温度検出回路 |
| KR101580013B1 (ko) * | 2013-07-18 | 2015-12-24 | 연세대학교 산학협력단 | 건설재료 열물리량 측정장치를 구성하는 접촉식 측온 센서 및 이를 구비한 열물리량 측정장치 |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP19328491A patent/JP2971200B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011033343A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534208A (ja) | 1993-02-09 |
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