JPH0555006A - サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
サーミスタ及びその製造方法Info
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- JPH0555006A JPH0555006A JP3218893A JP21889391A JPH0555006A JP H0555006 A JPH0555006 A JP H0555006A JP 3218893 A JP3218893 A JP 3218893A JP 21889391 A JP21889391 A JP 21889391A JP H0555006 A JPH0555006 A JP H0555006A
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- Japan
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- thermistor
- thermistor element
- resistance value
- lead wires
- resistance
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値の調節が容易で、しかも広い温度範囲
で好適な抵抗温度特性が得られ、使用温度範囲の広いサ
ーミスタ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 サーミスタ１は、アルミナ製のセラミックス
基板２上に、一対の白金からなるリード線３，４が形成
され、このリード線２，３に、Ｂ定数の異なる第１のサ
ーミスタ素子５と第２のサーミスタ素子６とが並列とな
る様に接続されている。更に、上記リード線３，４及び
第１，２のサーミスタ素子５，６を覆って、セラミック
ス層７が形成されおり、このセラミックス層７には、第
２のサーミスタ素子６に対応する位置にトリミング用窓
８があけられている。そして、このトリミング用窓８を
介してレーザが照射され、第２のサーミスタ素子６の一
部が削除されることによって、抵抗調節用の切欠９が形
成されている。
で好適な抵抗温度特性が得られ、使用温度範囲の広いサ
ーミスタ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 サーミスタ１は、アルミナ製のセラミックス
基板２上に、一対の白金からなるリード線３，４が形成
され、このリード線２，３に、Ｂ定数の異なる第１のサ
ーミスタ素子５と第２のサーミスタ素子６とが並列とな
る様に接続されている。更に、上記リード線３，４及び
第１，２のサーミスタ素子５，６を覆って、セラミック
ス層７が形成されおり、このセラミックス層７には、第
２のサーミスタ素子６に対応する位置にトリミング用窓
８があけられている。そして、このトリミング用窓８を
介してレーザが照射され、第２のサーミスタ素子６の一
部が削除されることによって、抵抗調節用の切欠９が形
成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のサーミスタ素子
を用い、低い温度から高い温度までの広い温度範囲で使
用できるサーミスタ及びその製造方法に関する。
を用い、低い温度から高い温度までの広い温度範囲で使
用できるサーミスタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、サーミスタは、温度計や温度
補償回路等の温度検出素子として広く使用されており、
特に近年では、自動車の排ガス浄化用のアフターバー
ナ，触媒コンバータ，サーマルリアクタ等に用いられて
いる。
補償回路等の温度検出素子として広く使用されており、
特に近年では、自動車の排ガス浄化用のアフターバー
ナ，触媒コンバータ，サーマルリアクタ等に用いられて
いる。
【０００３】この種のサーミスタに使用されるサーミス
タ素子の材料としては、例えば酸素イオン伝導体である
安定化ジルコニアや、電子伝導体であるスピネル型化合
物，ペロブスカイト型化合物が知られており、更にこれ
らの材料に種々の物質を加えることによってサーミスタ
の特性の改善が図られている。
タ素子の材料としては、例えば酸素イオン伝導体である
安定化ジルコニアや、電子伝導体であるスピネル型化合
物，ペロブスカイト型化合物が知られており、更にこれ
らの材料に種々の物質を加えることによってサーミスタ
の特性の改善が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の酸素
イオン伝導体或は電子伝導体を用いたサーミスタでは、
材料の組成等によって、それぞれＢ定数（サーミスタ定
数）が異なるので、使用できる温度範囲に限定があると
いう問題があった。
イオン伝導体或は電子伝導体を用いたサーミスタでは、
材料の組成等によって、それぞれＢ定数（サーミスタ定
数）が異なるので、使用できる温度範囲に限定があると
いう問題があった。
【０００５】例えば、自動車の排ガスの浄化装置におい
ては、負の温度係数を有するサーミスタ（ＮＴＣサーミ
スタ）が用いられるが、通常この種の浄化装置の使用温
度範囲は、低温から高温に及ぶ非常に広い範囲（例えば
３００〜９００℃程度）であるので、この様な広い温度
領域では、サーミスタの抵抗値を望ましい値の範囲（例
えば２００〜０．１ｋΩ）で変化させることができなか
った。そのため、好適な抵抗温度特性が得られないので
正確な温度測定できないという問題があった。
ては、負の温度係数を有するサーミスタ（ＮＴＣサーミ
スタ）が用いられるが、通常この種の浄化装置の使用温
度範囲は、低温から高温に及ぶ非常に広い範囲（例えば
３００〜９００℃程度）であるので、この様な広い温度
領域では、サーミスタの抵抗値を望ましい値の範囲（例
えば２００〜０．１ｋΩ）で変化させることができなか
った。そのため、好適な抵抗温度特性が得られないので
正確な温度測定できないという問題があった。
【０００６】つまり、例えば酸素イオン伝導体の場合に
は、Ｂ定数は低温域では小さく高温域では大きいので、
図６に示す様に、その抵抗温度特性を示すグラフ（α）
は急峻な傾きとなり、その結果、Ｔ＞Ｔ0の高温域では
良好な抵抗値が得られるが、Ｔ＜Ｔ0の低温域で１ＭΩ
に到る様な高過ぎる抵抗値となってしまうという問題が
あった。
は、Ｂ定数は低温域では小さく高温域では大きいので、
図６に示す様に、その抵抗温度特性を示すグラフ（α）
は急峻な傾きとなり、その結果、Ｔ＞Ｔ0の高温域では
良好な抵抗値が得られるが、Ｔ＜Ｔ0の低温域で１ＭΩ
に到る様な高過ぎる抵抗値となってしまうという問題が
あった。
【０００７】一方、電子伝導体の場合には、Ｂ定数は全
域でそれほど変化しないので、同図に示す様に、その抵
抗温度特性を示すグラフ（β）は緩やかな傾きとなり、
その結果、低温域では良好な抵抗値が得られるが、高温
域では抵抗値が高過ぎるという問題があった。
域でそれほど変化しないので、同図に示す様に、その抵
抗温度特性を示すグラフ（β）は緩やかな傾きとなり、
その結果、低温域では良好な抵抗値が得られるが、高温
域では抵抗値が高過ぎるという問題があった。
【０００８】更に、サーミスタ素子を、例えばセラミッ
クス基板上に一旦形成すると、その抵抗温度特性はその
まま決定してしまうので、後からサーミスタ素子の抵抗
値を調整することが容易ではないという問題があった。
尚、この抵抗値の調節のために、サーミスタ素子と並列
に固定抵抗を配置する方法が考えられるが、この方法で
はＢ定数が変化してしまい、必ずしも好適ではない。
クス基板上に一旦形成すると、その抵抗温度特性はその
まま決定してしまうので、後からサーミスタ素子の抵抗
値を調整することが容易ではないという問題があった。
尚、この抵抗値の調節のために、サーミスタ素子と並列
に固定抵抗を配置する方法が考えられるが、この方法で
はＢ定数が変化してしまい、必ずしも好適ではない。
【０００９】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れ、サーミスタ素子の抵抗値の調節が容易で、しかも広
い温度範囲で好適な抵抗温度特性が得られ、使用温度範
囲の広いサーミスタ及びその製造方法を提供することを
目的とする。
れ、サーミスタ素子の抵抗値の調節が容易で、しかも広
い温度範囲で好適な抵抗温度特性が得られ、使用温度範
囲の広いサーミスタ及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、請求項１の発明は、一対のリード線と、該リード
線に並列に接続されたＢ定数の異なる２種以上のサーミ
スタ素子と、該サーミスタ素子を覆う絶縁層と、を備え
るとともに、該絶縁層にサーミスタ素子の一部を削除可
能なトリミング用窓を設けたことを特徴とするサーミス
タを要旨とする。
めに、請求項１の発明は、一対のリード線と、該リード
線に並列に接続されたＢ定数の異なる２種以上のサーミ
スタ素子と、該サーミスタ素子を覆う絶縁層と、を備え
るとともに、該絶縁層にサーミスタ素子の一部を削除可
能なトリミング用窓を設けたことを特徴とするサーミス
タを要旨とする。
【００１１】請求項２の発明は、前記リード線及びサー
ミスタ素子が、絶縁性を有するセラミックス基板上に設
けられたことを特徴とする請求項１記載のサーミスタを
要旨とする。請求項３の発明は、一対のリード線に、Ｂ
定数の異なる２種以上のサーミスタ素子を並列に接続
し、その後該サーミスタ素子の一部を削除してサーミス
タ素子の抵抗値を調節することを特徴とするサーミスタ
の製造方法を要旨とする。
ミスタ素子が、絶縁性を有するセラミックス基板上に設
けられたことを特徴とする請求項１記載のサーミスタを
要旨とする。請求項３の発明は、一対のリード線に、Ｂ
定数の異なる２種以上のサーミスタ素子を並列に接続
し、その後該サーミスタ素子の一部を削除してサーミス
タ素子の抵抗値を調節することを特徴とするサーミスタ
の製造方法を要旨とする。
【００１２】請求項４の発明は、前記サーミスタ素子の
削除を、サーミスタ素子を覆う絶縁層に設けられたトリ
ミング用窓を介して行なうことを特徴とする前記請求項
３記載のサーミスタの製造方法を要旨とする。
削除を、サーミスタ素子を覆う絶縁層に設けられたトリ
ミング用窓を介して行なうことを特徴とする前記請求項
３記載のサーミスタの製造方法を要旨とする。
【００１３】ここで、前記Ｂ定数の異なるサーミスタ素
子の材料としては、下記表１に記載した〜の成分系
からなるサーミスタ素子を組み合わせて使用することが
できる。
子の材料としては、下記表１に記載した〜の成分系
からなるサーミスタ素子を組み合わせて使用することが
できる。
【００１４】
【表１】
【００１５】また、前記リード線としては、白金等の貴
金属線又はその合金線，耐熱金属線，クラッド線等を使
用できる。前記セラミックス基板の材料としては、電気
絶縁性に優れたアルミナ，ムライト，マグネシア・アル
ミナスピネル等を採用できる。
金属線又はその合金線，耐熱金属線，クラッド線等を使
用できる。前記セラミックス基板の材料としては、電気
絶縁性に優れたアルミナ，ムライト，マグネシア・アル
ミナスピネル等を採用できる。
【００１６】また、セラミックス基板が、異なる種類の
第１及び第２セラミックス層から形成されている場合に
は、リード線が形成された第１セラミックス層を、アル
ミナ，ムライト，マグネシア・アルミナスピネル等から
形成し、一方、第１セラミックス層のリード線が形成さ
れていない側に配置された第２セラミックス層を、それ
より熱伝導率の低いジルコニア等で形成してもよい。
第１及び第２セラミックス層から形成されている場合に
は、リード線が形成された第１セラミックス層を、アル
ミナ，ムライト，マグネシア・アルミナスピネル等から
形成し、一方、第１セラミックス層のリード線が形成さ
れていない側に配置された第２セラミックス層を、それ
より熱伝導率の低いジルコニア等で形成してもよい。
【００１７】前記絶縁層の材料としては、電気絶縁性に
優れたアルミナ，ムライト，マグネシア・アルミナスピ
ネル等を採用できる。前記絶縁層に形成したトリミング
用窓は、サーミスタ素子に対応する位置、即ちサーミス
タ素子の上に設けられるものであり、このトリミング用
窓を通して露出したサーミスタ素子に、切欠が形成され
る。
優れたアルミナ，ムライト，マグネシア・アルミナスピ
ネル等を採用できる。前記絶縁層に形成したトリミング
用窓は、サーミスタ素子に対応する位置、即ちサーミス
タ素子の上に設けられるものであり、このトリミング用
窓を通して露出したサーミスタ素子に、切欠が形成され
る。
【００１８】そして、サーミスタ素子を削除する作業で
あるトリミングを行なう場合には、、レーザを用いると
その作業が容易でしかも正確であるので好適である。
あるトリミングを行なう場合には、、レーザを用いると
その作業が容易でしかも正確であるので好適である。
【００１９】
【作用】 本発明のサーミスタの場合には、一対のリード線に、
Ｂ定数の異なる２種以上のサーミスタ素子を並列に接続
している。このＢ定数とは、サーミスタ素子の特性を表
すもので、下記(1)式の抵抗Ｒと温度Ｔとの関係を示す
係数であり、一般に抵抗値が低いものほど小さく、高い
ものほど大きい。
Ｂ定数の異なる２種以上のサーミスタ素子を並列に接続
している。このＢ定数とは、サーミスタ素子の特性を表
すもので、下記(1)式の抵抗Ｒと温度Ｔとの関係を示す
係数であり、一般に抵抗値が低いものほど小さく、高い
ものほど大きい。
【００２０】 Ｒ＝ＲXexpＢ（１／Ｔ−１／ＴX） …（1） （Ｒ，ＲXは各々温度がＴ，ＴX［Ｋ］の時の抵抗値） また、異なるＢ定数を有するサーミスタ素子が、或る温
度領域で、例えば異なる抵抗値Ｒa，Ｒbである場合に
は、サーミスタの全抵抗Ｒは、下記(2)式で表される。
度領域で、例えば異なる抵抗値Ｒa，Ｒbである場合に
は、サーミスタの全抵抗Ｒは、下記(2)式で表される。
【００２１】 Ｒ＝（Ｒa・Ｒb）／（Ｒa＋Ｒb） …（2） 従って、本発明の請求項１のサーミスタにおいては、そ
の抵抗温度特性は、図１に示す様に途中（Ｔ0）で折れ
曲がったグラフ（γ）となり、広い温度範囲（Ｔ1〜
Ｔ2）にて望ましい抵抗値（例えば０．１〜２００ｋ
Ω）が得られる。
の抵抗温度特性は、図１に示す様に途中（Ｔ0）で折れ
曲がったグラフ（γ）となり、広い温度範囲（Ｔ1〜
Ｔ2）にて望ましい抵抗値（例えば０．１〜２００ｋ
Ω）が得られる。
【００２２】つまり、低温域ではグラフの傾きが緩くな
り、高温域ではグラフの傾きが急になり、結果として、
好ましい抵抗温度特性を備えたサーミスタとなる。尚、
抵抗値が１ＭΩ以上では、絶縁抵抗との区別が難しくな
るため、上限は２００ｋΩ以下が望ましく、下限はリー
ド線の抵抗値である１０Ω以下のレベルに対して区別可
能とするために、０．１ｋΩ以上が望ましい。
り、高温域ではグラフの傾きが急になり、結果として、
好ましい抵抗温度特性を備えたサーミスタとなる。尚、
抵抗値が１ＭΩ以上では、絶縁抵抗との区別が難しくな
るため、上限は２００ｋΩ以下が望ましく、下限はリー
ド線の抵抗値である１０Ω以下のレベルに対して区別可
能とするために、０．１ｋΩ以上が望ましい。
【００２３】また、請求項３の発明にて抵抗値を調節
する場合には、例えばレーザを用いてサーミスタ素子の
一部を削除する。それによって、図２に示す様に、Ｂ定
数を変化させることなくサーミスタ素子の抵抗値を増大
することができるので、図３の実線で示すサーミスタ全
体の抵抗温度特性を、例えば点線で示す様な抵抗温度特
性に変更することができる。
する場合には、例えばレーザを用いてサーミスタ素子の
一部を削除する。それによって、図２に示す様に、Ｂ定
数を変化させることなくサーミスタ素子の抵抗値を増大
することができるので、図３の実線で示すサーミスタ全
体の抵抗温度特性を、例えば点線で示す様な抵抗温度特
性に変更することができる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明による実施例のサーミスタにつ
いて説明する。図４に示す様に、第１実施例のサーミス
タ１は、アルミナ製のセラミックス基板２上に、一対の
リード線３，４が設けられ、そのリード線３，４に、２
つのサーミスタ素子５，６が並列に接続されている。
いて説明する。図４に示す様に、第１実施例のサーミス
タ１は、アルミナ製のセラミックス基板２上に、一対の
リード線３，４が設けられ、そのリード線３，４に、２
つのサーミスタ素子５，６が並列に接続されている。
【００２５】このサーミスタ素子５，６のうち、先端側
の第１のサーミスタ素子５は、モル比で９２：８のＺｒ
Ｏ2とＹ2Ｏ3とからなり、そのＢ定数は１２０００であ
る。一方、根本側の第２のサーミスタ素子６は、モル比
で７０：２０：１０のＭｎＯ 2とＮｉＯとＣｕＯとから
なり、そのＢ定数は３７００である。
の第１のサーミスタ素子５は、モル比で９２：８のＺｒ
Ｏ2とＹ2Ｏ3とからなり、そのＢ定数は１２０００であ
る。一方、根本側の第２のサーミスタ素子６は、モル比
で７０：２０：１０のＭｎＯ 2とＮｉＯとＣｕＯとから
なり、そのＢ定数は３７００である。
【００２６】また、前記セラミックス基板２には、リー
ド線３，４及びサーミスタ素子５，６を覆って、セラミ
ックスからなる絶縁層７が形成されており、この絶縁層
７には、前記第２サーミスタ素子６と対応した位置にト
リミング用窓８が形成されている。
ド線３，４及びサーミスタ素子５，６を覆って、セラミ
ックスからなる絶縁層７が形成されており、この絶縁層
７には、前記第２サーミスタ素子６と対応した位置にト
リミング用窓８が形成されている。
【００２７】更に、トリミング用窓８の中の第２のサー
ミスタ素子６の一部には、レーザによって削除された切
欠９が形成されている。この切欠９は、サーミスタ素子
６、ひいてはサーミスタ１全体の抵抗値の調節を行なう
ためのものであり、切り欠くことによって、第１のサー
ミスタ素子６のＢ定数は変化することなく、抵抗値のみ
が増大する。
ミスタ素子６の一部には、レーザによって削除された切
欠９が形成されている。この切欠９は、サーミスタ素子
６、ひいてはサーミスタ１全体の抵抗値の調節を行なう
ためのものであり、切り欠くことによって、第１のサー
ミスタ素子６のＢ定数は変化することなく、抵抗値のみ
が増大する。
【００２８】次に、本実施例のサーミスタの製造方法に
ついて説明する。 まず、セラミックス基板２となるグリーンシートを製
造する。このグリーンシートは、アルミナ粉末に、Ｓｉ
Ｏ2−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラスを２重量％添加し、これ
らを公知のＰＶＢバインダで混練し、ドクターブレード
法でシート化することにより製造する。
ついて説明する。 まず、セラミックス基板２となるグリーンシートを製
造する。このグリーンシートは、アルミナ粉末に、Ｓｉ
Ｏ2−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラスを２重量％添加し、これ
らを公知のＰＶＢバインダで混練し、ドクターブレード
法でシート化することにより製造する。
【００２９】次に、このグリーンシート上に白金ペー
ストを印刷することによって、リード線３，４を形成す
る。この白金ペーストとしては、白金粉末にＺｒＯ2−
Ｙ2Ｏ 3系固体電解質を１６重量％含有させ、セルロース
系バインダで混練することにより、ペースト化したもの
を使用する。
ストを印刷することによって、リード線３，４を形成す
る。この白金ペーストとしては、白金粉末にＺｒＯ2−
Ｙ2Ｏ 3系固体電解質を１６重量％含有させ、セルロース
系バインダで混練することにより、ペースト化したもの
を使用する。
【００３０】そして、印刷されたリード線３，４の上
に、第１のサーミスタ素子５のペーストを印刷して、第
１のサーミスタ素子５を形成する。この第１のサーミス
タ素子５の原料としては、純度９９重量％以上の原料の
ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3とをモル比で９２：８の割合で用い、
セルロース系バインダでペースト化して使用する。
に、第１のサーミスタ素子５のペーストを印刷して、第
１のサーミスタ素子５を形成する。この第１のサーミス
タ素子５の原料としては、純度９９重量％以上の原料の
ＺｒＯ2とＹ2Ｏ3とをモル比で９２：８の割合で用い、
セルロース系バインダでペースト化して使用する。
【００３１】同様に、第２のサーミスタ素子６のペー
ストを、第１のサーミスタ素子５と並列に印刷して、第
２のサーミスタ素子６を形成する。この第２のサーミス
タ素子６の原料としては、ＭｎＯ2とＮｉＯとＣｕＯと
をモル比で７０：２０：１０の割合で使用する。
ストを、第１のサーミスタ素子５と並列に印刷して、第
２のサーミスタ素子６を形成する。この第２のサーミス
タ素子６の原料としては、ＭｎＯ2とＮｉＯとＣｕＯと
をモル比で７０：２０：１０の割合で使用する。
【００３２】次に、上記白金のリード線３，４の端部
に、図示しないＰＲ線を接続し、その後、このリード線
３，４及び第１，２のサーミスタ素子５，６を覆って、
上記グリーンシートと同様な絶縁層７となるグリーンシ
ートを圧着する。尚、このグリーンシートには、上記ト
リミング用窓８となる穴があけてある。
に、図示しないＰＲ線を接続し、その後、このリード線
３，４及び第１，２のサーミスタ素子５，６を覆って、
上記グリーンシートと同様な絶縁層７となるグリーンシ
ートを圧着する。尚、このグリーンシートには、上記ト
リミング用窓８となる穴があけてある。
【００３３】その後、樹脂抜きしてから、１５２０〜
１５３０℃の雰囲気にて１時間焼成する。 次に、この焼成したサーミスタ１の抵抗値を、リード
線３，４に通電して測定し、目標の抵抗値であるか否か
を判定する。
１５３０℃の雰囲気にて１時間焼成する。 次に、この焼成したサーミスタ１の抵抗値を、リード
線３，４に通電して測定し、目標の抵抗値であるか否か
を判定する。
【００３４】そして、サーミスタ１の抵抗値が、目標
の抵抗値より小さい場合（予め抵抗値が小さ目になるよ
うに設定してある）には、トリミング用窓８を通してレ
ーザを第２のサーミスタ素子６に照射して切欠９を形成
する。それによって、第２のサーミスタ素子６の抵抗値
を増大させることにより、抵抗値の微調整を行なって、
サーミスタ１を完成する。
の抵抗値より小さい場合（予め抵抗値が小さ目になるよ
うに設定してある）には、トリミング用窓８を通してレ
ーザを第２のサーミスタ素子６に照射して切欠９を形成
する。それによって、第２のサーミスタ素子６の抵抗値
を増大させることにより、抵抗値の微調整を行なって、
サーミスタ１を完成する。
【００３５】この様にして製造されたサーミスタ１は、
３００〜９００℃の温度範囲にて、抵抗値が２００〜
０.１ｋΩの範囲で変化する抵抗温度特性を有してお
り、特に、自動車の浄化装置等の使用する温度範囲が広
い装置に好適に適用することができる。
３００〜９００℃の温度範囲にて、抵抗値が２００〜
０.１ｋΩの範囲で変化する抵抗温度特性を有してお
り、特に、自動車の浄化装置等の使用する温度範囲が広
い装置に好適に適用することができる。
【００３６】また、サーミスタ１の抵抗値の調整は、単
にレーザを照射してトリミングを行なうだけであるの
で、極めて容易でありしかも微調整が可能であるという
利点がある。更に、本実施例のサーミスタ１では、リー
ド線３，４及びサーミスタ素子５，６がセラミックス基
板２及び絶縁層７に挟まれて、大部分が密閉されている
ので、外界のガスや電気の影響を受け難く、精度が高く
しかも耐久性に富むという利点がある。また、取り付け
が容易で破損しにくいという特長がある。
にレーザを照射してトリミングを行なうだけであるの
で、極めて容易でありしかも微調整が可能であるという
利点がある。更に、本実施例のサーミスタ１では、リー
ド線３，４及びサーミスタ素子５，６がセラミックス基
板２及び絶縁層７に挟まれて、大部分が密閉されている
ので、外界のガスや電気の影響を受け難く、精度が高く
しかも耐久性に富むという利点がある。また、取り付け
が容易で破損しにくいという特長がある。
【００３７】次に、第２実施例のサーミスタについて説
明する。図５に示す様に、本実施例のサーミスタ１１
は、ほぼ前記第１実施例と同様であるが、セラミックス
基板１２の構造が異なる。即ち、セラミックス基板１２
は、リード線１３，１４やサーミスタ素子１５，１６が
形成された第１セラミックス層１２ａと、その裏側に配
置された第２セラミックス層１２ｂとから構成されてい
る。この第１セラミックス層１２ａは、絶縁性に優れし
かも熱伝導率が高いアルミナからなる層であり、一方、
第２セラミックス層１２ｂは、熱伝導率が低いジルコニ
アからなる層である。
明する。図５に示す様に、本実施例のサーミスタ１１
は、ほぼ前記第１実施例と同様であるが、セラミックス
基板１２の構造が異なる。即ち、セラミックス基板１２
は、リード線１３，１４やサーミスタ素子１５，１６が
形成された第１セラミックス層１２ａと、その裏側に配
置された第２セラミックス層１２ｂとから構成されてい
る。この第１セラミックス層１２ａは、絶縁性に優れし
かも熱伝導率が高いアルミナからなる層であり、一方、
第２セラミックス層１２ｂは、熱伝導率が低いジルコニ
アからなる層である。
【００３８】更に、前記リード線１３，１４とサーミス
タ素子１５，１６を覆う様に、第１セラミックス層１２
ｂの表面に、セラミックスからなる絶縁層１７が形成さ
れ、この絶縁層１７にトリミング用窓１８があけられて
いる。そして、このトリミング用窓１８の中に位置する
サーミスタ素子１６の一部に、抵抗値を調節するための
切欠１９が形成されている。
タ素子１５，１６を覆う様に、第１セラミックス層１２
ｂの表面に、セラミックスからなる絶縁層１７が形成さ
れ、この絶縁層１７にトリミング用窓１８があけられて
いる。そして、このトリミング用窓１８の中に位置する
サーミスタ素子１６の一部に、抵抗値を調節するための
切欠１９が形成されている。
【００３９】従って、本実施例のサーミスタ１１は、上
述した第１実施例と同様な効果を奏するとともに、熱伝
導の状態を調節できるという利点がある。尚、本発明
は、上記実施例に何等限定されることなく、本実施例の
容易を逸脱しない範囲内で各種の態様で実施できること
は勿論である。
述した第１実施例と同様な効果を奏するとともに、熱伝
導の状態を調節できるという利点がある。尚、本発明
は、上記実施例に何等限定されることなく、本実施例の
容易を逸脱しない範囲内で各種の態様で実施できること
は勿論である。
【００４０】例えば、サーミスタの形状は、サーミスタ
素子が基板上に形成されたものに限らず、ペレット状の
２種以上のサーミスタ素子をリード線が貫いているもの
でもよい。また、切欠は、根本側のサーミスタ素子に限
らず、先端側のサーミスタ素子或は両方のサーミスタ素
子に設けられていてもよい。
素子が基板上に形成されたものに限らず、ペレット状の
２種以上のサーミスタ素子をリード線が貫いているもの
でもよい。また、切欠は、根本側のサーミスタ素子に限
らず、先端側のサーミスタ素子或は両方のサーミスタ素
子に設けられていてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、サーミスタ素子を覆う絶縁層にトリミング用窓を
設けたので、サーミスタ素子の抵抗値の調節が容易であ
る。特に、リード線及びサーミスタ素子がセラミックス
基板上に設けられたものでは、製造が容易でしかも精密
なトリミングが可能であるので好適である。
れば、サーミスタ素子を覆う絶縁層にトリミング用窓を
設けたので、サーミスタ素子の抵抗値の調節が容易であ
る。特に、リード線及びサーミスタ素子がセラミックス
基板上に設けられたものでは、製造が容易でしかも精密
なトリミングが可能であるので好適である。
【００４２】また、請求項３の発明では、Ｂ定数の異な
る２種以上のサーミスタ素子を並列に接続し、その後サ
ーミスタ素子の一部を削除するので、サーミスタ素子の
抵抗値の調節が容易である。特に、サーミスタ素子の削
除を、サーミスタ素子を覆う絶縁層に設けられたトリミ
ング用窓を介して行なう場合には、サーミスタの製造が
ほぼ完了した後に、抵抗値の調節が可能であるので好適
である。
る２種以上のサーミスタ素子を並列に接続し、その後サ
ーミスタ素子の一部を削除するので、サーミスタ素子の
抵抗値の調節が容易である。特に、サーミスタ素子の削
除を、サーミスタ素子を覆う絶縁層に設けられたトリミ
ング用窓を介して行なう場合には、サーミスタの製造が
ほぼ完了した後に、抵抗値の調節が可能であるので好適
である。
【図１】 本発明のサーミスタの抵抗温度特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図２】 サーミスタ素子の抵抗温度特性の変化を示す
グラフある。
グラフある。
【図３】 サーミスタの抵抗温度特性の変化を示すグラ
フである。
フである。
【図４】 第１実施例のサーミスタを示す斜視図であ
る。
る。
【図５】 第２実施例のサーミスタを一部破断して示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】 従来のサーミスタの抵抗温度特性を示すグラ
フである。
フである。
１，１１…サーミスタ ２，１２…セラミ
ックス基板 ３，４，１３，１４…リード線 ５，１５…第１の
サーミスタ素子 ６，１６…第２のサーミスタ素子 ７，１７…絶縁層 ８，１８…トリミング用窓 ９，１９…切欠
ックス基板 ３，４，１３，１４…リード線 ５，１５…第１の
サーミスタ素子 ６，１６…第２のサーミスタ素子 ７，１７…絶縁層 ８，１８…トリミング用窓 ９，１９…切欠
Claims (4)
- 【請求項１】 一対のリード線と、該リード線に並列に
接続されたＢ定数の異なる２種以上のサーミスタ素子
と、該サーミスタ素子を覆う絶縁層と、を備えるととも
に、該絶縁層にサーミスタ素子の一部を削除可能なトリ
ミング用窓を設けたことを特徴とするサーミスタ。 - 【請求項２】 前記リード線及びサーミスタ素子が、絶
縁性を有するセラミックス基板上に設けられたことを特
徴とする請求項１記載のサーミスタ。 - 【請求項３】 一対のリード線に、Ｂ定数の異なる２種
以上のサーミスタ素子を並列に接続し、その後該サーミ
スタ素子の一部を削除してサーミスタ素子の抵抗値を調
節することを特徴とするサーミスタの製造方法。 - 【請求項４】 前記サーミスタ素子の削除を、サーミス
タ素子を覆う絶縁層に設けられたトリミング用窓を介し
て行なうことを特徴とする前記請求項３記載のサーミス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218893A JPH0555006A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | サーミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218893A JPH0555006A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | サーミスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555006A true JPH0555006A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16726960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218893A Pending JPH0555006A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | サーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730283A2 (en) * | 1995-03-03 | 1996-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
| CN116137196A (zh) * | 2023-04-04 | 2023-05-19 | 广东森塬科技实业有限公司 | 一种塑封式热敏电阻及其制作方法 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3218893A patent/JPH0555006A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730283A2 (en) * | 1995-03-03 | 1996-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
| EP0730283A3 (en) * | 1995-03-03 | 1997-06-18 | Murata Manufacturing Co | Thermistor device and manufacturing method |
| US5798685A (en) * | 1995-03-03 | 1998-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
| US6188307B1 (en) | 1995-03-03 | 2001-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
| CN116137196A (zh) * | 2023-04-04 | 2023-05-19 | 广东森塬科技实业有限公司 | 一种塑封式热敏电阻及其制作方法 |
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