JPH0432289A - フレキシブルプリント回路用基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、２種類の特定なポリアミック酸混合溶液を特
定の条件で金属箔上に直接流延塗布し、加熱イミド化す
ることにより、耐熱性、耐寒性、電気特性、機械特性、
耐薬品性に優れたカールのないフレキシブルプリント回
路用基板の製造方法に係るものである。

本発明で得られたフレキシブルプリント回路用基板は各
種の電気、電子機器用配線基板のみならずフラットモー
タ、テープキャリヤー、フロッピーディスクヘッド、高
周波アンチ九　電磁シールド板などにも利用される。

（従来技術） 従来、フレキシブルプリント回路用基板はポリイミドフ
ィルムと金属箔とを、低温硬化可能な接着剤で貼合わせ
て製゛造したものを回路加工していた。高温硬化の接着
剤であると、熱圧着時の熱履歴により、常温に戻したと
きに、基板のカール、ネジレ、反りなどが発生し、その
後のバターニング等の作業が不可能な為である。

ところが低温硬化の接着剤を使用しても、接着剤はもと
もと耐熱性に劣るため、回路加工した回路板として耐熱
性の良いポリイミドフィルム本来の耐熱性を発揮させる
ことが出来なかった。

そこで接着剤を使用しないでフレキシブルプリント回路
用基板を製造し１回路加工する方法が検討された０例え
ば米国特許３．１７９．６３４号に示されている様なピ
ロメリット酸等のテトラカルボン酸と　４．４°−ジア
ミノジフェニルエーテル等の芳香族第一級アミンとの重
合により得られたポリアミック酸溶液を銅箔に直接塗布
し、次いで加熱する事により溶媒の除去及びポリアミッ
ク酸を閉環させて、ポリイミド銅張板を製造する方法で
ある。

ところがこの方法では、上記反応が脱水縮合反応である
為に体積収縮が発生するが、そのため得られた回路基板
は、カールや、　シワ、チヂレ等が発生し、場合によっ
ては金属箔と樹脂との間に剥離が生じてしまうといった
問題や、金属箔エツチング後のフィルムが大きくカール
してしまうといった欠点があり、この方法でフレキシブ
ルプリント回路用基板を製造する上で大きな問題となっ
ていた。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、これまでにかかる欠点を克服すべく鋭意検討
した結果、　２種類の特定なポリアミック酸混合溶液を
特定の条件で金属箔上に塗布し、硬化させる方法で製造
したフレキシブルプリント回路用基板が、カールやシワ
がなく、接着性および強度が優れ、しかも耐熱性が非常
に良好であるとの知見を得、本発明を完成するに至った
ものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は金属箔層（Ｌ）、３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミ
ンとを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ａ）、
　ビロメリ、ット酸二無水物と４．４°−ジアミノジフ
ェニルエーテルを反応させて得られたポリアミック酸溶
液（Ｂ）とが、Ａ／Ｂ　＝　１００１０〜７５／２５の
割合の組成物を硬化させた第一のポリイミド層（Ｍ）、
Ａ／Ｂ　＝　７５／２５〜Ｏ／１００の割合の組成物を
硬化させた第二のポリイミド層（Ｎ）がり、　　Ｍ、　
　Ｎの順に構成されたフレキシブルプリント回路用基板
であり、金属箔上に３．３’，４，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを
反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ａ）と、　ピ
ロメリット酸二無水物と４．４°−ジアミノジフェニル
エーテルヲ反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ｂ
）とを、Ａ／Ｂ＝１００１０〜７５／２５の割合で混合
して得られたポリアミック酸混合物のワニス（Ｃ）を流
延塗布し、この（Ｃ）層の上にＡ／Ｂ＝７５／２５〜Ｏ
／１００の割合で混合して得られたポリアミック酸混合
物のワニス（Ｄ）を直接あるいは加熱乾燥後に流延塗布
し、加熱硬化させフレキシブルプリント回路用基板を得
るものである。また、Ｍ層とＮ層との厚みの比Ｍ／Ｎが
１〜ｌＯであり、樹脂層全体の組成がＡ／Ｂ＝９０／１
０〜６０／４０を充し、金属箔エツチング除去後の樹脂
層の線膨張係数が金属箔の線膨張係数±２０％以内であ
るフレキシブルプリント回路用基板に係るものである。

（作用） 本発明は２種類のポリアミック酸溶液を連続的に、ある
いは１層目を塗布し１２０℃以下で乾燥させた後に２層
目を流延塗布し、８０℃〜３５０℃まで連続的に、また
は段階的に０．５時間以上かけて昇温または保持加熱を
行い、加熱イミド化することにより、フレキシブルプリ
ント回路用基板を得るが、ポリアミック酸溶液を金属箔
に流延塗布してフレキシブルプリント回路用基板を得る
方法は、ロータリーコーター、ナイフコータードクター
ブレード、フローコーター等の公知の塗布手段で５０〜
１０００μの均一な厚さに流延塗布する方法がとられる
。

また１層目を塗布後乾燥をする場合、　１２０℃以下で
乾燥を行うが：　１２０℃を超えて乾燥を行うとイミド
化反応が進行してしまい、２層目との間で剥離を生じる
場合がある。

さらに２層目塗布後の加熱によるポリアミック酸溶液の
溶媒除去は、ポリイミド皮膜が形成される以前に、始め
から強い加熱を行うと、粗面となったりひきつったりす
るので、加熱は低温から徐々に高くする様にした方が好
ましい。例えば、　１００℃から３５０℃まで０．　５
時間以上かけて連続的に加熱する。０．５時間未満であ
ると膜厚にもよるが、脱溶媒が不十分であったり、イミ
ドの閉環が不十分で特性が発揮されないことがある。

また例えば、　１００℃で３０分、ついで１５０℃で３
０分、　　２００℃で３０分、　　２５０℃で３０分、
３００℃で３０分、３５０℃で３０分という具合いに段
階的に昇温してもよい。加熱雰囲気も空気中でさしつか
えない場合もあるが金属箔として銅箔なと酸化され易い
金属箔を用いる場合は減圧下ないしは不活性ガスを流し
ながら非酸化性状態下に行う方が好ましい。この様にし
て形成されたポリイミド皮膜層は−・般的に１０〜２０
０μである。

金属箔の近傍の樹脂層では、樹脂冷却時に応力が発−生
するが５２層構造をとるために、このとき発生する応力
と同等の応力を樹脂表面（Ｎ層）で発生させることがで
き、金属箔エツチング後のカールを防ぐことができる。

すなわちＭ層はＮ層と比較して線膨張係数が大きいため
樹脂冷却時にＮ層に比較して太き（収縮するので、樹脂
表面に収縮しようとする応力を発生することができる。

このときＭ／Ｎは１〜１０が好ましく、Ｍ／Ｎが１より
小さいと樹脂層全体の線膨張係数が基材より大きくなり
基板全体が銅箔面を外側にカールしてしまう、一方Ｍ／
ＮがｌＯより大きいと充分な応力が発生しないため金属
箔の近傍で発生する応力とバランスをとることができず
エツチング後のフィルムがカールしてしまう。

また、樹脂層は全体として、Ａ／Ｂ＝９０／１０〜６０
／４０となることが好ましく、本範囲を逸脱すると金属
箔エツチング除去後の樹脂層全体の線膨張係数が金属箔
として標準的に使用する銅箔の線膨張係数±２・０％以
内にはいらないため基板全体がカールしてしまう。

本発明で用いる耐熱性樹脂は、フィルム形成能があり、
金属箔との密着性があり、　トータルでの線膨張係数が
金属箔と同程度であればよいが、つぎに示すようなポリ
イミドが最も目的にかなっている。

すなわち、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成
分とを反応させるに当たり、３，３’，４，４’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジア
ミンとを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ａ）
と、　ピロメリット酸二無水物と４．４−ジアミノジフ
ェニルエーテルを反応させて得られたポリアミック酸溶
液（Ｂ）とを、　Ａ／Ｂ＝１００１０〜７５／２５の割
合で混合して得られたポリアミック酸混合物のワニス（
Ｃ）ＪよびＡ／Ｂ＝　７５／２５〜Ｏ／　１００（７）
割合で混合して得られたポリアミック酸混合物のワニス
（Ｄ）を加熱硬化させて得られるポリイミドである。

本発明に言うテトラカルボン酸二無水物とは、３．３°
、４．４−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、ピ
ロメリット酸二無水物であるが、この他の酸、例えば２
．３，３°、４°〜ビフェニルテトラヵルボン酸二無水
物、３．３’、４，４°−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３°、４．４’−Ｐ−テルフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２．３．６．７−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３．３’
，４，４’−Ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二無水
物、４．４’−ヘキサフルオロインプロピリデンビス（
フタル酸無水物）等も併用することが出来る。

本発明に言うジアミンとは、パラフェニレンジアミンと
４．４−ジアミノジフェニルエーテルであるがこの他の
アミン例えば４．４°−ジアミノジフェニルメタン、３
．３°−ジメチルベンジジン、４，４゛−ジアミノ−Ｐ
−テルフェニル、４．４°−ジアミノ−Ｐ−クォーター
フェニル、２．８−ジアミノジフェニレンオキサイドな
ども併用することができる。

テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分との反応
は酸成分／アミン成分（モル比）０．９０〜１．００で
行う・のが好ましく、　０．９０より低いと重合度が上
がらず硬化後の皮膜特性が悪い。

１．００より大きいと、硬化時にガスを発生し、平滑な
皮膜を得ることが出来ない。

反応は通常、テトラカルボン酸二無水物またはジアミン
類と反応しない有機極性溶媒中で行われる。この有機極
性溶媒は、反応系に対して不活性であり、かつ生成物に
対して溶媒であること以外に、反応成分の少なくとも一
方、好ましくは両者に対して良溶媒でなければならない
。この種の溶媒として代表的なもの、は、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、　
ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン等があり、これらの溶媒は単独または
組み合わせて使用される。この他にも溶媒として組み合
わせて用いられるものとしてベンゼン、ジオキサン、キ
シレン、　トルエン、シクロヘキサン等の非極性溶媒が
、原料の分散媒、反応調節剤あるいは生成物からの揮散
調節剤、皮膜平滑剤等として使用される。

反応は一般的に無水の条件下で行うことが好ましい。こ
れはテトラカルボン酸二無水物が水により開環し、不活
性化し、反応を停止させる恐れがあるためである。この
ため仕込原料中の水分も溶媒中の水分も除去する必要が
ある。しかし一方。

反応の進行を調節し、樹脂重合度をコントロールするた
めにあえて水を添加することも行われる。

また反応は不活性ガス雰囲気中で行われることが好まし
い。これはジアミン類の酸化を防止するためである。不
活性ガスとしては一般的に乾燥窒素ガスが使用される。

本発明で用いるポリイミド樹脂の合成反応は以下の様な
方法で行われる。即ち、３，３’，４，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン
とを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ａ）と、
ピロメリット酸二無水物と４．４゜ジアミノジフェニル
エーテルを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ｂ
）とを、Ａ／Ｂ＝　１００１０〜７５／２５の割合で混
合攪拌してポリアミック酸混合物のワニス（Ｃ）をまた
Ａ／Ｂ＝７５／２５〜Ｏ／１００の割合で混合攪拌する
ことによってポリアミック酸混合物のワニス（Ｄ）を得
る方法である。

Ａ、　　Ｂを合成し、　また、これらを混合してＣ１Ｄ
を得る反応温度は０〜１００℃であることが望ましい、
０℃以下だと反応の速度が遅く、　１００℃以上である
と生成したポリアミック酸の閉環反応および解重合反応
が開始するためである。通常、反応は２０℃前後で行わ
れる。

本発明により製造されたポリアミック酸生成物は、使用
するに当たって各種のシランカップリング剤、ボランカ
ップリング剤、チタネート系カップリング剤１、アルミ
ニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性・密
着性向上剤や各種溶剤、フローエージェントを加えても
よく、またゴムや低分子エポキシ等の可どう性状与剤や
粘度調整剤、あるいはポリアミドイミド、ポリエーテル
イミド、ポリエステルイミド等をブレンドしてもよくタ
ル久　マイカ、石英粉末等の充填剤、カーボンブラッ久
　フタロシアニンブルー等の着色剤。

テトラブロモフェニルメタン等の難燃剤、三酸化アンチ
モン等の難燃助剤の少量を加＾てもよい。

本発明で使用される金属箔は、一般には銅箔が用いられ
るが、他の金属箔を用いることもできる例えば、アルミ
箔、ニッケル箔、ステンレス箔、タングステン箔なども
用いることが出来る。

このようにして得られた回路用基板は金属箔とフィルム
は充分な接着強度を持ち、接着剤層を持たないため電気
的にも安定しまたフレキシブルプリント回路用基板とな
る。

（実施例） 実施例１ 温度計、攪拌装置、環流コンデンサーおよび乾燥窒素ガ
ス吹き込み「】を備えた４つロセバラブルフラスコに精
製した無水のパラフェニレンジアミン１０８ｇをとり、
これに無水のＮ−メチル−２−ピロリドン９０重量％と
トルエン１０重量％の混合溶剤を、全仕込原料中の固形
分割合が２０重量％になるだけの量を加えて溶解した。

乾燥窒素ガスは反応の準備段階より生成物取り出しまで
の全行程にわたり流しておいた。ついで精製した無水の
３゜３’、４，４°−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物２９４ｇを攪拌しながら少量ずつ添加するが発熱反
応であるため、外部水槽に約１５℃の冷水を循環させて
これを冷却した。添加後、内部温度を２０℃に設定し、
　５時間攪拌し反応を終了してポリアミック酸溶液（Δ
とする）を得た９次に上記と同様の装置及び方法で無水
の４，４゛−ジアミノジフェニルエーテル２００ｇと精
製した無水のピロメリット酸二無水物２１８ｇを反応さ
せてポリアミック酸（Ｂとする）を得た０次にΔおよび
Ｂを１モル比がＡ／Ｂ＝９０／１０になるように混合攪
拌したＣを得た。またＡ／Ｂ−４０／６０になるように
混合攪拌してＤを得た。

圧延銅箔上にこのポリアミック酸溶液ＡおよびＢ連続的
に乾燥後のフィルム厚みがそれぞね２０および５　ｇに
なるように流延塗布した後、乾燥器にいれ１００℃から
２００℃まで連続的に１時間かけて昇温した後、乾燥器
にいれ２００℃から３８０℃まで連続的に１時間かけて
昇温した。

この様にして製造されたフレキシブルプリント回路用基
板は接着強度（ＪＩＳ　Ｃ６４８１）が１．ＩＫｇ／　
ｃ　ｍで寸法変化率ｆＪＩｓ　Ｃ６４８１）が０．０２
％でまったくカールがなく、銅箔をエツチングした後の
フィルムもまったくカールがなく、引っ張り強度（ＪＩ
Ｓ　Ｋ６７６０）は３１　Ｋｇ／ｍ１１１２、伸びｆＪ
Ｉｓ　Ｋ６７６０）は４１％と優れた物であり、このフ
ィルムの線膨張係数は１６ｐｐｍ、用いた銅箔の線膨張
係数は１７ｐｐｍであり、その差は５．９％、また樹脂
層全体の組成比はＡ／Ｂ＝８０／２、特許請求の囲の第
三項記載の条件を充している。

実施例２ 実施例１と同様な装置及び方法で、パラフェニレンジア
ミンと３，３°。４．４°−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ａとする）と
、４．４゛−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリッ
ト酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ｂとする）
を合成した。次にＡおよびＢを、モル比がＡ／Ｂ＝８０
／２０になるように混合攪拌したＣを得た。またＡ／Ｂ
　＝　６０／４０になるように混合攪拌しでＤを得た。

実施例１と同様な金属箔上にこのポリアミック酸溶液Ｃ
を乾燥後のフィルム厚みが１５μになるように流延塗布
し、　１００℃で３０分乾燥させた後、乾燥したＣの上
に乾燥後のフィルム厚みがｌＯＩノになるようにＤを流
延塗布し、乾燥器に入れ、１００℃で３０分間、　１５
０℃で３０分間、　２００℃で３０分間、それぞれ加熱
した後、乾燥器にいれ２００℃で３０分間、　２５０℃
で３０分間、３００℃で３０分間、３８０℃で２０分間
加熱した。

この様にして製造されたフレキシブルプリント回路用基
板は接着強度が１．２Ｋｇ／ｃｍで寸法変化率が０．０
７％でまったくカールがなく、銅箔をエツチングした後
のフィルムもまったくカールがなく、引っ張り強度は３
０　Ｋｇ／ｍｍ’、伸びは４０％と優れた物であった。

尚このフィルムの線膨張係数は１９ｒ）ｐｍ−用いた銅
箔の線膨張係数は１７ｐｐｍであり、その差は１１．８
％、また樹脂層全体の組成比はＡ／Ｂ＝７２／２、特許
請求の囲の第三項記載の条件を充している。

比較例１ 実施例１と同様な装置及び方法で、バラフエニレンジア
ミンと３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ａとする）と
、４．４°−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリッ
ト酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ｂとする）
を合成した。次にＡおよびＢを、モル比がＡ／Ｂ　＝　
６０／４０になるように混合攪拌したＣを得た。

実施例１と同様な金属箔上にこのポリアミック酸溶液Ｃ
を乾燥後のフィルム厚みが２５．になるように流延塗布
し、乾燥器に入れ、　１００℃で３０分間、　１５０℃
で３０分間、２００℃で３０分間、それぞれ加熱した後
、乾燥器にいれ２００℃で３０分間、２５０℃で３０分
間、３００℃で３０分間、　３８０℃で２０分間加熱し
た。

この様にして製造されたフレキシブルプリント回路用基
板は接着強度が１．２Ｋｇ／ｃｍで寸法変化率が０．２
％で銅箔を外側にカールし、銅箔をエツチングした後の
フィルムもエツチング面を内側にカールしており、回路
用基板としては不適当であった。引っ張り強度は３０　
Ｋｇ／ｍｅ’、伸びは４０％であるが、このフィルムの
樹脂層全体の組成比はＡ／Ｂ＝６０／４０だが、線膨張
係数は２８ｐｐｍ、用いた銅箔の線膨張係数は１７ｐｐ
ｍであり、その差は６４．７％で特許請求範囲の第三項
記載の条件を充していない。

比較例２ 実施例１と同様な装置及び方法で、パラフェニレンジア
ミンと３．３°、４１４°−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ａとする）と
、４．４°−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリッ
ト酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ｂとする）
を合成した０次にＡおよびＢを、モル比がＡ／Ｂ＝５０
１５０になるように混合攪拌したＣを得た。またＡ／Ｂ
　＝　２０／８０になるように混合攪拌してＤを得た。

実施例１と同様な金属箔上にこのポリアミック酸溶液Ｃ
を乾燥後のフィルム厚みが１５μになるように流延塗布
し、１００℃で３０分乾燥させた後、乾燥したＣの上に
乾燥後のフィルム厚みが１０μになるようにＤを流延塗
布し、乾燥器に入れ、１００℃で３０分間、　１５０℃
で３０分間、２００℃で３０分間、それぞれ加熱した後
、乾燥器にいれ２００℃で３０分間、２５０℃で３０分
間、３００℃で３０分間、３８０℃で２０分間加熱した
。

この様にして製造されたフレキシブルプリント回路用基
板は接着強度が１．２Ｋｇ／Ｃｍで寸法変化率が０．３
０％でまったくカールがひどく、銅箔をエツチングした
後のフィルムはほとんどカールがないが回路用基板とし
ては不適当であった。

このフィルムの線膨張係数は３２ｐｐｍ、用いた銅箔の
線膨張係数は１７ｐｐｍであり、その差は８８、２％、
　また樹脂層全体の組成比はＡ／Ｂ　＝３８／６２で特
許請求範囲の第三項記載の条件を充していない。

比較例３ 実施例１と同様な装置及び方法で、パラフェニレンジア
ミンと３．３“、４．４°−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ａとする）と
、４，４°−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリッ
ト酸二無水物からなるポリアミック酸溶液（Ｂとする）
を合成した０次にＡおよびＢを、モル比がＡ／Ｂ＝７０
／３０になるように混合攪拌したＣを得た。またＡ／Ｂ
　＝　９０／１０Ｇｍナルように混合攪拌してＤを得た
。

圧延銅箔上にこのポリアミック酸溶液ＡおよびＢ連続的
に乾燥後のフィルム厚みがそれぞれ２０および５μにな
るように流延塗布した後、乾燥器にいれ１００℃から２
００℃まで連続的に１時間かけて昇温した後、乾燥器に
いれ２００℃から３８０℃まで連続的に１時間かけて昇
温しな。

この様にして製造されたフレキシブルプリント回路用基
板は接着強度が０．　５Ｋｇ／ｃｍで寸法変化率が０．
　１％でほとんどカールしておらず、銅箔をエツチング
した後のフィルムは線膨張係数が１５１）Ｉ）ｍであり
、その差は１１．８％、また樹脂層全体の組成比はＡ／
Ｂ＝７４／２、特許請求の囲の第三項記゛載の条件は充
していたが、第−及び第二項の条件を充しておらず、樹
脂表層において線膨張係数の小さな樹脂を用いたために
金属箔近傍で発生する応力とバランスをとることができ
ないためエツチング面を内側にはげしくカールしており
、回路用基板としては不適当であった。

（発明の効果） 本発明の様にフィルム全体として、基材である金属箔と
ほぼ同程度の線膨張係数を持たせることにより、金属箔
との膨張係数の差によって生じるカールを防ぎながら、
しかも特定の２種類の異なるポリアミック酸ワニスを用
い、銅箔との接着面近傍で生じる応力とフィルム表面に
於て発生させる応力とをバランスをとることができるた
め、金属箔エツチング後のカールやシワおよび寸法変化
を著しく軽減することが出来る。

従来困難であった全くカールの生じない接着層のないフ
レキシブルプリント回路用基板を製造することが可能に
なり、こうして得られたフレキシブルプリント回路用基
板は、接着層がないために耐熱性に優れ、カー・ルがな
いために加工性も良く、またフィルムとしての特性も優
れた基板であった。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属箔層（Ｌ）、３，３’，４，４’−ビフェニ
   ルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン
   とを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ａ）、ピ
   ロメリット酸二無水物と４．４’−ジアミノジフェニル
   エーテルを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ｂ
   ）とが、Ａ／Ｂ＝１００／０〜７５／２５の割合の組成
   物を硬化させた第一のポリイミド層（Ｍ）、Ａ／Ｂ＝７
   ５／２５〜０／１００の割合の組成物を硬化させた第二
   のポリイミド層（Ｎ）がＬ，Ｍ＿１Ｎの順に構成された
   フレキシブルプリント回路用基板。
2. （２）金属箔上に３，３’，４，４’−ビフェニルテト
   ラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを反
   応させて得られたポリアミック酸溶液（Ａ）と、ピロメ
   リット酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエー
   テルを反応させて得られたポリアミック酸溶液（Ｂ）と
   を、Ａ／Ｂ：１００／０〜７５／２５の割合で混合して
   得られたポリアミック酸混合物のワニス（Ｃ）を流延塗
   布し、この（Ｃ）層の上にＡ／Ｂ＝７５／２５〜０／１
   ００の割合で混合して得られたポリアミック酸混合物の
   ワニス（Ｄ）を直接あるいは加熱乾燥後に流延塗布し、
   加熱硬化させることを特徴とするフレキシブルプリント
   回路用基板の製造方法。
3. （３）樹脂層全体が、Ａ／Ｂ＝９０／１０〜６０／４０
   を充し、しかも金属箔エッチング除去後の樹脂層全体の
   線膨張係数が金属箔の線膨張係数±２０％以内であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフレキシブ
   ルプリント回路用基板。
4. （４）Ｍ層とＮ層の厚さの比Ｍ／Ｎが１〜１０であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフレキシブ
   ルプリント回路用基板。