JPH0429210B2 - - Google Patents
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- JPH0429210B2 JPH0429210B2 JP57126502A JP12650282A JPH0429210B2 JP H0429210 B2 JPH0429210 B2 JP H0429210B2 JP 57126502 A JP57126502 A JP 57126502A JP 12650282 A JP12650282 A JP 12650282A JP H0429210 B2 JPH0429210 B2 JP H0429210B2
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はセラミツク積層コンデンサに関し、
特に、電極材料の改良に関するものである。
特に、電極材料の改良に関するものである。
セラミツク積層コンデンサは、図面に示すよう
に、典型的には、複数個の内部電極１を含み、各
内部電極１間にはセラミツク２が介在し、内部電
極１はいずれかの外部電極３に導通した状態とさ
れる。
に、典型的には、複数個の内部電極１を含み、各
内部電極１間にはセラミツク２が介在し、内部電
極１はいずれかの外部電極３に導通した状態とさ
れる。
このようなセラミツク積層コンデンサを製造す
るには、たとえば次のような方法が採用される。
すなわち、厚さ50〜100μｍのセラミツクグリー
ンシートを、印刷、ドクターブレード法、スプレ
ー法などにより作成し、このセラミツクグリーン
シートの上に内部電極１となる金属粉末のペース
トを印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着
し、一体化したものを自然雰囲気中1250〜1400℃
で焼成して焼結体を作り、内部電極１と導通する
外部電極３を焼結体の端面に焼付けていた。
るには、たとえば次のような方法が採用される。
すなわち、厚さ50〜100μｍのセラミツクグリー
ンシートを、印刷、ドクターブレード法、スプレ
ー法などにより作成し、このセラミツクグリーン
シートの上に内部電極１となる金属粉末のペース
トを印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着
し、一体化したものを自然雰囲気中1250〜1400℃
で焼成して焼結体を作り、内部電極１と導通する
外部電極３を焼結体の端面に焼付けていた。
この場合、内部電極１の材料としては、次のよ
うな条件を満足する必要があつた。
うな条件を満足する必要があつた。
セラミツクが焼結する温度以上の融点を有す
ること。
ること。
自然雰囲気中で1300℃前後の温度に加熱して
も、セラミツクと接触して酸化したり、セラミ
ツクと反応を起こさないこと。
も、セラミツクと接触して酸化したり、セラミ
ツクと反応を起こさないこと。
このような各条件を満足する内部電極１の材料
としては、パラジウム、白金、銀−パラジウムな
どの貴金属があり、これまでの多くのセラミツク
積層コンデンサにおいては、内部電極１としてこ
のような貴金属が使用されていた。
としては、パラジウム、白金、銀−パラジウムな
どの貴金属があり、これまでの多くのセラミツク
積層コンデンサにおいては、内部電極１としてこ
のような貴金属が使用されていた。
しかしながら、上述の貴金属は、内部電極１の
ための材料として優れた特性を有しているが、反
面、高価であるため、セラミツク積層コンデンサ
のコストに占める割合が20〜50％にも達し、コス
トアツプの最大の原因になつていた。
ための材料として優れた特性を有しているが、反
面、高価であるため、セラミツク積層コンデンサ
のコストに占める割合が20〜50％にも達し、コス
トアツプの最大の原因になつていた。
このような問題に対処するため、内部電極１の
材料として、安価な卑金属を用いる試みがなされ
るようになつた。たとえば、卑金属として、ニツ
ケルを用いると、ニツケルは300℃以上の酸化性
雰囲気で加熱すると酸化し、セラミツクと反応す
るため、電極を形成することができなくなる。こ
のニツケルの酸化を防止するためには、中性また
は還元性雰囲気中でセラミツクを内部電極１とと
もに焼成するようにしなければならないが、最近
では中性または還元性雰囲気中で焼成しても還元
されないセラミツク組成物の出現がみられ、内部
電極をニツケルとすることが可能となつた。
材料として、安価な卑金属を用いる試みがなされ
るようになつた。たとえば、卑金属として、ニツ
ケルを用いると、ニツケルは300℃以上の酸化性
雰囲気で加熱すると酸化し、セラミツクと反応す
るため、電極を形成することができなくなる。こ
のニツケルの酸化を防止するためには、中性また
は還元性雰囲気中でセラミツクを内部電極１とと
もに焼成するようにしなければならないが、最近
では中性または還元性雰囲気中で焼成しても還元
されないセラミツク組成物の出現がみられ、内部
電極をニツケルとすることが可能となつた。
卑金属を内部電極１として用いる他の試みとし
て、次のようなものもあつた。前述した試みが問
題を招いたのは、内部電極１となるべき金属粉末
のペーストを印刷する工程の後で、セラミツクの
焼成を行なう工程を実施したためである。したが
つて、セラミツクの焼成の後で、内部電極１を形
成することができれば、前述したような問題に遭
遇しないことになる。そこで、次の試みとして、
前述の典型的な工程における「内部電極１となる
金属粉末のペーストを印刷する工程」の代わり
に、カーボン粉末のペーストを印刷する工程を実
施した。これによれば、セラミツクの焼成後に
は、カーボンが燃焼してしまい、内部電極１が形
成されるべき部分に隙間を残すことになる。そこ
で、アルミニウム、鉛、錫などの金属の溶融した
ものをこの隙間に注入して、内部電極１を形成す
ることが行なわれていた。
て、次のようなものもあつた。前述した試みが問
題を招いたのは、内部電極１となるべき金属粉末
のペーストを印刷する工程の後で、セラミツクの
焼成を行なう工程を実施したためである。したが
つて、セラミツクの焼成の後で、内部電極１を形
成することができれば、前述したような問題に遭
遇しないことになる。そこで、次の試みとして、
前述の典型的な工程における「内部電極１となる
金属粉末のペーストを印刷する工程」の代わり
に、カーボン粉末のペーストを印刷する工程を実
施した。これによれば、セラミツクの焼成後に
は、カーボンが燃焼してしまい、内部電極１が形
成されるべき部分に隙間を残すことになる。そこ
で、アルミニウム、鉛、錫などの金属の溶融した
ものをこの隙間に注入して、内部電極１を形成す
ることが行なわれていた。
ところが、内部電極として、ニツケル、鉄、コ
バルト、鉛、アルミニウム、錫などの卑金属を用
いる場合、たとえば、銀または銀−パラジウムな
どの銀を主体とする合金による外部電極３を形成
しても、両者のなじみが悪く、導通不良という問
題が生じ、信頼性に欠ける点があつた。
バルト、鉛、アルミニウム、錫などの卑金属を用
いる場合、たとえば、銀または銀−パラジウムな
どの銀を主体とする合金による外部電極３を形成
しても、両者のなじみが悪く、導通不良という問
題が生じ、信頼性に欠ける点があつた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、コスト
ダウンが図れ、かつ品質の向上が図れるセラミツ
ク積層コンデンサを提供することである。
ダウンが図れ、かつ品質の向上が図れるセラミツ
ク積層コンデンサを提供することである。
この発明を要約すれば、内部電極を卑金属から
構成し、外部電極を前記内部電極と同一または合
金化した金属、および該金属の上に形成された銀
または銀を主体とする合金からなることを特徴と
するセラミツク積層コンデンサである。
構成し、外部電極を前記内部電極と同一または合
金化した金属、および該金属の上に形成された銀
または銀を主体とする合金からなることを特徴と
するセラミツク積層コンデンサである。
以下、この発明を、種々の好ましい実施例に関
連して説明する。
連して説明する。
再び図面を参照して、この発明の実施例では、
内部電極１を構成する材料として、ニツケル、
鉄、コバルト、さらにまた、融点の比較的低い
鉛、アルミニウム、錫、等が用いられる。これら
はいずれも安価な卑金属である。
内部電極１を構成する材料として、ニツケル、
鉄、コバルト、さらにまた、融点の比較的低い
鉛、アルミニウム、錫、等が用いられる。これら
はいずれも安価な卑金属である。
内部電極１の材料の例として掲げられたニツケ
ル、鉄、コバルトなどを用いる場合、これらの金
属粉末のペーストをセラミツクグリーンシート上
に印刷して、中性または還元性雰囲気中でセラミ
ツクをこれら金属ペーストとともに焼成するの
は、従来例において述べたのと同様である。ここ
で、従来において生じたセラミツクの還元という
問題を避けるために、好ましくは、非還元性誘電
体セラミツク組成物が用いられる。このような非
還元性誘電体セラミツク組成物としては、本願出
願人によつて既に特許出願されている次のような
組成物が例示される。
ル、鉄、コバルトなどを用いる場合、これらの金
属粉末のペーストをセラミツクグリーンシート上
に印刷して、中性または還元性雰囲気中でセラミ
ツクをこれら金属ペーストとともに焼成するの
は、従来例において述べたのと同様である。ここ
で、従来において生じたセラミツクの還元という
問題を避けるために、好ましくは、非還元性誘電
体セラミツク組成物が用いられる。このような非
還元性誘電体セラミツク組成物としては、本願出
願人によつて既に特許出願されている次のような
組成物が例示される。
組成式
｛（Ba1-XCaX）Ｏ｝ｍ
・（Ti1-yZry）O2
で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲に
あることを特徴とする非還元性誘電体セラミツ
ク組成物。
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲に
あることを特徴とする非還元性誘電体セラミツ
ク組成物。
1.005≦ｍ≦1.03
0.02≦ｘ≦0.22
０＜ｙ≦0.20
組成式
｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝・TiO2
で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲に
あることを特徴とする非還元性誘電体セラミツ
ク組成物。
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲に
あることを特徴とする非還元性誘電体セラミツ
ク組成物。
1.005≦ｍ≦1.03
0.02≦ｘ≦0.22
0.55≦ｙ≦0.35
組成式
｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝ｍ
・（Ti1-zZrz）O2
で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙ、ｚが次の範
囲にあることを特徴とする非還元性誘電体セラ
ミツク組成物。
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙ、ｚが次の範
囲にあることを特徴とする非還元性誘電体セラ
ミツク組成物。
1.005≦ｍ≦1.03
0.02≦ｘ≦0.22
0.05≦ｙ≦0.35
0.00＜ｚ≦0.20
CaZrO3とMnO2とからなり、一般式
CaxZrO3＋yMnO2
と表わしたとき、CaxZrO3のｘが次に示す範
囲にあり、かつCaxZrO3の重量1.00に対し、
MnO2（＝ｙ）が次に示す重量比からなること
を特徴とする非還元性誘電体セラミツク組成
物。
囲にあり、かつCaxZrO3の重量1.00に対し、
MnO2（＝ｙ）が次に示す重量比からなること
を特徴とする非還元性誘電体セラミツク組成
物。
0.85＜ｘ＜1.30
0.05＜ｙ＜0.08（重量比）
（BaCa）ZrO3とMnO2とからなり、
一般式
（BaxCa1-x）yZrO3＋zMnO2
と表わしたとき、（BaxCa1-x）yZrO3のｘ、ｙが
次に示す範囲にあり、かつ（BaxCa1-x）yZrO3
の重量1.00に対しMnO2（＝ｚ）が次に示す重量
比からなることを特徴とする非還元性誘電体セ
ラミツク組成物。
次に示す範囲にあり、かつ（BaxCa1-x）yZrO3
の重量1.00に対しMnO2（＝ｚ）が次に示す重量
比からなることを特徴とする非還元性誘電体セ
ラミツク組成物。
０＜ｘ＜0.20
0.85＜ｙ＜0.30
0.005＜ｚ＜0.08（重量比）
これらの非還元性誘電体セラミツク組成物〜
は、中性または還元性雰囲気中で焼成しても絶
縁抵抗の低下が起こらず、また、誘電損失の増大
も生じない。したがつて、ニツケル、鉄、コバル
トなどの卑金属を内部電極として用い、これらの
卑金属が酸化されまたはセラミツクと反応するこ
とを防止しながら、中性または還元性雰囲気中で
焼成することができる。
は、中性または還元性雰囲気中で焼成しても絶
縁抵抗の低下が起こらず、また、誘電損失の増大
も生じない。したがつて、ニツケル、鉄、コバル
トなどの卑金属を内部電極として用い、これらの
卑金属が酸化されまたはセラミツクと反応するこ
とを防止しながら、中性または還元性雰囲気中で
焼成することができる。
一方、比較的低い融点をもつものとして例示し
た鉛、アルミニウム、錫のような卑金属は、従来
技術において既に述べた注入方式を用いることが
でき、これによれば、上述の非還元性誘電体セラ
ミツク組成物に限らず、通常の誘電体セラミツク
組成物を用いることができる。
た鉛、アルミニウム、錫のような卑金属は、従来
技術において既に述べた注入方式を用いることが
でき、これによれば、上述の非還元性誘電体セラ
ミツク組成物に限らず、通常の誘電体セラミツク
組成物を用いることができる。
この発明の実施例の外部電極３としては、第１
層目として内部電極１、たとえばニツケル、鉄、
コバルト、鉛、アルミニウム、錫などと同一の金
属または合金化する金属が用いられる。また外部
電極３の第２層目としては、銀または、銀−パラ
ジウム、銀−パラジウム−白金などの銀を主体と
する合金が用いられる。
層目として内部電極１、たとえばニツケル、鉄、
コバルト、鉛、アルミニウム、錫などと同一の金
属または合金化する金属が用いられる。また外部
電極３の第２層目としては、銀または、銀−パラ
ジウム、銀−パラジウム−白金などの銀を主体と
する合金が用いられる。
第１層目の外部電極３として、銅またはニツケ
ルを用いる場合、これらの金属粉末のペーストを
焼付けする方法、蒸着法、スパツタ法、無電解メ
ツキ法、溶射法、などが用いられ得る。特に、銅
の焼付けに関しては、用いられるガラスフリツト
として、最近、優れた性質をもつものが提案され
ている。その一例は、ホウケイ酸亜鉛、ホウケイ
酸バリウムなどである。これらの組成のガラスフ
リツトによれば、自然雰囲気中での良好な銅の焼
付けが可能となつた。したがつて、この場合に
は、誘電体セラミツク材料としては、あえて非還
元性誘電体セラミツク組成物を用いることなく、
通常の誘電体セラミツク組成物を用いて、問題な
く銅の外部電極３を焼付けにより形成することが
できる。なお、セラミツク材料として、前述した
ような非還元誘性電体セラミツク組成物を用いれ
ば、ガラスフリツトの組成または特性にとらわれ
ることなく、第１層目の外部電極３の焼付けによ
る形成を行なうことができるのはもちろんであ
る。
ルを用いる場合、これらの金属粉末のペーストを
焼付けする方法、蒸着法、スパツタ法、無電解メ
ツキ法、溶射法、などが用いられ得る。特に、銅
の焼付けに関しては、用いられるガラスフリツト
として、最近、優れた性質をもつものが提案され
ている。その一例は、ホウケイ酸亜鉛、ホウケイ
酸バリウムなどである。これらの組成のガラスフ
リツトによれば、自然雰囲気中での良好な銅の焼
付けが可能となつた。したがつて、この場合に
は、誘電体セラミツク材料としては、あえて非還
元性誘電体セラミツク組成物を用いることなく、
通常の誘電体セラミツク組成物を用いて、問題な
く銅の外部電極３を焼付けにより形成することが
できる。なお、セラミツク材料として、前述した
ような非還元誘性電体セラミツク組成物を用いれ
ば、ガラスフリツトの組成または特性にとらわれ
ることなく、第１層目の外部電極３の焼付けによ
る形成を行なうことができるのはもちろんであ
る。
内部電極１として注入方式を用いる場合、比較
的低い融点の材料を用いるため、第１層目の外部
電極３を予め設けておき、その後、内部電極１の
金属を注入する方法が適用される。
的低い融点の材料を用いるため、第１層目の外部
電極３を予め設けておき、その後、内部電極１の
金属を注入する方法が適用される。
第１層目の外部電極３としてアルミニウムを用
いる場合には、上述した銅またはニツケルの外部
電極３の形成方法のうち、無電解メツキ法が適用
することができないだけで、他の方法は等しく適
用することができる。
いる場合には、上述した銅またはニツケルの外部
電極３の形成方法のうち、無電解メツキ法が適用
することができないだけで、他の方法は等しく適
用することができる。
また、第１層目の外部電極３を形成するに当つ
ては、セラミツク１の焼成前にあらかじめ付与
し、セラミツク１の焼成と同時に焼付けを行つて
もよい。なお、このような工程を採用する場合、
上記したように内部電極１として注入方式を用い
るケースには好適なものとは云えない。
ては、セラミツク１の焼成前にあらかじめ付与
し、セラミツク１の焼成と同時に焼付けを行つて
もよい。なお、このような工程を採用する場合、
上記したように内部電極１として注入方式を用い
るケースには好適なものとは云えない。
次に第２層目の外部電極３を形成するに当つて
は、銀または銀−パラジウム、銀−パラジウム−
白金などの銀を主体とする合金を印刷、スプレー
などの方法で付与し、空気中、または窒素などの
中性雰囲気ガスにて熱処理することによつて形成
される。
は、銀または銀−パラジウム、銀−パラジウム−
白金などの銀を主体とする合金を印刷、スプレー
などの方法で付与し、空気中、または窒素などの
中性雰囲気ガスにて熱処理することによつて形成
される。
以上この発明によれば、内部電極、外部電極と
も安価な金属が用いられているため、安価なセラ
ミツク積層コンデンサを提供することができる。
セラミツク積層コンデンサにおいて電極材料がコ
ストに占める割合が約半分にも達する現状を考慮
すれば、このコストダウンに対する効果は極めて
大きいものであるということができる。また、外
部電極として、従来のように、銀、銀−パラジウ
ムを直接内部電極と接触するように形成する場合
に比べて、外部電極と内部電極とのなじみが良好
となり、外部電極の引張り強度が高くなり、か
つ、良好な導通を得ることができる。
も安価な金属が用いられているため、安価なセラ
ミツク積層コンデンサを提供することができる。
セラミツク積層コンデンサにおいて電極材料がコ
ストに占める割合が約半分にも達する現状を考慮
すれば、このコストダウンに対する効果は極めて
大きいものであるということができる。また、外
部電極として、従来のように、銀、銀−パラジウ
ムを直接内部電極と接触するように形成する場合
に比べて、外部電極と内部電極とのなじみが良好
となり、外部電極の引張り強度が高くなり、か
つ、良好な導通を得ることができる。
図面は、セラミツク積層コンデンサの典型的な
断面構造を示す。 図において、１は内部電極、２はセラミツク、
３は外部電極である。
断面構造を示す。 図において、１は内部電極、２はセラミツク、
３は外部電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いにセラミツクを介して積層された状態で
配置され静電容量を形成するための複数個の内部
電極と、内部電極の所定のものに接続される静電
容量取出のための１対の外部電極とを備えるセラ
ミツク積層コンデンサにおいて、 前記内部電極は卑金属からなり、 前記外部電極は、前記内部電極と同一または合
金化した金属、および該金属の上に形成された銀
または銀を主体とする合金からなることを特徴と
する、セラミツク積層コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126502A JPS5916323A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | セラミツク積層コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126502A JPS5916323A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | セラミツク積層コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916323A JPS5916323A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0429210B2 true JPH0429210B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=14936790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126502A Granted JPS5916323A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | セラミツク積層コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101867648B1 (ko) * | 2013-09-10 | 2018-06-15 | 캐논 가부시끼가이샤 | 위치를 구하는 방법, 노광 방법 및 물품의 제조 방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186206A (en) * | 1982-03-24 | 1982-11-16 | Victor Co Of Japan Ltd | Record player |
| JPS57186205A (en) * | 1982-03-24 | 1982-11-16 | Victor Co Of Japan Ltd | Record player |
| JPS63169014A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
| JP2003007561A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モールド型積層セラミック電子部品 |
| CN101346785B (zh) * | 2006-02-27 | 2012-06-27 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电子部件及其制造方法 |
| JP7000779B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-01-19 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566417A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-23 | Nichicon Capacitor Ltd | Laminated capacitor |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP57126502A patent/JPS5916323A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566417A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-23 | Nichicon Capacitor Ltd | Laminated capacitor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101867648B1 (ko) * | 2013-09-10 | 2018-06-15 | 캐논 가부시끼가이샤 | 위치를 구하는 방법, 노광 방법 및 물품의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5916323A (ja) | 1984-01-27 |
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