JPH04233262A - 脱熱体及び多重取付パッド・レードフレームのパッケージ及び半導体ダイの電気的絶縁方法 - Google Patents

脱熱体及び多重取付パッド・レードフレームのパッケージ及び半導体ダイの電気的絶縁方法

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JPH04233262A
JPH04233262A JP3182047A JP18204791A JPH04233262A JP H04233262 A JPH04233262 A JP H04233262A JP 3182047 A JP3182047 A JP 3182047A JP 18204791 A JP18204791 A JP 18204791A JP H04233262 A JPH04233262 A JP H04233262A
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JP
Japan
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heat sink
leads
mounting
lead
pad
Prior art date
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Pending
Application number
JP3182047A
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English (en)
Inventor
Robert J Satriano
ロバート・ジョセフ・サトリアーノ
Thomas R Mclean
トーマス・リチャード・マクリーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harris Semiconductor Patents Inc
Original Assignee
Harris Semiconductor Patents Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ダイ（チップ）
を装着するパッケージ及びその方法に関し、特に脱熱体
（Ｈｅａｔ　　ｓｉｎｋ）及びリードフレームを含み電
気的に絶縁した半導体ダイを備えたパッケージに関する
。
【０００２】
【従来の技術】半導体代ダイをパッケージ自体から又は
パッケージに含まれる他の半導体ダイから電気的に絶縁
する現在の実装技術は、典型的に酸化ベリリウム、酸化
アルミナ、等のようなセラミックスを最初に関連パッケ
ージの主取付用パッドの表面の予め決めた位置にろう付
又は半田付けをした後、その主取付用パッド上に溶着し
た半田付けセラミックに適当な半導体をろう付又は半田
付けすることによって得られる。かかる絶縁法は、セラ
ミックの材料コストが比較的高く、最初にセラミックを
取付用パッドに取り付け、次に半導体ダイを溶着したセ
ラミックに取り付ける労働コストのために高価につく。
【０００３】集積回路及び／または半導体ダイのような
半導体デバイスを取り付ける方法及び実装の構成は種々
のものがある。半導体ダイを実装するこれら従来の８　
つの方法及び取付アセンブリを次のパラグラフで検討す
る。
【０００４】シモンズ（Ｓｉｍｍｏｎｓ）は米国特許第
３，５６９，７９３号において，ダイを熱伝導性充てん
剤を充てんしているハウジングから電気的に絶縁して、
該電気絶縁ダイとハウジング間に良好な熱伝導性を提供
する半導体デバイス用取付アセンブリを教示している。 　　エンキャプシュレートされたリードフレーム１７は
リード１９、２０及び２１を含む。これらのリードはそ
れぞれ一端で取付タブ１８に固く接続されている。リー
ドの他端，すなわちリード２０はその他端において半導
体ダイを受け入れる三角形状の取付プラットホーム２５
で終わっている。リード１９と２１の他端はそれぞれ上
昇部分２８と２９で終わる横延在部２６と２７を有し、
部分３０と３１で終わる後者の他端はそれぞれ、プラッ
トホーム２５へ押し付けるためにダイの最上部にばね圧
力を与えるように形成されている内側延在アーム３２と
３３を有する。
【０００５】リンカーン（Ｌｉｎｃｏｌｎ）は米国特許
第３，８９３，１５８号において、第１０図でダイ１３
２，１３４及び１３６に取付面を提供するためにリード
の中央配置伸張部を含むリードフレーム３０を開示して
いる。ダイの取付パッドで終わる同様のリード伸張部は
この特許の他の図面に示されている。ワイヤ結合によっ
てダイと種々のコンタクト・フィンガー間のワイヤを接
続している。リードフレーム．アセンブリはハウジング
内でエポキシでエンキャプシュレートされている。ダイ
をそれらの取付に対して相互に電気的に絶縁しているが
、発光ダイに光を光検出ダイへ伝達させるように配向し
ていることが注目される。
【０００６】ブリベン（Ｂｌｉｖｅｎ）らは米国特許第
４，００３，５４４号の第１図に集積回路のチップ（又
はダイ）に中央配置の取付パッドを提供するためにコン
タクト・フィンガーの伸張部を含むリードフレームを示
している。
【０００７】キング（Ｋｉｎｇ）は米国特許第４，１１
４，１７７号において、フレームの中央部に伸張部を有
するリードを備えたリードフレームを含み、１つのパッ
ド上に光検出器の集積回路ダイと、リードフレームの反
対側上のリードから対向するパッド上に発光集積回路を
受け入れるためリード伸張部の端部にランディング・パ
ッド又は取付パッドを備えた光学的結合デバイスを教示
している。
【０００８】エアド（Ａｉｒｄ）は米国特許第４，４４
６，３７５号において、光結合器に関連した集積回路を
受け入るためのリードフレームを開示している。それら
のダイは、中央に配置され各々がリードフレームのリー
ドの伸張部を介して提供されるパッドに取り付けられる
。中央に配置される以外のリード伸張部は集積回路ダイ
の取付パッドの作用をする。
【０００９】メドルズ（Ｍｅｄｄｌｅｓ）は米国特許第
４，５５６，８９６号において、半導体デバイスのリー
ドフレーム構造物を教示している。その構造物は、集積
回路ダイを取り付けるためにリードの伸張部として中央
配置の取付パッドを含む。リード素子はリードフレーム
・アセンブリの回りのハウジングの成形を容易にするよ
うに配置されている。
【００１０】チング（Ｃｈｉｎｇ）らは米国特許第４，
６３３，５８２号において、集積回路ダイの取付の際に
リードフレームのリードフィンガー伸張部として中央配
置の取付ダブを含むリードフレーム・アセンブリを開示
している。そのリードフレームの設計は、リードフレー
ムと関連の光隔離デバイスの製造中に１つの位置から別
の位置へ同じように回転するように、全リードフレーム
の第１と第２のリード・アセンブリ間の共面関係を保証
することを意図している。
【００１１】ホーキンス（Ｈａｗｋｉｎｓ）は米国特許
第４，７４０，８６８号において、複数の集積回路ダイ
を取り付ける際に複数のレールを含むリードフレームを
開示している。取付用表面を提供する外に、そのレール
は脱熱器の作用もする。そのレールは、レール間に電気
絶縁を提供するように配列される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、１つ
以上の半導体ダイが相互に電気的に絶縁されている複数
の半導体ダイを共通のパッケージに取り付けることにあ
る。本発明のもう１つの目的は、複数の半導体ダイを取
り付ける優れたパッケージを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の技術の問題点
を考慮して、上記の目的及び他の目的が、パッケージの
半導体ダイの取付部分に延在しかつ該部分上に配置され
るリードフレームの１個以上のリードを有するリードフ
レームを含む本発明によって提供される。そのリード延
在部又はフィンガーはそれらのそれぞれの端部において
形成されて所定の半導体ダイを受けるのに十分な大きさ
の取付面積を提供する。リードフレームの延在リード又
はフィンガーの半導体ダイ取付表面は、一実施態様にお
いては誘電接着剤を介して、そして別の実施態様におい
てはリードフレーム伸張部の下側と例えば下側取付表面
間に配置された機械的支持体を介してパッケージの下側
取付表面へ固定される。また、本発明の一実施態様にお
ける下側取付表面は脱熱器である。
【００１４】
【実施例】図１〜図５に示すように、本発明の種々の実
施態様をＴＯ−２１８　　ＪＥＤＥＣ　　アウトライン
・パッケージに関連して説明するが、これは説明のみの
ためである。種々の実施態様における本発明はかかるパ
ッケージ輪郭図に限定されず、以下に説明するように、
半導体ダイ又は他の構成要素の絶縁を必要とするパッケ
ージ・アウトラインに適用できる。
【００１５】図１に示した本発明の一実施例におけるリ
ードフレーム１は以下に詳細に説明するように脱熱体（
ｈｅａｔ　　ｓｉｎｋ）３に取り付けられる。リードフ
レーム１から最も離れている脱熱体の端部は、中央に穴
又は取付穴７を有する取付ボス５からなる。本実施例に
おける取付ボス５の下の脱熱体３の部分は、例えば半導
体ダイや他の構成部品を受ける取付面９を提供する。リ
ードフレーム１及び脱熱体３は、この例では典型的に銅
合金で作られて、ニッケルめっきされている。
【００１６】リードレーム１は、この実施例では７個の
リード又はコンタクト・フィンガー１１〜１７を含むよ
うに示されているが、かかるリード又はコンタクト・フ
ィンガー１１〜１７の数は限定を意味せず、７以下、或
いは７以上実用の限度までのリードフレームを利用する
ことができる。コンタクト・フィンガー１１〜１７の端
部１９は、ソケット（図示せず）に差し込んだり、又は
、現場で集積回路盤に半田付けされる形状になっている
。この実施例においては、リード１４の端部２１が直角
に曲がって、脱熱体３の端部へ、例えばろう付や溶接に
よって固定して脱熱体３との固着と電気的接触の両方を
保証していることが注目される。
【００１７】本発明のこの実施例において、コンタクト
・フィンガー又はリード１５の反対側は脱熱体３の取付
面９から少し離れてその取付面上に配置された下方へオ
フセットしたパドル状部２３を有する。誘電材料２５は
取付面９とリード又はコンタクト・フィンガー１５のパ
ドル２３の下側との間に配置される。このように、パド
ル又は取付パッド２３の最上部に取り付けられる構成要
素はコンタクト・フィンガー又はリード１５を除く全て
から電気的に絶縁される。
【００１８】本発明の好適実施態様において、商品名Ｐ
ｌａｓｋｏｎＴＭ３１００ＬＳＬＦ〔米国ペンシルバニ
ア州、ブリストルに在るＰｈｏｍａｎＨａａｓ社により
商標“Ｐｌａｓｋｏｎ”で製造された低応力−長流動性
封止材〕のようなプラスチック封止材を取付面とパドル
２３の下側の間に流すことによって取付面２７を脱熱体
３及びリードフレーム１の他の部分から電気的に絶縁す
る。また、誘電材料２５はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉ
ｄｅＴＭ）のような誘電接着剤にすることもできる。さ
らに別の実施態様における誘電材料２５は、適当な材料
の誘電シムのような機械的支持体を介してパドル又は取
付パッド２３の下に設けることができる。
【００１９】この実施例の半導体ダイ２９は取付パッド
又はパドル２３の最上面２７に固定される。半導体ダイ
２９の基板は典型的に、例えば、適当な導電性接着剤を
介してリード１５へ電気的に接続される。もう１つの半
導体ダイ３１は、この実施例では図示のように脱熱体３
の取付面９へ導電性接着剤を介して固定される。この実
施例では、超音波ボンディングによって半導体ダイ２９
と３１間及び半導体ダイ２９とコンタクト・フィンガー
１２，１３，１４及び１６間の線３３を圧着する。線は
、典型的な用途においては０．００３８ｃｍ直径と細く
することができる。本例において、出力接続線として使
用される太い線、例えばアルミニウムで０．０２５ｃｍ
直径の線もコンタクト・フィンガー１２の端末パッド１
２’と半導体ダイ３１の間に超音波圧着される。リード
又はコンタクト・フィンガー１５の延在端部におけるパ
ドル又は取付パッド２３は浅い下向延在Ｌ形ベンド３７
を介してオフセットしている。また、本発明の好適実施
態様における半導体ダイは脱熱体３の取付面９へ半田付
けされる。脱熱体３に最近接のコンタクト・フィンガー
又は、リード１１，１２，１３，１６及び１７の非延在
端部はそれぞれ関連するリードよりも実質的に広い幅の
矩形状接続パッド１１’，１２’，１３’，１６’及び
１７’に成形されて、図示のように線３３又は導体３５
の電気的相互接続及び付着を容易にさせている。
【００２０】図１に示した本発明の実施態様の主部の拡
大図を図２に示す。完成パッケージは商品名Ｐｌａｓｋ
ｏｎＴＭ３１００なる封止材で封止され破線３９で示し
た包装シルエットを形成するアセンブリで示す。封止材
料３９を通して見ると、リード又はコンタクト・フィン
ガー１１〜１７を元と相互に接続するリードフレーム１
のブリッジ４１は切断されてリード１１〜１７間の電気
的及び機械的接続をそれぞれ絶っている。図示のように
、リード１１と１７は、これらのリードが使用されない
この例では、封止材料３９の端部近くで先端が切除され
ている。他の用途では、これらのリード１１と１７はも
ちろん利用され、従って切除されない。
【００２１】本発明の別の実施態様（図３）において、
リードフレーム１は、前記本発明の第１の実施態様にお
けるようにリード又はコンタクト・フィンガー１５の端
部を延在しオフセットさせているが、さらに図示のよう
にオフセット・パドル又は取付パッド４３を提供するた
めにリード又はコンタクト・フィンガー１１の延在部を
含むことによってパドル又は取付パッドを提供する改良
型で示されてる。前記のように、誘電接着剤又は封止材
のような誘電材料２５は取付パッド２３と４３の底面と
脱熱体３の取付面９の間に配置される。この実施例にお
いても、半導体ダイ４５と４７は、図示のように半田付
け又は導電性接着剤によって取付パッド４３と２３へ固
定される。この実施例では、もう１つの半導体ダイ４９
も脱熱体３の取付面９へ半田付けされる。この実施例に
示すように、線３３は、半導体ダイ４５，４７及び４９
と端末パッド１３’，１４’，１６’及び１７’間に超
音波圧着される。導体５１（典型的にはアルミニウム）
が、図示のように半導体ダイ４９とパドル４３の間に超
音波圧着されてそれらの間に電気的な相互接着を提供し
ている。同様に、リード１２の端部における端末パッド
１２’と半導体ダイ４５との間に典型的にはアルミニウ
ムの導体５３が超音波圧着される。
【００２２】図４は本発明の第３の実施態を示し、脱熱
体３の頭部の拡大平面図と共に破線で示す封止材料３９
を通して見た図を示す。この実施態様では、リード又は
コンタクト・フィンガー１５の端部は前記の実施態様に
おけるように延在して、間に配置された誘電材料２５を
介して脱熱体３から電気的に絶縁されるパドル又は取付
パッド２３を提供している（図１及び図３参照）。半導
体パッド５７は取付パッド２３上に装着される。もう１
つの半導体ダイ５９は脱熱体３の取付面へ半田付けされ
る。この実施態様では、図３に示すようにパドル又は取
付パッド４３を提供するためにコンタクト・フィンガー
１１の端部を延在させる代わりに、従来のセラミック誘
電パッドがその下面で脱熱体３の取付面９へ半田付けさ
れる。半導体ダイ６３は、例えば適当な接着剤を使用し
てセラミック誘電パッド６１の上部へ固定される。本発
明の他の実施態様に示したように、本実施例においても
半導体ダイ５７、５９及び６３間、及びこれらの半導体
ダイと端末パッド１３’，１４’，１６’，及び１７’
間の細線３３を電気的に接続するために超音波圧着法が
用いられる。アルミニウムのような丸い導線６５，６７
及び６９は、セラミックパッド６１とパッド１１’，半
導体ダイ６３とパッド１２’の間，及び半導体ダイとセ
ラミックパッド６１の間にそれぞれ超音波圧着される。 このように、半導体ダイ５７と６３は、脱熱体３から、
相互にそしてリード又はコンタクト・フィンガー１１〜
１７の種々のものから電気的に絶縁されている。
【００２３】図５には、前記のようなプラスチック封止
材３９及びリード又はコンタクト・フィンガー１１〜１
７を含んで、例えば図３又は図４の実施態様のパッケー
ジを完成させるＴＯ−２１８　　Ｊｅｄｅｃ　　パッケ
ージの典型的な外形図を示す。前に示したように、本発
明の種々の実施態様は図示したパッケージ外形に限定さ
れない。取付面９及びその関連構成要素、及びリードフ
レーム１の端部の一部を封止するために使用されるプラ
スチック封止材料は、リード１１〜１７の１つ以上を延
在さすことによって提供される取付パッドの電気的絶縁
を保証する誘電材料２５を提供するために使用すること
ができる。パッケージのリード又はコンタクト・フィン
ガーの端部を延在さすことによって提供される取付パッ
ドの数は、特定のパッケージの設計によって許容される
スペースによってのみ限定される。前記のように、この
概念は半導体ダイ又は他の構成要素の電気的絶縁が必要
なパッケージ外形には全て適用することができる。誘電
材料２５は、関連の取付パッドと脱熱体３の表面間の電
気的絶縁の外に、この実施例においては線３３の超音波
圧着を容易にする基礎を提供する。
【００２４】以上本発明の種々の実施態様を説明したが
、図示の実施態様の多くの他の利点及び変化がありうる
ことは当業者には明白である。かかる変化又は別の実施
態様は、特許請求の範囲の意図及び範囲に包含されるも
のであって、ここに示した実施態様は限定を意味しない
。
【図面の簡単な説明】
【図１】封止前及び関連リードフレームの各リード間の
ブリッジの切断前における本発明の一実施態様の説明図
である。
【図２】図１の実施態様の拡大詳細を示す部分平面図で
ある。
【図３】エンキャプシュレーション工程及び関連リード
フレームのリード間のブリッジの切断前における本発明
の別の実施態様の説明図である。
【図４】本発明の別の実施態様の部分平面図である。
【図５】例えば、図１乃至図４の本発明の実施態様に出
現するであろう代表的なプラスチック封止完成パッケー
ジの説明図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　　　　　　　　リードフレーム３
　　　　　　　　　　　　　　　　脱熱体５　　　　　
　　　　　　　　　　　取付ボス７　　　　　　　　　
　　　　　　　穴９　　　　　　　　　　　　　　　　
取付面１１〜１７　　　　　　　　　　コンタクト・フ
ィンガー又はリード １１’〜　　１７’　　　　パッド １９　　　　　　　　　　　　　　　　リード１１〜１
７の端部２１　　　　　　　　　　　　　　　　リード
１４の端部２３　　　　　　　　　　　　　　　　パド
ル又は取付パッド２５　　　　　　　　　　　　　　　
　誘電材料２７　　　　　　　　　　　　　　　　取付
面２９，３１　　　　　　　　　　半導体ダイ３３，３
５　　　　　　　　　　線 ３９　　　　　　　　　　　　　　　　封止材４３　　
　　　　　　　　　　　　　　取付パッド４５，４７，
４９　　　　半導体ダイ ５７，５９，６３　　　　半導体ダイ ６５，６７，６９　　　　太い導体

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　電気コンポーネントを受ける実質的に
    平らな取付面を提供する部分を含む脱熱体；各々がそれ
    ぞれ外端部にコンタクト・フィンガーを提供するように
    成形された複数の並列リードを含むリードフレームであ
    って、該リードの内部が最初はそれらの間に形成された
    ブリッジ素子を介して一緒に接続され、該リードの所定
    の内端部が導体を受ける端末パッドを提供するように成
    形され、該リードの内端部の少なくとも１つが前記脱熱
    体へ固着されて該リードが前記脱熱体の取付面の一次面
    の上かつ該一次面と平行な第１の面に保持され、前記リ
    ードの大多数の内端部が前記脱熱体の取付面の下縁より
    実質的に上にあり、該内端部の少なくとも１つが前記脱
    熱器の取付面の所定の部分の上かつ該所定の部分から離
    れて配置されたパドル状の取付パッドに延在形成され、
    該取付パッドが電気コンポーネントを受ける構成のリー
    ドフレーム；及び前記取付パッドの底面と前記脱熱体の
    下側の取付面との間に挿入されて、前記取付パッドおよ
    びその関連リードを前記脱熱体から電気的に絶縁するこ
    とによって前記取付パッドに取り付けられる全ての電気
    コンポーネントを電気的に絶縁する誘電材料、からなる
    ことを特徴とする電気コンポーネントを実装するアセン
    ブリ。
  2. 【請求項２】　　前記少なくとも１つの延在内端部が、
    さらに前記第１の面と前記脱熱体の取付面の一次面と平
    行にかつそれらの面の間にある第２の面に関連する取付
    用パッドを配置するためにオフセットしていることを含
    むことを特徴とする請求項１のアセンブリ。
  3. 【請求項３】　　さらに、関連リードの前記延在内端部
    の取付パッドの最上面に固着された電気コンポーネント
    ；前記脱熱体に取り付けられた少なくとも１つの他の電
    気コンポーネント；及び前記電気コンポーネントの種々
    のコンポーネントを相互に、かつ関連リードの内端部の
    所定端末パッドへ選択的に電気的に接続させる手段を含
    む請求項１のアセンブリ。
  4. 【請求項４】　　さらに、前記脱熱体及び関連電気コン
    ポーネントの取付面、前記取付パッド及びその関連電気
    コンポーネント、及び前記端末パッドの上に成形されか
    つエンキカプシュレーヨン法で密閉することによって、
    前記アセンブリの周囲に成形された後に前記リード間の
    ブリッジ素を切断する構成のプラスチック・コンパウン
    ドを含むことを特徴とする請求項３のアセンブリ。
  5. 【請求項５】　　前記誘電材料が固体ポリアミド・パッ
    ドからなることを特徴とする請求項１のアセンブリ。
  6. 【請求項６】　　前記誘電材料がプラスチック・コンパ
    ウンドからなることを特徴とする請求項１のアセンブリ
    。
  7. 【請求項７】　　前記誘電材料がエポキシからなること
    を特徴とする請求項１のアセンブリ。
  8. 【請求項８】　　前記誘電材料は、前記脱熱体と前記リ
    ードの少なくとも１つの前記延在内端部の前記取付パッ
    ド間のスペースに流入充填する前記プラスチック・コン
    パウンドによって提供されることを特徴とする請求項３
    のアセンブリ。
  9. 【請求項９】　　前記リードフレームは、ニッケルめっ
    き銅合金材料の単一片で形成されることを特徴とする請
    求項１のアセンブリ。
  10. 【請求項１０】　　前記脱熱体に固着された前記内端部
    の１つが、前記リードフレームの面から前記脱熱体の面
    方向へ実質的に直角に曲がり、かつ前記脱熱体の縁部へ
    固着されることを特徴とする請求項１のアセンブリ。
  11. 【請求項１１】　　電気コンポーネントを取り付けるこ
    とができる実質的に平らな取付面を備えた脱熱体を成形
    する工程；一端に同一面上にあるコンタクト・フィンガ
    ーを有する複数の並列リードを有し、該リードの所定の
    第１のリードがそれらの他端部を延在してパドル状取付
    パッドとして終わり、該リードの所定の第２のリードか
    それらの他端部を導体を受ける端末パッドに成形され、
    該リードの予め決めた少なくとも１つの第３のリードが
    その他端部を前記脱熱体へ付着させるのに適した構成を
    有する導体材料の単一片からのリードフレーム、及び前
    記リードの他端部に近接して該リードを単一片として保
    持するブリッジ部材のストリップを成形する工程；前記
    リードの第３のリードの他端部を前記脱熱体へ固定させ
    て前記リードフレームを所定の位置に保持すると共に、
    前記コンタクト・フィンガーの面を前記脱熱体の取付面
    に平行かつ該取付面から一定の間隔を保たせ、前記リー
    ドの第２リードの端末パッドを前記脱熱体の縁部の上に
    配置し、前記リードの第１リードの取付パッドをそれら
    のそれぞれの取付面に関して前記脱熱体の取付面に平行
    で該取付面から少し離しかつ該取付面の上に配置する工
    程；前記リードの第１リードの取付パッドの底部と前記
    脱熱体の間に誘電材料を挿入して該第１のリードを該脱
    熱体から電気的に絶縁し、それによって該脱熱体に取り
    付ける全てのコンポーネントを絶縁する工程；複数の半
    導体ダイをそれぞれ前記リードの第１リードの前記取付
    パッドの最上面及び前記脱熱体に取り付ける工程；前記
    複数の半導体ダイの所定の接続パッドと前記端末パッド
    の間にそれぞれ複数の導体を選択的に取り付けて相互に
    接続させる工程；前記脱熱体、半導体ダイ及び端末パッ
    ドをプラスチック材料でエンキカプシュレートする工程
    ；及び前記リード間の前記ブリッジ部材を切断して該リ
    ードを相互に電気的に絶縁する工程からなることを特徴
    とする、所定の半導体ダイと他の半導体ダイとを電気的
    に絶縁する複数の半導体ダイの実装方法。
  12. 【請求項１２】　　前記挿入工程が、前記取付パッドと
    前記脱熱体の間にポリイド・パッドを挿入することを含
    むことを特徴とする請求項１の方法。
  13. 【請求項１３】　　前記挿入工程が、前記取付パッドと
    前記脱熱体との間に誘電接着剤を注入することを特徴と
    する請求項１の方法。
  14. 【請求項１４】　　前記複数の導体を選択的に取付ける
    工程が、前記複数の半導体ダイの前記接続パッドへ前記
    導体を超音波圧着することを含むことを特徴とする請求
    項１１の方法。
  15. 【請求項１５】　　電気コンポーネントを取り付けるこ
    とができる実質的に平らな取付面を備えた脱熱体を成形
    する工程；一端に同一面上にあるコンタクト・フィンガ
    ーを有する複数の並列リードを有し、該リードの所定の
    第１のリードがそれらの他端部を延在してパドル状取付
    パッドとして終わり、該リードの所定の第２のリードが
    それらの他端部を導体を受ける端末パッドに成形され、
    該リードの予め決めた少なくとも１つの第３のリードが
    その他端部を前記脱熱体へ付着させるのに適した構成を
    有する導体材料の単一片からのリードフレーム、及び前
    記リードの他端部に近接して該リードを単一片として保
    持するブリッジ部材のストリップを成形する工程；前記
    リードの第３のリードの他端部を前記脱熱体へ固定させ
    て前記リードフレームを所定の位置に保持すると共に、
    前記コンタクト・フィンガーの面を前記脱熱体の取付面
    に平行かつ該取付面から一定の間隔を保たせ、前記リー
    ドの第２のリードの端末パッドを前記脱熱体の縁部の上
    に配置し、前記リードの第１のリードの取付パッドをそ
    れらのそれぞれの取付面に関して前記脱熱体の取付面に
    平行で該取付面から少し離しかつ該取付面の上に配置す
    る工程；前記リードの第１のリードの取付パッドの低部
    と前記脱熱体の間に誘電支持体材料を挿入する工程；複
    数の半導体ダイをそれぞれ前記リードの第１のリードの
    前記取付パッドの最上面にそれぞれ取り付ける工程；前
    記半導体ダイ及び他の半導体ダイの所定の接続パッドと
    、前記端末パッドとの間に複数の導体をそれぞれ超音波
    圧着して電気的に相互に接続させる工程；プラスチック
    封止材を前記リードの第１のリードの取付パッドの底部
    と前記脱熱体との間に流動させ、前記支持体材料を取り
    囲ませながら、前記脱熱体、半導体ダイ及び端末パッド
    を前記プラスチック材料で封止して、前記取付パッドを
    前記脱熱体から電気的に絶縁する工程；及び前記リード
    間のブリッジ部材を切断することによって該リードを相
    互に電気的に絶縁する工程からなることを特徴とする、
    所定の半導体ダイを他の半導体ダイから電気的に絶縁す
    る複数の半導体ダイの実装方法。
  16. 【請求項１６】　　電気コンポーネントを受ける取付面
    を備えた脱熱体；共通面における複数の並列リード間に
    ブリッジ素子を有する１片に成形されたリードフレーム
    であって、前記リードの第１のリードの端部が曲げられ
    て前記脱熱体の一端に固定されて、該脱熱体の前記取付
    表面の面に平行で該面より高い面に前記リードフレーム
    を保持する構成のリードフレーム；各々が前記脱熱体の
    取付面から一定の間隔を保ちかつ該取付面の上の半導体
    ダイを受ける取付パッドの形で終わっている延在端部を
    有する前記リードの第２の選択リード；及び前記取付パ
    ッドと前記脱熱体の取付面との間に配置されることによ
    って、前記取付パッド上に取り付けた半導体ダイを相互
    に、そして前記脱熱体の取付面に取り付けた電気コンポ
    ーネントからパッケージの組立完成及びエンキカプシュ
    レート時に電気的に絶縁し、しかる後に前記ブリッジ素
    子を切断する構成の誘電材料からなることを特徴とする
    、複数の半導体ダイの所定のダイを相互に電気絶縁して
    実装するパッケージ・アセンブリ。
  17. 【請求項１７】　　さらに、前記脱熱体の取付面及び前
    記リードの第２のリードの前記取付パッドにそれぞれ取
    り付けられた複数の半導体ダイ；それぞれ前記脱熱体の
    近くの所定の前記リードの端部に形成された複数の端末
    パッド；及び前記半導体ダイと前記端末パッドの所定の
    パッド間に選択的に超音波圧着されて電気的に相互接続
    された複数の線からなることを特徴とする請求項１６の
    アセンブリ。
  18. 【請求項１８】　　さらに、所定の半導体ダイと前記端
    末パッド間に超音波圧着された少なくとも１本の比較的
    大きい直径の導体を含むことを特徴とする請求項１７の
    アセンブリ。
  19. 【請求項１９】　　さらに、それぞれ前記脱熱体の近く
    前記リードの所定の第３のリードの端部に形成された複
    数の端末パッド；前記脱熱体の取付面及び前記リードの
    第２のリードの前記取付パッドにそれぞれ固着された複
    数の半導体ダイ；及び前記半導体ダイを相互にそして前
    記端末パッドへ電気的に相互に接続させる手段を含むこ
    とを特徴とする請求項１６のアセンブリ。
  20. 【請求項２０】　　さらに、前記脱熱体の取付面の周囲
    及び前記端末パッドの周囲の前記アセンブリを密閉する
    プラスチック封止材を含むことを特徴とする請求項１９
    のアセンブリ。
  21. 【請求項２１】　　前記リードの第２のリードの延在端
    部が、それらの関連パッドをそれぞれ、前記脱熱体の取
    付面と前記リードフレームの主部の面の間及び該両面に
    平行な共通面に配置するべくオフセットしていることを
    特徴とする請求項１６のアセンブリ。
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