DE19544347A1 - Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes und Leistungshalbleiterelement - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes und LeistungshalbleiterelementInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine elektronische Bauelemente mit ho
her elektrischer Leistungsabgabe. Zur Verhinderung von tempe
raturbedingten Halbleiterschädigungen, die sich auf die cha
rakteristische Kennlinie auswirken können, können verschiede
ne Maßnahmen ergriffen werden.
Die in elektronischen Bauelementen aufgrund dissipativer
Energieanteile auftretenden hohen Erwärmungen sind ein allge
meines Problem. Die betriebsbedingte eigene Wärmung darf die
Junction-Temperatur des Halbleiterchips bzw. die obere
Grenztemperatur der (gemischten) Störstellen- und Eigenleit
fähigkeit nicht übersteigen. Der Halbleiter verändert sonst
temperaturbedingt seine charakteristische Kennlinie. Übli
cherweise werden solche Halbleiterchips einzeln gehäust. Die
se Art von Halbleiterbauelementen können verschiedenartige
Auslegungen und Einsatzgebiete aufweisen. Darunter fallen
z. B. Leistungstransistoren, die sich durch geringe Anschluß
zahlen auszeichnen. Als Gehäuse können einreihige Typen, sog.
SIL-Typen (Single-In-Line) bzw. abgewandelte Formen, die bei
spielsweise einreihig versetzt sind, zur Anwendung kommen.
Um einen Leistungschip zu kühlen, ist im Unterschied zu bei
spielsweise CMOS-Schaltungen ein höherer passiver Kühlaufwand
erforderlich. Zur Erfüllung der Anforderungen bezüglich des
Kühlaufwandes an das Gehäusekonzept wird ein dickeres, gut
wärmeleitendes und damit wärmeabführendes Metallteil verwen
det, das aus der Chipumhüllung seitlich herausragt
(Wärmesenke, Heat Sink). Es ist üblich, daß das Bauteil mit
tels dieser herausragenden Wärmesenke direkt auf der Leiter
platte befestigt wird. Dies kann beispielsweise durch eine
Schraubverbindung geschehen. Um eine hohe Wärmeabfuhr zu ge
währleisten, wird das Metallteil vorzugsweise aus Kupfer oder
einer niedriglegierten Kupferlegierung hergestellt. Die Me
talldicke kann beispielsweise 1 mm oder mehr betragen. Um den
Chip elektrisch nach außen hin anzubinden, sind Anschlußstif
te (Pins) notwendig. Diese werden in der Regel stark gebogen,
beispielsweise 90°, und meistens mittels eines Weichlötver
fahrens eingelötet. In der Regel wird hier eine Einsteckmon
tage angewandt (THT, Through Hole Technology). Die Stifte
weisen beispielsweise eine Breite von 0,5 mm auf. Derartige
Anschlußstifte müssen relativ lang sein und, um einen Bruch
zu verhindern, gut verformbar sein, also erhöhte Anforderun
gen an die Materialsteifigkeit aufweisen. Aus diesem Grund
müssen Metalle mit einem möglichst hohen E-Modul eingesetzt
werden. Dabei ist zusätzlich zur Umformbarkeit der Stifte
hinsichtlich der Montage eine hohe plastische Dehngrenze des
Materiales erforderlich.
Bei der Herstellung derartiger Bauelemente muß vor der Um
spritzung mit einer Kunststoffmasse eine Einheit aus Chip,
Anschlußbeinchen und Wärmesenke vorliegen. Dies geschieht
derart, daß eine Vielzahl von solchen Einheiten hintereinan
der in Form eines Bandes vorliegt und jeweils eine Einheit
schrittweise einer Fertigungsstation zum Umspritzen mit
Kunststoff zugeführt wird. Um die oben erwähnten Anforderun
gen zu erfüllen, müßte ein derartiges strukturiertes Metall
band mit dem darauf montierten Chip mindestens zwei Dicken
aufweisen (Dual Gage Material). Die beiden Bereiche mit un
terschiedlichen Dicken müßten auch unterschiedliche Werkstof
feigenschaften aufweisen. Ein Produkt dafür ist der Typ TO-
220 (Transistor Outline Package). Die Forderung nach einem
Metallband mit mindestens zwei Dicken ist jedoch mit einer
aufwendigen Herstellungstechnik verbunden. Es ist bekannt,
gewalzte Bänder mit eingestellter Dickenvarianz zu erzeugen.
Eine anschließende Strukturierung des Bandes ist ebenfalls
mittels Stanztechnik möglich. Notwendig ist jedoch eine auf
wendige Profilwalztechnik, sowie ein Stanzen mit komplexen
Stanzwerkzeugen, da unterschiedliche Schnittiefen vorliegen.
Weiterhin ist bekannt, zwei separate Metallbänder unter
schiedlicher Dicke herzustellen, diese zur Darstellung der
Anschlußstifte einerseits und zur Darstellung der Wärmesenken
andererseits zu strukturieren und beide durch einen Krimp-Vorgang
zu verbinden. Nachdem das Halbleiterelement jedoch im
wesentlichen auf dem strukturierten Band montiert ist, in dem
die Stifte dargestellt werden, ist die Wärmeableitung über
die Krimpverbindung in Richtung Wärmesenke nicht optimal aus
geführt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes, sowie
ein Leistungshalbleiterelement zur Verfügung zu stellen, wo
bei sowohl die Belange der Wärmeabfuhr, als auch die notwen
dige Verformbarkeit der Anschlußstifte optimiert ist.
Die Lösung dieser Aufgabe geschieht durch die Merkmalskombi
nationen der Ansprüche 1 oder 4.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu ent
nehmen.
Im folgenden wird anhand von schematischen Figuren ein Aus
führungsbeispiel beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein strukturiertes dünnes Band 6 mit Leadframes
1, die Anschlußstifte 3 enthalten,
Fig. 2 zeigt ein strukturiertes Band 7, mit einer Vielzahl
von Wärmesenken 4,
Fig. 3 zeigt das sukzessive, in Kontakt bringen zwischen mit
gleicher Teilung angeordneten Leadframes 1 und Wärmesenken 4.
Die Fig. 1 zeigt ein in der Fertigung vorliegendes Band mit
relativ dünner Materialstärke, das derart strukturiert ist,
daß Leadframes 1 aneinandergereiht vorliegen. Ein Leadframe 1
enthält in diesem Beispiel jeweils drei Anschlußstifte 3. Die
Leadframes 1 bzw. das Band 6 ist in diesem Zustand derart
ausgelegt, daß die gesamte Struktur stabil zusammenhängt, wo
bei an nachfolgenden Bearbeitungsschritten nicht notwendige
Teile meistens durch Stanzen entfernt werden.
Die Fig. 2 zeigt ein Band 7, dessen Materialstärke wesent
lich größer ist als die des Bandes 6. Sowohl das Band 6, als
auch das Band 7 weisen in der Mitte bzw. am Rand Transport-
oder Positionierungslöcher 2 auf. Das Band 7 beinhaltet auch
eine größere Anzahl von Wärmesenken 4. Die Strukturierung des
Bandes 7 ist ebenfalls wie die des Bandes 6 in üblicher Tech
nik ausgebildet worden.
Die Fig. 3 zeigt eine Vielzahl von Wärmesenken 4, die mit
entsprechender Teilung nebeneinander angeordnet mit Leadfra
mes 1 korrespondierend, d. h. mit in gleicher Teilung angeord
neten Leadframes 1 kontaktiert werden. Zur Herstellung einer
gut wärmeleitenden Verbindung wird eine stoffschlüssige Ver
bindung, in diesem Fall durch Widerstandsschweißen, erzeugt.
Die Auswahl einer stoffschlüssigen Verbindung, zu der Teile
beider zu verbindenden Elemente teilweise aufgeschmolzen wer
den müssen, wurde gewählt, um in vorteilhafter Weise ver
schiedene Metalle bzw. deren Legierungen an dieser Stelle zu
verbinden. Somit wird ermöglicht, die Materialauswahl bezüg
lich der Bänder 6 und der Bänder 7 auf die jeweilige Funkti
onsanforderung der darin zum einen enthaltenen Anschlußstifte
3 und der zum anderen enthaltenen Wärmesenken 4 optimal aus
zulegen. Es ist anzumerken, daß die Bezeichnung Leadframe so
wohl für das Leadframe 1 ohne Wärmesenke, als auch für das
Leadframe 5 mit bereits angeschlossener Wärmesenke verwendet
wird.
Die Erfindung verwendet somit zwei unterschiedliche Metall
bänder mit deutlich voneinander abweichenden Materialstärken.
Diese bestehen aus unterschiedlichen Metallen bzw. aus Metal
legierungen unterschiedlicher Metalle. Es ist auch denkbar,
unterschiedliche Metallisierungen aufzubringen, die bei aus
reichender Materialstärke die gewünschte Funktion, beispiels
weise die Wärmeleitung, erfüllen können.
Eine erfindungsgemäße Version bietet verschiedenartige Vor
teile. So wird ermöglicht, die Werkstoffe für die einzelnen
Bänder, entsprechend für die Anschlußstifte 3 oder für die
Wärmesenken 4 einzeln auszuwählen. Im Gegensatz zu der Struk
turierung eines einzigen Metallbandes mit unterschiedlichen
Material stärken können die Werkzeuge für die Strukturierung
von Metallbändern 6 oder 7 jeweils einfach ausgebildet wer
den. Der Werkzeugverschleiß ist leicht zu beobachten. Weiter
hin können einfache und unterschiedliche Metallbeschichtungen
(Plattierungen, Plating-Finish) hergestellt werden. Die Mon
tage zwischen dem Band 6 (Pinning-Leiste) mit den Wärmesenken
4 (Heat Sink) geschieht in einfacher Form.
Mittels der Erfindung wird die Optimierung des gesamten Sy
stemes eines Leistungshalbleiterelementes mit den oben be
schriebenen Elementen zur Herstellung eines vollständigen
elektronischen Bauteiles erreicht. Dabei ist für eine hohe
Wärmeabfuhr jeweils ein möglichst reines Metall zu verwenden.
Außerhalb der aus Kunststoff bestehenden Chipumhüllung sind
besonders bearbeitete Oberflächen vorteilhaft. Kostengünstige
Reinmetalle mit hoher Leitfähigkeit sind z. B. Elektrolytkup
fer und Elektrolytaluminium. Eine besondere Oberflächenbe
handlung kann z. B. bei Aluminium durch eine Eloxierung aufge
bracht werden. Weiterhin können standardisierte kommerzielle
Kühlrippen erzeugt werden. Durch eine Schwarzfärbung wird
allgemein die Wärmestrahlung nach außen hin erhöht. Das Elox
al verhindert Korrosion.
Metallendlosbänder sind derart standardisiert, daß sie ko
stengünstig beziehbar sind. Es werden keinerlei erhöhte An
forderungen an Walzkörper gestellt, wenn die Bandstärke ein
heitlich ist. Damit werden qualitativ gute Bänder ohne Wel
ligkeiten herstellbar sein.
Zur einfachen Montage zwischen dem Band 6 und dem dem Band 7
eignen sich in besonderer Weise Widerstandsschweißverfahren.
Diese Schweißverfahren erzeugen eine stoffschlüssige Verbin
dung. Dabei werden beispielsweise Einpulsverfahren mit einer
Pulsdauer von 3 bis 10 ms eingesetzt. Als Fügeparameter, der
als Kondensatorentladung arbeitenden Systeme werden die Elek
trodenkraft (Widerstandspreßschweißen) und die Schweißenergie
eingestellt. Für die Fügung sind Buckel- bzw. Winkelanordnun
gen in Anlehnung an amerikanische Standards vorteilhaft.
Ein für die Einsteckmontage der Anschlußstifte 3 notwendiges
Biegewerkzeug wird gleichzeitig zum gegenseitigen Andrücken
verwendet. Dabei ist es denkbar, daß dies als eine Stromzange
verwendet wird, d. h. daß es Druck ausübt und Energie über
trägt. Eine Teilefixierung und Bereitstellung entfällt, wie
sie beispielsweise beim Laserpunktschweißen notwendig wäre.
Eine extrem kurze Impulsdauer verhindert eine große Wärmeein
flußzone, so daß eine geringe Materialerweichung und somit
ein kleiner Verfärbungshof in der Umgebung der Schweißverbin
dung entstehen. Somit können u. U. vorher eingebrachte Materi
aleigenschaften weitestgehend erhalten bleiben.
Falls die geometrischen Gegebenheiten es zulassen, kann bei
spielsweise auch ein Reibschweißverfahren eingesetzt werden.
Weiterhin ist denkbar, ein Elektrodenstrahl-Schweißverfahren
zu verwenden. Ein Laserschweißverfahren stößt bei unter
schiedlichen zu verbindenden Metallen an seine Grenzen. Wei
terhin ist denkbar, mittels der Erfindung auch SMD-Bauelemente
(Surface Mounted Device) herzustellen, da auch
hier eine wesentliche Verbiegung der Anschlußbeinchen in An
schluß an die Kunststoffumspritzung notwendig sein kann.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungs
bauelementes, das aus einem gehäusten Chip mit einem Leadframe
(5) besteht, und das Leadframe (5) aus einem die elektri
schen Anschlußbeinchen (3) darstellenden Leadframe (1) mit
geringer Materialstärke und einem eine Wärmesenke (4) dar
stellenden, aus dem Gehäuse herausragenden Metallteil mit
größerer Materialstärke zusammengesetzt ist, wobei zur Her
stellung mindestens zwei entsprechend strukturierte Bänder
(6, 7) mit wesentlich differierender Materialstärke eingesetzt
werden, wovon das dünnere Band (6) eine Vielzahl von Leadfra
mes (1) und das dickere Band (7) eine Vielzahl von Wärmesen
ken (4) aufweist, die bei gleicher Teilung korrespondierend
in Kontakt gebracht werden, durch ein Widerstandsschweißver
fahren jeweils miteinander verschweißt werden und aus jeweils
unterschiedlichen Metallen oder deren Legierungen bestehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Leadframe (1) aus
Kupfer oder einer Kupferlegierung und die Wärmesenke (4) aus
Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Widerstands
schweißverfahren ein Widerstandspreß-Schweißverfahren ist.
4. Leistungshalbleiterelement mit nach außen herausragender
Wärmesenke (4) und Anschlußstiften (3) zur Einsteckmontage,
das nach einem Verfahren entsprechend einem der Ansprüche 1
bis 3 hergestellt ist, bei dem das Leadframe (5) aus einem
Leadframe (1) mit Anschlußstiften (3) und der Wärmesenke (4)
besteht, die jeweils aus unterschiedlichen Metallen oder de
ren Legierungen bestehen und unterschiedliche Materialstärken
aufweisen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19544347A DE19544347A1 (de) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes und Leistungshalbleiterelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19544347A DE19544347A1 (de) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes und Leistungshalbleiterelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19544347A1 true DE19544347A1 (de) | 1997-06-05 |
Family
ID=7778613
Family Applications (1)
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DE19544347A Ceased DE19544347A1 (de) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes und Leistungshalbleiterelement |
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8131 | Rejection |