JPH04215435A - 金属層部分を除去するためのリフトオフ方法 - Google Patents
金属層部分を除去するためのリフトオフ方法Info
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- JPH04215435A JPH04215435A JP2826791A JP2826791A JPH04215435A JP H04215435 A JPH04215435 A JP H04215435A JP 2826791 A JP2826791 A JP 2826791A JP 2826791 A JP2826791 A JP 2826791A JP H04215435 A JPH04215435 A JP H04215435A
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【開示の概要】この発明はリフトオフ方法に関するもの
であり、かつより特定的には誘電体ポリマー層において
形成された凹所または溝に金属層を堆積するために適用
される方法に関するものである。
であり、かつより特定的には誘電体ポリマー層において
形成された凹所または溝に金属層を堆積するために適用
される方法に関するものである。
【０００２】化学的リフトオフ方法が公知であり、それ
らは、除去されるべき領域の下に試薬に可溶な中間層を
位置決めすることにより、物理的（スパッタリングまた
は蒸着）または化学的（化学気相成長）方法から結果と
して生じる堆積物の一部を選択的に除去することを含む
。
らは、除去されるべき領域の下に試薬に可溶な中間層を
位置決めすることにより、物理的（スパッタリングまた
は蒸着）または化学的（化学気相成長）方法から結果と
して生じる堆積物の一部を選択的に除去することを含む
。
【０００３】従来の化学的リフトオフ方法のいくつかの
ステップが特定の応用の部分として図１から図３に示さ
れ、ここにおいて基板において形成された溝を充填する
ことが所望される。
ステップが特定の応用の部分として図１から図３に示さ
れ、ここにおいて基板において形成された溝を充填する
ことが所望される。
【０００４】その上に中間リフトオフ層２が堆積される
基板１を使用する。それから図１に示されるように、層
２がエッチングされて層２の部分が溝３の上に横たわる
ように溝３が基板１において形成される。
基板１を使用する。それから図１に示されるように、層
２がエッチングされて層２の部分が溝３の上に横たわる
ように溝３が基板１において形成される。
【０００５】図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示されるよ
うな次のステップの間に、溝を充填することが意図され
る材料、通常は金属４、が堆積される。この材料は、そ
れが垂直に成長するように指向性の方法を通して堆積さ
れる。図２（Ａ）の例は、パターンの垂直壁上に堆積す
ることのない理想的な指向性の堆積に対応する。それは
、たとえば、放出の立体角が十分小さいときに真空蒸着
を通して形成されるアルミニウム堆積の場合である。 図２（Ｂ）は指向性が制限される場合に対応し、それは
たとえば銅スパッタリングの場合である。後者の場合に
おいて、リフトオフ層２の横の端縁は部分的にコーティ
ングされる。図２（Ａ）の場合に戻るためには、金属堆
積物の表面部分を除去する予備的な非指向性エッチング
ステップを提供することが必要である。
うな次のステップの間に、溝を充填することが意図され
る材料、通常は金属４、が堆積される。この材料は、そ
れが垂直に成長するように指向性の方法を通して堆積さ
れる。図２（Ａ）の例は、パターンの垂直壁上に堆積す
ることのない理想的な指向性の堆積に対応する。それは
、たとえば、放出の立体角が十分小さいときに真空蒸着
を通して形成されるアルミニウム堆積の場合である。 図２（Ｂ）は指向性が制限される場合に対応し、それは
たとえば銅スパッタリングの場合である。後者の場合に
おいて、リフトオフ層２の横の端縁は部分的にコーティ
ングされる。図２（Ａ）の場合に戻るためには、金属堆
積物の表面部分を除去する予備的な非指向性エッチング
ステップを提供することが必要である。
【０００６】最後に、上にコーティングされた金属を除
去する間に除去される層２を化学的にエッチングする。 この目的のために、層２の端縁は図２（Ａ）の場合での
ようにはっきりしていなければならない。このことが、
図２（Ｂ）の場合において、図２（Ａ）の場合に復元す
るためにエッチングステップが与えられる理由である。 このように、溝３が金属４で充填される図３の構造を得
る。
去する間に除去される層２を化学的にエッチングする。 この目的のために、層２の端縁は図２（Ａ）の場合での
ようにはっきりしていなければならない。このことが、
図２（Ｂ）の場合において、図２（Ａ）の場合に復元す
るためにエッチングステップが与えられる理由である。 このように、溝３が金属４で充填される図３の構造を得
る。
【０００７】この化学的リフトオフ方法は通常、集積回
路を製造するために用いられるが、除去されるべき領域
が広い表面を占める場合における動作の持続期間に関し
て主な欠点を有する。
路を製造するために用いられるが、除去されるべき領域
が広い表面を占める場合における動作の持続期間に関し
て主な欠点を有する。
【０００８】層２はポリシロキサンから成り得る。この
場合、フッ化水素酸浴は、金属層４下のこの層を１分に
つき約１０ミクロンの速度でエッチングすること、すな
わち約１ｍｍ２ の表面を有し、集積回路チップにおけ
る相互接続アレイの製造には従来的な大きさを有する除
去されるべき領域に対して１時間位のエッチング期間を
許容する。
場合、フッ化水素酸浴は、金属層４下のこの層を１分に
つき約１０ミクロンの速度でエッチングすること、すな
わち約１ｍｍ２ の表面を有し、集積回路チップにおけ
る相互接続アレイの製造には従来的な大きさを有する除
去されるべき領域に対して１時間位のエッチング期間を
許容する。
【０００９】化学的リフトオフ方法のいくつかの欠点を
避けるために、米国特許番号４，８７１，６５１は低温
リフトオフ方法を提供し、ここにおいて請求項１に示さ
れるように、“基板の表面上の所望されたパターンでの
レジスト材料の層であって、前記基板は前記レジスト材
料のそれとは異なる熱膨脹係数を有する、レジスト材料
の層”が提供され、それから金属が表面上に堆積され、
かつ層にされた物品は“前記レジスト層を前記基板の前
記表面から引離させるのに十分低い温度”に当てられる
。
避けるために、米国特許番号４，８７１，６５１は低温
リフトオフ方法を提供し、ここにおいて請求項１に示さ
れるように、“基板の表面上の所望されたパターンでの
レジスト材料の層であって、前記基板は前記レジスト材
料のそれとは異なる熱膨脹係数を有する、レジスト材料
の層”が提供され、それから金属が表面上に堆積され、
かつ層にされた物品は“前記レジスト層を前記基板の前
記表面から引離させるのに十分低い温度”に当てられる
。
【００１０】米国特許４，８７１，６５１のサブクレー
ムにおいて示されたように、基板は好ましくは半導体で
あり、かつリフトオフ層はフォトレジスト材料である。 基板およびリフトオフ層は、それらの熱膨張係数が明ら
かに異なるように別個の本質を有することが必要である
。
ムにおいて示されたように、基板は好ましくは半導体で
あり、かつリフトオフ層はフォトレジスト材料である。 基板およびリフトオフ層は、それらの熱膨張係数が明ら
かに異なるように別個の本質を有することが必要である
。
【００１１】他方、米国特許４，４４８，６３６はレー
ザ援助リフトオフ方法を説明し、ここにおいて金属はポ
リマーで局部的にコーティングされた基板上に堆積され
る。レーザビーム放射によって金属との界面におけるポ
リマーのガスが抜け、かつ金属の分離が起こる。ポリマ
ーの分解に基づくこの方法は実現するのが複雑である。
ザ援助リフトオフ方法を説明し、ここにおいて金属はポ
リマーで局部的にコーティングされた基板上に堆積され
る。レーザビーム放射によって金属との界面におけるポ
リマーのガスが抜け、かつ金属の分離が起こる。ポリマ
ーの分解に基づくこの方法は実現するのが複雑である。
【００１２】この発明の目的は、基板が金属で充填され
ることを意図された溝を与えられた絶縁ポリマーである
場合に実現するのが簡単なリフトオフ方法を提供するこ
とである。この場合において、ポリマーと通常リフトオ
フ材料（レジスト、フォトレジスト）との間の熱膨張係
数の差があまりにも低いので、米国特許出願４，８７１
，６５１に従う方法は用いられ得ない。
ることを意図された溝を与えられた絶縁ポリマーである
場合に実現するのが簡単なリフトオフ方法を提供するこ
とである。この場合において、ポリマーと通常リフトオ
フ材料（レジスト、フォトレジスト）との間の熱膨張係
数の差があまりにも低いので、米国特許出願４，８７１
，６５１に従う方法は用いられ得ない。
【００１３】
【発明の概要】この目的および他の目的を達成するため
に、この発明は金属層の一部のリフトオフ方法を提供し
、ここにおいて金属層のこの部分は中間層の対応する部
分の介在を有して誘電体ポリマー基板上に形成され、次
の−金属層に関して低い付着力の界面を有するように中
間層の材料を選択するステップと、−前記界面において
分離を引起こす機械的応力を構造に与えるステップと、
−中間層を化学的に除去するステップとを含む。
に、この発明は金属層の一部のリフトオフ方法を提供し
、ここにおいて金属層のこの部分は中間層の対応する部
分の介在を有して誘電体ポリマー基板上に形成され、次
の−金属層に関して低い付着力の界面を有するように中
間層の材料を選択するステップと、−前記界面において
分離を引起こす機械的応力を構造に与えるステップと、
−中間層を化学的に除去するステップとを含む。
【００１４】この発明の変形に従って、中間層はそれら
の界面が低い付着力を有するような副層のサンドイッチ
を含む。
の界面が低い付着力を有するような副層のサンドイッチ
を含む。
【００１５】この発明の実施例に従って、機械的応力は
熱衝撃の結果として生じる。この発明の実施例に従って
、中間層はポリシロキサンであり、基板はポリイミドで
ある。
熱衝撃の結果として生じる。この発明の実施例に従って
、中間層はポリシロキサンであり、基板はポリイミドで
ある。
【００１６】この発明の実施例に従って、第１の副層は
ポリシロキサンのような材料を含み、かつ第２の副層は
金属を含み、２つの副層の材料は別個の熱膨張係数を有
する。
ポリシロキサンのような材料を含み、かつ第２の副層は
金属を含み、２つの副層の材料は別個の熱膨張係数を有
する。
【００１７】この発明の実施例に従って、機械的除去ス
テップは流体噴射の付与を含む。この発明の実施例に従
って、熱衝撃はアニーリングを行ない引き続き周囲の温
度で冷却を行なう結果として生じるか、または逆に、液
体窒素へ液浸し、その後周囲の温度まで暖める結果とし
て生じる。
テップは流体噴射の付与を含む。この発明の実施例に従
って、熱衝撃はアニーリングを行ない引き続き周囲の温
度で冷却を行なう結果として生じるか、または逆に、液
体窒素へ液浸し、その後周囲の温度まで暖める結果とし
て生じる。
【００１８】この発明の先のおよび他の目的、特徴なら
びに利点は、添付の図面に示されたような好ましい実施
例の次の詳細な説明から明らかとなるであろう。
びに利点は、添付の図面に示されたような好ましい実施
例の次の詳細な説明から明らかとなるであろう。
【００１９】
【好ましい実施例の説明】この発明の主要なステップは
先行技術の化学的リフトオフ方法と同じ図１から図３に
よって説明され得る。この発明は中間層２を選択しかつ
除去する方法において先行技術と異なり、かつ基板（ま
たは基板を形成するユニットの上部層）が誘電体ポリマ
ーである場合に関連する。
先行技術の化学的リフトオフ方法と同じ図１から図３に
よって説明され得る。この発明は中間層２を選択しかつ
除去する方法において先行技術と異なり、かつ基板（ま
たは基板を形成するユニットの上部層）が誘電体ポリマ
ーである場合に関連する。
【００２０】化学的リフトオフ方法の場合において、中
間層２は、金属４および基板１に関して選択的に、化学
的にエッチング可能なように選択される。米国特許４，
８７１，６５１において、中間層は基板のそれと別個の
熱膨脹係数を有するように選択される。この発明に従っ
て、機械的応力が金属の分離を引起こすように上部金属
層４との非常に低い付着特性を有する中間層２を選択す
る。この機械的応力はたとえば熱衝撃の結果として生じ
得る。このように、図２（Ａ）または図２（Ｂ）の構造
をもたらすステップが一度達成されると、高温アニーリ
ング（約１００度）を行った後周囲の温度までの冷却を
通してか、または逆に液体窒素において硬化してその後
周囲の温度まで暖めることによって、熱衝撃は作られ得
る。金属４および中間層２の膨脹係数間の差から生じる
機械的応力は、低い付着力の界面において金属の分離を
引起こす。このように、中間層２の上方に位置された層
４の部分は熱衝撃によって除去される。この除去はたと
えば圧縮空気のような流体噴射を発射することによって
向上され得る。
間層２は、金属４および基板１に関して選択的に、化学
的にエッチング可能なように選択される。米国特許４，
８７１，６５１において、中間層は基板のそれと別個の
熱膨脹係数を有するように選択される。この発明に従っ
て、機械的応力が金属の分離を引起こすように上部金属
層４との非常に低い付着特性を有する中間層２を選択す
る。この機械的応力はたとえば熱衝撃の結果として生じ
得る。このように、図２（Ａ）または図２（Ｂ）の構造
をもたらすステップが一度達成されると、高温アニーリ
ング（約１００度）を行った後周囲の温度までの冷却を
通してか、または逆に液体窒素において硬化してその後
周囲の温度まで暖めることによって、熱衝撃は作られ得
る。金属４および中間層２の膨脹係数間の差から生じる
機械的応力は、低い付着力の界面において金属の分離を
引起こす。このように、中間層２の上方に位置された層
４の部分は熱衝撃によって除去される。この除去はたと
えば圧縮空気のような流体噴射を発射することによって
向上され得る。
【００２１】この方法は、層２の端縁がはっきりしてお
り、かつさらなるエッチングをすることなしに熱衝撃が
図２（Ｂ）の構造と類似した構造で達成され得るという
ことを意味しないということが注目されるであろう。
り、かつさらなるエッチングをすることなしに熱衝撃が
図２（Ｂ）の構造と類似した構造で達成され得るという
ことを意味しないということが注目されるであろう。
【００２２】それから、中間層２はその全表面上で選択
的な化学的エッチングを通して除去され、先行技術での
ような図３の構造を形成する。横方向にではなく層に垂
直に実行されるこのエッチングは迅速であり得る。
的な化学的エッチングを通して除去され、先行技術での
ような図３の構造を形成する。横方向にではなく層に垂
直に実行されるこのエッチングは迅速であり得る。
【００２３】この発明の方法において、中間層２は、そ
れの実質的に堆積されるであろう金属層４との付着が、
熱衝撃の結果として生じる応力のような機械的応力を与
えた後で分離を引起こすのに十分低いように、選択され
る。ポリシロキサンから成るリフトオフ層およびタング
ステンまたは銅の金属層についての申し分のない検査が
発明者により行われた。
れの実質的に堆積されるであろう金属層４との付着が、
熱衝撃の結果として生じる応力のような機械的応力を与
えた後で分離を引起こすのに十分低いように、選択され
る。ポリシロキサンから成るリフトオフ層およびタング
ステンまたは銅の金属層についての申し分のない検査が
発明者により行われた。
【００２４】しかしながら、その除去がリフトオフ動作
を通して達成されるいくらかの金属または他の特定の材
料に対して、この発明に従う方法を実現するために低い
付着を有しかつ堆積するのが簡単な材料が公知でないか
もしれない。その場合、この発明は、図４から図８に示
されたように、低い相互付着を有する少なくとも２つの
副層のサンドイッチにより構成される複合中間層の利用
を提供する。
を通して達成されるいくらかの金属または他の特定の材
料に対して、この発明に従う方法を実現するために低い
付着を有しかつ堆積するのが簡単な材料が公知でないか
もしれない。その場合、この発明は、図４から図８に示
されたように、低い相互付着を有する少なくとも２つの
副層のサンドイッチにより構成される複合中間層の利用
を提供する。
【００２５】図４はこの方法のこの変形を実現する初め
のステップを示す。基板１上で、中間層２はサンドイッ
チを含み、その下部層１０はたとえばポリシロキサンか
ら成る、かつ上部層たとえば銅から成る。
のステップを示す。基板１上で、中間層２はサンドイッ
チを含み、その下部層１０はたとえばポリシロキサンか
ら成る、かつ上部層たとえば銅から成る。
【００２６】その後、図５に示されるように、溝３がエ
ッチングされ、少なくともサンドイッチ１０、１１の一
部が溝の上に突出する。
ッチングされ、少なくともサンドイッチ１０、１１の一
部が溝の上に突出する。
【００２７】それから、その溝３が充填されるべき金属
Ｍが堆積される。図６は図２（Ｂ）と類似した場合を示
し、ここでこの金属堆積は完全に指向性ではなく、かつ
サンドイッチ１０、１１の垂直端縁は部分的にコーティ
ングされる。
Ｍが堆積される。図６は図２（Ｂ）と類似した場合を示
し、ここでこの金属堆積は完全に指向性ではなく、かつ
サンドイッチ１０、１１の垂直端縁は部分的にコーティ
ングされる。
【００２８】図６の状態から図７の状態への移行はこの
発明に従う熱衝撃を与えることにより得られる。それか
ら、層１１および上にある金属は層１０から引離され、
層１０は決った場所に残りかつその後図８に示されるよ
うな化学的エッチングを通して除去される。
発明に従う熱衝撃を与えることにより得られる。それか
ら、層１１および上にある金属は層１０から引離され、
層１０は決った場所に残りかつその後図８に示されるよ
うな化学的エッチングを通して除去される。
【００２９】図９は接続ライン間のバイアを達成するた
めのリフトオフ方法の従来的な使用を示す。構造１はポ
リイミドのような絶縁体２２でコーティングされた平行
金属ストリップ２１がその上に形成されている支持部２
０に対応する。この絶縁体２２はいわゆる基板を構成す
る。溝３がこの絶縁体において形成され、かつこれらの
溝を充填するのに役立ちかつバイアを形成する金属Ｍが
この発明に従う方法を用いることにより堆積される。金
属バイアを介して金属下方層２１と接触する第２の金属
層２３は、この発明に従う方法を再び用いることにより
ストリップに従ってその後堆積されかつエッチングされ
る。
めのリフトオフ方法の従来的な使用を示す。構造１はポ
リイミドのような絶縁体２２でコーティングされた平行
金属ストリップ２１がその上に形成されている支持部２
０に対応する。この絶縁体２２はいわゆる基板を構成す
る。溝３がこの絶縁体において形成され、かつこれらの
溝を充填するのに役立ちかつバイアを形成する金属Ｍが
この発明に従う方法を用いることにより堆積される。金
属バイアを介して金属下方層２１と接触する第２の金属
層２３は、この発明に従う方法を再び用いることにより
ストリップに従ってその後堆積されかつエッチングされ
る。
【００３０】この発明に従う方法が、低い付着を有する
２つの低い層を引離すために機械的応力を与えるための
手段としての熱衝撃の付与と関連して説明された。流体
噴射、超音波、等を直接与えることのような他の手段、
またはこれらの手段の組合せが用いられ得る。
２つの低い層を引離すために機械的応力を与えるための
手段としての熱衝撃の付与と関連して説明された。流体
噴射、超音波、等を直接与えることのような他の手段、
またはこれらの手段の組合せが用いられ得る。
【図１】従来の化学的リフトオフ方法のステップを示す
。
。
【図２】従来の化学的リフトオフ方法のステップを示す
。
。
【図３】従来の化学的リフトオフ方法のステップを示す
。
。
【図４】この発明に従う方法の変形を示す。
【図５】この発明に従う方法の変形を示す。
【図６】この発明の方法に従う変形を示す。
【図７】この発明に従う方法の変形を示す。
【図８】この発明に従う方法の変形を示す。
【図９】リフトオフ方法の応用を示す。
１および２２は誘電体ポリマー、２は中間層、４は金属
層、１０および１１は副層である。
層、１０および１１は副層である。
Claims (10)
- 【請求項１】 金属層部分（４）を除去するためのリ
フトオフ方法であって、前記金属層部分は中間層（２）
の対応する部分を間に入れた状態で誘電体ポリマー基板
（１、２２）上に形成され、−前記中間層の材料が金属
層と低い付着界面を有するように選択するステップと、
−前記界面において前記金属の分離を引起こす機械的応
力を構造に与えるステップと、−前記中間層を化学的に
除去するステップとを含む、リフトオフ方法。 - 【請求項２】 前記機械的応力は熱衝撃の結果として
生じる、請求項１に記載のリフトオフ方法。 - 【請求項３】 前記中間層はポリシロキサンであり、
基板はポリイミドである、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 金属層部分を除去するためのリフトオ
フ方法であって、金属層の前記部分は中間層（２）の対
応する部分が間に入れられた状態で基板上に形成され、
−それらの界面が低い付着を有するように副層（１０、
１１）のサンドイッチに従って前記中間層（２）を形成
するステップと、−構造に機械的応力を与えて前記界面
における分離をもたらすステップと、−残余の副層を化
学的に除去するステップとを含む、リフトオフ方法。 - 【請求項５】 機械的応力は熱衝撃の結果として生じ
る、請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 第１の副層はポリシロキサンのような
材料を含み、かつ第２の副層は金属を含む、請求項４に
記載の方法。 - 【請求項７】 ２つの副層の材料は別個の熱膨張係数
を有する、請求項５に記載の方法。 - 【請求項８】 機械的除去ステップは流体噴射を与え
ることを含む、請求項１または４に記載の方法。 - 【請求項９】 熱衝撃はアニールを行ない引き続き周
囲の温度まで冷却する結果として生じる、請求項２また
は５に記載の方法。 - 【請求項１０】 熱衝撃は液体窒素へ液浸し、その後
周囲の温度まで暖める結果として生じる、請求項２また
は５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR90/02690 | 1990-02-23 | ||
| FR9002690A FR2658976A1 (fr) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Procede de lift-off (enlevement d'une couche par decollement d'une couche sous-jacente) mecanique. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215435A true JPH04215435A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=9394345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2826791A Withdrawn JPH04215435A (ja) | 1990-02-23 | 1991-02-22 | 金属層部分を除去するためのリフトオフ方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0443967B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04215435A (ja) |
| DE (1) | DE69110923T2 (ja) |
| FR (1) | FR2658976A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3683824A4 (en) * | 2017-12-05 | 2021-07-14 | Osong Medical Innovation Foundation | THIN FILM ELECTRODE SEPARATION PROCESS BY MEANS OF A COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4004044A (en) * | 1975-05-09 | 1977-01-18 | International Business Machines Corporation | Method for forming patterned films utilizing a transparent lift-off mask |
| JPS5621332A (en) * | 1979-07-31 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US4448636A (en) * | 1982-06-02 | 1984-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Laser assisted lift-off |
| JPS59107354A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-21 | Nitto Electric Ind Co Ltd | フオトレジストの剥離方法 |
| US4662989A (en) * | 1985-10-04 | 1987-05-05 | Honeywell Inc. | High efficiency metal lift-off process |
| US4871651A (en) * | 1988-06-27 | 1989-10-03 | Ford Motor Copmpany | Cryogenic process for metal lift-off |
-
1990
- 1990-02-23 FR FR9002690A patent/FR2658976A1/fr active Pending
-
1991
- 1991-02-19 EP EP19910420055 patent/EP0443967B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-19 DE DE1991610923 patent/DE69110923T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-22 JP JP2826791A patent/JPH04215435A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3683824A4 (en) * | 2017-12-05 | 2021-07-14 | Osong Medical Innovation Foundation | THIN FILM ELECTRODE SEPARATION PROCESS BY MEANS OF A COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0443967B1 (fr) | 1995-07-05 |
| FR2658976A1 (fr) | 1991-08-30 |
| EP0443967A1 (fr) | 1991-08-28 |
| DE69110923D1 (de) | 1995-08-10 |
| DE69110923T2 (de) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |