JPS59107354A - フオトレジストの剥離方法 - Google Patents

フオトレジストの剥離方法

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Publication number
JPS59107354A
JPS59107354A JP21762182A JP21762182A JPS59107354A JP S59107354 A JPS59107354 A JP S59107354A JP 21762182 A JP21762182 A JP 21762182A JP 21762182 A JP21762182 A JP 21762182A JP S59107354 A JPS59107354 A JP S59107354A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
metallic surface
medium
cooling medium
acrylic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21762182A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Yokota
横田 耕二
Tadaoki Oka
岡 忠興
Sanenobu Sonoda
園田 実信
Masahiro Fujinawa
正博 藤縄
Kazunori Mizutani
水谷 和則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP21762182A priority Critical patent/JPS59107354A/ja
Publication of JPS59107354A publication Critical patent/JPS59107354A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はアクリル系フ第1・レジストを金属面から剥
聞1する方法に関し、主に印刷回路板の作製に自″用な
上記剥1)j11方法に関する。
アクリル系フォトレジストは印刷回路板を作製するため
の)r′)J別として広く用いられている。この種の用
途にあっては、絶縁基板にます銅箔を接着−,1木化し
この」二にアクリル系フォトレジストを設Gjてなる印
刷回路用基板をつくり、これを露光。
す^像、エツチングして第1図に示される如き回路をつ
くる。ここ−C,lは絶縁基板、2は銅;Eis 3は
アクリル系フ第1・レジストである。
従来、かかる回路形成後塩化メチレンによってアクリル
系フォトレジスト3を溶解除去しさらに水bL乾燥して
印刷回路板(第2図参照)としていたが、この方法では
溶剤による。IJ性や溶解後の1発液の処理に面倒な問
題があった。しかも塩化メチレンの如き溶剤は溶解力か
大きく、銅fiと基板との接着一体化に用いられている
接着剤を侵す問題もあった。
この発明者らは、上記問題を解消するために鋭意検1い
]した結果、塩化メチレンの如き溶剤を全く用いないで
アクリル糸フオI・レジストを容易に剥!’ill;’
 Lうる方71、を見い出した。すなわち、この発明は
、71i1 F’hその他の金属面に接着されたアクリ
ル系フォトレジストを0℃以下の冷媒中で急冷すること
により」1記金属而から剥割することを特徴とするフ第
1・レジスI・の酸比11方法に係るものである。
このように、この発明は、アクリル系フォトレジストが
これをO℃以下に急冷したとき著しく収縮、脆化し、こ
の性状変化によって金属面から容易に1日1[脱するに
至ることを知り、またかかる急冷処理を行なっても銅箔
などの金属板の回路構成にはなんら悪影響をおよぼさず
、従来の塩化メチレン法によるものに比しまさるとも劣
らない回路性能か得られることを知り、なされたもので
ある。
この発明に適用されるアクリル系フォトレジストは従来
公知のものでよく、好ましくはフィルム状のものであっ
てこれを銅箔などにロール熱圧着させたものか用いられ
る。このフォトレジストと金属板面の接着力(180度
剥離接着力)としては通常約107/ 10 +nmr
ll程度であるのか望ましいが、これより大きくてもあ
るいは小さくても差し支えない。
この接着一体化されたアクリル系フォトレジストを、と
くに回路用基板では所要の露光、現像。
エツチングコニよi↓を径て回路形成を行なったのち、
0℃以下、好ましくは−20−C以下通常−20+) 
℃までの冷媒中で急冷する。冷媒は液体であってもよく
、たとえば液化窒素、液化炭酸ガス、ドライアイス−メ
タノール混合系あるいはこれら液媒で冷却されたガス雰
囲気など任意に選択できる。
冷媒処理の11h間は冷媒の/l’ll’L度によって
異なり、その温度に応じてまた冷媒の種類によって適宜
の時間を採用すれば2ヒい。−例として、ドライアイス
−メタノール系の冷媒中に浸漬する方式では、該冷媒の
温度が一20℃で20秒以内、−30℃で5秒以内、−
50℃以下で瞬時に、レジストの剥+’r’lがおこる
このような冷媒処m1後、必要に応じて電気掃除器のよ
うな減圧吸引6器で吸引除去するが、圧搾空気によって
吹き飛ばすかあるいは拭き取るなどの補助手段を付加す
ることにより、金属部に付着するアクリル系フォトレジ
ストを完全に除去することができる。
以」二のように、この発明は冷媒中で急冷することを特
徴とした:h+珀+1方法に係り、これによれは以下の
如き諸種の効果か得られる。
1、)物理的現象によって剥5′i1[を行うのでレジ
ストを固形状で除去できる。
26)毒性の強い溶剤を使用しなくてもよく安全衛生の
面で有効である。
:3.)冷媒の選定は自由に出来、銅箔表基板を接if
iしている接石剤を侵かすことかない。
4、)剥1411時間が数秒と非常に短いので作業時間
か短縮される。
5、)溶剤層1皿の場合は液濃度が上ると液交換をぜね
ばならず、しかも廃液処理をしなけれはならないか、こ
の発明ではこの点の心配がなく、公害対策」−でも省エ
ネルギ一対策上でも非常に効果がある。
J2J、下に、この発明の実施例を記載してより具体的
(こ説明する。
実施例 銅貼りガラスエポキシ板にアクリル系フォトレジスト(
テユボン製リストン#1220)を銅面にラミネートし
た。つぎに写真法を用い、エラチンフレシストを基板上
に形成した後、塩化第2鉄液をスプレーし、銅面をエツ
チングして回路を形成した。その後、あらかじめメチル
アルコ・−ル中にドライアイスを投入して調製した一5
5℃に保った溶液に、1)11記の回路形成基板をこの
液中に3〜5秒浸l晶したところ、J−’、 1iL!
レンストが銅面より固形状で剥I碓したのでこれを金、
+ttiによりすくぃ上は除去した。このようにしてイ
署られだ回路板は最終的に水洗を行い、水切り、乾y:
2s [、た。この工程中、回路板品質には何ら悪い影
響は認められなかった。
゛ンチンクした状態を示す断面図、第2図は上記状態の
基板からフォトレジストを除去してなる印刷回路板の断
面:ン1である。
2・・・・M ;Fi 、’ 3 ・・・・・アクリル
系フォトレジスト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属面に接着されたアクリル系フォトレジストを
    0℃以下の冷媒中で急冷することにより」−記金属而か
    ら剥離することを特徴とするフォトレジストの剥離方法
JP21762182A 1982-12-11 1982-12-11 フオトレジストの剥離方法 Pending JPS59107354A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21762182A JPS59107354A (ja) 1982-12-11 1982-12-11 フオトレジストの剥離方法

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JP21762182A JPS59107354A (ja) 1982-12-11 1982-12-11 フオトレジストの剥離方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59107354A true JPS59107354A (ja) 1984-06-21

Family

ID=16707159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21762182A Pending JPS59107354A (ja) 1982-12-11 1982-12-11 フオトレジストの剥離方法

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JP (1) JPS59107354A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2658976A1 (fr) * 1990-02-23 1991-08-30 Schiltz Andre Procede de lift-off (enlevement d'une couche par decollement d'une couche sous-jacente) mecanique.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2658976A1 (fr) * 1990-02-23 1991-08-30 Schiltz Andre Procede de lift-off (enlevement d'une couche par decollement d'une couche sous-jacente) mecanique.

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