JPH02202980A - 硬化ポリイミドの湿式エッチング方法 - Google Patents
硬化ポリイミドの湿式エッチング方法Info
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は充分にまたけ少なくとも実質上充分に硬化され
た、ポリイミド層のエツチングに関するものである。特
に本発明は充分にまたは少なくとも実質上充分に硬化さ
れた、ポリイミ)IIを除去するための湿式エツチング
法に関するものである。
た、ポリイミド層のエツチングに関するものである。特
に本発明は充分にまたは少なくとも実質上充分に硬化さ
れた、ポリイミ)IIを除去するための湿式エツチング
法に関するものである。
特に本発明は分離され【いる金属層間に選択的な金属結
合をさせるために互に金属層を分離している硬化された
ポリゴミ1層中に/#イア(vias)を形成するのに
好適である。さらに本発明は、回路の担体として用いら
れるボリイミ2に儂を造るのに有用である。
合をさせるために互に金属層を分離している硬化された
ポリゴミ1層中に/#イア(vias)を形成するのに
好適である。さらに本発明は、回路の担体として用いら
れるボリイミ2に儂を造るのに有用である。
パイプまたは開口部を作るため、ポリイミドフィルムを
選択的にエツチングすることは、ポリイミ)Fの各種の
用途において重要である。例えば、半導体チップのパッ
ケージに際して、基板にはポリイミド層がしばしば用い
られる。
選択的にエツチングすることは、ポリイミ)Fの各種の
用途において重要である。例えば、半導体チップのパッ
ケージに際して、基板にはポリイミド層がしばしば用い
られる。
この上うな状況において多くの場合、金属の異なる層間
に電気接続を作らせるためにポリイミド層中にバイアを
形成することが必要である。
に電気接続を作らせるためにポリイミド層中にバイアを
形成することが必要である。
この相互接続をできる限り正確に行うため、ポリイミド
フィルムは、所望のポリイミドパターンの変形をさげる
ため、また他の湿式処理用の薬剤の作用を予防するため
に、充分に硬化されることが必要である。
フィルムは、所望のポリイミドパターンの変形をさげる
ため、また他の湿式処理用の薬剤の作用を予防するため
に、充分に硬化されることが必要である。
例、tば、チップをマウントするための多層基板または
薄膜またはテープ自動化ボンディング(TAB)などの
形成に際し、金属性電導体パターンがその上に被着され
ているセラミック材料の絶縁性基板が用いられる。通常
電導体はクロムまたはニッケルの層、つぎに銅の層、つ
づいてクロムまたはニッケルの上部とからなる、3つの
金属の層である。この金属化されたセラミック基板の上
にポリイミ)11の層または膜が配置され;このポリイ
ミドの上にパターン化された電導体の第2の層が付与さ
れる。この電導体は一般にクロムまたはニッケル、つぎ
に鋼、つづいてクロムまたはニッケルの3つの金属層で
ある。
薄膜またはテープ自動化ボンディング(TAB)などの
形成に際し、金属性電導体パターンがその上に被着され
ているセラミック材料の絶縁性基板が用いられる。通常
電導体はクロムまたはニッケルの層、つぎに銅の層、つ
づいてクロムまたはニッケルの上部とからなる、3つの
金属の層である。この金属化されたセラミック基板の上
にポリイミ)11の層または膜が配置され;このポリイ
ミドの上にパターン化された電導体の第2の層が付与さ
れる。この電導体は一般にクロムまたはニッケル、つぎ
に鋼、つづいてクロムまたはニッケルの3つの金属層で
ある。
この上部または第2の金属層中の電導体の1部と、下部
または第1の金属層中の電導体の1部とを、電気的に接
続することが必要である。これを行うために上部と下部
の金属層間に金属接続を生じさせるべく、ポリイミドは
その中に所望のパイプを形成させるよう選択的にエツチ
ングしなければならない。
または第1の金属層中の電導体の1部とを、電気的に接
続することが必要である。これを行うために上部と下部
の金属層間に金属接続を生じさせるべく、ポリイミドは
その中に所望のパイプを形成させるよう選択的にエツチ
ングしなければならない。
充分llCまたは実質上充分に便化されたポリイミドを
湿式エツチングするための1つの方法は、ヒPラジンヒ
Pラードまたはエチレンジアミンのいずれかを使用する
ことである。いずれも極めて危険な化学薬品であり、で
きれば常に産業上使用することは避けるべきである。エ
チレンジアミンは発がん性の高いものであり、ヒPラジ
ンヒドラートは非常に不安定で、かつ極め【爆発性のあ
るものである。もし使用する場合は、両者とも安全性な
どの理由から極めて高価な装置を用いることになる。
湿式エツチングするための1つの方法は、ヒPラジンヒ
Pラードまたはエチレンジアミンのいずれかを使用する
ことである。いずれも極めて危険な化学薬品であり、で
きれば常に産業上使用することは避けるべきである。エ
チレンジアミンは発がん性の高いものであり、ヒPラジ
ンヒドラートは非常に不安定で、かつ極め【爆発性のあ
るものである。もし使用する場合は、両者とも安全性な
どの理由から極めて高価な装置を用いることになる。
硬化されたポリイミド層が、8〜15モルの高温の水酸
化カリウムのような強力な苛性アルカリ溶液を用いてエ
ツチングする方法が開発され、それkよりエツチング剤
としてのとrラジンヒPラードまたはエチレンジアミン
の使用に伴う、いくつかの問題が回避された。しかしな
がら、典型的にはこのエツチングは等方性であり、ノナ
イアのエツチングには不適当である。これに加えてエッ
チ断面はラフであり、エッチバリアとして金属を用いた
場合問題となるピンホールが存在する。
化カリウムのような強力な苛性アルカリ溶液を用いてエ
ツチングする方法が開発され、それkよりエツチング剤
としてのとrラジンヒPラードまたはエチレンジアミン
の使用に伴う、いくつかの問題が回避された。しかしな
がら、典型的にはこのエツチングは等方性であり、ノナ
イアのエツチングには不適当である。これに加えてエッ
チ断面はラフであり、エッチバリアとして金属を用いた
場合問題となるピンホールが存在する。
従ってポリイミ)s、特に充分にまたは少なくとも実質
上充分に硬化されたポリイミドをエツチングする方法は
必らずしも満足できるものではなく有意な改曳を必要と
する。
上充分に硬化されたポリイミドをエツチングする方法は
必らずしも満足できるものではなく有意な改曳を必要と
する。
本発明は、充分に硬化されたまたは実質上充分に硬化さ
れた、ポリイミド層をエツチングするための方法であっ
て、少なくとも約5モルの金属水酸化物と、少なくとも
約0.5モルの金属炭酸塩、金属硫酸塩および金属リン
酸塩からなる群より選ばれたものとの水溶液に、ポリイ
ミド層を接触させることからなるエツチング方法を提供
するものである。
れた、ポリイミド層をエツチングするための方法であっ
て、少なくとも約5モルの金属水酸化物と、少なくとも
約0.5モルの金属炭酸塩、金属硫酸塩および金属リン
酸塩からなる群より選ばれたものとの水溶液に、ポリイ
ミド層を接触させることからなるエツチング方法を提供
するものである。
本発明によるボリイミ?のエツチングは、滑らかなかつ
均一なエッチ断面を有するエツチングされた表面を生ず
る。さらにエツチングは異方性であり、エツチング工程
中のレジストのアンダーカットを着るしく減少させる。
均一なエッチ断面を有するエツチングされた表面を生ず
る。さらにエツチングは異方性であり、エツチング工程
中のレジストのアンダーカットを着るしく減少させる。
このアンダーカットの減少は、米国特許第4.292,
250号(この記述を参考に挙げてお()で述べられて
いるような永久的なし・シスト材料にとって殊に重要で
ある。
250号(この記述を参考に挙げてお()で述べられて
いるような永久的なし・シスト材料にとって殊に重要で
ある。
これに加えて、エッチバリアとして金属層が用いられる
方法において金属層面中のピンホールの効果が著るしく
減少される。
方法において金属層面中のピンホールの効果が著るしく
減少される。
ポリアミン酸はエツチング剤中に可溶性の相当するポリ
アミン酸塩を形成する塩基で触媒された加水分解を受は
易い。ポリイミドのエツチングは拡散−律速プロセスで
あり、非常に動き易い水酸化物は膜面に速やかに浸透す
る。炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩の機能は知られてい
ないが、これらのアニオンの存在は水酸化物の動き易さ
を著るしく減少させ、そこでポリアミン酸に対する水酸
化物の横方向の作用を減少させるものと考えられる。
アミン酸塩を形成する塩基で触媒された加水分解を受は
易い。ポリイミドのエツチングは拡散−律速プロセスで
あり、非常に動き易い水酸化物は膜面に速やかに浸透す
る。炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩の機能は知られてい
ないが、これらのアニオンの存在は水酸化物の動き易さ
を著るしく減少させ、そこでポリアミン酸に対する水酸
化物の横方向の作用を減少させるものと考えられる。
〔発明を行5ための最良の方法〕
本発明のエツチング方法は、充分にまたは少なくとも実
質上充分に硬化されたポリイミ)%のエツチングに関す
るものである。特に本発明の方法によりエツチングされ
た充分Kまたは少なくとも実質上充分に硬化されたボリ
イミH%は化学的におよび/または引き続く熱的処理で
閉環された相轟景の環を有するものである。本発明の好
ましい見地から硬化されたポリアミン酸は約100%の
イミIS化率を有している。本発明によって処理される
ポリイミドは、好ましくは化学的に硬化されたものであ
る。
質上充分に硬化されたポリイミ)%のエツチングに関す
るものである。特に本発明の方法によりエツチングされ
た充分Kまたは少なくとも実質上充分に硬化されたボリ
イミH%は化学的におよび/または引き続く熱的処理で
閉環された相轟景の環を有するものである。本発明の好
ましい見地から硬化されたポリアミン酸は約100%の
イミIS化率を有している。本発明によって処理される
ポリイミドは、好ましくは化学的に硬化されたものであ
る。
本発明によりエツチングできるポリイミドkは、未変性
ポリイミドおよびポリエステルイiP、ポリアミr−イ
ミP−エステル、ポリアミドーイミP、ポリシロキサン
−イミドのような変性イミド並びにその他の混合ポリイ
ミドが含まれる。このようなものは従来良く知られてお
り、特に詳細を説明する必要はない。
ポリイミドおよびポリエステルイiP、ポリアミr−イ
ミP−エステル、ポリアミドーイミP、ポリシロキサン
−イミドのような変性イミド並びにその他の混合ポリイ
ミドが含まれる。このようなものは従来良く知られてお
り、特に詳細を説明する必要はない。
−数的に、ボリイミFl類は以下のくり返し単位を含ん
でいる: R2は1〜4個の炭素原子をもつ2価の脂肪族炭化水素
&およびカルボニル、オキシ、スルホ、ヘキサフルオロ
イソプロピリデンとスルホニル基からなる群より選ばれ
、そしてR1は以下のものからなる群より選ばれた少な
くとも1つの2価の基である: ここでnは通常的10,000〜約100.000の分
子量を与えるためのくり返し単位の数を示す整数である
。Rは以下のものからなる群より選ばれた少なくとも1
つの4価の有機基である:R3はR2、シリコ、および
アミノ基などからなる群より選ばれた2価の有機基であ
る。2個またはそれ以上のRおよび/lたはR1基を含
む、特にアミr基を含んだ多重系(multiple
5eries)のR1を含むポリマーを使用することが
できる。
でいる: R2は1〜4個の炭素原子をもつ2価の脂肪族炭化水素
&およびカルボニル、オキシ、スルホ、ヘキサフルオロ
イソプロピリデンとスルホニル基からなる群より選ばれ
、そしてR1は以下のものからなる群より選ばれた少な
くとも1つの2価の基である: ここでnは通常的10,000〜約100.000の分
子量を与えるためのくり返し単位の数を示す整数である
。Rは以下のものからなる群より選ばれた少なくとも1
つの4価の有機基である:R3はR2、シリコ、および
アミノ基などからなる群より選ばれた2価の有機基であ
る。2個またはそれ以上のRおよび/lたはR1基を含
む、特にアミr基を含んだ多重系(multiple
5eries)のR1を含むポリマーを使用することが
できる。
市販のポリイミr前駆体(ポリアミック酸)およびデュ
ポン社からは各種のポリイミド前駆体がビラリンの商品
名の下に入手することができる。このポリイミド前駆体
は商品名PI−2555、PI−2545、PI−25
60、PI−5878、PIH−6j 454、および
PI−2540のもとにデュポン社から入手しうるビラ
リンポリイミド前駆体を含め多くの種類のものがある。
ポン社からは各種のポリイミド前駆体がビラリンの商品
名の下に入手することができる。このポリイミド前駆体
は商品名PI−2555、PI−2545、PI−25
60、PI−5878、PIH−6j 454、および
PI−2540のもとにデュポン社から入手しうるビラ
リンポリイミド前駆体を含め多くの種類のものがある。
これらの多くはピロメリト酸2無水物−オキシジアナリ
ン(PMDA−ODA)ポリイミド前駆体である。
ン(PMDA−ODA)ポリイミド前駆体である。
商業的に入手し5る化学的に硬化されたポリイミドはデ
ュポン社からの各種ポリイミ?であり、H−カプトン、
■−カプトン、IN−カプトン、およびVN−カプトン
を含め、カプトンの商品名のもとに入手でき、これはす
べて化学的に硬化されたポリイミ?である。この化学的
に硬化されたポリイミrは無水酢酸とピリジンとにより
一般に硬化される。
ュポン社からの各種ポリイミ?であり、H−カプトン、
■−カプトン、IN−カプトン、およびVN−カプトン
を含め、カプトンの商品名のもとに入手でき、これはす
べて化学的に硬化されたポリイミ?である。この化学的
に硬化されたポリイミrは無水酢酸とピリジンとにより
一般に硬化される。
本発明は充分にまたは少なくとも実質上充分に硬化され
たポリイミ)+1のエツチングに関するものであり、約
20〜約70%だけイミIF化されたものを含む部分的
に硬化されたポリイミドとは区別して考えられるべきで
ある。
たポリイミ)+1のエツチングに関するものであり、約
20〜約70%だけイミIF化されたものを含む部分的
に硬化されたポリイミドとは区別して考えられるべきで
ある。
本発明の方法はポリイξPの予め定められた区域を金属
水酸化物と金属の炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩からな
る群より選ばれたものとの混合物に接触させることによ
り行なわれる。これらの化合物の好ましい金属はアルカ
リ土類とアルカリ金属であり、もつとも好ましいものは
ナトリウムおよびカリウム化合物である。
水酸化物と金属の炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩からな
る群より選ばれたものとの混合物に接触させることによ
り行なわれる。これらの化合物の好ましい金属はアルカ
リ土類とアルカリ金属であり、もつとも好ましいものは
ナトリウムおよびカリウム化合物である。
エツチング溶液中の水酸化物濃度は約3モルから飽和ま
での範囲とすることができ、好ましくは約4〜約8モル
で、さらに好ましくは約6〜約7モルである。炭酸塩、
硫酸塩またはリン酸塩の濃度は約0.5〜約4.0モル
の範囲とすることができる。
での範囲とすることができ、好ましくは約4〜約8モル
で、さらに好ましくは約6〜約7モルである。炭酸塩、
硫酸塩またはリン酸塩の濃度は約0.5〜約4.0モル
の範囲とすることができる。
エツチングのための時間はエツチングされる膜の厚さに
依存し、代表的には約5〜約8分であり、好ましくは水
酸化カリウムと炭酸カリウムとを含む溶液をエツチング
剤として用いて、厚さ2ミリの膜を両面からエツチング
するのには約6〜7分である。
依存し、代表的には約5〜約8分であり、好ましくは水
酸化カリウムと炭酸カリウムとを含む溶液をエツチング
剤として用いて、厚さ2ミリの膜を両面からエツチング
するのには約6〜7分である。
エツチング液は一般に約75℃から溶液が沸と5するま
での温度にされ、好ましくは756〜100℃の温度で
ある。
での温度にされ、好ましくは756〜100℃の温度で
ある。
本発明の硼化されたポリイミドのエツチング方法は、ポ
リイミド層上に/臂ターンが形成されるプロセスに広く
応用でき、また既知の各種プレーエツチングまたはポス
ト−エツチング法を含む異った方式の工程と組合わせて
用いることもできる。例えば、このエツチング方法は熱
水中でポリイミドのブレソーキング工程を前におくこと
もできるし、および/または残留苛性アルカリを中和す
るためにエツチングされたポリイミドを酸と接触させる
工程を後におくこともできる。本発明とともに用いるこ
とができる追加の工程を含むエツチング方法は、198
8年7月13日に出願された本件出願人の米国特許出願
筒218,384号、「熱的にまたは化学的に硬化され
たポリイミドの湿式エツチング」中に詳しく述べられて
いる。これらの詳細および出願第21a、384号中に
述べられているような本件発明と組合わせて用いること
ができる湿式エツチング法の他の変法とを参考にここに
挙げておく。
リイミド層上に/臂ターンが形成されるプロセスに広く
応用でき、また既知の各種プレーエツチングまたはポス
ト−エツチング法を含む異った方式の工程と組合わせて
用いることもできる。例えば、このエツチング方法は熱
水中でポリイミドのブレソーキング工程を前におくこと
もできるし、および/または残留苛性アルカリを中和す
るためにエツチングされたポリイミドを酸と接触させる
工程を後におくこともできる。本発明とともに用いるこ
とができる追加の工程を含むエツチング方法は、198
8年7月13日に出願された本件出願人の米国特許出願
筒218,384号、「熱的にまたは化学的に硬化され
たポリイミドの湿式エツチング」中に詳しく述べられて
いる。これらの詳細および出願第21a、384号中に
述べられているような本件発明と組合わせて用いること
ができる湿式エツチング法の他の変法とを参考にここに
挙げておく。
出願第218.384号中に述べられたよ5k、苛性ア
ルカリ溶液と接触させてエツチングしたポリイミドは、
つぎに塩酸または硫酸のような強無機酸または酢酸のよ
うな有機酸と好ましくは約2〜約8モルの濃度で室温ま
たはそれ以上の温度で約1〜約5分間接触される。この
塩基浴と酸浴との間に1つの浴から他の浴に薬剤が移行
することにより浴が中和されるのを少なくするために水
洗操作を組み入れることがで自る。
ルカリ溶液と接触させてエツチングしたポリイミドは、
つぎに塩酸または硫酸のような強無機酸または酢酸のよ
うな有機酸と好ましくは約2〜約8モルの濃度で室温ま
たはそれ以上の温度で約1〜約5分間接触される。この
塩基浴と酸浴との間に1つの浴から他の浴に薬剤が移行
することにより浴が中和されるのを少なくするために水
洗操作を組み入れることがで自る。
化学的に硬化されたボリイミF+のエツチングのとき、
部分的にエツチングされたポリイミドがしばしば残留し
、「スAイダーウエデ」といわれているものを形成する
。この部分的にエツチングされたポリイミ)sは、塩酸
または硫酸のような酸と接触させるととにより、新たに
部分的にエツチングされたポリイミドを生成することな
く除去できる。クロムが存在しているときは、塩酸はク
ロムを侵食するから硫酸が使用される。
部分的にエツチングされたポリイミドがしばしば残留し
、「スAイダーウエデ」といわれているものを形成する
。この部分的にエツチングされたポリイミ)sは、塩酸
または硫酸のような酸と接触させるととにより、新たに
部分的にエツチングされたポリイミドを生成することな
く除去できる。クロムが存在しているときは、塩酸はク
ロムを侵食するから硫酸が使用される。
この工程は約70℃から酸組成物が沸と5するまでの温
度で行うことができるが、好ましくは約80℃で約3〜
約10分間行われる。
度で行うことができるが、好ましくは約80℃で約3〜
約10分間行われる。
この他必要ならばエツチング後にポリイミドは約95℃
の水のような熱水で約1〜約5分間、好ましくは約2分
間、リンスすることができる。
の水のような熱水で約1〜約5分間、好ましくは約2分
間、リンスすることができる。
これはつぎに構造体表面上の残留塩基を中和するため忙
希酸浴に漬けられ、さらに水洗される。
希酸浴に漬けられ、さらに水洗される。
全エツチング法の別の変法によれば化学的に硬化された
ボリイミ)11は熱水中でプレン−キングされ、本発明
のエツチングがつぎに行われる。
ボリイミ)11は熱水中でプレン−キングされ、本発明
のエツチングがつぎに行われる。
プレソーキングの水の温度は普遍的55〜95℃で好ま
しくは約70〜95℃であり、そして通常少なくとも約
50秒好ましくは約t5〜約2.5分であり、この時間
は膜の厚さにある程度債存している。例えば、厚さ2ミ
ルの膜には2分のノーキングで完全である。熱水は化学
的に硬化されたポリイミドを速やかに熱くしかつ膨潤さ
せる。この膨潤はエツチング溶液が膜に速やかに浸透す
ることを可能とし、同時に高められた温度は反応速度を
大きくする。本発明のこの方法のやり方で、化学的に硬
化されたポリイミドのエツチング速度は約2倍に増大す
る。
しくは約70〜95℃であり、そして通常少なくとも約
50秒好ましくは約t5〜約2.5分であり、この時間
は膜の厚さにある程度債存している。例えば、厚さ2ミ
ルの膜には2分のノーキングで完全である。熱水は化学
的に硬化されたポリイミドを速やかに熱くしかつ膨潤さ
せる。この膨潤はエツチング溶液が膜に速やかに浸透す
ることを可能とし、同時に高められた温度は反応速度を
大きくする。本発明のこの方法のやり方で、化学的に硬
化されたポリイミドのエツチング速度は約2倍に増大す
る。
硬化されたボリイミ)11を用いる各種の構造体におい
て、その上には銅の配線があり、ついで後のハンダ付は
工程のため金がメツキされる。
て、その上には銅の配線があり、ついで後のハンダ付は
工程のため金がメツキされる。
しかしながら、熱苛性アルカリ溶液によるポリイミドの
エツチングの間に銅の酸化が生じる傾向がある。酸化が
ひどい時には、酸化物のすべてをとり除くのは不可能で
はないが困難となる。
エツチングの間に銅の酸化が生じる傾向がある。酸化が
ひどい時には、酸化物のすべてをとり除くのは不可能で
はないが困難となる。
これはつぎの金メツキの妨げとなる。鋼の酸化は以下に
述べる方法によりとり除くことができる。それに加え、
述べられているようにホトレジストの改善された接着が
達成される。これらの方法はまたホトレ・シストのうξ
ネーションの品質の検査を可能くする。
述べる方法によりとり除くことができる。それに加え、
述べられているようにホトレジストの改善された接着が
達成される。これらの方法はまたホトレ・シストのうξ
ネーションの品質の検査を可能くする。
この特性を有する代表的な配置では、約2ミル厚み程度
のボリイミ)%基板は、その各表面上に約20OAのク
ロムのシーf層を、つぎに約800Aの銅のシーP層と
が付着される。
のボリイミ)%基板は、その各表面上に約20OAのク
ロムのシーf層を、つぎに約800Aの銅のシーP層と
が付着される。
つぎ忙ホトレジストが付与され、露光されそして現像さ
れて、後に比較的厚い銅がメツキされるための所望のノ
9ターンが作られる。
れて、後に比較的厚い銅がメツキされるための所望のノ
9ターンが作られる。
代表的なポジ型のホトレジストはフェノールホルムアル
デヒPノボラックポリマーを基礎とするものである。こ
のようなものの例はシップレイAZ−1350であり、
これはm−クレゾールホルムアルデヒrノボラックポリ
マー組成物である。この組成物はポ・ジ減レジストであ
り、この中には2−ジアゾ−1−ナフトール−5−スル
ホン酸エステルのようなジアゾケトンを含ん、でいる。
デヒPノボラックポリマーを基礎とするものである。こ
のようなものの例はシップレイAZ−1350であり、
これはm−クレゾールホルムアルデヒrノボラックポリ
マー組成物である。この組成物はポ・ジ減レジストであ
り、この中には2−ジアゾ−1−ナフトール−5−スル
ホン酸エステルのようなジアゾケトンを含ん、でいる。
このような組成物中でこのオルトジアゾケトンは、光化
学反応中にカルボン酸に変化する。これは、つぎに中性
の有機可溶性分子(フェノール性ポリマー)を、弱アル
カリ性の水性現像液中に容易に溶解するものく変化させ
る。
学反応中にカルボン酸に変化する。これは、つぎに中性
の有機可溶性分子(フェノール性ポリマー)を、弱アル
カリ性の水性現像液中に容易に溶解するものく変化させ
る。
この組成物は通常約1511量%またはその程度のジア
ゾケトン化合物を含んでいる。使用される商業的に入手
しうる別のネカ世のホトレジストはダイナケムUFであ
る。
ゾケトン化合物を含んでいる。使用される商業的に入手
しうる別のネカ世のホトレジストはダイナケムUFであ
る。
ホトレジストの現儂後、ホトレジストがとり除かれた基
板の両面上の区域に良く知られている方法で銅がメツキ
される。この鋼の厚さは代表的には約t1〜約14ミル
である。所望のパターン状に鋼をメツキした後で残留す
るポジ型ホトレジストは除去される。
板の両面上の区域に良く知られている方法で銅がメツキ
される。この鋼の厚さは代表的には約t1〜約14ミル
である。所望のパターン状に鋼をメツキした後で残留す
るポジ型ホトレジストは除去される。
つ!!#に別のホトレジスト、代表的に約1〜2ミル厚
さのものを、好ましくはラミネーションにより付与され
る。このホトレジストはひき続くカプトンのエツチング
のためにシーr金属中の画像を画定するために用いられ
る。
さのものを、好ましくはラミネーションにより付与され
る。このホトレジストはひき続くカプトンのエツチング
のためにシーr金属中の画像を画定するために用いられ
る。
このホトレジストは、ノ々ターン化されている鋼とまっ
たく同じに一致はしないから、ホトレジストと銅配線間
には材料のない区域が存在することになる。しかしなが
ら、銅配線に隣接するポリイミド表面上には、この段階
でシーP金属がまだ存在しているから、このものはポリ
イミrのひき続くエツチング工程に際して、配線のエッ
チパックを防止するエッチノ々リアとして作用するだろ
う。このホトレジスト層はネガ盤レジストであるのが好
ましい。
たく同じに一致はしないから、ホトレジストと銅配線間
には材料のない区域が存在することになる。しかしなが
ら、銅配線に隣接するポリイミド表面上には、この段階
でシーP金属がまだ存在しているから、このものはポリ
イミrのひき続くエツチング工程に際して、配線のエッ
チパックを防止するエッチノ々リアとして作用するだろ
う。このホトレジスト層はネガ盤レジストであるのが好
ましい。
本発明により用いられるホトレジストの例には、米国特
許第3.469.982号、同第3.52へ504号、
同第3.86ス153号および同第5,448,098
号と公開欧州特許出願第0049504号などで開示さ
れた、ネガ型あるいは光硬化性重合組成物が含まれ、こ
の開示をここに参考に挙げてお(。メチルメタクリレー
トおよびグリシジルアクリレートからのポリマー、およ
び/またはトリメチロールプロパントリアクリレートお
よびペンタエリスリトールトリアクリレートのようなポ
リアクリレートからのポリマーは、「リストン」の商品
名の下にイー・アイ・デュポン・ド・ネモアース社から
入手することができる。
許第3.469.982号、同第3.52へ504号、
同第3.86ス153号および同第5,448,098
号と公開欧州特許出願第0049504号などで開示さ
れた、ネガ型あるいは光硬化性重合組成物が含まれ、こ
の開示をここに参考に挙げてお(。メチルメタクリレー
トおよびグリシジルアクリレートからのポリマー、およ
び/またはトリメチロールプロパントリアクリレートお
よびペンタエリスリトールトリアクリレートのようなポ
リアクリレートからのポリマーは、「リストン」の商品
名の下にイー・アイ・デュポン・ド・ネモアース社から
入手することができる。
本発明により用いられるネガ型のホトレジストの例は、
「リストンT−16134の名称の下にイー・アイ・デ
、:L−ボン・ド・ネモアース社から入手できるような
、ポリメチルメタクリレートからのものである。
「リストンT−16134の名称の下にイー・アイ・デ
、:L−ボン・ド・ネモアース社から入手できるような
、ポリメチルメタクリレートからのものである。
[リストンT−168J はトリメチロールプロパン
トリアクリレートからのもののような架橋結合しうるモ
ノマーユニットとポリメチルメタクリレートとからのネ
ガ型ホトレジストである。
トリアクリレートからのもののような架橋結合しうるモ
ノマーユニットとポリメチルメタクリレートとからのネ
ガ型ホトレジストである。
ポリメチルメタクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、およびトリメチレングリコール・クア
七テートからネガをし・リストを作る詳細な説明は、米
15%許第486ス153号の実施例1中で見ることが
できる。現像1−5る水性ネガ型ホトレジストの例は、
公開欧州特許出願第0049504号中で述べられた実
施例23のようなもので、この開示を参考にとこに挙げ
ておく。ここで述べられた代表的なレジストはメチルメ
タクリレート、エチルアクリレート、およびアクリル酸
のコポリマーと、スチレンおよび無水マレイン酸イソデ
チルエステルのコポリマーとからのものである。
リアクリレート、およびトリメチレングリコール・クア
七テートからネガをし・リストを作る詳細な説明は、米
15%許第486ス153号の実施例1中で見ることが
できる。現像1−5る水性ネガ型ホトレジストの例は、
公開欧州特許出願第0049504号中で述べられた実
施例23のようなもので、この開示を参考にとこに挙げ
ておく。ここで述べられた代表的なレジストはメチルメ
タクリレート、エチルアクリレート、およびアクリル酸
のコポリマーと、スチレンおよび無水マレイン酸イソデ
チルエステルのコポリマーとからのものである。
この特別の順序の工程を用いるととくより、レジストが
シーr金属の除去された後でだけラミネートをされる従
来方法とは異なり、レジストは鋼だけの上に付与され、
そこで存在する鋼の配線をもつ主としてポリアミPにラ
ミネートされる。鋼に対するレジストの接着は着るしく
太き(、例えばポリイミドに対するものよりも約10倍
も大きい。
シーr金属の除去された後でだけラミネートをされる従
来方法とは異なり、レジストは鋼だけの上に付与され、
そこで存在する鋼の配線をもつ主としてポリアミPにラ
ミネートされる。鋼に対するレジストの接着は着るしく
太き(、例えばポリイミドに対するものよりも約10倍
も大きい。
ポリイミドかもレジストを脱ラミネートするKはいくつ
かの問題が認められたが、鋼からの場合にはない。さら
に従来のプロセスの場合にポリイミドからレジストを脱
ラミネートすると。
かの問題が認められたが、鋼からの場合にはない。さら
に従来のプロセスの場合にポリイミドからレジストを脱
ラミネートすると。
エッチバリアは破壊され、エツチング剤はポリイミr全
体を侵蝕することになろ50本発明の場合はシーP金属
がまだ存在しているのでこのようなことは生じない。さ
らにラミネータがレジストを適切にラミネートしないと
いった問題がラミネータにあっても、ポリイミドのエツ
チングに先立って明瞭に目視できる。一方、し・クスト
とポリゴミ2間のラミネート不良またはイヤツブは容易
には見られない。
体を侵蝕することになろ50本発明の場合はシーP金属
がまだ存在しているのでこのようなことは生じない。さ
らにラミネータがレジストを適切にラミネートしないと
いった問題がラミネータにあっても、ポリイミドのエツ
チングに先立って明瞭に目視できる。一方、し・クスト
とポリゴミ2間のラミネート不良またはイヤツブは容易
には見られない。
レジストはつぎに所望の、dターンに対し【露光され、
Ii儂化され、そしてついでネガ型しクストの場合には
適当な液体中で未露光部のシーr材料を溶解することに
より除去して現像される。このし・クストがりストンT
−168のときには、メチルクロロホルムまたは1゜1
.1−トリクロロエタンを用いて現像することができる
。
Ii儂化され、そしてついでネガ型しクストの場合には
適当な液体中で未露光部のシーr材料を溶解することに
より除去して現像される。このし・クストがりストンT
−168のときには、メチルクロロホルムまたは1゜1
.1−トリクロロエタンを用いて現像することができる
。
大きな特色は工程のこの時点でフラッシュエツチング法
を用いることであるゆこのフラッシュエツチングは、ポ
リイミドが後にエツチングされる位置の所からだけシー
r金属を除去し、そしてエッチパックを防ぐため銅配線
に隣り合うシーP金属は残留させておくというものであ
る。鋼を除去するためのフラッシュエツチングは塩化第
2鉄、塩化第2鋼、または過硫酸カリウムの典型的には
約0.1〜約5.0モルの水溶液ですることができ、例
えば塩化第2鉄の約0.1モル溶液で、はぼ周囲温度か
ら約65℃の温度、典型的には30℃の温度で約15〜
約180秒、典型的には約45秒とすることができる。
を用いることであるゆこのフラッシュエツチングは、ポ
リイミドが後にエツチングされる位置の所からだけシー
r金属を除去し、そしてエッチパックを防ぐため銅配線
に隣り合うシーP金属は残留させておくというものであ
る。鋼を除去するためのフラッシュエツチングは塩化第
2鉄、塩化第2鋼、または過硫酸カリウムの典型的には
約0.1〜約5.0モルの水溶液ですることができ、例
えば塩化第2鉄の約0.1モル溶液で、はぼ周囲温度か
ら約65℃の温度、典型的には30℃の温度で約15〜
約180秒、典型的には約45秒とすることができる。
クロム層に対するフラッシュエツチングには約10 f
/l〜約2009/l、典型的には60 f/1の過マ
ンガン酸カリウムと、約0.1〜約5.0モル。
/l〜約2009/l、典型的には60 f/1の過マ
ンガン酸カリウムと、約0.1〜約5.0モル。
典型的には約0.5モルのNa0I(どの溶液が用いら
れる。このエツチングはほぼ周囲温度から約70℃、典
型的には約35℃で約15〜約240秒、典型的には約
90秒で行なわれる(金属の厚さに依存する)。
れる。このエツチングはほぼ周囲温度から約70℃、典
型的には約35℃で約15〜約240秒、典型的には約
90秒で行なわれる(金属の厚さに依存する)。
つぎに、この露光されたポリイミドは少なくとも約3そ
ルの水酸化カリウムと少なくとも約0.5モルの炭酸カ
リウムとの溶液を用いてエツチングされる。
ルの水酸化カリウムと少なくとも約0.5モルの炭酸カ
リウムとの溶液を用いてエツチングされる。
レジストはついで適切な溶剤中で溶解することにより除
去される。例えば露光されたりストンT−168はメチ
レンクロライrで除去できる。
去される。例えば露光されたりストンT−168はメチ
レンクロライrで除去できる。
この後で残留するシーr金属の鋼とクロムとは前述の形
の第2回の7ラツシユエツチングにより除去される。こ
こで金メツキをするための準備は整った。
の第2回の7ラツシユエツチングにより除去される。こ
こで金メツキをするための準備は整った。
本発明をさらに理解するのを容易とするために、以下に
非限定的の実施例を示す: 実施例 1 厚さ5ミルのレジスト−パターン化され、充分く硬化さ
れたH−カプトン膜を705m1のH2Oに486tの
KOI(を加えて作った水性苛性アルカリエツチング液
中に浸けた。膜をエツチング剤中に95℃で5分間浸け
、ついで95℃の水中で2分間リンスした。レジストの
アンダーカットまたはエッチパックを測定し、その結果
97ミルであった。
非限定的の実施例を示す: 実施例 1 厚さ5ミルのレジスト−パターン化され、充分く硬化さ
れたH−カプトン膜を705m1のH2Oに486tの
KOI(を加えて作った水性苛性アルカリエツチング液
中に浸けた。膜をエツチング剤中に95℃で5分間浸け
、ついで95℃の水中で2分間リンスした。レジストの
アンダーカットまたはエッチパックを測定し、その結果
97ミルであった。
実施例 2〜15
実施例1の液に各種分量のに2CO5を加えたものをエ
ツチング液として用い【、実施例1の方法をくり返した
。この実施例1〜15の結果を以下の表中に示す: 15 450
0.65以上1本発明の詳細な説明したが、本発明は
さらに次の集施態様によってこれを要約して示すことが
できる。
ツチング液として用い【、実施例1の方法をくり返した
。この実施例1〜15の結果を以下の表中に示す: 15 450
0.65以上1本発明の詳細な説明したが、本発明は
さらに次の集施態様によってこれを要約して示すことが
できる。
1)充分に硬化されたまたは実質上充分に硬化された、
ポリイミド層をエツチングするための方法であって、少
なくとも約3モルの金属水酸化物と、少なくとも約(1
5モルの炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩からなる群より
選ばれたアニオンを含む金属化合物との水溶液にポリイ
ミド層を接触させることからなるエツチング方法。
ポリイミド層をエツチングするための方法であって、少
なくとも約3モルの金属水酸化物と、少なくとも約(1
5モルの炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩からなる群より
選ばれたアニオンを含む金属化合物との水溶液にポリイ
ミド層を接触させることからなるエツチング方法。
2)金属水酸化物濃度は約4〜約8そルである、前項1
記載の方法。
記載の方法。
3)アニオンの濃度は約15〜約2.5モルである、前
項1記載の方法。
項1記載の方法。
4)金属水酸化物はアルカリ土類またはアルカリ金属の
水酸化物である、前項1記載の方法。
水酸化物である、前項1記載の方法。
5)アニオンと組み合わされる金属はアルカリ土類また
はアルカリ金属である。前項1記載の方法。
はアルカリ金属である。前項1記載の方法。
6)ポリイミド層は化学的に硬化されたポリイミrであ
る、前項1記載の方法。
る、前項1記載の方法。
7)充分に硬化されたまたは実質上充分に硬化されたポ
リイミド層をエツチングするための方法であって、少な
くとも約3モルのアルカリ金属水酸化物と、少なくとも
約CL5モルのアルカリ金属炭酸塩との水溶液に、ポリ
イミr5を接触させることからなるエツチング方法。
リイミド層をエツチングするための方法であって、少な
くとも約3モルのアルカリ金属水酸化物と、少なくとも
約CL5モルのアルカリ金属炭酸塩との水溶液に、ポリ
イミr5を接触させることからなるエツチング方法。
8)アルカリ金属水酸化物濃度は約4〜約8モルである
、前項7記載の方法。
、前項7記載の方法。
9)アルカリ金属水酸化物濃度は約6〜約7モルである
、前項7記載の方法。
、前項7記載の方法。
10〕 アルカリ金属炭酸塩濃度は約15〜約2.5モ
ルである、前項7記載の方法。
ルである、前項7記載の方法。
11)アルカリ金属水酸化物濃度は約4〜約8モルであ
り、そしてアルカリ金属炭酸塩濃度は約15〜約2.5
モルである、前項7記載の方法。
り、そしてアルカリ金属炭酸塩濃度は約15〜約2.5
モルである、前項7記載の方法。
1のアルカリ金属水酸化物濃度は約6〜約7モルであり
、そしてアルカリ金属炭酸塩濃度は約15〜約2.5モ
ルである、前項7記載の方法。
、そしてアルカリ金属炭酸塩濃度は約15〜約2.5モ
ルである、前項7記載の方法。
13)アルカリ金属はカリウムである、前項7記載の方
法。
法。
14)アルカリ金属はナトリウムである、前項7記載の
方法。
方法。
15)アルカリ金属水酸化物とアルカリ金属炭酸塩との
溶液は、約75°〜約100℃の温度でポリイミド層に
接触させるものである、前項7記載の方法。
溶液は、約75°〜約100℃の温度でポリイミド層に
接触させるものである、前項7記載の方法。
16)ボリイミF%は化学的に硬化されたポリイミドで
ある、 前項7記載の方法。
ある、 前項7記載の方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)充分に硬化されたまたは実質上充分に硬化された、
ポリイミド層をエッチングするための方法であつて、少
なくとも約3モルの金属水酸化物と、少なくとも約0.
5モルの炭酸塩、硫酸塩およびリン酸塩からなる群より
選ばれたアニオンを含む金属化合物との水溶液に、ポリ
イミド層を接触させることからなるエッチング方法。 2)充分に硬化されたまたは実質上充分に硬化されたポ
リイミド層をエッチングするための方法であつて、少な
くとも約3モルのアルカリ金属水酸化物と、少なくとも
約0.5モルのアルカリ金属炭酸塩との水溶液に、ポリ
イミド層を接触させることからなるエッチング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/285,261 US4857143A (en) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Wet etching of cured polyimide |
US285261 | 1988-12-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02202980A true JPH02202980A (ja) | 1990-08-13 |
JPH0579274B2 JPH0579274B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=23093478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1295158A Granted JPH02202980A (ja) | 1988-12-16 | 1989-11-15 | 硬化ポリイミドの湿式エッチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4857143A (ja) |
EP (1) | EP0373374B1 (ja) |
JP (1) | JPH02202980A (ja) |
DE (1) | DE68907324T2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5183534A (en) * | 1990-03-09 | 1993-02-02 | Amoco Corporation | Wet-etch process and composition |
US5441770A (en) * | 1990-05-18 | 1995-08-15 | Shipley Company Inc. | Conditioning process for electroless plating of polyetherimides |
EP0529097B1 (en) * | 1991-03-12 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of manufacturing two-layer tab tape |
US5268260A (en) * | 1991-10-22 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use |
US5227008A (en) * | 1992-01-23 | 1993-07-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making flexible circuits |
US5242864A (en) * | 1992-06-05 | 1993-09-07 | Intel Corporation | Polyimide process for protecting integrated circuits |
US5264248A (en) * | 1992-08-03 | 1993-11-23 | General Electric Company | Adhesion of metal coatings of polypyromellitimides |
US5350487A (en) * | 1993-05-03 | 1994-09-27 | Ameen Thomas J | Method of etching polyimide |
US6218022B1 (en) | 1996-09-20 | 2001-04-17 | Toray Engineering Co., Ltd. | Resin etching solution and process for etching polyimide resins |
US6211468B1 (en) | 1998-08-12 | 2001-04-03 | 3M Innovative Properties Company | Flexible circuit with conductive vias having off-set axes |
US6063445A (en) * | 1998-08-17 | 2000-05-16 | Mcdonnell Douglas Corporation | Method of preparation of polymer substrates for metal plating |
US6177357B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-01-23 | 3M Innovative Properties Company | Method for making flexible circuits |
US6627034B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-09-30 | North Carolina State University | Pattern release film between two laminated surfaces |
US6691618B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-02-17 | Pisces-Print Imaging Sciences, Inc. | Chemical imaging of a lithographic printing plate |
US6315916B1 (en) * | 2000-05-08 | 2001-11-13 | Pisces-Print Image Sciences, Inc. | Chemical imaging of a lithographic printing plate |
US20040154489A1 (en) * | 2000-05-08 | 2004-08-12 | Deutsch Albert S. | Chemical imaging of a lithographic printing plate |
SG179379A1 (en) * | 2010-09-21 | 2012-04-27 | Rohm & Haas Elect Mat | Improved method of stripping hot melt etch resists from semiconductors |
TWI751568B (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 新應材股份有限公司 | 蝕刻劑組成物、增黏劑、鹼溶液、移除聚醯亞胺的方法以及蝕刻製程 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4078102A (en) * | 1976-10-29 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Process for stripping resist layers from substrates |
US4334949A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-15 | International Business Machines Corporation | Reducing carbonate concentration in aqueous solution |
US4353778A (en) * | 1981-09-04 | 1982-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of etching polyimide |
JPS5896632A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド系樹脂のエツチング方法 |
US4426253A (en) * | 1981-12-03 | 1984-01-17 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | High speed etching of polyimide film |
US4411735A (en) * | 1982-05-06 | 1983-10-25 | National Semiconductor Corporation | Polymeric insulation layer etching process and composition |
-
1988
- 1988-12-16 US US07/285,261 patent/US4857143A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-14 DE DE89121053T patent/DE68907324T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-14 EP EP89121053A patent/EP0373374B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-15 JP JP1295158A patent/JPH02202980A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4857143A (en) | 1989-08-15 |
DE68907324D1 (de) | 1993-07-29 |
EP0373374B1 (en) | 1993-06-23 |
EP0373374A1 (en) | 1990-06-20 |
JPH0579274B2 (ja) | 1993-11-01 |
DE68907324T2 (de) | 1994-01-20 |
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