JPH04187776A - ポリイミド樹脂のエッチング方法 - Google Patents
ポリイミド樹脂のエッチング方法Info
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- JPH04187776A JPH04187776A JP31441690A JP31441690A JPH04187776A JP H04187776 A JPH04187776 A JP H04187776A JP 31441690 A JP31441690 A JP 31441690A JP 31441690 A JP31441690 A JP 31441690A JP H04187776 A JPH04187776 A JP H04187776A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はポリイミド樹脂の表面に無電解めっき、あるい
は引続き電解めっきを行うことにより銅被膜を形成し、
次いで熱処理を施すことによって得られた銅ポリイミド
基板を用いて回路を形成する方法に関する。
は引続き電解めっきを行うことにより銅被膜を形成し、
次いで熱処理を施すことによって得られた銅ポリイミド
基板を用いて回路を形成する方法に関する。
［従来の技術］
ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、また機械的、電
気的および化学的特性も他のプラスチック材料に比べて
遜色が無いので、電気機器等の絶縁材料として良く用い
られている。例えば、プリント配線板（ＰＷＢ） 、フ
レキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンデ
ィング（ＴＡＢ）実装等は、このポリイミド樹脂上に銅
被膜を形成して得られた銅ポリイミド基板を加工して得
られる。
気的および化学的特性も他のプラスチック材料に比べて
遜色が無いので、電気機器等の絶縁材料として良く用い
られている。例えば、プリント配線板（ＰＷＢ） 、フ
レキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンデ
ィング（ＴＡＢ）実装等は、このポリイミド樹脂上に銅
被膜を形成して得られた銅ポリイミド基板を加工して得
られる。
従来このようなＰＷＢ、ＦＰＣＳＴＡＢ用の素材となる
銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銅箔と
を接着剤で貼り合わせるラミネート法が採られていた。
銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銅箔と
を接着剤で貼り合わせるラミネート法が採られていた。
しかしながらこのラミネート法によって得られた基板で
は銅被膜のエツチング処理やフォトレジストの剥離処理
に際して基板の銅被膜とポリイミド樹脂の界面に存在す
る接着剤層に塩素イオンや硫酸イオン等の不純物が吸着
され、該基板上に形成された回路間隔が特に狭い場合に
は絶縁不良などの障害を起こす恐れがあった。このよう
な欠点を解消するためポリイミド樹脂表面に接着剤等を
介在させることなく直接的に金属層を形成させ銅ポリイ
ミド基板を得る方法が提案されている。例えば、ポリイ
ミド樹脂表面をエツチングし、活性化した後、触媒を付
与し、次いで無電解めっきをし、要すれば引続き電解め
っきを行うことにより銅ポリイミド基板を得、ポリイミ
ド樹脂と銅の高温での密着性および耐薬品性を改良する
ために該基板に１２０°Ｃ以上の熱処理を施すものであ
る。
は銅被膜のエツチング処理やフォトレジストの剥離処理
に際して基板の銅被膜とポリイミド樹脂の界面に存在す
る接着剤層に塩素イオンや硫酸イオン等の不純物が吸着
され、該基板上に形成された回路間隔が特に狭い場合に
は絶縁不良などの障害を起こす恐れがあった。このよう
な欠点を解消するためポリイミド樹脂表面に接着剤等を
介在させることなく直接的に金属層を形成させ銅ポリイ
ミド基板を得る方法が提案されている。例えば、ポリイ
ミド樹脂表面をエツチングし、活性化した後、触媒を付
与し、次いで無電解めっきをし、要すれば引続き電解め
っきを行うことにより銅ポリイミド基板を得、ポリイミ
ド樹脂と銅の高温での密着性および耐薬品性を改良する
ために該基板に１２０°Ｃ以上の熱処理を施すものであ
る。
［発明が解決しようとする課題］
上記方法によって得られる銅ポリイミド基板は、高温環
境下でも銅被膜とポリイミド樹脂間に高い密着力が保た
れるばかりでなく、耐薬品性にも優れることからＰＷＢ
ＳＦＰＣ，ＴＡＢ等の電子部品用の素材として好適であ
る。
境下でも銅被膜とポリイミド樹脂間に高い密着力が保た
れるばかりでなく、耐薬品性にも優れることからＰＷＢ
ＳＦＰＣ，ＴＡＢ等の電子部品用の素材として好適であ
る。
ところで、上記電子部品の中でも最も高密度化が可能な
ＴＡＢを製造する一般的な工程にはスプロケットホール
やデバイスホール等の孔を設ける工程がある。この工程
は、銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂表面にレジスト
層を形成した後、所望のマスクを用いて露光し、現像し
て溶解しポリイミド樹脂の所望部を露出し、この部分を
エツチングして除去するものである。この方法で前記方
法により得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂の
エツチングを行った場合、従来と異なりポリイミド樹脂
のエツチングレジスト層で被覆された部分までエツチン
グされ、所望な形状の孔が得られないという新たな問題
が発生している。
ＴＡＢを製造する一般的な工程にはスプロケットホール
やデバイスホール等の孔を設ける工程がある。この工程
は、銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂表面にレジスト
層を形成した後、所望のマスクを用いて露光し、現像し
て溶解しポリイミド樹脂の所望部を露出し、この部分を
エツチングして除去するものである。この方法で前記方
法により得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂の
エツチングを行った場合、従来と異なりポリイミド樹脂
のエツチングレジスト層で被覆された部分までエツチン
グされ、所望な形状の孔が得られないという新たな問題
が発生している。
本発明の目的は、ポリイミド樹脂に無電解めっきし、要
すれば引続き電解めっきして銅被膜を形成し、次いで熱
処理を施すことによって得られた銅ポリイミド基板のポ
リイミド樹脂部を溶解除去するに際して、所望の部分の
ポリイミド樹脂のみの溶解を可能とするポリイミド樹脂
のエツチング方法の提供にある。
すれば引続き電解めっきして銅被膜を形成し、次いで熱
処理を施すことによって得られた銅ポリイミド基板のポ
リイミド樹脂部を溶解除去するに際して、所望の部分の
ポリイミド樹脂のみの溶解を可能とするポリイミド樹脂
のエツチング方法の提供にある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記問題点を解決すべく種々検討した結果
、ポリイミド樹脂表面とエツチングレジストとの密着性
が充分でないため、ポリイミド樹脂の溶解液がポリイミ
ド樹脂とエツチングレジストの界面に浸入し、該界面か
らポリイミド樹脂の溶解が進行し、結果的にエツチング
レジスト層で被覆され本来溶解されるべきでない部分の
ポリイミド樹脂の一部も溶解されてしまうことなどを見
いだし本発明に至った。
、ポリイミド樹脂表面とエツチングレジストとの密着性
が充分でないため、ポリイミド樹脂の溶解液がポリイミ
ド樹脂とエツチングレジストの界面に浸入し、該界面か
らポリイミド樹脂の溶解が進行し、結果的にエツチング
レジスト層で被覆され本来溶解されるべきでない部分の
ポリイミド樹脂の一部も溶解されてしまうことなどを見
いだし本発明に至った。
即ち、上記課題を解決するための本発明の方法は、ポリ
イミド樹脂に無電解めっきし、要すれば引続き電解めっ
きして銅被膜を形成し、次いで熱処理を施すことによっ
て得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂部を溶解
除去する方法において、該ポリイミド樹脂の表面を濃度
２０重量％以上の硫酸によって洗浄した後に、エツチン
グレジスト層を形成し、該エツチングレジスト層に被覆
されていない部分のポリイミド樹脂をエツチングして除
去するものである。
イミド樹脂に無電解めっきし、要すれば引続き電解めっ
きして銅被膜を形成し、次いで熱処理を施すことによっ
て得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂部を溶解
除去する方法において、該ポリイミド樹脂の表面を濃度
２０重量％以上の硫酸によって洗浄した後に、エツチン
グレジスト層を形成し、該エツチングレジスト層に被覆
されていない部分のポリイミド樹脂をエツチングして除
去するものである。
［作用］
ポリイミド樹脂に無電解めっきし、要すれば引続き電解
めっきして銅被膜を形成し、次いで熱処理を施して得ら
れた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂の表面とエツチ
ングレジストとの間に充分な密着性が得られない原因は
、該基板に熱処理を施した際にポリイミド樹脂表面に不
純物が付着し、この不純物が通常の洗浄法では完全に除
去できずポリイミド樹脂表面に残留するためと考えられ
る。
めっきして銅被膜を形成し、次いで熱処理を施して得ら
れた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂の表面とエツチ
ングレジストとの間に充分な密着性が得られない原因は
、該基板に熱処理を施した際にポリイミド樹脂表面に不
純物が付着し、この不純物が通常の洗浄法では完全に除
去できずポリイミド樹脂表面に残留するためと考えられ
る。
該不純物の発生機構については充分な知見が得られてい
ないが、該基板を熱処理した際にポリイミド樹脂内部か
ら発生した物質がポリイミド樹脂表面に強固に付着した
ものと考えられる。
ないが、該基板を熱処理した際にポリイミド樹脂内部か
ら発生した物質がポリイミド樹脂表面に強固に付着した
ものと考えられる。
本発明は該基板にエツチングレジストを塗布する前にポ
リイミド樹脂表面を硫酸で洗浄し、ポリイミド樹脂表面
とエツチングレジストの密着性を改良するものだが、こ
れはポリイミド樹脂表面の洗浄方法について種々検討し
た結果得られた知見であり、該不純物の除去に最も効果
のある洗浄法であると考えられる。
リイミド樹脂表面を硫酸で洗浄し、ポリイミド樹脂表面
とエツチングレジストの密着性を改良するものだが、こ
れはポリイミド樹脂表面の洗浄方法について種々検討し
た結果得られた知見であり、該不純物の除去に最も効果
のある洗浄法であると考えられる。
本発明においては濃度２０重量％以上の硫酸を用いる。
硫酸濃度が２０重量％以下である場合は、洗浄に際して
加温しても得られた基板のボリイミド樹脂表面とレジス
トとの間に十分な密着性が得られず、ポリイミド樹脂の
溶解除去の際に工、ツチングレジストに被覆されたポリ
イミド樹脂部も部分的に溶解される。
加温しても得られた基板のボリイミド樹脂表面とレジス
トとの間に十分な密着性が得られず、ポリイミド樹脂の
溶解除去の際に工、ツチングレジストに被覆されたポリ
イミド樹脂部も部分的に溶解される。
本発明における洗浄時間や用いる硫酸の温度は硫酸濃度
や基板の熱処理条件等によって異なり一概に決定できな
い。よって、処理に際してはあらかじめ予備実験等で洗
浄不足の発生しないように適切な条件を求めておく必要
がある。
や基板の熱処理条件等によって異なり一概に決定できな
い。よって、処理に際してはあらかじめ予備実験等で洗
浄不足の発生しないように適切な条件を求めておく必要
がある。
また、ポリイミド樹脂のエツチングレジストは特殊なも
のを用いる必要はなく、ポリイミド樹脂の溶解液に耐性
のあるものであれば良く、またその形成条件は常法で充
分本発明による効果が得られる。
のを用いる必要はなく、ポリイミド樹脂の溶解液に耐性
のあるものであれば良く、またその形成条件は常法で充
分本発明による効果が得られる。
［実施例１］
鐘淵化学工業社製ＮＰＩ−５０型ポリイミドフィルム上
に無電解銅めっき法により厚さ １，５μｍの銅めっき
被膜を形成した後、該基板を真空加熱炉に静置して真空
度１０ ”−’ ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０°Ｃ／
ｍｉｎ、で昇温し、４００℃で１時間の熱処理を施した
後、室温まで冷却した。得られた基板を５０重量％の硫
酸を含む水溶液に２５℃で２分間浸漬し、充分水洗した
後乾燥した。その後該基板の銅めっき被膜上に東京応化
工業社製フォトレジスト ＰＭＥＲＨＣ−６００を厚さ
４０μｍに均一に塗布し、７０°Ｃで３０分間乾燥した
。その後該基板のポリイミド樹脂表面に富士薬品工業社
製フォトレジス） ＦＳＲ−Ｓと希釈液ＦＳＲ−Ｔの等
体積比の混合液を厚さ１０μｍに均一に塗布し７０℃で
３０分乾燥した。得られた基板のＰＭＥＲ側にインナー
リード部においてリード幅７０μｍ、リード間隔６０μ
ｍのリードが形成されるようにマスキングを施し、一方
ＦＳＲ側にはデバイスホールおよびスプロケットホール
が形成されるようにマスキングを施し、それぞれのフォ
トレジスト層に１０１００Ｏ／ｃｍ”および１００ ｍ
Ｊ／ｃｍ″の紫外線を照射した後現像を行った。その後
露出した銅の無電解めっき被膜上に厚さ３５μｍの銅を
電気めっきしてＰＭＥＲの剥離を行った後無電解銅めっ
き被膜を電気銅めっき被膜をマスクとして溶解除去を行
った。
に無電解銅めっき法により厚さ １，５μｍの銅めっき
被膜を形成した後、該基板を真空加熱炉に静置して真空
度１０ ”−’ ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０°Ｃ／
ｍｉｎ、で昇温し、４００℃で１時間の熱処理を施した
後、室温まで冷却した。得られた基板を５０重量％の硫
酸を含む水溶液に２５℃で２分間浸漬し、充分水洗した
後乾燥した。その後該基板の銅めっき被膜上に東京応化
工業社製フォトレジスト ＰＭＥＲＨＣ−６００を厚さ
４０μｍに均一に塗布し、７０°Ｃで３０分間乾燥した
。その後該基板のポリイミド樹脂表面に富士薬品工業社
製フォトレジス） ＦＳＲ−Ｓと希釈液ＦＳＲ−Ｔの等
体積比の混合液を厚さ１０μｍに均一に塗布し７０℃で
３０分乾燥した。得られた基板のＰＭＥＲ側にインナー
リード部においてリード幅７０μｍ、リード間隔６０μ
ｍのリードが形成されるようにマスキングを施し、一方
ＦＳＲ側にはデバイスホールおよびスプロケットホール
が形成されるようにマスキングを施し、それぞれのフォ
トレジスト層に１０１００Ｏ／ｃｍ”および１００ ｍ
Ｊ／ｃｍ″の紫外線を照射した後現像を行った。その後
露出した銅の無電解めっき被膜上に厚さ３５μｍの銅を
電気めっきしてＰＭＥＲの剥離を行った後無電解銅めっ
き被膜を電気銅めっき被膜をマスクとして溶解除去を行
った。
その後電気銅めっき被膜および露出したポリイミド樹脂
表面に富士薬品工業社製フォトレジストＦＳＲ−Ｓを厚
さ １５μｍに均一に塗布し１３０℃で３０分間乾燥し
た。
表面に富士薬品工業社製フォトレジストＦＳＲ−Ｓを厚
さ １５μｍに均一に塗布し１３０℃で３０分間乾燥し
た。
上記処理によって得られた基板を抱水ヒドラジンに５０
°Ｃで５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解除去を行っ
た。さらに該基板よりＦＳＲを剥離することによってイ
ンナーリード部においてリード幅 ７０ μｍ１ リー
ド間隔 ６０ μｍのリードを持つＴＡＢテープを得た
。
°Ｃで５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解除去を行っ
た。さらに該基板よりＦＳＲを剥離することによってイ
ンナーリード部においてリード幅 ７０ μｍ１ リー
ド間隔 ６０ μｍのリードを持つＴＡＢテープを得た
。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
［実施例２］
基板の洗浄を２０重量％の硫酸を含有する溶液を用い５
０°Ｃで２分行った以外は実施例１と同様な手順でＴＡ
Ｂテープを製造した。
０°Ｃで２分行った以外は実施例１と同様な手順でＴＡ
Ｂテープを製造した。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
［比較例１］
実施例１の工程において、硫酸による基板の洗浄は行わ
ず、その他の工程は実施例１と同様な手順でＴＡＢテー
プを製造した。
ず、その他の工程は実施例１と同様な手順でＴＡＢテー
プを製造した。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて１００μｍ程度のオーバーエツチングが観察され、
このＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性に
欠けるものとならざるを得ない。
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて１００μｍ程度のオーバーエツチングが観察され、
このＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性に
欠けるものとならざるを得ない。
［比較例２］
基板の洗浄を１０重■％の硫酸を含有する溶液を用い５
０°Ｃで１０分行った以外は実施例１と同様な手順でＴ
ＡＢテープを製造した。
０°Ｃで１０分行った以外は実施例１と同様な手順でＴ
ＡＢテープを製造した。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて７０μｍ程度のオーバーエツチングが観察され、こ
のＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性に欠
けるものとならざるを得ない。
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて７０μｍ程度のオーバーエツチングが観察され、こ
のＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性に欠
けるものとならざるを得ない。
［発明の効果］
本発明の方法によれば、ポリイミド樹脂表面どエツチン
グレジストの密着性が改良され、この結果、ポリイミド
樹脂のエツチング精度が向上し、電気的、機械的、熱的
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができる。
グレジストの密着性が改良され、この結果、ポリイミド
樹脂のエツチング精度が向上し、電気的、機械的、熱的
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができる。
・特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- ポリイミド樹脂に無電解めっきし、要すれば引続き電
解めっきして銅被膜を形成し、次いで熱処理を施すこと
によって得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂部
を溶解除去する方法において、該ポリイミド樹脂の表面
を濃度２０重量％以上の硫酸によって洗浄した後に、エ
ッチングレジスト層を形成し、該エッチングレジスト層
に被覆されていない部分のポリイミド樹脂をエッチング
することを特徴とするポリイミド樹脂のエッチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31441690A JPH04187776A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31441690A JPH04187776A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187776A true JPH04187776A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18053085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31441690A Pending JPH04187776A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04187776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031625A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ポリイミド樹脂の加工方法 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31441690A patent/JPH04187776A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031625A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ポリイミド樹脂の加工方法 |
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