JPH0653130A - レジスト塗布前処理方法 - Google Patents
レジスト塗布前処理方法Info
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- JPH0653130A JPH0653130A JP25752992A JP25752992A JPH0653130A JP H0653130 A JPH0653130 A JP H0653130A JP 25752992 A JP25752992 A JP 25752992A JP 25752992 A JP25752992 A JP 25752992A JP H0653130 A JPH0653130 A JP H0653130A
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- polyimide resin
- film
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- polyimide
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミド樹脂をマスクによる食刻加工する
に際して、エッチングレジストによって被覆された部分
のポリイミド樹脂への影響を防止しつつ、露出している
部分のポリイミド樹脂のみが溶解することにより、ポリ
イミド樹脂を所望な形状に完全加工できるレジスト塗布
前処理法を提供する。 【構成】 有機物で構成されるレジスト層をポリイミド
樹脂表面に形成する前に、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チルアセトアミドの中から選ばれる一種、あるいは二種
以上の混合液でポリイミド樹脂表面を処理する。
に際して、エッチングレジストによって被覆された部分
のポリイミド樹脂への影響を防止しつつ、露出している
部分のポリイミド樹脂のみが溶解することにより、ポリ
イミド樹脂を所望な形状に完全加工できるレジスト塗布
前処理法を提供する。 【構成】 有機物で構成されるレジスト層をポリイミド
樹脂表面に形成する前に、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チルアセトアミドの中から選ばれる一種、あるいは二種
以上の混合液でポリイミド樹脂表面を処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミド樹脂表面に、
レジストを塗布する際のレジスト塗布前処理法の改善に
関する。
レジストを塗布する際のレジスト塗布前処理法の改善に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、
また機械的、電気的および化学的特性も他のプラスチッ
ク材料に比べて遜色が無いので、電気機器等の絶縁材料
として良く用いられ、プリント配線板（ＰＷＢ）、フレ
キシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディ
ング（ＴＡＢ）実装等は、このポリイミド樹脂上に形成
された銅被膜やポリイミド樹脂を加工して得られる。
また機械的、電気的および化学的特性も他のプラスチッ
ク材料に比べて遜色が無いので、電気機器等の絶縁材料
として良く用いられ、プリント配線板（ＰＷＢ）、フレ
キシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディ
ング（ＴＡＢ）実装等は、このポリイミド樹脂上に形成
された銅被膜やポリイミド樹脂を加工して得られる。
【０００３】従来、このようなＰＷＢ、ＦＰＣ、ＴＡＢ
用の素材となる銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミ
ド樹脂と銅箔とを接着剤で貼り合わせるラミネート法が
採られていた。
用の素材となる銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミ
ド樹脂と銅箔とを接着剤で貼り合わせるラミネート法が
採られていた。
【０００４】しかしながら、このラミネート法によって
得られた基板では、銅被膜のエッチング処理やフォトレ
ジストの剥離処理に際して、基板を構成する銅被膜とポ
リイミド樹脂の界面に存在する接着剤層に塩素イオンや
硫酸イオン等の不純物が吸着され、該基板上に形成され
た回路間隔が特に狭い場合には、絶縁不良などの障害を
起こす恐れがあった。
得られた基板では、銅被膜のエッチング処理やフォトレ
ジストの剥離処理に際して、基板を構成する銅被膜とポ
リイミド樹脂の界面に存在する接着剤層に塩素イオンや
硫酸イオン等の不純物が吸着され、該基板上に形成され
た回路間隔が特に狭い場合には、絶縁不良などの障害を
起こす恐れがあった。
【０００５】このような欠点を解消するため、ポリイミ
ド樹脂表面に接着剤等を介在させることなく、直接的に
金属層を形成させる方法が検討されている。本発明者ら
は、無電解めっき法によってポリイミド樹脂表面に直接
銅被膜を形成する方法を開示した。
ド樹脂表面に接着剤等を介在させることなく、直接的に
金属層を形成させる方法が検討されている。本発明者ら
は、無電解めっき法によってポリイミド樹脂表面に直接
銅被膜を形成する方法を開示した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように直接銅被
膜を形成することによって得られる銅ポリイミド基板
は、銅とポリイミド樹脂の密着性に優れＰＷＢ、ＦＰ
Ｃ、ＴＡＢ等の電子部品用の素材として好適である。
膜を形成することによって得られる銅ポリイミド基板
は、銅とポリイミド樹脂の密着性に優れＰＷＢ、ＦＰ
Ｃ、ＴＡＢ等の電子部品用の素材として好適である。
【０００７】一方、上記電子部品の中でも最も高密度化
が可能なＴＡＢの一般的な製造工程には、銅ポリイミド
基板のポリイミド樹脂の一部にエッチングレジスト層を
形成した後、ポリイミド樹脂の露出した部分を溶解除去
する工程が含まれる。
が可能なＴＡＢの一般的な製造工程には、銅ポリイミド
基板のポリイミド樹脂の一部にエッチングレジスト層を
形成した後、ポリイミド樹脂の露出した部分を溶解除去
する工程が含まれる。
【０００８】銅被膜の直接形成によって得られた銅ポリ
イミド基板を用いてＴＡＢを製造するために、ポリイミ
ド樹脂の露出部分の溶解除去を行った場合、ポリイミド
樹脂の溶解範囲がエッチングレジスト層で被覆された部
分にもおよび、ポリイミド樹脂を所望な形状に加工でき
ないという問題が発生した。
イミド基板を用いてＴＡＢを製造するために、ポリイミ
ド樹脂の露出部分の溶解除去を行った場合、ポリイミド
樹脂の溶解範囲がエッチングレジスト層で被覆された部
分にもおよび、ポリイミド樹脂を所望な形状に加工でき
ないという問題が発生した。
【０００９】本発明の目的は、ポリイミド樹脂部を溶解
加工するに際して、エッチングレジストによって被覆さ
れた部分のポリイミド樹脂は溶解されず、露出している
部分のポリイミド樹脂のみが溶解することにより、ポリ
イミド樹脂を所望な形状に加工できるレジスト塗布前処
理法を提供することにある。
加工するに際して、エッチングレジストによって被覆さ
れた部分のポリイミド樹脂は溶解されず、露出している
部分のポリイミド樹脂のみが溶解することにより、ポリ
イミド樹脂を所望な形状に加工できるレジスト塗布前処
理法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、エッチン
グレジスト層で部分的に被膜された銅ポリイミド基板の
ポリイミド樹脂露出部分を溶解除去する際、ポリイミド
樹脂の溶解範囲がエッチングレジスト層で被覆された部
分にも及ぶ原因について種々研究を行った結果、該ポリ
イミド樹脂表面とエッチングレジスト層との密着性が充
分でないため、ポリイミド樹脂の溶解液がポリイミド樹
脂とエッチングレジスト層の界面に浸入し、該界面から
ポリイミド樹脂の溶解が進行し、結果的にエッチングレ
ジスト層で被覆され本来溶解されるべきでない部分のポ
リイミド樹脂の一部も溶解されてしまうことを突きとめ
た。
グレジスト層で部分的に被膜された銅ポリイミド基板の
ポリイミド樹脂露出部分を溶解除去する際、ポリイミド
樹脂の溶解範囲がエッチングレジスト層で被覆された部
分にも及ぶ原因について種々研究を行った結果、該ポリ
イミド樹脂表面とエッチングレジスト層との密着性が充
分でないため、ポリイミド樹脂の溶解液がポリイミド樹
脂とエッチングレジスト層の界面に浸入し、該界面から
ポリイミド樹脂の溶解が進行し、結果的にエッチングレ
ジスト層で被覆され本来溶解されるべきでない部分のポ
リイミド樹脂の一部も溶解されてしまうことを突きとめ
た。
【００１１】さらに、本発明者らは、ポリイミド樹脂表
面にエッチングレジスト層を塗布する前に該表面を適切
な方法で処理することによって、ポリイミド樹脂とエッ
チングレジスト層との密着性を改良し、ポリイミド樹脂
とエッチングレジスト層の界面にポリイミド樹脂の溶解
液が浸入することを防止し、ポリイミド樹脂の溶解範囲
をエッチングレジスト層で被覆されていない部分のみに
とどめることができることなどを見いだし、これらの知
見に基づいて本発明を完成するに至った。
面にエッチングレジスト層を塗布する前に該表面を適切
な方法で処理することによって、ポリイミド樹脂とエッ
チングレジスト層との密着性を改良し、ポリイミド樹脂
とエッチングレジスト層の界面にポリイミド樹脂の溶解
液が浸入することを防止し、ポリイミド樹脂の溶解範囲
をエッチングレジスト層で被覆されていない部分のみに
とどめることができることなどを見いだし、これらの知
見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１２】即ち、上記課題を解決するための本発明の
方法は、有機物で構成されるレジスト層をポリイミド樹
脂表面に形成する前に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
アセトアミドの中から選ばれる一種、あるいは二種以上
の混合液でポリイミド樹脂表面を処理することによりエ
ッチングレジストとポリイミド樹脂表面との密着性を増
し、ポリイミド樹脂を所望の形状に加工することを可能
としたものであり、その処理温度を２０℃以上１５０℃
以下とすればより効果的である。
方法は、有機物で構成されるレジスト層をポリイミド樹
脂表面に形成する前に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
アセトアミドの中から選ばれる一種、あるいは二種以上
の混合液でポリイミド樹脂表面を処理することによりエ
ッチングレジストとポリイミド樹脂表面との密着性を増
し、ポリイミド樹脂を所望の形状に加工することを可能
としたものであり、その処理温度を２０℃以上１５０℃
以下とすればより効果的である。
【００１３】
【作用】ポリイミド樹脂表面にめっき銅被膜を形成する
場合は、めっき処理あるいはめっき前後処理等によりポ
リイミド樹脂表面が化学的に親水化される。具体的には
ポリイミドの一部がアルカリ等により加水分解され、親
水性のポリアミド酸に変化すると考えられる。この様な
状態のポリイミド樹脂表面に有機物レジスト層を形成し
た場合、レジストは疎水性のため親水化されたポリイミ
ド樹脂表面との密着性は低いと考えられる。
場合は、めっき処理あるいはめっき前後処理等によりポ
リイミド樹脂表面が化学的に親水化される。具体的には
ポリイミドの一部がアルカリ等により加水分解され、親
水性のポリアミド酸に変化すると考えられる。この様な
状態のポリイミド樹脂表面に有機物レジスト層を形成し
た場合、レジストは疎水性のため親水化されたポリイミ
ド樹脂表面との密着性は低いと考えられる。
【００１４】本発明は、有機物で構成されたレジスト層
を形成するポリイミド樹脂表面前に、上記親水化された
ポリイミド樹脂表面から疎水化表面を露出させることに
よって、レジスト層とポリイミド樹脂表面との密着性を
高めるものである。具体的にはポリイミド樹脂表面に形
成された親水性のポリアミド酸を化学的に溶解除去する
ことによって、ポリイミド樹脂表面が本来有する疎水性
を回復させるものである。
を形成するポリイミド樹脂表面前に、上記親水化された
ポリイミド樹脂表面から疎水化表面を露出させることに
よって、レジスト層とポリイミド樹脂表面との密着性を
高めるものである。具体的にはポリイミド樹脂表面に形
成された親水性のポリアミド酸を化学的に溶解除去する
ことによって、ポリイミド樹脂表面が本来有する疎水性
を回復させるものである。
【００１５】本発明で用いるポリアミド酸の溶解液とし
ては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミドの中
から選ばれる一種あるいは二種以上の組合せが好まし
く、また処理温度は２０℃以上１５０℃以下であること
が望ましい。
ては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミドの中
から選ばれる一種あるいは二種以上の組合せが好まし
く、また処理温度は２０℃以上１５０℃以下であること
が望ましい。
【００１６】該処理温度が２０℃未満である場合は、処
理に際して処理時間を長くしても充分な効果が得られ
ず、ポリイミド樹脂の露出部分の溶解除去の際にエッチ
ングレジスト層で被覆されたポリイミド樹脂部も部分的
に溶解され、該処理温度が１５０℃を越える場合は処理
効果には問題が無いものの、作業環境が著しく悪化し、
また溶剤の引火、爆発の危険性が増大する。
理に際して処理時間を長くしても充分な効果が得られ
ず、ポリイミド樹脂の露出部分の溶解除去の際にエッチ
ングレジスト層で被覆されたポリイミド樹脂部も部分的
に溶解され、該処理温度が１５０℃を越える場合は処理
効果には問題が無いものの、作業環境が著しく悪化し、
また溶剤の引火、爆発の危険性が増大する。
【００１７】また本発明における処理時間は、ポリイミ
ド樹脂表面の親水化の度合、またポリアミド酸の溶解液
の組成によって変化するため一概に決定できず、処理に
際してはあらかじめ予備実験等で処理不足の発生しない
ような適切な条件を求めておく必要がある。
ド樹脂表面の親水化の度合、またポリアミド酸の溶解液
の組成によって変化するため一概に決定できず、処理に
際してはあらかじめ予備実験等で処理不足の発生しない
ような適切な条件を求めておく必要がある。
【００１８】さらに、ポリイミド樹脂のエッチングレジ
ストは、特殊なものを用いる必要はなく、ポリイミド樹
脂の溶解液に耐性のあるものであれば良く、またその形
成条件は、常法で設定されるものであっても、充分本発
明による効果が得られる。
ストは、特殊なものを用いる必要はなく、ポリイミド樹
脂の溶解液に耐性のあるものであれば良く、またその形
成条件は、常法で設定されるものであっても、充分本発
明による効果が得られる。
【００１９】
【実施例】次に本発明の実施例について図に従って述べ
る。
る。
【００２０】
【実施例１】鐘淵化学工業社製ＮＰＩ−５０型ポリイミ
ドフィルム１２（図１）を次のように前処理した。
ドフィルム１２（図１）を次のように前処理した。
【００２１】５０体積％のヒドラジン一水和物を含有す
る水溶液に２５℃で２分間浸漬し、水洗後、奥野製薬社
製ＯＰＣ−８０キャタリストＭを使用して２５℃で５分
間の触媒付与を施し、充分に水洗した後、奥野製薬社製
ＯＰＣ−５５５アクセレーターを使用して２５℃で７分
間の促進処理を行った。
る水溶液に２５℃で２分間浸漬し、水洗後、奥野製薬社
製ＯＰＣ−８０キャタリストＭを使用して２５℃で５分
間の触媒付与を施し、充分に水洗した後、奥野製薬社製
ＯＰＣ−５５５アクセレーターを使用して２５℃で７分
間の促進処理を行った。
【００２２】以上の前処理を行った後、以下に示す条件
で無電解銅めっき１４を行った。 （めっき液の組成） ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １０ｇ／ｌ ＥＤＴＡ．２Ｎａ ： ３０ｇ／ｌ ３７％ＨＣＨＯ ： ５ｍｌ／ｌ ＰＥＧ＃１０００ ： ０．５ｇ／ｌ ２，２′−ビピリジル ： １０ｍｇ／ｌ （めっき条件） 温度 ： ６５℃ 撹拌 ： 空気 時間 ： ３０分 ｐＨ ： １２．５（ＮａＯＨで調節）
で無電解銅めっき１４を行った。 （めっき液の組成） ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １０ｇ／ｌ ＥＤＴＡ．２Ｎａ ： ３０ｇ／ｌ ３７％ＨＣＨＯ ： ５ｍｌ／ｌ ＰＥＧ＃１０００ ： ０．５ｇ／ｌ ２，２′−ビピリジル ： １０ｍｇ／ｌ （めっき条件） 温度 ： ６５℃ 撹拌 ： 空気 時間 ： ３０分 ｐＨ ： １２．５（ＮａＯＨで調節）
【００２３】得られた基板には、無電解銅めっきによる
下地金属層１４が形成されていた（図２）。
下地金属層１４が形成されていた（図２）。
【００２４】この基板をＮ−メチル−２−ピロリドンに
７０℃で５分間浸漬してレジスト塗布前処理を行った
後、エチルアルコールで洗浄し、乾燥した。
７０℃で５分間浸漬してレジスト塗布前処理を行った
後、エチルアルコールで洗浄し、乾燥した。
【００２５】その後、該基板の銅めっき被膜１４上に東
京応化工業社製フォトレジストＰＭＥＲ ＨＣ−６００
（以下、ＰＭＥＲと呼ぶ）を厚さ４０μｍに均一に塗布
し、７０℃で３０分間乾燥した。その後、該基板のポリ
イミド樹脂１２の表面に富士薬品工業社製フォトレジス
トＦＳＲ−Ｓと希釈液ＦＳＲ−Ｔの等体積比の混合液
（以下、ＦＳＲと呼ぶ）を厚さ１０μｍに均一に塗布し
７０℃で３０分乾燥した。かくして、ポリイミドフィル
ム１２の一方の面にＰＭＥＲ被膜１８が、他方の面にＦ
ＳＲ被膜２０が形成された（図３）。
京応化工業社製フォトレジストＰＭＥＲ ＨＣ−６００
（以下、ＰＭＥＲと呼ぶ）を厚さ４０μｍに均一に塗布
し、７０℃で３０分間乾燥した。その後、該基板のポリ
イミド樹脂１２の表面に富士薬品工業社製フォトレジス
トＦＳＲ−Ｓと希釈液ＦＳＲ−Ｔの等体積比の混合液
（以下、ＦＳＲと呼ぶ）を厚さ１０μｍに均一に塗布し
７０℃で３０分乾燥した。かくして、ポリイミドフィル
ム１２の一方の面にＰＭＥＲ被膜１８が、他方の面にＦ
ＳＲ被膜２０が形成された（図３）。
【００２６】得られた基板のＰＭＥＲ被膜１８上に、イ
ンナーリード部においてリード幅７０μｍ、リード間隔
６０μｍのリードが形成されるようにマスキングを施
し、一方ＦＳＲ被膜２０上にはデバイスホールおよびス
プロケットホールが形成されるようにマスキングを施
し、ＰＭＥＲ被膜１８に１０００ｍＪ／ｃｍ2 およびＦ
ＳＲ被膜２０に１００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を照射した
後、現像を行った。その結果、ＰＭＥＲ被膜１８とＦＳ
Ｒ被膜２０が選択的に除去され、パターン化された（図
４）。
ンナーリード部においてリード幅７０μｍ、リード間隔
６０μｍのリードが形成されるようにマスキングを施
し、一方ＦＳＲ被膜２０上にはデバイスホールおよびス
プロケットホールが形成されるようにマスキングを施
し、ＰＭＥＲ被膜１８に１０００ｍＪ／ｃｍ2 およびＦ
ＳＲ被膜２０に１００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を照射した
後、現像を行った。その結果、ＰＭＥＲ被膜１８とＦＳ
Ｒ被膜２０が選択的に除去され、パターン化された（図
４）。
【００２７】その後、露出した銅の無電解めっき被膜１
４上に厚さ３５μｍの銅を電気めっきし、パターン化さ
れためっき被膜２２を形成し（図５）、その周囲のＰＭ
ＥＲ被膜１８の剥離を行った後、電気銅めっき被膜２２
をマスクとして無電解銅めっき被膜１４の溶解除去を行
った（図６）。
４上に厚さ３５μｍの銅を電気めっきし、パターン化さ
れためっき被膜２２を形成し（図５）、その周囲のＰＭ
ＥＲ被膜１８の剥離を行った後、電気銅めっき被膜２２
をマスクとして無電解銅めっき被膜１４の溶解除去を行
った（図６）。
【００２８】その後、電気銅めっき被膜２２および露出
したポリイミド樹脂１２の表面に富士薬品工業社製フォ
トレジストＦＳＲ−Ｓを厚さ１５μｍに均一に塗布し１
３０℃で３０分間乾燥した。ＦＳＲ被膜２４がポリイミ
ドフィルム１２の片面を全体的に覆っていた（図７）。
したポリイミド樹脂１２の表面に富士薬品工業社製フォ
トレジストＦＳＲ−Ｓを厚さ１５μｍに均一に塗布し１
３０℃で３０分間乾燥した。ＦＳＲ被膜２４がポリイミ
ドフィルム１２の片面を全体的に覆っていた（図７）。
【００２９】上記処理によって得られた基板をヒドラジ
ン一水和物に５０℃で５分間浸漬して、ＦＳＲ被膜２４
の無い面から、ポリイミド樹脂１２の選択的溶解除去を
行った（図８）。
ン一水和物に５０℃で５分間浸漬して、ＦＳＲ被膜２４
の無い面から、ポリイミド樹脂１２の選択的溶解除去を
行った（図８）。
【００３０】さらに、該基板よりＦＳＲ被膜２４を全体
的に剥離することによってインナーリード部においてリ
ード幅７０μｍ、リード間隔６０μｍのリードを持つＴ
ＡＢテープを得た（図９）。
的に剥離することによってインナーリード部においてリ
ード幅７０μｍ、リード間隔６０μｍのリードを持つＴ
ＡＢテープを得た（図９）。
【００３１】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は、従来のテープにしばしば見られた角部
（図８、９の矢印Ａ）の形状不良が無く、良好であり、
電気的、機械的、耐熱性に優れているＴＡＢテープを精
度良く、かつ安定して製造することができた。
樹脂開孔形状は、従来のテープにしばしば見られた角部
（図８、９の矢印Ａ）の形状不良が無く、良好であり、
電気的、機械的、耐熱性に優れているＴＡＢテープを精
度良く、かつ安定して製造することができた。
【００３２】
【実施例２】Ｎ−メチル−２−ピロリドンによる処理を
２０℃で１時間行った以外は、実施例１と同様な手順で
ＴＡＢテープを製造した。
２０℃で１時間行った以外は、実施例１と同様な手順で
ＴＡＢテープを製造した。
【００３３】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
【００３４】
【実施例３】Ｎ−メチル−２−ピロリドンによる処理を
１５０℃で１分間行った以外は、実施例１と同様な手順
でＴＡＢテープを製造した。
１５０℃で１分間行った以外は、実施例１と同様な手順
でＴＡＢテープを製造した。
【００３５】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
【００３６】
【実施例４】レジスト塗布前処理をＮ，Ｎ′・−ジメチ
ルホルムアミドを用い１００℃で５分間行った以外は、
実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
ルホルムアミドを用い１００℃で５分間行った以外は、
実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
【００３７】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
【００３８】
【実施例５】レジスト塗布前処理をＮ，Ｎ′−ジメチル
アセトアミドを用い１１０℃で５分間行った以外は、実
施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
アセトアミドを用い１１０℃で５分間行った以外は、実
施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
【００３９】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
【００４０】
【実施例６】レジスト塗布前処理をＮ，Ｎ′−メチルホ
ルムアミドとＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミドの等体積
混合溶液を用い１００℃で５分間行った以外は、実施例
１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
ルムアミドとＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミドの等体積
混合溶液を用い１００℃で５分間行った以外は、実施例
１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
【００４１】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
【００４２】
【実施例７】レジスト塗布前処理をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、および
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミドの等体積混合溶液を用
い１００℃で５分間行った以外は、実施例１と同様な手
順でＴＡＢテープを製造した。
ロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、および
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミドの等体積混合溶液を用
い１００℃で５分間行った以外は、実施例１と同様な手
順でＴＡＢテープを製造した。
【００４３】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
樹脂開孔形状は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、
に優れているＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製
造することができた。
【００４４】
【比較例１】実施例１の工程において、Ｎ−メチル−２
−ピロリドンによるレジスト塗布前処理は行わず、その
他の工程は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造
した。
−ピロリドンによるレジスト塗布前処理は行わず、その
他の工程は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造
した。
【００４５】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は、デバイスホール部およびスプロケット
ホール部において１００μｍ程度のオーバーエッチング
が観察され、このＴＡＢテープを電子部品として用いた
場合信頼性に欠けていた。
樹脂開孔形状は、デバイスホール部およびスプロケット
ホール部において１００μｍ程度のオーバーエッチング
が観察され、このＴＡＢテープを電子部品として用いた
場合信頼性に欠けていた。
【００４６】
【比較例２】レジスト塗布前処理をＮ−メチル−２−ピ
ロリドンを用い１５℃で２時間行った以外は、実施例１
と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
ロリドンを用い１５℃で２時間行った以外は、実施例１
と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
【００４７】得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂開孔形状は、デバイスホール部およびスプロケット
ホール部において５０μｍ程度のオーバーエッチングが
観察され、このＴＡＢテープを電子部品として用いた場
合信頼性に欠けていた。
樹脂開孔形状は、デバイスホール部およびスプロケット
ホール部において５０μｍ程度のオーバーエッチングが
観察され、このＴＡＢテープを電子部品として用いた場
合信頼性に欠けていた。
【００４８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ＴＡＢテープ等
のようにポリイミド樹脂にエッチングレジスト層を形成
し露出部分を溶解加工することによって製造するものに
対して、ポリイミド樹脂表面にエッチングレジスト層を
形成する前にポリイミド樹脂表面を所定の溶剤で処理す
ることにより、ポリイミド樹脂とエッチングレジスト層
との密着力を強固なものとすることができ、ポリイミド
樹脂のエッチング精度が向上し、電気的、機械的、熱的
に優れている電子部品を精度良く、かつ安定して製造す
ることができる。
のようにポリイミド樹脂にエッチングレジスト層を形成
し露出部分を溶解加工することによって製造するものに
対して、ポリイミド樹脂表面にエッチングレジスト層を
形成する前にポリイミド樹脂表面を所定の溶剤で処理す
ることにより、ポリイミド樹脂とエッチングレジスト層
との密着力を強固なものとすることができ、ポリイミド
樹脂のエッチング精度が向上し、電気的、機械的、熱的
に優れている電子部品を精度良く、かつ安定して製造す
ることができる。
【図１】ポリイミドフィルムの切断部端面図である。
【図２】図１のフィルムに無電解銅めっきを施したとこ
ろを示す切断部端面図である。
ろを示す切断部端面図である。
【図３】図２のフィルムにレジスト層を設けたところを
示す切断部端面図である。
示す切断部端面図である。
【図４】図３のフィルムのレジスト層をパターン化した
ところを示す切断部端面図である。
ところを示す切断部端面図である。
【図５】図４のフィルムのパターン化レジスト層の間に
めっき層を設けたところを示す切断部端面図である。
めっき層を設けたところを示す切断部端面図である。
【図６】図５のフィルムのパターン化めっき層からレジ
スト層を除去したところを示す切断部端面図である。
スト層を除去したところを示す切断部端面図である。
【図７】図６のパターン化めっき層を覆うレジスト層を
設けたところを示す切断部端面図である。
設けたところを示す切断部端面図である。
【図８】図７のフィルムのポリイミド部分を食刻したと
ころを示す切断部端面図である。
ころを示す切断部端面図である。
【図９】図８のフィルムからレジスト層を除去したとこ
ろを示す切断部端面図である。
ろを示す切断部端面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 有機物で構成されるレジスト層をポリイ
ミド樹脂表面に形成する前に、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジ
メチルアセトアミドの中から選ばれる一種、あるいは二
種以上の混合液でポリイミド樹脂表面を処理することを
特徴とするレジスト塗布前処理方法。 - 【請求項２】 前記前処理は温度２０℃以上１５０℃以
下で施される請求項１記載のレジスト塗布前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25752992A JPH0653130A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | レジスト塗布前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25752992A JPH0653130A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | レジスト塗布前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653130A true JPH0653130A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=17307562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25752992A Pending JPH0653130A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | レジスト塗布前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324475A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属被覆ポリイミド基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP25752992A patent/JPH0653130A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324475A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属被覆ポリイミド基板の製造方法 |
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