JPH0635202A - レジスト塗布前処理方法 - Google Patents
レジスト塗布前処理方法Info
- Publication number
- JPH0635202A JPH0635202A JP20944592A JP20944592A JPH0635202A JP H0635202 A JPH0635202 A JP H0635202A JP 20944592 A JP20944592 A JP 20944592A JP 20944592 A JP20944592 A JP 20944592A JP H0635202 A JPH0635202 A JP H0635202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- resist
- treatment liquid
- resist layer
- acetic anhydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 無電解めっき法によりポリイミド樹脂表面
に金属被膜を形成した基板を用いて配線板等を形成する
に際し、レジストで被覆された部分のポリイミド樹脂の
溶解を防止し、ポリイミド樹脂の高加工精度化を可能と
する方法の提供を目的とする。 【構成】 ポリイミド樹脂表面に有機物で構成される
レジスト層を形成するに際して、ポリイミド樹脂表面を
無水酢酸とピリジンとを含む処理液に接触させた後、ポ
リイミド樹脂表面にレジスト層を設ける。 【効果】 簡単、かつ容易にポリイミド樹脂とレジス
トとの密着性を改良でき、ポリイミド樹脂の加工精度を
高くでき、信頼性の高いＴＡＢテープ等ができる。
に金属被膜を形成した基板を用いて配線板等を形成する
に際し、レジストで被覆された部分のポリイミド樹脂の
溶解を防止し、ポリイミド樹脂の高加工精度化を可能と
する方法の提供を目的とする。 【構成】 ポリイミド樹脂表面に有機物で構成される
レジスト層を形成するに際して、ポリイミド樹脂表面を
無水酢酸とピリジンとを含む処理液に接触させた後、ポ
リイミド樹脂表面にレジスト層を設ける。 【効果】 簡単、かつ容易にポリイミド樹脂とレジス
トとの密着性を改良でき、ポリイミド樹脂の加工精度を
高くでき、信頼性の高いＴＡＢテープ等ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミド樹脂表面にレ
ジストを塗布する際の前処理方法に関する。
ジストを塗布する際の前処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有する
ばかりでなく、機械的、電気的、化学的特性も他のプラ
スチック材料に比して遜色がないので、電気機器等の絶
縁材料として多用されている。例えば、プリント配線板
（ＰＷＢ）、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テ
ープ自動ボンディング（ＴＡＢ）実装等はこのポリイミ
ド樹脂上に形成された金属被膜を設けたポリイミド基板
を加工することにより形成されている。このポリイミド
基板には種々の種類の物がある。例えば、ポリイミド樹
脂と金属箔とを接着剤で張合わせる、いわゆるラミネー
ト法により作成された物、ポリイミド樹脂表面にスパッ
タリング等の方法により直接金属膜を形成した物、ある
いは無電解めっき法によりポリイミド樹脂表面に金属被
膜を形成した物等である。これらの中で、基板作成の容
易さ、得られる配線板の集積度等より無電解めっき法に
よりポリイミド樹脂表面に金属被膜を形成した基板を用
いることが一般的である。
ばかりでなく、機械的、電気的、化学的特性も他のプラ
スチック材料に比して遜色がないので、電気機器等の絶
縁材料として多用されている。例えば、プリント配線板
（ＰＷＢ）、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テ
ープ自動ボンディング（ＴＡＢ）実装等はこのポリイミ
ド樹脂上に形成された金属被膜を設けたポリイミド基板
を加工することにより形成されている。このポリイミド
基板には種々の種類の物がある。例えば、ポリイミド樹
脂と金属箔とを接着剤で張合わせる、いわゆるラミネー
ト法により作成された物、ポリイミド樹脂表面にスパッ
タリング等の方法により直接金属膜を形成した物、ある
いは無電解めっき法によりポリイミド樹脂表面に金属被
膜を形成した物等である。これらの中で、基板作成の容
易さ、得られる配線板の集積度等より無電解めっき法に
よりポリイミド樹脂表面に金属被膜を形成した基板を用
いることが一般的である。
【０００３】このポリイミド基板を用いてＴＡＢを作成
する方法の代表例の概略を述べると以下のようである。
基板の金属層（下地金属層）の表面にレジスト層を設
け、レジスト層を所望のパターンのマスクを介して露光
し、現像して所望のレジストパターンを得、露出した下
地金属層に電気金属メッキを施して所望の厚さの金属層
を形成し、その後レジスト層を除去し、次いで下地金属
層を除去して配線パターンを得、ポリイミド樹脂面にレ
ジスト層を設け、レジスト層を所望のパターンのマスク
を介して露光し、現像して所望のレジストパターンを
得、露出したポリイミド樹脂を溶解し、ＶＩＡホール等
のための開口部を形成する。
する方法の代表例の概略を述べると以下のようである。
基板の金属層（下地金属層）の表面にレジスト層を設
け、レジスト層を所望のパターンのマスクを介して露光
し、現像して所望のレジストパターンを得、露出した下
地金属層に電気金属メッキを施して所望の厚さの金属層
を形成し、その後レジスト層を除去し、次いで下地金属
層を除去して配線パターンを得、ポリイミド樹脂面にレ
ジスト層を設け、レジスト層を所望のパターンのマスク
を介して露光し、現像して所望のレジストパターンを
得、露出したポリイミド樹脂を溶解し、ＶＩＡホール等
のための開口部を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、配線部の一層の
高密度化、多ピン化により、より加工精度の高度化が求
められるようになってきた。しかしながら、上記ポリイ
ミド樹脂表面に無電解めっき法により金属層を設けたポ
リイミド基板を用いた従来法では、ポリイミド樹脂のエ
ッチング時の加工精度は必ずしもこの要求を満足させう
るものとはなっていない。というのは、ポリイミド樹脂
のエッチング時にレジスト層で被覆された部分まで溶解
されてしまうからである。本発明の目的は、無電解めっ
き法によりポリイミド樹脂表面に金属被膜を形成した基
板を用いて配線板等を形成するに際し、レジストで被覆
された部分のポリイミド樹脂の溶解を防止し、ポリイミ
ド樹脂の高加工精度化を可能とする方法の提供にある。
高密度化、多ピン化により、より加工精度の高度化が求
められるようになってきた。しかしながら、上記ポリイ
ミド樹脂表面に無電解めっき法により金属層を設けたポ
リイミド基板を用いた従来法では、ポリイミド樹脂のエ
ッチング時の加工精度は必ずしもこの要求を満足させう
るものとはなっていない。というのは、ポリイミド樹脂
のエッチング時にレジスト層で被覆された部分まで溶解
されてしまうからである。本発明の目的は、無電解めっ
き法によりポリイミド樹脂表面に金属被膜を形成した基
板を用いて配線板等を形成するに際し、レジストで被覆
された部分のポリイミド樹脂の溶解を防止し、ポリイミ
ド樹脂の高加工精度化を可能とする方法の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記現象
の発生原因に付き種々の検討を加えた結果、上記現象は
ポリイミド樹脂表面のレジスト層との密着性に起因する
ことを見出し、これを解決すべく種々検討し、本発明に
至った。即ち、上記課題を解決する本発明の方法は、ポ
リイミド樹脂表面に有機物で構成されるレジスト層を形
成するに際して、ポリイミド樹脂表面を無水酢酸とピリ
ジンとを含む処理液に接触させた後、ポリイミド樹脂表
面にレジスト層を設けるものであり、該処理液として、
該処理液中の無水酢酸とピリジンとの比が体積比で 10
0：１〜１：50 の何れかであり、処理液と接触させる際
の温度が 10 〜 100 ℃の内の何れかであるものであ
る。
の発生原因に付き種々の検討を加えた結果、上記現象は
ポリイミド樹脂表面のレジスト層との密着性に起因する
ことを見出し、これを解決すべく種々検討し、本発明に
至った。即ち、上記課題を解決する本発明の方法は、ポ
リイミド樹脂表面に有機物で構成されるレジスト層を形
成するに際して、ポリイミド樹脂表面を無水酢酸とピリ
ジンとを含む処理液に接触させた後、ポリイミド樹脂表
面にレジスト層を設けるものであり、該処理液として、
該処理液中の無水酢酸とピリジンとの比が体積比で 10
0：１〜１：50 の何れかであり、処理液と接触させる際
の温度が 10 〜 100 ℃の内の何れかであるものであ
る。
【０００６】
【作用】ポリイミド樹脂表面に無電解めっきを施す場
合、めっき前処理、あるいはめっき処理時にポリイミド
樹脂表面を化学的に親水化する。この親水化は、ポリイ
ミドの一部がアルカリ等により加水分解し、親水性のポ
リアミド酸に変化することによりなされるとされてい
る。このような親水化した表面に有機物で構成されるレ
ジスト層を形成した場合、レジスト層は疎水性のため、
密着性は低いものとならざるを得ないと推定される。
合、めっき前処理、あるいはめっき処理時にポリイミド
樹脂表面を化学的に親水化する。この親水化は、ポリイ
ミドの一部がアルカリ等により加水分解し、親水性のポ
リアミド酸に変化することによりなされるとされてい
る。このような親水化した表面に有機物で構成されるレ
ジスト層を形成した場合、レジスト層は疎水性のため、
密着性は低いものとならざるを得ないと推定される。
【０００７】本発明のように、レジスト層を形成する前
に、ポリイミド樹脂表面を無水酢酸とピリジンとを含む
処理液に接触させるのは、上記親水化したポリイミド樹
脂表面を構成するポリアミド酸を化学的に脱水し、縮合
させてポリイミド化し、もってポリイミド樹脂表面を疎
水化するためである。本発明の処理液において、無水酢
酸は反応により生成する水の吸収剤として機能し、ピリ
ジンは反応開始剤として機能する。
に、ポリイミド樹脂表面を無水酢酸とピリジンとを含む
処理液に接触させるのは、上記親水化したポリイミド樹
脂表面を構成するポリアミド酸を化学的に脱水し、縮合
させてポリイミド化し、もってポリイミド樹脂表面を疎
水化するためである。本発明の処理液において、無水酢
酸は反応により生成する水の吸収剤として機能し、ピリ
ジンは反応開始剤として機能する。
【０００８】処理液中の無水酢酸とピリジンとの比にお
いて、無水酢酸の割合が大きい場合には、脱水・縮合反
応の開始が極端に遅くなり、ピリジンの割合が高くなり
すぎると脱水・縮合反応自体が不十分となる。妥当な開
始時間と十分な反応率を確保するためには、処理液中の
無水酢酸とピリジンとの比を体積比で 100：１〜１：50
の何れかとすることが必要である。
いて、無水酢酸の割合が大きい場合には、脱水・縮合反
応の開始が極端に遅くなり、ピリジンの割合が高くなり
すぎると脱水・縮合反応自体が不十分となる。妥当な開
始時間と十分な反応率を確保するためには、処理液中の
無水酢酸とピリジンとの比を体積比で 100：１〜１：50
の何れかとすることが必要である。
【０００９】ポリアミド酸の脱水・縮合反応に必要とさ
れる他の条件として温度がある。本発明において、この
温度は 10 〜 100 ℃の内の何れかとするが、これは、
温度が 10 ℃を下回ると接触時間を如何に長くしても不
十分な効果しかえられない。又、100 ℃を越える場合に
は、処理効果は問題無いものの、作業環境が極めて悪化
するばかりか、ピリジンの揮発、引火の危険が増加する
からである。
れる他の条件として温度がある。本発明において、この
温度は 10 〜 100 ℃の内の何れかとするが、これは、
温度が 10 ℃を下回ると接触時間を如何に長くしても不
十分な効果しかえられない。又、100 ℃を越える場合に
は、処理効果は問題無いものの、作業環境が極めて悪化
するばかりか、ピリジンの揮発、引火の危険が増加する
からである。
【００１０】本発明における「接触」とは、処理液とポ
リイミド樹脂表面とが確実に触合うことを意味し、これ
を可能ならしめる方法として浸漬、噴霧、流下等があ
る。どの方法を採用するかは任意である。
リイミド樹脂表面とが確実に触合うことを意味し、これ
を可能ならしめる方法として浸漬、噴霧、流下等があ
る。どの方法を採用するかは任意である。
【００１１】なお、上記脱水縮合反応に必要とされる条
件として、接触時間が考えられる。ポリイミド樹脂表面
のポリアミック酸の如何程がポリイミド化すれば本発明
の目的が達成できるのかは不明であり、厳密に議論すべ
くもないし、又その必要も無い。即ち、例えば該ポリア
ミド酸の 90 ％がポリイミドになることが臨界点であっ
たとしても、この 90 ％を達成するための接触時間はポ
リイミド樹脂表面の親水化度、処理液の組成そして処理
温度の関数であり、単独に決定することはできない。よ
って、予め予備試験を行い適切な接触時間を求めておか
ざるをえないからである。
件として、接触時間が考えられる。ポリイミド樹脂表面
のポリアミック酸の如何程がポリイミド化すれば本発明
の目的が達成できるのかは不明であり、厳密に議論すべ
くもないし、又その必要も無い。即ち、例えば該ポリア
ミド酸の 90 ％がポリイミドになることが臨界点であっ
たとしても、この 90 ％を達成するための接触時間はポ
リイミド樹脂表面の親水化度、処理液の組成そして処理
温度の関数であり、単独に決定することはできない。よ
って、予め予備試験を行い適切な接触時間を求めておか
ざるをえないからである。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる （実施例１）鐘ケ淵化学工業社製 NPI-50 型ポリイミド
フィルムの片面を 50 体積％のヒドラジン一水和物を含
有する水溶液に 25 ℃で２分間浸漬し、水洗後奥野製薬
社製OPC-80 キャタリストＭを使用して 25 ℃で５分間
の触媒付与を施し、十分に水洗した後、奥野製薬社製 O
PC-555 アクセレーターを使用して 25 ℃で、７分間の
促進処理を行った。以上の前処理を行った後、以下にし
めす条件で無電解銅めっきを施して片面に下地金属層を
有する基板を得た。
フィルムの片面を 50 体積％のヒドラジン一水和物を含
有する水溶液に 25 ℃で２分間浸漬し、水洗後奥野製薬
社製OPC-80 キャタリストＭを使用して 25 ℃で５分間
の触媒付与を施し、十分に水洗した後、奥野製薬社製 O
PC-555 アクセレーターを使用して 25 ℃で、７分間の
促進処理を行った。以上の前処理を行った後、以下にし
めす条件で無電解銅めっきを施して片面に下地金属層を
有する基板を得た。
【００１３】（めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 10 g/l EDTA・2Na ： 30 g/l 37% HCHO ： 5 ml/l PEG#1000 ： 0.5 g/l 2,2'-ヒ゛ヒ゜リシ゛ル ： 10 mg/l
【００１４】（めっき条件） 温度 ： 65 ℃ 撹はん ： 空気吹込み 時間 ： 30 分間 ｐＨ ： 12.5 （NaOH 溶液で調節した。）
【００１５】得られた基板を無水酢酸とピリジンとを体
積比で 50：１の割合で混合して得た 50 ℃の処理液に
30 分間浸漬し、レジスト塗布前処理を施した。その
後、基板をエチルアルコールで洗浄し、70 ℃の乾燥器
中で乾燥した。その後基板の下地金属層上に東京応化工
業社製フォトレジスト PMER HC-600を乾燥後の厚さが 4
0 μmとなるように均一に塗布し、70 ℃で 30 分間乾燥
した（以下この面を「PMER 側」と記す。）。その後基
板のポリイミド樹脂表面に富士薬品工業社製フォトレジ
スト FSR-S と希釈液 FSR-T の１：１（体積比）混合溶
液を乾燥後の厚さが 10 μmとなるように均一に塗布
し、70 ℃で 30 分間乾燥した（以下この面を「FSR 側
と記す。）。
積比で 50：１の割合で混合して得た 50 ℃の処理液に
30 分間浸漬し、レジスト塗布前処理を施した。その
後、基板をエチルアルコールで洗浄し、70 ℃の乾燥器
中で乾燥した。その後基板の下地金属層上に東京応化工
業社製フォトレジスト PMER HC-600を乾燥後の厚さが 4
0 μmとなるように均一に塗布し、70 ℃で 30 分間乾燥
した（以下この面を「PMER 側」と記す。）。その後基
板のポリイミド樹脂表面に富士薬品工業社製フォトレジ
スト FSR-S と希釈液 FSR-T の１：１（体積比）混合溶
液を乾燥後の厚さが 10 μmとなるように均一に塗布
し、70 ℃で 30 分間乾燥した（以下この面を「FSR 側
と記す。）。
【００１６】得られた基板の PMER 側に、インナーリー
ド部においてリード幅 70 μm、リード間隔 60 μmのリ
ードが形成されるようにマスキングを施し、一方 FSR
側にはデバイスホール及びスプロケットホールが形成さ
れるようにマスキングを施し、それぞれのフォトレジス
ト層に 1000 mJ/cm2 及び 100 mJ/cm2 の紫外線を照射
した後現像を行った。その後露出した下地金属層上に厚
さ 35 μmの銅層を電解めっき法により形成し、次いで
PMER 側のフォトレジスト層を剥離し、下地金属層を溶
解除去して回路部を形成した。
ド部においてリード幅 70 μm、リード間隔 60 μmのリ
ードが形成されるようにマスキングを施し、一方 FSR
側にはデバイスホール及びスプロケットホールが形成さ
れるようにマスキングを施し、それぞれのフォトレジス
ト層に 1000 mJ/cm2 及び 100 mJ/cm2 の紫外線を照射
した後現像を行った。その後露出した下地金属層上に厚
さ 35 μmの銅層を電解めっき法により形成し、次いで
PMER 側のフォトレジスト層を剥離し、下地金属層を溶
解除去して回路部を形成した。
【００１７】その後、回路側の面に全面に富士薬品工業
社製フォトレジスト FSR-S を乾燥後の厚さが 15 μmと
なるように均一に塗布し、130 ℃で 30 分間乾燥した。
社製フォトレジスト FSR-S を乾燥後の厚さが 15 μmと
なるように均一に塗布し、130 ℃で 30 分間乾燥した。
【００１８】このようにして得た基板をヒドラジン一水
和物に 50 ℃で 5 分間浸漬し、ポリイミド樹脂の溶解
除去を行った。その後、基板表面の全てのフォトレジス
トを除去してインナーリード部においてリード幅 70 μ
m、リード間隔 60 μmのリードを持つＴＡＢテープを得
た。得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂の開
口形状は良好であり、加工精度の極めて高いものであっ
た。
和物に 50 ℃で 5 分間浸漬し、ポリイミド樹脂の溶解
除去を行った。その後、基板表面の全てのフォトレジス
トを除去してインナーリード部においてリード幅 70 μ
m、リード間隔 60 μmのリードを持つＴＡＢテープを得
た。得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂の開
口形状は良好であり、加工精度の極めて高いものであっ
た。
【００１９】（実施例２）レジスト塗布前処理を 10 ℃
で１時間行った以外は実施例１と同様な手順でＴＡＢテ
ープを製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリイ
ミド樹脂の開口形状は良好であり、加工精度の極めて高
いものであった。
で１時間行った以外は実施例１と同様な手順でＴＡＢテ
ープを製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリイ
ミド樹脂の開口形状は良好であり、加工精度の極めて高
いものであった。
【００２０】（実施例３）レジスト塗布前処理を 100
℃で５分間行った以外は実施例１と同様な手順でＴＡＢ
テープを製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリ
イミド樹脂の開口形状は良好であり、加工精度の極めて
高いものであった。
℃で５分間行った以外は実施例１と同様な手順でＴＡＢ
テープを製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリ
イミド樹脂の開口形状は良好であり、加工精度の極めて
高いものであった。
【００２１】（実施例４）処理液として無水酢酸とピリ
ジンとを体積比で 100：１の割合で混合して得た70 ℃
の液とした以外は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープ
を製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂の開口形状は良好であり、加工精度の極めて高いも
のであった。
ジンとを体積比で 100：１の割合で混合して得た70 ℃
の液とした以外は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープ
を製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂の開口形状は良好であり、加工精度の極めて高いも
のであった。
【００２２】（実施例５）処理液として無水酢酸とピリ
ジンとを体積比で 1： 50 の割合で混合して得た50 ℃
の液とし、浸漬時間を１時間とした以外は実施例１と同
様な手順でＴＡＢテープを製造した。得られたＴＡＢテ
ープにおけるポリイミド樹脂の開口形状は良好であり、
加工精度の極めて高いものであった。
ジンとを体積比で 1： 50 の割合で混合して得た50 ℃
の液とし、浸漬時間を１時間とした以外は実施例１と同
様な手順でＴＡＢテープを製造した。得られたＴＡＢテ
ープにおけるポリイミド樹脂の開口形状は良好であり、
加工精度の極めて高いものであった。
【００２３】（比較例１）レジスト塗布前処理を５℃で
３時間行った以外は実施例１と同様にしてＴＡＢテープ
を製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂の開口形状は、デバイスホール部及びスプロケット
ホール部において 50 μm程度のオーバーエッチングが
観察され、加工精度が低く、信頼性に欠けるものであっ
た。
３時間行った以外は実施例１と同様にしてＴＡＢテープ
を製造した。得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド
樹脂の開口形状は、デバイスホール部及びスプロケット
ホール部において 50 μm程度のオーバーエッチングが
観察され、加工精度が低く、信頼性に欠けるものであっ
た。
【００２４】（従来例）無水酢酸とピリジンとの混合溶
液によるレジスト塗布前処理を行わない以外は実施例１
と同様にしてＴＡＢテープを製造した。得られたＴＡＢ
テープにおけるポリイミド樹脂の開口形状は、デバイス
ホール部及びスプロケットホール部において 100 μm程
度のオーバーエッチングが観察され、加工精度が低く、
信頼性に欠けるものであった。
液によるレジスト塗布前処理を行わない以外は実施例１
と同様にしてＴＡＢテープを製造した。得られたＴＡＢ
テープにおけるポリイミド樹脂の開口形状は、デバイス
ホール部及びスプロケットホール部において 100 μm程
度のオーバーエッチングが観察され、加工精度が低く、
信頼性に欠けるものであった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の方法によれば、簡単、かつ容易
にポリイミド樹脂とレジストとの密着性を改良でき、ポ
リイミド樹脂の加工精度を高くできる。よって、本発明
の方法で得られたＴＡＢテープ等は信頼性の高いものと
なる。
にポリイミド樹脂とレジストとの密着性を改良でき、ポ
リイミド樹脂の加工精度を高くできる。よって、本発明
の方法で得られたＴＡＢテープ等は信頼性の高いものと
なる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 7124−2Ｈ
Claims (3)
- 【請求項１】 ポリイミド樹脂表面に有機物で構成
されるレジスト層を形成するに際して、ポリイミド樹脂
表面を無水酢酸とピリジンとを含む処理液に接触させた
後、ポリイミド樹脂表面にレジスト層を設けることを特
徴とするレジスト塗布前処理方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、処理
液として、該処理液中の無水酢酸とピリジンとの比が体
積比で 100：１〜１：50 の何れかであり、処理液と接
触させる際の温度が 10 〜 100 ℃の内の何れかである
ことを特徴とするレジスト塗布前処理方法。 - 【請求項３】 請求項１〜２記載の方法において、
ポリイミド樹脂表面と処理液とを接触させる時間を予め
求め、得た時間に従い接触させることを特徴とするレジ
スト塗布前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20944592A JPH0635202A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | レジスト塗布前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20944592A JPH0635202A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | レジスト塗布前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635202A true JPH0635202A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16572985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20944592A Pending JPH0635202A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | レジスト塗布前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635202A (ja) |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP20944592A patent/JPH0635202A/ja active Pending
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