JPS63182895A

JPS63182895A - プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JPS63182895A
Application number: JP1548187A
Authority: JP
Inventors: 内田　広幸; 井関　隆幸
Original assignee: Mitsubishi Rayon Co Ltd
Current assignee: Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority date: 1987-01-26
Filing date: 1987-01-26
Publication date: 1988-07-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、無電解銅メッキ処法による所謂アデテイプ法
によってプリント配線板を製造する方法に関するもので
ある。

（従来の技術）プリント配線板は、コンピューターをはじめとする各種
電気機器や電子機器の部品として不可欠になっている。

そして最近は、さらに高密度化、高多層化し、より信頼
性の高いものが要求されている。

ところで従来のプリント配線板の製造方法は銅スルーホ
ール法や半田スルーホール法がほとんどであり、これら
の方法では電気メッキを施す必要があった。しかしなが
らこの方法では、スルーホールアスペクト比の高い多層
プリント配線板のスルーホール内のメッキを適正厚に制
御しようとすると、基板表面のメッキ層が大きくなりす
ぎ、この結果レジストによるパターンの解像度を低下さ
せたり、また基板内の回路密度差が大きい場合には、同
一面内においてもメッキ厚に差が生じ解像度を低下させ
ることがあった。

このため無電解鋼メッキ処法を用いて、メッキ厚の場所
依存性を解消し、スルーホールアスペクト比の大きいプ
リント配線板であっても信頼性の高いプリント配線板を
製造する方法が提案されている。例えば特公昭５７−４
１１６号公報には、パターンを形成するレジストとして
インヒビターを含む樹脂組成物を用い、無電解銅メッキ
処理の前に酸洗浄する方法が開示されているが、この方
法によりても銅の異常析出に対して万全とはいえなかっ
た。また特開昭６１−２３８６号公報のように、スルー
ホール部を活性化したのちエツチングレジストによりテ
ンティングして回路を形成し、次いで回路以外をソルダ
ーレジストでコーティングし、しかるのち化学メッキを
施して回路やスルーホール部にメッキを析出させる方法
が知られているが、この場合ソルダーレジストでコーテ
ィングするときのパターンの位置合せがむつかしく、所
定の解像度が得られないという憾みがある。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は、上記従来の技術に鑑み、高い信頼性を有する
プリント配線板を、無電解銅メッキ処法によって製造し
ようとするものである。

（問題点を解決するための手段）本発明の要旨とするところは、次の■〜■の工程からな
ることを特徴とするプリント配ａｍの製造方法にある。

すなわち ■　銅張り積層基板の所要箇所にスルーホールを設ける
、 ■　スルーホールを含めた表面を活性化処理する、 ■　スルーホールを覆うように基板の表面にドライフィ
ルムレジストを設けろ、 ■　ドライフィルムレジストにマスクパターンを通して
結党し、現像してパターンを形成する、 ■　無電解メッキを施し露出面に銅メッキを施す、 ■　上記銅メッキ上にカルボキシベンゾトリアゾール銅
化合物を形成する、 ■　硬化したドライフィルムレジストを溶剤で除去する
、 ■　ドライフィルムレジストを除去した部分の銅を除去
する、 ■　カルボキシベンゾトリアゾール銅化合物を除去する
。

（実施例）以下、本発明を実施例の図面に従って説明するが、第１
図ないし第９図は本発明の■ないし■の工程を示してい
る。

ナナ−似誂燈１画け　太溢四ハｎのＴ瓢を云Ｌ℃おり、
銅張り積層基板（１）の所要箇所にドリル等でスルーホ
ー／Ｉ／（ＡＪを設ける。この銅張り積層基板（１）は
、紙−フェノール、ガラス−エポキシ等の強化プラスチ
ックからなる基板（ＩＡ）の両面に、５〜１８μ程度の
銅箔（ＩＢ）が積層されている。なお解像度を低下させ
ないためには、銅箔（ＩＢ）の厚さを５μ程度と薄くす
ることが望ましい。

第２図は、上記スルーホール囚を含めた銅張り基板（１
）の表面に活性化処理を施した■の工程の状態を示して
おり、（２）はその活性化触媒を示している。このよう
な活性化処理は、既知の方法を用いることができ、処理
液の組成もクリーナーコンディショナー、マイクロエツ
チング液、触媒液、アクセレーター等からなるものが用
いられる。具体的には、例えばシプレー社の「キューポ
ジット２５１無電解鋼メッキ前処理プロセス」、マクダ
ミラド社の「メテックス９ｏ４８無電解銅メッキ前処理
プロセス」、シエーリング社の「ニュートラガントおよ
びセキュリガント無電解鋼メッキ前処理プロセス」等を
用いることができる。

また第３図は本発明の■の工程を示しており、上記■の
工程で活性化された表面にドライフィルムレジスト（３
）を形成している。この場合のドライフィルムレジスト
（３）は、耐無電解銅メッキ処理に優れた溶剤型ドライ
フィルムレジスト、具体的にはダイナケム社の［ラミナ
ーＣＲＪ、デュポン社の［リストン１２２０Ｊ等が挙げ
られる。

°次の第４図は■の工程を示しており、上記ドライフィ
ルムレジスト（３）上にマスクパターン（図示路）を密
着し、これを露光し、さらに現像してパターンを形成す
る。なお露光および現像は、既知の方法を用いることが
できる。

第５図は本発明の■の工程を示しており、無電解銅メッ
キを施し上記パターンによって露出された面に銅メッキ
（４）を形成する。この場合の銅メッキ（４）の厚みは
、２５〜３５μｍ程度が望ましいが、無電解銅メッキ処
理は、下記の如き組成とし、水酸化ナトリウムによりｐ
Ｈ１２，０〜１２．５に調整した溶剤を用いて、６０〜
７０℃程度の温度下で処理する方法が挙げられるが、勿
論これに限定されるものではない。

しメッキ液組成〕エチレンジアミン４酢酸銅塩　０．０２〜０．０４　ｍ
ｏｌ／Ｊエチレンジアミン４酢酸　　　０．０１〜０．
１〃ホルムアルデヒド　　　　　　０．１〜０，３〃２
．２′−ジピリジル　　　　　　１０■／！ポリエチレ
ングリコール（重合度１０００）１００〜５００　■／
１次の第６図は本発明の■の工程を示しており、上記銅
メッキ（４）上にカルボキシベンゾトリアゾール銅化合
物（５）を形成する。このカルボキシベンゾトリアゾー
ル銅化合物（５）は、次の工程のドライフィルムレジス
トおよび銅箔除去の際の保護層となるもので、カルボキ
シベンゾトリアゾールのアルコール溶液に浸漬し、次い
で乾燥することによって形成することができる。この処
理において、カルボキシベンゾトリアゾールは銅と共有
結合および配位結合により化合物をつくり、これが銅の
保護層となる。

また次の第７図は■の工程を示しており、硬化したドラ
イフィルムレジストを例えば塩化メチレン等の溶剤で除
去した状態を示している。

第８図は本発明の■の工程を示しており、銅箔（４）を
例えばアンモニア系エッチャント等のエツチング液で除
去する。このとき鋼箔（４）上の活性化触媒（２）も同
時に除去される。

最後に第９図の如く■の工程により、塩酸または硫酸等
の希薄水溶液を用いて、カルボキシベンゾトリアゾール
銅化合物（５）を除去し、プリント配線板が得られる。

以上本発明の（１）〜（９）の工程について、実施例の
図面に基づいて説明したが、以下具体的について説明す
る。

（具体例）厚さ９μｍの銅箔を有する厚さ１．６　ｖｘの基板から
なる銅張り積層基板を用い、所定位置に所望の大きさの
スルーホールをドリルであけ、スルーホール部のパリ取
りと研摩を行った（第１図）。

次にマクダミラド社の「メテックス９０４８無電解銅メ
ッキ前処理システム」により、クリーナーコンディショ
ナー、マイクロエッチ、硫酸処理、触媒付着、アクセレ
レーションの工程を経て、活性化処理を行い、パラジウ
ム触媒を付着した（第２図）。

引続き銅張り積層基板に、ダイナケム社の「ラミナーＣ
ＲＪ　ドライフィルムレジストを設げ（第３図）、マス
クパターンを密鳥゛シて露光、現像し、回路、ランド部
の銅箔を露出させた（第４図）。

以上のように処理した銅張り積層基板を、下記の組成の
無電解銅メッキ液に１５時間浸漬し、下記の条件にて厚
さ約３０μｍの無電解銅メッキ層を析出させた（第５図
）。

くメッキ液組成〉銅（エチレンジアミン４酢酸銅塩として）　　　　１１
／１エチレンジアミン４酢酸　　　　　　　　　　３０
ノ／１ホルムアルデヒド（パラホルムアルデヒドとして
）　　　５１／１２．２′−ジピリジル　　　　　　　
　　　　　　　１０ｒＩｖ／ｊポリエチレングリコール
（重合度１０００）　　　２５０〜／ｌ上記溶液に蒸留
水を添加して１１とし、水酸化ナトリウムを添加してｐ
Ｈ１２，３に調整した。

くメッキ条件〉温度　　　７０°Ｃ攪拌　　　空気攪拌ろ過　　　常時循環ろ過なおこのメッキによって得られたメッキ層の抗張力は５
３　ｋｇ７ｍ”、破断伸度は１０％であった。

次いで上記基板を、０．５重量％のカルボキシベンゾト
リアゾールのメタノール溶液に２０分浸漬したのち、１
５０℃、３０分間熱風乾燥機中で熱処理し、カルボキシ
ベンゾトリアゾール銅化合物の層を形成した（第６図）
。

この後塩化メチレンにより硬化したドライフィルムレジ
ストを除去しく第７図）、引続きメルテツクス社の「ア
ンモニア系エツチング液Ａプロセス」を用いて、ドライ
フィルムレジストを除去した部分の銅を除去した（第８
図）。これにより無電解銅メッキによる回路が形成され
たが、最後にカルボキシベンゾトリアゾール銅化合物を
１０ｍｏ１％の塩酸に浸漬することにより除去し、所望
のプリント配線板を得た（第９図）。

以上のようにして得られたプリント配線板のメッキ層の
密着性のテストを、ＪＩＳ　Ｚ−１５２２に準拠して実
施したところ、メッキ剥れもなく良好であった。また半
田耐熱性のテストのために、２６０°Ｃの半田浴に２０
秒浸漬したところ、銅層のふくれは発生しなかったし、
さらに耐衝撃性テストのためにＪＩＳ　Ｃ−５０１２の
冷熱サイクルテストを１００サイクル実施したところ、
スルーホール部のメッキ銅にクラックやふくれ等の異常
は発生しなかった。

（発明の効果）本発明は以上詳述した如き構成からなるものであるから
、無電解銅メッキの処決により信頼性の高いプリント配
線板を製造することができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示しており、第１図ないし第９
図は本発明の（１）〜（９）の工程を示す部分的な断面
図である。（１）・・・・・銅張り積層基板（２）・・・・・活性化触媒（３）・・・・・ドライフィルムレジスト（４）・・・
・・銅メッキ（５）・・・・・カルボキシ次ンゾトリアゾール銅化合
物第１Ｉ！１秦２閏尾４凹、ブ本５面本ろ凹鳥７図す本８図り尾９図２゛ネ社化蝕櫨３：ぜラムフィルムレリスト４：０１ノ５．矢

Claims

【特許請求の範囲】次の（１）〜（９）の工程からなることを特徴とするプ
リント配線板の製造方法（１）銅張り積層基板の所要箇所にスルーホールを設け
る、（２）スルーホールを含めた表面を活性化処理する、（３）スルーホールを覆うように基板の表面にドライフ
ィルムレジストを設ける、（４）ドライフィルムレジストにマスクパターンを通し
て露光し、現像してパターンを形成する、（５）無電解メッキを施し露出面に銅メッキを施す、（６）上記銅メッキ上にカルボキシベンゾトリアゾール
銅化合物を形成する、（７）硬化したドライフィルムレジストを溶剤で除去す
る、（８）ドライフィルムレジストを除去した部分の銅を除
去する、（９）カルボキシベンゾトリアゾール銅化合物を除去す
る。