JPH02238942A - 銅箔と樹脂との密着性向上方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント回路基板製造の際に使用されるエッ
チングレジスト，めっきレジスト、ソルダーレジスト等
のレジスト，あるいは多層配線基板の製造の際に眉間絶
縁層として使用されるプリプレグ等の樹脂成分と，基材
である銅箔との密着性を向上させる方法に関するもので
ある．〔従来の技術〕 プリント回路基板製造時には、導体回路パターンをエッ
チングによって形成する際にはエッチングレジスト，ま
たパターンめっき，半田めっき，端子めっき、アディテ
ィブ無電解めっき等を行う際にはめっきレジスト，さら
には半田付領域の制限、腐食からの保護，電気絶縁性の
保持等の目的にはソルダーレジストのような数種類のレ
ジストが使用されている．近年、配線パターンの高密度
化微細化にともなって、これらレジストパターンはスク
リーン印刷法に代って写真製版法によって形成されるよ
うになってきた． また，高密度配線基板の要求が高まるにつれ，二次元的
に高密度化を行う外に、三次元的に高密度化を行う試み
も活発で、両面に導体配線パターンを形成した基板を，
プリブレグと称する樹脂を含浸させたガラスクロスを介
して数枚積層プレスして多層配線基板が製造され，その
暦数は増大する傾向にある．

【発明が解決しようとする課題〕

これらレジストや、眉間絶縁層として使用されるプリブ
レグは，主に樹脂からなるーものであるため，金属（プ
リント回路基板では，主として銅）との密着性が乏しい
．このため，エッチングレジストでは微細パターン形成
時の剥がれ，めっきレジストではめっきのレジストと綱
箔界面へのもぐりこみゃ、めっき液のレジスト銅箔界面
への浸透が生じている．ソルダーレジストでは，部品実
装の際の半田処理による熱衝撃や，機械的衝撃，薬品処
理によって剥がれや割れが生じる．また、多層配線基板
では部品実装の際の半田処理による熱的衝撃や、吸湿に
より眉間の剥離を生じる．このため現在レジストの塗布
、ラミネート前に銅箔表面をブラシ，バーミス，パフ研
磨、液体ホニング等の機械的方法や，過硫酸アンモニウ
ム，塩化第一鉄，硫酸、過酸化水素への浸漬、噴霧によ
る化学的方法を用いて粗化し，密着性を向上させている
．また，レジスト成分中に窒素，硫黄、酸素等のへテロ
原子を含有する化合物を密着性向上剤として添加し綱と
の密着性を向上させているものもある． しかしながら、機械的、化学的研磨のみでは十分な密着
性が得られていないのが現状で、このためエッチングレ
ジストでは微細パターン形成時にレジストパターンが剥
がれるため、エッチングレジストパターンと逆パターン
を形成して半田めっきを行い、半田をレジストとしてエ
ッチングを行う半田剥し法が行われている．この場合、
半田の毒性の問題が生じる．また，ソルダーレジストで
は、回路パターンが微細化しているため粗化によって回
路パターンが失われる問題が生じる．密着性向上剤の添
加によっては，感光性や、電気特性等のレジスト特性が
失われる問題がある．安定な酸化皮膜形成（黒化処理）
は、例えば、Ｐｌａｔｉｎｇ　ａｎｄ　Ｓｕｒｆａｃｅ
　Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ，　６９（６），９６（’８２）
，Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ，　２
５（１１），　５０（’８５），Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
　Ｐａｃｋａｇｅ　ａｎｄ　Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ，　
２０（６），　８８（’８０），　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ　ｏｆ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　ｌｌｏｒ
ｌｄＣｏｎｖｅｎｔｉｏｎ　ｎｉ　，　Ｏｆ　（８４）
等の刊行物に見られるように，多層配線基板の内層銅箔
とプリブレグとの密着性を向上させるために現在広く行
われている処理方法であり，ブリプレグと銅配線パター
ンとの密着性を向上させると同様にレジスト樹脂と銅配
線との密着性を向上させると考えられる．しかし、レジ
ストの密着性向上プロセスとして採用した場合，表面が
酸化鋼の状態であるためレジストパターン形成後のエッ
チング，めっき、半田付け等の処理を行うことができな
い．また，酸化網表面は、酸によって加水分解を受け溶
解するため、物理的にレジストと銅との密着性が向上し
てもレジストパターン形成後の諸工程における主として
酸を用いる薬液処理の際，薬液がレジストと酸化処理さ
れた銅との界面から侵入する現象を生じる．また、プリ
プレグと内層銅配線との密着性を向上させるために黒化
処理を行った場合，スルーホール穴明け後の酸処理によ
るデスミア工程において，接着界面より酸が浸透して接
着界面の酸化物層が゛失われる現象（八ローイング，ピ
ンクリング）が生じている． このような現象を防ぐため，例えば特開昭６１−１７６
１９２号、Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｗｏｒｌｄ，　１４（１）
，１８（’８７），Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　Ｐｒ
ｉｎｔａｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　ＷｏｒｌｄＣｏｎｖｅｎ
ｔｉｏｎ　ｉｖ，　９（’８７）等の刊行物に見られる
ような、安定な酸化銅皮膜の還元や、Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｏｆ　　Ｐｒｉｎｔｅｄ　　Ｃｉｒｃｕｉｔ　　Ｉ
ｌｏｒｌｄ　　Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ　　ｉｖ，　　１
０（’　８７）に見られるような粗化された表面を形成
する無電解めっきの使用，カップリング剤の使用等が提
案されている． 本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たもので，機械的または化学的粗化や、密着性向上剤の
添加なしで、プリント基板製造において用いられる各種
レジストやプリブレグのような樹脂と銅箔との密着性を
向上させる方法を得ることを目的としている． （課題を解決するための手段〕 本発明による密着性向上方法は、銅箔と樹脂とを熱圧着
する際、前もって銅箔表面に安定な酸化銅の皮膜を形成
させた後、酸を用いた化学処理によって、表面に形成さ
れた酸化膜を溶解除去させて銅箔表面を粗化する工程を
含む銅箔と樹脂との密着性向上方法である． 本発明において行われる安定な酸化皮膜の形成方法とし
ては、多層プリント配線基板の内層導体と眉間絶縁層で
あるプリプレグとの密着性を向上させるプロセスとして
広く行われている黒化処理と呼ばれるプロセスが採用で
きる．この黒化処理は、銅がアルカリ性または酸性条件
下で薬品により酸化されて，酸化第一銅または酸化第二
銅となるもので，この処理により銅表面に繊維状のもの
が突き出した形状、または細かい粒状を有する酸化銅層
が形成され，表面が著しく粗化されるために，機械的な
投錨効果により密着性が向上するものである．この安定
な酸化膜は、銅箔上に均一で滑らかな層として形成され
るのではなく、表面に酸化銅結晶が成長し、粗化された
形状になっているのと同様に，銅箔内部へも不均一に結
晶成長し，銅と酸化銅界面においても粗化された形状を
有す゛るように形成される．この酸化鋼は、銅に比べは
るかに酸によって加水分解を受けて溶解しやすいため、
酸化膜形成後，酸処理を行うと，酸化鋼層のみが選択的
に溶解除去され、粗化された形状の銅表面が出現する．
この酸化銅皮膜は数ｌＯから数１０００人の厚さである
ため，全ての銅箔が酸化鋼に変換されて、その後溶解除
去されることはない．このようにして形成された銅表面
は，酸化鋼に比べて極めて酸に対する耐性が高く，また
著しく粗化された形状を有するため、機械的な投錨効果
により樹脂との密着性が高くなり，また銅であるため薬
液，特に酸によって侵されにくい．黒化処理を行う薬品
としては，次亜塩素酸ナトリウム，水酸化ナトリウム，
りん酸ナトリウム等からなるものや，酢酸鋼．硫酸銅，
硫化バリウム，塩化アンモニウム等からなるものを処理
液の一例としてあげることができる．これらの処理液は
、４５℃から９５℃に加熱して使用される．このように
して形成した酸化銅皮膜の処理液としては、硫酸，塩酸
，硝酸，クロム酸、硫化水素，亜硫酸，ギ酸、しゆう酸
、酢酸等があげられる．この中で特に望ましいものとし
ては，硫酸，塩酸，硝酸，クロム酸等の無機酸をあげる
ことができる．本発明における方法は，エッチングレジ
スト，半田めっきレジストの場合は、銅張り積層板に必
要に応じて穴明けを行い，めっき核触媒を全体に付与し
た後、無電解めっき，次いで電気めっきを行った基板、
またパターンめっきレジストの場合は穴明け、触媒付与
，無電解めっきを行った基板、さらにはアディティブ無
電解めっき用レジスト、ソルダーレジストの場合は，ス
ルーホール、部品穴，配線パターンを形成した基板に上
記の酸化鋼皮膜形成処理を行い，上記薬品によって化学
処理を行い、この後レジストを塗布またはラミネートし
た後、レジストパターンを形成するもの１である．多層
配線基板の場合は、多層化積層前に酸化膜形成，化学処
理を行った後、ブリプレグを介して積層プレスを行う． 酸化銅皮膜形成後、この酸化皮膜を溶解除去することに
よって、表面が酸化されていない銅である著しく粗化さ
れた形状を有する銅表面が形成され、レジスト樹脂と綱
配線との密着性が大幅に向上する．この結果，エッチン
グレジスト沁おけるパターンの剥がれ、めっきレジスト
におけるめっきのもぐりこみゃ、めっき液の浸透、ソル
ダーレジストにおけるレジスト皮膜の剥がれや、多層配
線基板の層間剥離やプリプレグと導体接着界面よりの薬
液の浸透などが防止できる． 【作　用】 本発明における密着性向上方法によれば，導体金属と樹
脂の密着性が向上し、レジストパターンの剥がれ，めっ
きのもぐりこみ、めっき液の浸透，熱的及び機械的衝撃
による剥がれや割れ、内層導体とプリブレグとの層閲剥
離、表面酸化処理では避けられない接着界面からの酸の
浸透などを防止できる． 〔発明の実施例〕 次に、本発明の具体的な実施例について述べる．ここに
示す実施例は本発明の実施態様を示すものであり、本発
明はこれらによって限定されるものではない． 実施例１ １■−の厚さの両面に３５μ■の銅箔を貼ったガラス・
エポキシ積層板にスルーホール，部品穴の穴明けを行っ
た後、全体にめっき核を付与し、無電解銅めっき、次い
で電気めっきを行ってスルーホール内に２５μ墓の銅を
析出させた． 次に、以下の組成からなる処理液に９０℃で２分間浸漬
し，銅表面上に安定な酸化銅皮膜を形成した．次亜塩素
酸ナトリウム　　　　　３１ｇ／ａ水酸化ナトリウム　
　　　　　　１５ｇ／Ωりん酸ナトリウム　　　　　　
　１２ｇ／Ｑ次いで，１０重量％濃度の硫酸に２分間浸
漬し、表面に形成された酸化網皮膜を溶解除去した．こ
の後十分な水洗と乾燥を行い、アルカリ現像型ドライフ
ィルムレジスト　リストン■（デュポン社製、商標）を
ラミネートし，常法によりエッチングレジストパターン
を形成した．このレジストパターンをエッチングレジス
トとして，塩化第二鉄によってエッチングを行い，最小
導体幅５０μ論の回路を形成した．レジストパターンの
現像またはエッチング処理中の剥がれは生じなかった．
実施例２ 直径０．４〜０．５ｍｓ＋のスルーホール，部品挿入穴
、最小導体幅２００μ園の回路パターンを有するガラス
・エボキシ１１４層基板を、常法により作製した．この
基板を以下の組成から成る処理液に４５℃で４分間浸漬
し，銅表面上に安定な酸化銅皮膜を形成した． 硫酸銅　　　　　　　　　　　　２４ｇ／　Ｑ酢酸銅　
　　　　　　　　　　　３０ｇ／　ｆｌ硫化バリウム　
　　　　　　　　２４ｇ／　Ｑ塩化アンモニウム　　　
　　　　２４ｇ／　Ｑこの後、濃度１０重量％の硝酸に
５分間浸漬し，表面に形成された酸化鋼皮膜を除去した
．十分な水洗と乾燥を行った後，アルカリ現像型ドライ
フィルムフォトソルダーレジスト　ラミナーＤκ（ダイ
ナケム社製、商標）をラミネートし．常法によってソル
ダーレジストパターンを形成した．フラックス処理を行
い、半田付けを行ったが、レジストの割れや剥がれは生
じなかった．また，熱衝撃試験として，１２５℃、３０
分，−６５℃％３０分のヒートサイクルテストを行って
も変化はみられなかった． 実施例３ ガラス・ポリイミド製の１４層基板の内層を作成し，積
層プレスを行った．０．２〜０．７鵬膳のスルーホール
、部品挿入穴用の穴明けを行った後、全体にめっき核触
媒を付与し、　２μ園の厚さまで無電解銅めっきを行っ
た．この基板を常法によりエッチングして，最外層の回
路パターンを形成した．この後，実施例１で用いた方法
と同様にして、表面に酸化鋼皮膜を形成した．次いで，
濃度１０重量％の塩酸に３分間浸漬し，酸化皮膜を溶解
除去した．上記基板に以下の組成からなる樹脂から作製
した，耐無電解めっき液性を有するドライフイルムめっ
きレジストをラミネートし、スルーホール，ランド、部
品穴、端子部のみを残しためつきレジストパターンを形
成した． フタロシアニングリーン　　　　　　　　　　　０．５
部メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　６０
部上記基板を以下の組成からなる無電解鋼めっき液にｐ
Ｈ１２．０、７０℃で１６時間浸漬し，スルーホール内
で３０μ一の厚さになるように銅を析出させた．硫酸鋼
　　　　　　　　　　　０．０４膳ｏ１／ａホノレマリ
ン　　　　　　　　　０．０６鳳ｏ１／　Ｑ添加剤，安
定剤　　　　　　　０．０９■ｏｌ／　Ｑめっき中、ま
たはめっき後，めっきレジストの剥がれや、レジストと
銅との接合界面よりのめつき液の浸透，めっきのもぐり
こみ等は認められなかった． 実施例４ 実施例２で用いたガラス・エポキシ製４層基板に，実施
例２で用いたものと同様の方法で酸化銅皮膜を形成した
．この後、１０重量％濃度の硫酸を用いて酸化膜を溶解
除去した．水洗と乾燥を十分に行った後、アルカリ現像
型フォトソルダーレジストＰＳＲ−４０００（太陽イン
キ社製）を乾燥後の厚さが３０μ鵬になるようにステン
シノレなしのスクリーンを用いてスクリーン印刷した．
次いで，常法によりソルダーレジストパターンを形成し
た．この様にして形成したソルダーレジスト皮膜は、導
体銅箔との密着性が良好で，半田付けの際の熱衝撃や薬
品処理、機械的衝撃を受けても剥がれや割れを生じるこ
とはなかった． 実施例５ 両面に１８μ鵬の銅箔層を有する０，ｌａｍ厚さのガラ
ス・ポリイミド基板に，エッチング法を用いて内層回路
パターンを形成した．次いで，実施例１と同様の方法で
酸化鋼皮膜を形成後、クロム酸混液に２０分間浸漬し、
酸化銅皮膜を溶解除去した．十分な水洗と乾燥を行った
後．　　０．１ｍｌのガラス・ポリイミドプリプレグ２
枚を介して積層プレスを行い、１４層基板を作製した． スルーホール，部品挿入穴等の穴明けを行った後、クロ
ム酸混液により穴内のスミア除去（デスミア）を行った
が、銅導体とプリプレグとの接合界面よりの酸の浸透，
これに伴うランド部の変色等は生じなかった． 比較例１ １ｍｍの厚さの両面に３５μ―の銅箔をはったガラス・
エポキシ積層板にスルーホール、部品穴の穴明けを行っ
た後，全体にめっき核を付与し、無電解銅めっき，次い
で電気めっきを行ってスルーホール内に２５μ■の銅を
析出させた． この基板の両面をパーミスで研磨し，十分な水洗と乾燥
を行ったのち，実施例１と同様にしてリストンｍをラミ
ネートした．導体幅５０μ．鳳のレジストパターンを形
成したが、現像中にレジストの一部が剥離，脱落し、エ
ッチングによって配線パターン切れが生じた． 比較例２ 実施例３と同様にガラス・ポリイミド１４層基板の内層
のみを積層プレスした．この後，実施例３と同様にして
スルーホール、部品挿入穴の穴明け、無電解銅めっきを
行った後、洗浄，乾燥を行って実施例３で用いたドライ
フィルムレジストをラミネートした．めっきレジストパ
ターンを形成し，実施例３と同様に１６時間めっきを行
ったが、レジスト膜そのものの劣化は認められなかった
が、導体鋼とレジストの接合界面よりめっき液が浸透し
、この結果導体の変色が生じ，また配線間の電気絶縁性
が著しく低下した． 比較例３ 実施例３と同様にガラス・ポリイミド１４層基板を作製
し、スルーホール，部品挿入穴の穴明け、無電解銅めっ
きを行った．次いで、実施例３と同様にして酸化鋼皮膜
を形成後，実施例３，比較例２で用いたドライフィルム
レジストをラミネートし，めっきレジストパターンを形
成した．実施例３、比較例２と同様に無電解銅めっきを
１６時間行ったところ、レジストと酸化銅界面よりめっ
き液が浸透し，酸化銅層が溶解したため，レジストの剥
離が生じた． 比較例４ 実施例５と同様にガラス・ポリイミド内層基板を作製し
た．次いで，実施例５と同様に酸化鋼皮膜を形成した．
この後，０．１思鵬のガラス・ポリイミドブリプレグ２
枚を介して積層プレスし．　１４層基板を作製した．ス
ルーホール，部品挿入穴の穴明け後、クロム酸混液を用
いたデスミアを行ったところ，酸化鋼とブリプレグの接
合界面より酸が浸透し、ランド部が変色する現象（ハロ
イング）を生じた． 以上の結果より，酸化綱皮膜形成後に酸による溶解除去
の工程を行わない場合，または酸化銅皮膜形成処理のみ
の場合、目的とする樹脂と銅との良好な密着性が得られ
ないことがわかる．〔発明の効果〕 以上のように、本発明によれば，プリント回路基板製造
工程において使用される各種レジストやプリプレグ等の
樹脂と綱箔との密着性を向上させるために，酸化鋼皮膜
形成と，酸を用いた化学処理による上記皮膜の溶解除去
の工程を行うため，銅箔と樹脂との密着性が著しく向上
し、樹脂と銅箔との剥がれや接合界面よりの薬液の浸透
が防止できる効果がある．

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）銅箔と樹脂とを熱圧着する際、前もって銅箔表面
   に安定な酸化銅の皮膜を形成させた後、酸を用いた化学
   処理によって、表面に形成された酸化膜を溶解除去させ
   て銅箔表面を粗化する工程を含むことを特徴とする銅箔
   と樹脂との密着性向上方法。