JPH04188503A - セラミツクス誘電体厚膜コンデンサ、その製造方法および製造装置 - Google Patents

セラミツクス誘電体厚膜コンデンサ、その製造方法および製造装置

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JPH04188503A
JPH04188503A JP2315819A JP31581990A JPH04188503A JP H04188503 A JPH04188503 A JP H04188503A JP 2315819 A JP2315819 A JP 2315819A JP 31581990 A JP31581990 A JP 31581990A JP H04188503 A JPH04188503 A JP H04188503A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えばエレクトロニクスの分野で用いられる
セラミックス誘電体厚膜コンデンサのようなセラミック
ス誘電体製品の製造方法及び装置に関するものである。
[従来の技術] 従来、この種のセラミックス誘電体厚膜コンデンサにお
いては、基板上にBaTiO3、PbTi0i、Tie
、等の強誘電体層の厚膜を形成し、その両面に電極を形
成した構造であり、誘電体層の厚さをできる限り薄くし
て静電容量を増加させることが望まれている。
このため、誘電体層の厚さを薄くすると共に、十分な信
頼性を確保するためには、良質で微小な誘電体原料を使
用し、誘電体以外の異物の混入をなくして緻密な誘電体
厚膜を形成する必要がある。
従来技術によるセラミックス誘電体厚膜コンデンサの製
造方法では、誘電体として用いられる原料粒子の大きさ
はほぼ10〜3μm程度であり、その粒子を高分子等の
バインダと混練してペースト状にし、基板上に塗布した
後、乾燥、焼成の工程が行われている。焼成の工程では
、1100〜1300℃程度の温度に加熱して、バイン
ダを分解、気化させ、こうしてセラミックス系基板上に
セラミックス誘電体厚膜が形成される。そしてセラミッ
クス誘電体厚膜の下面及び上面には電極層が形成される
この場合、電極層の形成は、誘電体厚膜層の形成と同様
に、金属微粒子を用いたペーストを電極形状に塗布し、
乾燥し、更に焼成することにより行われる。
[発明が解決しようとする課題] ところで、このような従来のセラミックス誘電体厚膜コ
ンデンサの製造方法においては、誘電体として用いられ
る原料粒子の大きさ10〜3IIm程度に対して、積層
部における特性のばらつきを少なくするためには最少で
も30μmの厚さか必要とされ、通常は50μm以上に
されている。そのため、静電容量を大きくすることがで
きないという問題点かある。
また、誘電体層及び及び電極層の形成には高分子バイン
ダ等粒子の粘結剤が必要となり、そのためこれらの粘結
剤を分解、気化させるのに1100〜1300℃程度の
温度に加熱する必要かあり、しかも製造工程が複雑であ
るという問題もある。
さらに、このように誘電体層を焼成するのに1100℃
以上の温度に加熱する必要かあるため、電極層の材料と
してAgペーストは、焼成のための加熱の上限温度が8
50℃であるAgペーストは使用できず、ptペースト
等を使用しなければならない。従って使用できる電極層
材料が限定されることになる。
そこで、本発明は、これらの問題点を解決して製造工程
を簡略化できしかも特性の向上、安定したセラミックス
誘電体製品の製造方法及び装置を提供することを目的と
している。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明の第1の発明によ
るセラミックス誘電体製品の製造方法は、粒径が1μm
以下のセラミックス系誘電体微粒子をガス中に浮遊させ
てエアゾール化し、エアゾール化したセラミックス系誘
電体微粒子をノズルを介して高速で基板上に噴射して堆
積させ厚さ1〜20II+1のセラミックス誘電体厚膜
層を形成することを特徴としている。
また、本発明の第2の発明によるセラミックス誘電体製
品の製造方法は、粒径か1μm以下のセラミックス系誘
電体微粒子をガス中に浮遊させてエアゾール化し、エア
ゾール化したセラミックス系誘電体微粒子をノズルを介
して高速で基板上に噴射して堆積させ、その直後に加熱
用ビームを用いて堆積層の表面を加熱することにより焼
成を行って厚さ1〜20μmのセラミックス誘電体厚膜
層を形成することを特徴としている。
好ましくは、焼成工程は、集光系を用いて光熱線を堆積
層の表面付近に集束させるが、または、加熱し昇温した
ガスを堆積層の表面に吹き付けることによって行われ得
る さらに、本発明の第3の発明によるセラミックス誘電体
製品の製造方法は、粒径が1μm以下のセラミックス系
誘電体微粒子をガス中に浮遊させてエアゾール化し、エ
アゾール化したセラミックス系誘電体微粒子をノズルを
介して高速で基板上に噴射して厚さ1〜20μmに堆積
させ、その上に耐熱性、耐絶縁性の高分子材料層を厚さ
0.5〜10μmに形成することを特徴としている。
さらにまた、本発明の第4の発明によるセラミックス誘
電体製品の製造方法は、粒径が]μm以下のセラミック
ス系誘電体微粒子をガス中に浮遊させてエアゾール化し
、エアゾール化したセラミックス系誘電体微粒子をノズ
ルを介して高速で基板上に噴射して堆積させ、その直後
に加熱用ビームを用いて堆積層の表面を加熱することに
より焼成し、更にその上に耐熱性、耐絶縁性の高分子材
料層を厚さ0.5〜10μmに形成することを特徴とし
ている。
本発明の第3及び第4の発明によるセラミックス誘電体
製品の製造方法においては、好ましくは、高分子材料層
は蒸着重合法またはスピンコート法により形成され得る
さらにまた、本発明の第5の発明によるセラミックス誘
電体製品の製造方法は、粒径が1μm以下のセラミック
ス系誘電体微粒子をガス中に浮遊させてエアゾール化し
、エアゾール化したセラミックス系誘電体微粒子をノズ
ルを介して高速で基板上に噴射して堆積させ厚さ]−〜
201Imのセラミックス誘電体厚膜層を形成し、更に
セラミックス誘電体厚膜層の表面に厚さ1〜20μmの
電極層を形成することを特徴としている。
さらにまた、本発明の第6の発明によるセラミックス誘
電体製品の製造方法は、粒径が1μm以下のセラミック
ス系誘電体微粒子をガス中に浮遊させてエアゾール化し
、エアゾール化したセラミックス系誘電体微粒子をノズ
ルを介して高速で基板上に噴射して厚さ1〜20μmに
堆積させ、その上に耐熱性、耐絶縁性の高分子材料層を
厚さ0.5〜IOμmに形成し、この高分子材料層の上
に厚さ1〜20μmの電極層を形成することを特徴とし
ている。
本発明の第5及び第6の各発明によるセラミックス誘電
体製品の製造方法においては、好ましくは、電極層は、
Ag、 Au、 Pd5Pt等の導電膜用金属またはそ
れら金属の合金の微粒子、またはCu、、Ni等の集積
回路配線用金属またはそれら金属の合金の微粒子を用い
てガスデボジション法により形成され得る。
さらにまた、本発明の第7の発明によるセラミックス誘
電体製品の製造装置は.ガスデボジション膜形成室と、
このカスデポジション膜形成室内部に配置され、基板移
動系と基板加熱系とを備えた基板ホルダと、基板ホルダ
上の基板に対向して位置決めされたセラミックス誘電体
微粒子の噴射ノズルと、この噴射ノズルへセラミックス
誘電体微粒子をガスに浮遊させてエアゾール化した状態
で供給するセラミックス誘電体微粒子搬送系と、基板ホ
ルダ上の基板に加熱用ビームを照射する加熱用ビーム照
射手段とから成ることを特徴としている。
本発明による装置をセラミックス誘電体厚膜または積層
コンデンサの製造装置として実施する場合には上記構成
に加えてさらに基板ホルダ上の基板に対向して位置決め
された導電性材料の微粒子の噴射ノズル及びこの導電性
材料の微粒子の噴射ノズルに導電性材料の微粒子をガス
に浮遊させてエアゾール化した状態で供給する導電性材
料の微粒子搬送系が設けられる。
[作  用] このように構成した本発明の各方法の発明においては、
粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子を用い
ているので、膜を緻密に形成することができ、その結果
形成すべき誘電体層を薄くすることができと共にその特
性は安定化される。従って、本発明の各方法を用いて製
造されたセラミックス誘電体厚膜コンデンサにおいては
その静電容量は大幅に大きくてきる。例えば従来法によ
るセラミックス誘電体層の膜厚は30〜50μmである
が、本発明の各方法によりセラミックス誘電体層の膜厚
を15μmに形成した場合には、静電容量は2〜3倍に
向上させることができる。
また本発明の各方法の発明においては.ガスデボジショ
ン法によって誘電体層及び電極層が形成されるので、誘
電体層及び電極層の形成にこれらの層を形成する微粒子
材料を高分子バインダ等で混線し、基板上に塗布または
印刷する必要がなく、製造工程を簡略化することができ
、また焼成後の誘電体層及び電極層におけるそれぞれの
構成材料の充填率が向上され、特性の向上、安定がもた
らされることになる。
さらに誘電体の微粒子をガスデボジション法によって直
接基板へ吹き付は堆積させて誘電体層を形成しており、
従来技術で用いられてきた高分子バインダ等の粘結剤は
必要でなく、焼成時にそれらを分解、気化させる必要が
ないので、焼成温度を900℃以下に下げることができ
、また電極層は300℃程度の加熱で十分な導電性及び
膜強度が得られる。
さらにまた本発明の第2、第4の発明においては.ガス
デボジション法によって誘電体層を形成した直後に赤外
線1、レーザ等の熱線を微粒子の堆積層に照射し、焼成
を行うようにしているので、誘電体層の形成時に焼成を
同時に行うことかできる。
さらにまた、本発明の第3、第4の発明においては、誘
電体層の表面に耐熱性、耐絶縁性の高分子材料層を形成
しているので、耐絶縁性が向上される。
また本発明の装置においては、少なくともセラミックス
誘電体の膜形成と焼成処理を同一装置で行うように構成
しているので、処理工程が簡略化される。
[実施例] 以下添付図面を参照して本発明の実施例について説明す
る。
実施例では、本発明による方法を、強誘電体材料の代表
的なりaTiO3(チタン酸バリウム)製のセラミック
ス誘電体厚膜コンデンサの製造に適用した例について説
明する。
第1図にはBaTiO3厚膜コンデンサの製造工程が示
され、この製造に使用される装置の一例を第2図に示す
第2図の装置において、1はカスデポジション膜形成室
で、このガスデボジション膜形成室1内には膜形成の行
われる基板2を支持している基板ホルダ3か配置され、
この基板ホルダ3には基板加熱系4及び基板X−Y移動
系5が設けられている。基板ホルダ3上の基板2に対向
して二つの噴射ノズル6.7が配置され、一方の噴射ノ
ズル6は搬送管8及び搬送停止弁9を介してセラミック
誘電体微粒子の入った混合容器10に連接され、また混
合容器10はガス流量調節弁11を介して乾燥空気ボン
ベ12に連結されている。
他方の噴射ノズル7は搬送管13及び搬送停止弁14を
介してAg微粒子の入った混合容器15に連結され、こ
の混合容器15はまたガス流量調節弁16を介して^r
ガスボンベ17に連結されている。
さらに.ガスデボジション膜形成室1にはレーザビーム
導入ポート18が設けられ、このレーザビーム導入ポー
ト18を通してC02レーザ発振器19からミラー20
及びレンズ21を介して基板ホルダ3上の基板2に加熱
用の002 レーザビームが導入できるように構成され
ている。
なお、第2図において、22はガスデボジション膜形成
室1内を排気するための真空ポンプ、23はガスデボジ
ション膜形成室1内の圧力を測定する圧力計である。
工 程1:材料の準備 基板2としては第1図のIて示すように幅5■、長さ2
0IIIII11厚さ0.3mmのアルミナ(At 2
03 )が用意される。
用意されたアルミナ基板2は第2図に示すガスデボジシ
ョン膜形成室1内の基板ホルダ3に固定される。
液相法による微粒子の製造法の一つとして知られたアル
コキシド法により作られ、重量比Ba:59、T+ +
 20.5.0 : 20.5、平均粒径〈1μ眠比表
面積6 、2 m 2/ g s純度2N5の特性をも
ツBaTiO3の微粒子20gを混合容器lOに入れる
また気相法のガス蒸発法で生成され、平均粒径< 0.
2μm、比表面積7.2m27g、純度3Nの特性をも
つAg微粒子35gを混合容器15に入れる。
なお、噴射ノズル6の寸法は長さ3酊、幅0.3i+m
のスリット状であり、また噴射ノズル7の寸法は内径1
..8nunの円管状である。
工 程2.下部電極層の形成 セラミックス誘電体微粒子の搬送系における搬送停止弁
9は閉じられる。
真空ポンプ22を作動してカスデポジション膜形成室1
を真空排気し、その後Ag微粒子の搬送系における搬送
停止弁14を開き、^rガスポンベ17からArガスを
6又/分の流量で混合容器15内へ流し込む。アルミナ
基板2は基板加熱系4て300℃に加熱しておく。
混合容器】5内に流し込んたArガスによりAg微粒子
は浮遊し、Arガスとエアゾール化した状態て搬道管1
3を通って噴射ノズル7から40m/秒の高速で噴射し
、Ag微粒子をアルミナ基板2上に堆積する。この際、
アルミナ基板2は基板X−Y移動系5により5 mm/
分の速度でX軸方向に移動される。
従って4分間で長さ20m1Tlのアルミナ基板2の全
長にわたり第1図に■て示すようにAg微粒子膜24か
形成される。この場合Ag微粒子膜24の膜厚は8μm
であり、膜の幅は噴射ノズル7の内径より幾分拡がり、
2rIIIIlである。
工 程3 :  BaTi0i誘電体膜の形成この工程
では、工程2で形成した下部Ag電極層24の上面にB
aTi0.の微粒子を噴射して第1図の■に示すように
誘電体層25を形成する。この場合、アルミナ基板2の
右端3mmは下部電極層24の端子として使用するため
、BaTiO3の微粒子の噴射は行わす、それ以外の長
さ17mmの部分に誘電体層25が形成される。
すなわち、この工程では、Ag微粒子の搬送系における
搬送停止弁14を閉じ、誘電体微粒子の搬送系における
搬送停止弁9を開き、工程2と同様に真空ポンプ22を
作動してガスデボジション膜形成室1を真空排気する。
そして乾燥空気ボンベ12から乾燥空気を5t/分の流
量で混合容器10内へ流し込み、この混合容器10内の
BaTiO3の微粒子をエアゾール化して、搬送管8を
介してスリット状の噴射ノズル6から高速(90m/秒
)で噴射し、アルミナ基板2上にBaTiO3の微粒子
を堆積させる。この場合、アルミナ基板2は基板X−Y
移動系5により4mm/分の速度で移動され、約4分て
堆積か行われる。
また堆積時に、堆積層表面をCO□レーシー振器19か
らのCO2レーシーームの照射て同時に加熱し、焼成を
行う。この場合、加熱面におけるビームスポットの径は
レンズ21により約4mmに集束される。
また堆積層の加熱部の温度は900℃となるようにCO
2レーザ発振器19の出力を調節し、その出力は6W連
続である。
こうして加熱処理した後の誘電体層25の膜厚は15μ
mである。
この工程においては、BaTiO3の微粒子の堆積層を
スポット加熱で90(1℃に加熱しているので、アルミ
ナ基板2に密着したAg電極層24は、Agの融点が9
80℃であるので、溶けて変形することはない。
工 程4;ポリイミド絶縁膜の蒸着重合工程3でBaT
i0i誘電体層25を形成した後、この工程ではアルミ
ナ基板2の右端を3mmマスキングし、残りの全面に蒸
着重合法によってポリイミド薄膜2Bが形成される。
すなわち、粉末状モノマーのピロメリット酸二無水物(
PMDA) 4 g及びオキシジアニリン(ODA)4
gを蒸着重合装置内の別々の蒸発皿に入れ、いずれもハ
ロゲンランプの輻射加熱で130 ’C1,:加Mし、
1.7 XIO〜3Pa (1,3Xl0−5Torr
)の圧力下でこれらのモノマーを個々に蒸発させ1、蒸
発面での熱的運動によるモノマーの重合反応によってポ
リイミド薄膜26が形成される。この場合蒸発時間50
分でポリイミド薄膜26は1.5μmの膜厚に形成され
る。
工 程5;上部電極層の形成 この工程では工程2で形成した下部電極層24と同じ方
法によりAg微粒子層から成る上部電極層27が形成さ
れる。この場合、下部電極層24との短絡を防止するた
め、アルミナ基板2の右端5mll1の部分にはAg微
粒子膜を形成しない。また膜形成時にはアルミナ基板2
は300℃に加熱されている。
このようにして、第1図のVに示すようなりaTi03
製のセラミックス誘電体厚膜コンデンサが得られる。得
られたコンデンサの誘電体層25を挟んだ下部電極層2
4と上部電極層2Bとの対向面積は2 mn+X 15
n+m −30mm2である。
またこうして得られたコンデンサの特性を従来法によっ
て作成したコンデンサと比較して下表に示す。
ところで、上記の実施例の工程3てはBaTiO3の微
粒子堆積層にCO2レーレーザ器19からのC02レー
サビームの照射て同時加熱を行っているが、このCO2
レーザビームによる加熱処理に代えて、加熱炉を使用し
て加熱炉内て昇温、焼成を行うこともてきる。この場合
上記実施例と同様に電極層Agを使用する際には加熱温
度は850℃が限界である。
また、図示実施例の工程を繰返すこと、すなわち工程2
.3.4.3.2.3.4・・・・・・と繰返すことに
よってセラミックス積層コンデンサを製造することもて
きる。
さらにまた、図示実施例では、ガステデポシション法に
よる膜形成(工程2.3.5)をガスデボジション膜形
成室1内において減圧下[0,26〜0.4KPa (
2〜3 Torr) ]で行っているが.ガスデボジシ
ョン膜形成室コを用いずにこれらの膜形成を大気中で行
うことも可能である。その場合、各混合容器内の圧力、
ガス流量及び形成される膜の幅は下記に示す値に選択さ
れ得る。
すなわち誘電体微粒子系では、混合容器10内の圧力(
MPa)は0.23、ガス流jl(交/分)は6,0、
そして形成される膜幅(+μm)は3.3に選択され、
またへg微粒子系では混合容器15内の圧力(MPa)
は0.22、ガス流量(見/分)は7.0、そして形成
される膜幅(mm)は2.4に選択され得る。
さらにまた、上記の実施例ではセラミックス誘電体厚膜
及び積層コンデンサについて説明してきたが、当然本発
明は他のセラミックス誘電体製品に同様に適用すること
ができる。
[発明の効果] 以上説明してきたように、本発明の方法によれば、セラ
ミックス誘電体の微粒子を使用しているので、膜を緻密
化させ、焼成温度を下げることかでき、また膜の緻密化
によりセラミックス誘電体層の膜厚を減少させることか
でき、それにより本発明の方法をセラミックス誘電体厚
膜または積層コンデンサの製造に適用することによって
静電容量を大幅に向上させる二とができる。またこの場
合絶縁膜の積層により絶縁抵抗、耐圧か向上し、コンデ
ンサとしての特性を改善させることができる。
また、本発明の方法によれば、バインダ等を使用せずに
ドライプロセスで膜を形成することがてき、低IA暁成
か可能となり、その結果良好な結晶性が得られる。
さらに本発明の装置によれば、誘電体層の形成と焼成及
び電極層の形成を同一装置で行うように構成されている
ので、セラミックス誘電体製品の製造工程を簡略化する
ことができ、またドライプロセスで膜形成を行うことの
できる装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法をセラミックス誘電体厚膜コンデ
ンサの製造に適用した場合の各工程を示す概略断面図、
第2図は本発明の方法を実施している装置の一例を示す
環路線図である。 図   中、 1:ガスデボジション膜形成室 2:基板 3・基板ホルダ 4、基板加熱系 5 基板移動系 6 セラミックス誘電体微粒子の噴射 ノズル 7、導電性材料の微粒子の噴射ノズル 8:誘電体微粒子の搬送管 9;搬送停止弁 10:混合容器 11:ガス流量調節弁 12:乾燥空気ボンベ 13:導電性材料の微粒子の搬送管 14:搬送停止弁 15:混合容器 16:ガス流量調節弁 17:^rガスボンベ 18:加熱用ビーム導入ポート 19:ガスレーザ発振器 20・偏向ミラー 21  集東レンズ 22:真空ポンプ 23:圧力計 24・下部電極層 25:誘電体層 26:絶縁膜 27:上部電極層 第1図

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子を
    ガス中に浮遊させてエアゾール化し、エアゾール化した
    セラミックス系誘電体微粒子をノズルを介して高速で基
    板上に噴射して堆積させ厚さ1〜20μmのセラミック
    ス誘電体厚膜層を形成することを特徴とするセラミック
    ス誘電体製品の製造方法。
  2. 2.粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子を
    ガス中に浮遊させてエアゾール化し、エアゾール化した
    セラミックス系誘電体微粒子をノズルを介して高速で基
    板上に噴射して堆積させ、その直後に加熱用ビームを用
    いて堆積層の表面を加熱することにより焼成を行って厚
    さ1〜20μmのセラミックス誘電体厚膜層を形成する
    ことを特徴とするセラミックス誘電体厚膜の製造方法。
  3. 3.焼成工程が、集光系を用いて光熱線を堆積層の表面
    付近に集束させることによって行われる請求項2に記載
    の方法。
  4. 4.焼成工程が、加熱し昇温したガスを堆積層の表面に
    吹き付けることによって行われる請求項2に記載の方法
  5. 5.粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子を
    ガス中に浮遊させてエアゾール化し、エアゾール化した
    セラミックス系誘電体微粒子をノズルを介して高速で基
    板上に噴射して厚さ1〜20μmに堆積させ、その上に
    耐熱性、耐絶縁性の高分子材料層を厚さ0.5〜10μ
    mに形成することを特徴とするセラミックス誘電体製品
    の製造方法。
  6. 6.高分子材料層が蒸着重合法により形成される請求項
    5に記載の方法。
  7. 7.高分子材料層がスピンコート法により形成される請
    求項5に記載の方法。
  8. 8.粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子を
    ガス中に浮遊させてエアゾール化し、エアゾール化した
    セラミックス系誘電体微粒子をノズルを介して高速で基
    板上に噴射して堆積させ、その直後に加熱用ビームを用
    いて堆積層の表面を加熱することにより焼成し、更にそ
    の上に耐熱性、耐絶縁性の高分子材料層を厚さ0.5〜
    10μmに形成することを特徴とするセラミックス誘電
    体製品の形成方法。
  9. 9.高分子材料層が蒸着重合法により形成される請求項
    8に記載の方法。
  10. 10.高分子材料層がスピンコート法により形成される
    請求項8に記載の方法。
  11. 11.粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子
    をガス中に浮遊させてエアゾール化し、エアゾール化し
    たセラミックス系誘電体微粒子をノズルを介して高速で
    基板上に噴射して堆積させ厚さ1〜20μmのセラミッ
    クス誘電体厚膜層を形成し、更にセラミックス誘電体厚
    膜層の表面に厚さ1〜20μmの電極層を形成すること
    を特徴とするセラミックス誘電体製品の製造方法。
  12. 12.電極層が、Ag、Au、Pd、Pt等の導電膜用
    金属またはそれら金属の合金の微粒子を用いてガスデボ
    ジション法により形成される請求項11に記載の方法。
  13. 13.電極屠が、Cu、Ni等の集積回路配線用金属ま
    たはそれら金属の合金の微粒子を用いてガスデボジショ
    ン法により形成される請求項11に記載の方法。
  14. 14.粒径が1μm以下のセラミックス系誘電体微粒子
    をガス中に浮遊させてエアゾール化し、エアゾール化し
    たセラミックス系誘電体微粒子をノズルを介して高速で
    基板上に噴射して厚さ1〜20μmに堆積させ、その上
    に耐熱性、耐絶縁性の高分子材料層を厚さ0.5〜10
    μmに形成し、この高分子材料層の上に厚さ1〜20μ
    mの電極層を形成することを特徴とするセラミックス誘
    電体製品の製造方法。
  15. 15.電極層が、Ag、Au、Pd、Pt等の導電膜用
    金属またはそれら金属の合金の微粒子を用いてガスデボ
    ジション法により形成される請求項14に記載の方法。
  16. 16.電極層が、Cu、Ni等の集積回路配線用金属ま
    たはそれら金属の合金の微粒子を用いてガスデボジショ
    ン法により形成される請求項14に記載の方法。
  17. 17.ガスデボジション膜形成室と、このガスデボジシ
    ョン膜形成室内部に配置され、基板移動系と基板加熱系
    とを備えた基板ホルダと、基板ホルダ上の基板に対向し
    て位置決めされたセラミックス誘電体微粒子の噴射ノズ
    ルと、この噴射ノズルへセラミックス誘電体微粒子をガ
    スに浮遊させてエアゾール化した状態で供給するセラミ
    ックス誘電体微粒子搬送系と、基板ホルダ上の基板に加
    熱用ビームを照射する加熱用ビーム照射手段とを有する
    ことを特徴とするセラミックス誘電体製品の製造装置。
  18. 18.ガスデボジション膜形成室と、このガスデボジシ
    ョン膜形成室内部に配置され、基板移動系と基板加熱系
    とを備えた基板ホルダと、基板ホルダ上の基板に対向し
    て位置決めされたセラミックス誘電体微粒子の噴射ノズ
    ルと、この噴射ノズルへセラミックス誘電体微粒子をガ
    スに浮遊させてエアゾール化した状態で供給するセラミ
    ックス誘電体微粒子搬送系と、基板ホルダ上の基板に対
    向して位置決めされた導電性材料の微粒子の噴射ノズル
    と、この導電性材料の微粒子の噴射ノズルに導電性材料
    の微粒子をガスに浮遊させてエアゾール化した状態で供
    給する導電性材料の微粒子搬送系と、基板ホルダ上の基
    板に加熱用ビームを照射する加熱用ビーム照射手段とを
    有することを特徴とするセラミックス誘電体製品の製造
    装置。
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