JPH04311561A - 薄膜形成方法及び装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び装置Info
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- JPH04311561A JPH04311561A JP7635991A JP7635991A JPH04311561A JP H04311561 A JPH04311561 A JP H04311561A JP 7635991 A JP7635991 A JP 7635991A JP 7635991 A JP7635991 A JP 7635991A JP H04311561 A JPH04311561 A JP H04311561A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光によるアブレ
ーション現象を利用して基板上に薄膜を形成する方法及
び装置に関するものである。
ーション現象を利用して基板上に薄膜を形成する方法及
び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物薄膜、例えば酸化物超伝導
体の製作には薄膜の低温合成が可能なことからレーザス
パッタリング法が利用されている。従来のレーザスパッ
タリング法による酸化物薄膜の形成においては膜表面に
しばしば粒状や板状の異物が形成されることが問題とな
っており、これらに対する対策が応用上での急務となっ
ている（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｒｔｔ．， Ｖｏ
ｌ． ５７ （１９９０） １８１４頁参照）。膜表面
に粒状や板状の異物が形成されるのは様々な原因があり
、その一つとして、ターゲットにレーザ光を照射し続け
ることによりターゲットの表面上に紡錘形の構造が形成
されることによるものが知られている（例えば、Ｔｈｉ
ｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ．Ｖｏｌ． １９１ （１
９９０）３１７頁参照）。
体の製作には薄膜の低温合成が可能なことからレーザス
パッタリング法が利用されている。従来のレーザスパッ
タリング法による酸化物薄膜の形成においては膜表面に
しばしば粒状や板状の異物が形成されることが問題とな
っており、これらに対する対策が応用上での急務となっ
ている（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｒｔｔ．， Ｖｏ
ｌ． ５７ （１９９０） １８１４頁参照）。膜表面
に粒状や板状の異物が形成されるのは様々な原因があり
、その一つとして、ターゲットにレーザ光を照射し続け
ることによりターゲットの表面上に紡錘形の構造が形成
されることによるものが知られている（例えば、Ｔｈｉ
ｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ．Ｖｏｌ． １９１ （１
９９０）３１７頁参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザスパ
ッタリング法による酸化物薄膜の形成において仮に膜表
面にしばしば粒状や板状の異物が形成されないように条
件を最適化しても、薄膜を安定して供給し続けるために
はターゲットの表面を常に一定の状態に保つ必要がある
。従って現在ではターゲットを回転する等の方法を用い
て常に新しいターゲット表面部位がレーザ光で照射され
るようにすることが広く取り入れられ、異物形成の防止
が図られている。しかしながら、ターゲットの表面積に
は限界があり、ターゲットの表面を常に一定の状態に保
って連続して長時間成膜を行なうことは困難である。
ッタリング法による酸化物薄膜の形成において仮に膜表
面にしばしば粒状や板状の異物が形成されないように条
件を最適化しても、薄膜を安定して供給し続けるために
はターゲットの表面を常に一定の状態に保つ必要がある
。従って現在ではターゲットを回転する等の方法を用い
て常に新しいターゲット表面部位がレーザ光で照射され
るようにすることが広く取り入れられ、異物形成の防止
が図られている。しかしながら、ターゲットの表面積に
は限界があり、ターゲットの表面を常に一定の状態に保
って連続して長時間成膜を行なうことは困難である。
【０００４】そこで、本発明は、このようなターゲット
の表面に関わる問題を根本的に解決して、連続して長時
間にわたり膜表面に異物形成を伴わずに安定して良好に
膜形成を行なうことのできるようにした薄膜形成方法及
び装置を提供することを目的としている。
の表面に関わる問題を根本的に解決して、連続して長時
間にわたり膜表面に異物形成を伴わずに安定して良好に
膜形成を行なうことのできるようにした薄膜形成方法及
び装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、雰囲気を調整できるようにした真空容
器内にターゲット、基板支持手段及び基板を加熱する手
段を設け、真空容器に設けたレーザ光導入窓を介してタ
ーゲット上に薄膜形成用レーザ光を照射し、これにより
ターゲット物質を飛散させて基板支持手段で支持された
基板上に薄膜を形成するようにした薄膜形成方法におい
て、加熱手段によりターゲットを少なくとも部分的に溶
融させた状態で薄膜形成用レーザ光を照射してターゲッ
ト物質を基板上に堆積させることを特徴としている。
めに、本発明は、雰囲気を調整できるようにした真空容
器内にターゲット、基板支持手段及び基板を加熱する手
段を設け、真空容器に設けたレーザ光導入窓を介してタ
ーゲット上に薄膜形成用レーザ光を照射し、これにより
ターゲット物質を飛散させて基板支持手段で支持された
基板上に薄膜を形成するようにした薄膜形成方法におい
て、加熱手段によりターゲットを少なくとも部分的に溶
融させた状態で薄膜形成用レーザ光を照射してターゲッ
ト物質を基板上に堆積させることを特徴としている。
【０００６】また本発明によれば、上記の方法を実施す
る装置としてターゲットを少なくとも部分的に溶融させ
る加熱手段を設けたことを特徴としている。ターゲット
を溶融させる加熱手段は、ターゲットの支持手段に組み
込まれるか或いはターゲット表面上に薄膜形成用レーザ
光とは別個に照射される加熱溶融用レーザ光から成るこ
とができる。
る装置としてターゲットを少なくとも部分的に溶融させ
る加熱手段を設けたことを特徴としている。ターゲット
を溶融させる加熱手段は、ターゲットの支持手段に組み
込まれるか或いはターゲット表面上に薄膜形成用レーザ
光とは別個に照射される加熱溶融用レーザ光から成るこ
とができる。
【０００７】
【作用】本発明の方法及び装置においては、ターゲット
を少なくとも部分的に溶融させた状態で薄膜形成用レー
ザ光を照射しているので、薄膜形成用レーザ光が連続し
て入射しても表面における好ましくない紡錘状の構造形
成は避けられ、表面状態を常に一定に保つことができる
。溶融状態のターゲットは固体状態と密度的にほとんど
差がないため、薄膜形成用レーザ光の吸収率もほとんど
変わらず、通常のレーザスパッタ法と実質的に同じ条件
で膜形成を行なうことができる。また本発明を酸化物超
伝導体の製作に応用する場合には、ターゲットとして例
えば酸化物系のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ 等を用いた場合に
は、部分溶融状態で融点の高いＹ２ Ｏ３ （２７００
℃）等が分離生成して組成ずれを起こす可能性が生じ得
るが、実際にアブレーションされる部分は高々１μｍ程
度の厚さしか有さないため、相分離した融点の高いＹ２
Ｏ３ 等は沈降してしまい、膜組成そのものには影響
を及ぼさない。
を少なくとも部分的に溶融させた状態で薄膜形成用レー
ザ光を照射しているので、薄膜形成用レーザ光が連続し
て入射しても表面における好ましくない紡錘状の構造形
成は避けられ、表面状態を常に一定に保つことができる
。溶融状態のターゲットは固体状態と密度的にほとんど
差がないため、薄膜形成用レーザ光の吸収率もほとんど
変わらず、通常のレーザスパッタ法と実質的に同じ条件
で膜形成を行なうことができる。また本発明を酸化物超
伝導体の製作に応用する場合には、ターゲットとして例
えば酸化物系のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ 等を用いた場合に
は、部分溶融状態で融点の高いＹ２ Ｏ３ （２７００
℃）等が分離生成して組成ずれを起こす可能性が生じ得
るが、実際にアブレーションされる部分は高々１μｍ程
度の厚さしか有さないため、相分離した融点の高いＹ２
Ｏ３ 等は沈降してしまい、膜組成そのものには影響
を及ぼさない。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。図１には、本発明の一実施例による薄
膜形成装置の構成が示されている。図示装置において、
１は真空容器で、この真空容器内には基板支持機構２が
配置されており、基板支持機構２は薄膜の形成される基
板３を支持し、そして内部には基板加熱手段を備えてい
る。また、真空容器１内には基板支持機構２に対向して
ターゲット保持機構４が配置され、ターゲット５を保持
している。ターゲット保持機構４にはターゲット５を少
なくとも部分的に溶融させる加熱手段６が組合されてい
る。加熱手段６は抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱等の
任意適当な形式のものから成り得る。真空容器１は図示
したようにレーザ光導入窓１ａを備え、このレーザ光導
入窓１ａを通ってレーザ発振器７からの薄膜形成用レー
ザ光がターゲット５上に入射される。なお図１において
８はガス供給部、９は排気ポンプを表しており、これら
の手段によって真空容器１内は所望の圧力、雰囲気に調
整することができる。
ついて説明する。図１には、本発明の一実施例による薄
膜形成装置の構成が示されている。図示装置において、
１は真空容器で、この真空容器内には基板支持機構２が
配置されており、基板支持機構２は薄膜の形成される基
板３を支持し、そして内部には基板加熱手段を備えてい
る。また、真空容器１内には基板支持機構２に対向して
ターゲット保持機構４が配置され、ターゲット５を保持
している。ターゲット保持機構４にはターゲット５を少
なくとも部分的に溶融させる加熱手段６が組合されてい
る。加熱手段６は抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱等の
任意適当な形式のものから成り得る。真空容器１は図示
したようにレーザ光導入窓１ａを備え、このレーザ光導
入窓１ａを通ってレーザ発振器７からの薄膜形成用レー
ザ光がターゲット５上に入射される。なお図１において
８はガス供給部、９は排気ポンプを表しており、これら
の手段によって真空容器１内は所望の圧力、雰囲気に調
整することができる。
【０００９】このように構成した図示装置の動作につい
て説明する。排気ポンプ９及びガス供給部８を作動して
真空容器１内は所望の圧力、雰囲気に調整される。例え
ば酸化物超電導薄膜を形成する場合には、真空容器１内
は酸素雰囲気で０．１Ｔｏｒｒ 程度の圧力に設定され
る。その後、ターゲット５の加熱手段６によりターゲッ
ト５は加熱（例えばＹ系超電導体の場合には１０００℃
程度）されて溶融状態にされる。この状態において真空
容器１に設けたレーザ光導入窓１ａを通してレーザ発振
器７からの薄膜形成用レーザ光が溶融したターゲット５
上に集光して照射される。その結果ターゲット物質から
薄膜形成原子が飛び出し、対向して位置し所定の温度に
設定された基板３上に堆積して、薄膜が形成される。こ
の場合、ターゲット５は溶融状態にあるので、レーザ発
振器７からの薄膜形成用レーザ光がターゲット５上に連
続して入射しても紡錘状の構造を形成することがなく、
ターゲット５の表面状態は常に一定に保たれる。また溶
融状態のターゲット５は固体状態と密度的にほとんど差
がなく、レーザ発振器７からの薄膜形成用レーザ光の吸
収率もほとんど変わらず、通常のレーザスパッタ法と実
質的に同じ条件で膜形成を行なうことができる。さらに
、真空容器１内の圧力は、蒸着法の場合に比較して極め
て高い状態にあるため、ターゲット５の蒸発は実質的に
無視でき、従ってターゲット５における組成変化も無視
できる。
て説明する。排気ポンプ９及びガス供給部８を作動して
真空容器１内は所望の圧力、雰囲気に調整される。例え
ば酸化物超電導薄膜を形成する場合には、真空容器１内
は酸素雰囲気で０．１Ｔｏｒｒ 程度の圧力に設定され
る。その後、ターゲット５の加熱手段６によりターゲッ
ト５は加熱（例えばＹ系超電導体の場合には１０００℃
程度）されて溶融状態にされる。この状態において真空
容器１に設けたレーザ光導入窓１ａを通してレーザ発振
器７からの薄膜形成用レーザ光が溶融したターゲット５
上に集光して照射される。その結果ターゲット物質から
薄膜形成原子が飛び出し、対向して位置し所定の温度に
設定された基板３上に堆積して、薄膜が形成される。こ
の場合、ターゲット５は溶融状態にあるので、レーザ発
振器７からの薄膜形成用レーザ光がターゲット５上に連
続して入射しても紡錘状の構造を形成することがなく、
ターゲット５の表面状態は常に一定に保たれる。また溶
融状態のターゲット５は固体状態と密度的にほとんど差
がなく、レーザ発振器７からの薄膜形成用レーザ光の吸
収率もほとんど変わらず、通常のレーザスパッタ法と実
質的に同じ条件で膜形成を行なうことができる。さらに
、真空容器１内の圧力は、蒸着法の場合に比較して極め
て高い状態にあるため、ターゲット５の蒸発は実質的に
無視でき、従ってターゲット５における組成変化も無視
できる。
【００１０】図２は、本発明の別の実施例を示し、この
場合には図１の装置におけるターゲット５の加熱手段６
の代わりに加熱溶融用レーザ光が利用される。すなわち
図２において、真空容器１１内には、内部に基板加熱手
段を備えた基板支持機構１２で支持された基板１３と、
ターゲット保持機構１４で保持されたターゲット１５と
が対向して配置されており、また真空容器１には薄膜形
成用レーザ光を導入するためのレーザ光導入窓１１ａ
と加熱用レーザ光を導入するためのレーザ光導入窓１１
ｂ とが図示されたように設けられている。薄膜形成用
レーザ光はレーザ発振器１７ａ で発生され、レーザ光
導入窓１１ａ を介してターゲット１５上に入射され、
また加熱用レーザ光はレーザ発振器１７ｂ で発生され
、レーザ光導入窓１１ｂ を介してターゲット１５上に
入射される。これらの両レーザ発振器１７ａ 、１７ｂ
間にはそれらの動作を制御する同期回路１０が接続さ
れている。真空容器１１内は図１の場合と同様に真空容
器１１に連結されたガス供給部１８及び排気ポンプ１９
によって所望の圧力、雰囲気に調整される。図２に示す
実施例では、まずレーザ発振器１７ｂ によって加熱用
レーザ光がターゲット１５上に入射され、ターゲット１
５の表面を部分溶融状態にする。この場合加熱用レーザ
光によってターゲット物質が飛散しないようにするため
、照射エネルギ密度は０．５ Ｊ／ｃｍ２ 以下に設定
される。また、加熱用レーザを発生するレーザ発振器１
７ｂ は好ましくは炭酸ガスレーザ、ＹＡＧ レーザ、
Ａｒレーザ等の赤外領域のレーザ光を発振するものから
成り得る。薄膜形成用レーザ光及び加熱用レーザ光の照
射時期は同期回路１０によって制御され、例えば、加熱
用レーザ光の照射は薄膜形成用レーザ光の照射直前（例
えば１μｓ前）に開始されるように制御され得る。この
実施例による装置は図１の装置と同様に動作させること
ができ、またターゲット保持機構１４に加熱手段を設け
る必要がないため、真空容器１１内に占める治具の体積
を小さくできるという利点がある。
場合には図１の装置におけるターゲット５の加熱手段６
の代わりに加熱溶融用レーザ光が利用される。すなわち
図２において、真空容器１１内には、内部に基板加熱手
段を備えた基板支持機構１２で支持された基板１３と、
ターゲット保持機構１４で保持されたターゲット１５と
が対向して配置されており、また真空容器１には薄膜形
成用レーザ光を導入するためのレーザ光導入窓１１ａ
と加熱用レーザ光を導入するためのレーザ光導入窓１１
ｂ とが図示されたように設けられている。薄膜形成用
レーザ光はレーザ発振器１７ａ で発生され、レーザ光
導入窓１１ａ を介してターゲット１５上に入射され、
また加熱用レーザ光はレーザ発振器１７ｂ で発生され
、レーザ光導入窓１１ｂ を介してターゲット１５上に
入射される。これらの両レーザ発振器１７ａ 、１７ｂ
間にはそれらの動作を制御する同期回路１０が接続さ
れている。真空容器１１内は図１の場合と同様に真空容
器１１に連結されたガス供給部１８及び排気ポンプ１９
によって所望の圧力、雰囲気に調整される。図２に示す
実施例では、まずレーザ発振器１７ｂ によって加熱用
レーザ光がターゲット１５上に入射され、ターゲット１
５の表面を部分溶融状態にする。この場合加熱用レーザ
光によってターゲット物質が飛散しないようにするため
、照射エネルギ密度は０．５ Ｊ／ｃｍ２ 以下に設定
される。また、加熱用レーザを発生するレーザ発振器１
７ｂ は好ましくは炭酸ガスレーザ、ＹＡＧ レーザ、
Ａｒレーザ等の赤外領域のレーザ光を発振するものから
成り得る。薄膜形成用レーザ光及び加熱用レーザ光の照
射時期は同期回路１０によって制御され、例えば、加熱
用レーザ光の照射は薄膜形成用レーザ光の照射直前（例
えば１μｓ前）に開始されるように制御され得る。この
実施例による装置は図１の装置と同様に動作させること
ができ、またターゲット保持機構１４に加熱手段を設け
る必要がないため、真空容器１１内に占める治具の体積
を小さくできるという利点がある。
【００１１】図３には、長尺の基板に薄膜を形成するの
に適用した本発明の実施例を示し、真空容器２１内には
ロールから成る基板巻取機構２２が設けられ、一方のロ
ール２２ａから他方のロール２２ｂ へ長尺の基板２３
が巻き取られるようにしている。ターゲット保持機構２
４はターゲット２５を、ロール２２ａ 、２２ｂ 間を
移行する長尺の基板部分に対向させて保持している。ま
たターゲット物質の長尺の基板２３以外への堆積を防止
するため防着板２６、２７が図示したように配置され、
さらにロール２２ａ 、２２ｂ間を移行する長尺の基板
部分を挾んでターゲット２５に相対した位置には基板の
加熱手段２８が設けられている。この実施例においては
ターゲット２５の加熱手段としては図１及び図２に例示
するもののいずれを用いることもできる。
に適用した本発明の実施例を示し、真空容器２１内には
ロールから成る基板巻取機構２２が設けられ、一方のロ
ール２２ａから他方のロール２２ｂ へ長尺の基板２３
が巻き取られるようにしている。ターゲット保持機構２
４はターゲット２５を、ロール２２ａ 、２２ｂ 間を
移行する長尺の基板部分に対向させて保持している。ま
たターゲット物質の長尺の基板２３以外への堆積を防止
するため防着板２６、２７が図示したように配置され、
さらにロール２２ａ 、２２ｂ間を移行する長尺の基板
部分を挾んでターゲット２５に相対した位置には基板の
加熱手段２８が設けられている。この実施例においては
ターゲット２５の加熱手段としては図１及び図２に例示
するもののいずれを用いることもできる。
【００１２】ところで、本発明の各実施例においては、
ターゲットとして従来から広く用いられていた焼結体タ
ーゲットはもとより、焼結体の得にくい素材でも圧粉体
のまま利用することができる。
ターゲットとして従来から広く用いられていた焼結体タ
ーゲットはもとより、焼結体の得にくい素材でも圧粉体
のまま利用することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ターゲットを少なくとも部分的に溶融させた状態で
薄膜形成用レーザ光を照射するように構成しているので
、原理的にターゲット表面の変性を原因とする膜表面に
おける異物の形成なしに長時間にわたり連続して良好な
薄膜を形成することができ、長尺の基板に対しても応用
することができる。またターゲットを少なくとも部分的
に溶融させた状態にして使用するため、従来焼結体等の
ターゲットが用いられていたものを、焼結体の得にくい
素材の場合でも、圧粉体の状態で利用でき、従ってレー
ザスパッタ法自体の応用範囲を拡げることができる。
ば、ターゲットを少なくとも部分的に溶融させた状態で
薄膜形成用レーザ光を照射するように構成しているので
、原理的にターゲット表面の変性を原因とする膜表面に
おける異物の形成なしに長時間にわたり連続して良好な
薄膜を形成することができ、長尺の基板に対しても応用
することができる。またターゲットを少なくとも部分的
に溶融させた状態にして使用するため、従来焼結体等の
ターゲットが用いられていたものを、焼結体の得にくい
素材の場合でも、圧粉体の状態で利用でき、従ってレー
ザスパッタ法自体の応用範囲を拡げることができる。
【図１】 本発明の一実施例を示す概略線図。
【図２】 本発明の別の実施例を示す概略線図。
【図３】 本発明の更に別の実施例を示し、図１及び
図２の平面と直交する方向からみた概略線図。
図２の平面と直交する方向からみた概略線図。
１：真空容器
１ａ：レーザ光導入窓
２：基板支持機構
３：基板
４：ターゲット保持機構
５：ターゲット
６：ターゲットの加熱手段
７：レーザ発振器
８：ガス供給部
９：排気ポンプ
１０：同期回路
１１：真空容器
１１ａ ：薄膜形成用レーザ光導入窓
１１ｂ ：加熱用レーザ光導入窓
１２：基板支持機構
１３：基板
１４：ターゲット保持機構
１５：ターゲット
１６：ターゲットの加熱手段
１７ａ ：薄膜形成用レーザ光のレーザ発振器１７ｂ
：加熱用レーザ光のレーザ発振器１８：ガス供給部 １９：排気ポンプ ２１：真空容器 ２２：基板巻取機構 ２３：長尺の基板 ２４：ターゲット保持機構 ２５：ターゲット ２６：防着板 ２７：防着板 ２８加熱手段
：加熱用レーザ光のレーザ発振器１８：ガス供給部 １９：排気ポンプ ２１：真空容器 ２２：基板巻取機構 ２３：長尺の基板 ２４：ターゲット保持機構 ２５：ターゲット ２６：防着板 ２７：防着板 ２８加熱手段
Claims (5)
- 【請求項１】雰囲気を調整できるようにした真空容器内
にターゲット、基板支持手段及び基板を加熱する手段を
設け、真空容器に設けたレーザ光導入窓を介してターゲ
ット上に薄膜形成用レーザ光を照射し、これにより、タ
ーゲット物質を飛散させて基板支持手段で支持された基
板上に薄膜を形成するようにした薄膜形成方法において
、加熱手段によりターゲットを少なくとも部分的に溶融
させた状態で薄膜形成用レーザ光を照射してターゲット
物質を基板上に堆積させることを特徴とする薄膜形成方
法。 - 【請求項２】ターゲット物質が酸化物系のＹＢａ２Ｃｕ
３Ｏｘ から成り、加熱手段による部分的溶融状態で薄
膜形成用レーザ光による薄膜形成リングが行われる請求
項１に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】雰囲気を調整できるようにした真空容器内
にターゲット、基板支持手段及び基板を加熱する手段を
設け、真空容器に設けたレーザ光導入窓を介してターゲ
ット上に薄膜形成用レーザ光を照射し、これにより、タ
ーゲット物質を飛散させて基板支持手段で支持された基
板上に薄膜を形成するようにした薄膜形成装置において
、ターゲットを少なくとも部分的に溶融させる加熱手段
を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項４】ターゲットを溶融させる加熱手段がターゲ
ットの支持手段に組み込まれている請求項３に記載の薄
膜形成装置。 - 【請求項５】ターゲットを溶融させる加熱手段が、ター
ゲット表面上に薄膜形成用レーザ光とは別個に照射され
る加熱溶融用レーザ光から成る請求項３に記載の薄膜形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7635991A JPH04311561A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 薄膜形成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7635991A JPH04311561A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 薄膜形成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311561A true JPH04311561A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13603165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7635991A Withdrawn JPH04311561A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 薄膜形成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311561A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241930A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 窒化物薄膜作製方法 |
| JP2009167448A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体薄膜電池、正極および薄膜形成方法 |
| JP2011012349A (ja) * | 2010-10-01 | 2011-01-20 | Hochiki Corp | 薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法 |
| JP2011214059A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tama Tlo Ltd | 物理蒸着装置及び物理蒸着方法 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP7635991A patent/JPH04311561A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241930A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 窒化物薄膜作製方法 |
| JP4619554B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2011-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 窒化物薄膜作製方法 |
| JP2009167448A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体薄膜電池、正極および薄膜形成方法 |
| JP2011214059A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tama Tlo Ltd | 物理蒸着装置及び物理蒸着方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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