JPH04186528A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録特性の優れた磁気記録媒体の製造方
法に関する。

従来の技術 磁気記録再生装置は年々高密度化しており、短波長記録
再生特性の優れた磁気記録媒体が要望されている。現在
では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁気記録媒体が主
に使用されており、上記要望を満足すべく特性改善がな
されているが、はぼ限界に近づいている。

この限界を越えるものとして薄膜型磁気記録媒体が開発
されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸着法、スパッ
タリング法、メツキ法等により作製され、優れた短波長
記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒体における磁
性層としては、Ｃｏ。

Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−０，Ｃｏ　−Ｎｉ
−０，Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されてい
る。

磁気テープへの応用の点からは、これらの中でＣｏ−０
，Ｃｏ−Ｎｉ−０が最も適していると考えられており、
Ｃｏ−Ｎｉ−０を磁性層とした蒸着テープが既にＨｉＳ
方式ＶＴＲテープとして実用化されている。酸素を含有
するＣｏ基の磁性層は、蒸着時の酸素導入量によって磁
気特性が大きく変化する。

発明が解決しようとする課題 今後、磁気テープには短波長領域における高出力の要求
がますます強くなる。この要求に応える方、法としては
、酸素を含有するＣｏ基の磁性層において、その成膜時
に酸素の導入方法を改善することが最も有望と考えられ
る。

課題を解決するための手段 本発明は上記要望を実現したものであって、走行しつつ
ある基板上に真空蒸着法によりＣｏ基の磁性層を形成す
る際に、蒸着終了部側から酸素を真空槽内に導入し、か
つ酸素導入口と前記基板との間に蒸発原子を遮蔽するた
めの遮蔽板を配置し、蒸発源の蒸発部と酸素導入口先端
を結ぶ直線の蒸発面の法線に対する傾きが、前記蒸発源
の蒸発部と前記遮蔽板の端部とを結ぶ直線の蒸発面の法
線に対する傾きと前記法線に対して同方向であり、しか
も前者の傾斜角が後者の傾斜角より大なることを特徴と
する。

作用 本発明の方法によれば、高保磁力で、しかも膜表面にお
ける非磁性に近い特性を有する酸化層の膜厚が薄い磁性
層を形成することかできるので、短波長領域で高出力を
有する磁気テープを提供できる。

実施例 本発明の実施例を第１図及び第２図に基ついて説明する
。

第２図は磁性層が酸素を含有するＣｏ基の合金である磁
気テープを作製するための、従来の真空蒸着装置内部の
構成の一例である。高分子材料よりなる基板１は円筒状
キャン２に沿って矢印６の向きに走行する。蒸発源８か
ら蒸発した蒸発原子９が、基板１に付着することにより
磁性層か形成される。３．３″は不要な蒸発原子が基板
に付着するのを防ぐために設けである遮蔽板である。短
波長領域において高出力を有する磁気テープを作製する
ためには、遮蔽板３は必須であるが、遮蔽板３゛は必ず
しも必要ではない。蒸発源８としては電子ビーム蒸発源
か適しており、この中に蒸発物質７としてのＣｏ基の合
金を充填する。なお、蒸発源として電子ビーム蒸発源を
用いるのは、Ｃ。

等の高融点金属を高い蒸発速度で蒸発させるためである
。４．５はそれぞれ基板１の供給ロールと巻き取りロー
ルである。

１０Ａ、ＩＯＢ及びＩＯＣは蒸着時に真空槽内に酸素を
導入するための導入パイプである。酸素導入パイプをＩ
ＯＡの位置に設置すると、酸素は蒸着終了部側から蒸発
原子に向かって拡散する。

１０Ｂの位置では蒸着中央部から酸素が拡散する。１０
Ｃの位置の場合には、酸素は蒸着開始部側から蒸発原子
に向かって拡散する。酸素の導入箇所は大別して、これ
ら３箇所であるが、これらの中でＩＯＡの位置に設置し
た場合に最も高い保磁力が得られる。それゆえ、１０Ａ
の位置に設置するのが一般的であり、現在市販されてい
るＨｉＳ方式ＶＴＲ用蒸着テープも、このような方法で
製造されている。

酸素導入パイプをＩＯＡの位置にして成膜すると高出力
の蒸着テープが得られるが、より高い出力が望まれてい
る。本発明はこの要望に応えるためのものであり、本発
明の方法を採用することにより短波長領域において極め
て高い出力を有する磁気記録媒体が得られる。

次に、第１図を用いて本発明の説明を行なう。

第１図は本発明の方法を実施するための真空蒸着装置内
部の一例を示す。基本的には、第２図に示した従来のも
のと同様であるが、酸素の導入方法が異なる。すなわち
本発明においては、酸素導入パイプ１０により蒸着終了
部側から酸素を真空槽内に導入し、かつ酸素導入口と基
板１との間に蒸発原子を遮蔽するための遮蔽板３を配置
し、蒸発源８の蒸発部１１と酸素導入口先端を結ぶ直線
１３の蒸発面の法線１２に対する傾きθ１か、前記蒸発
源８の蒸発部１１と前記遮蔽板１３の端部とを結ぶ直線
１４の蒸発面の法線１２に対する傾きθ２と前記法線１
２に対して同方向であり、しかも前者の傾斜角θ１が後
者の傾斜角θ２より大なるように設定されている。

以下に本発明の方法で作製した蒸着テープと、従来の方
法で作製した蒸着テープの再生出力の比較を行なう。

第１図のような基本構成を有する真空蒸着装置を用いて
、蒸着テープを作製した。円筒状キャン２の直径は１ｍ
とし、テープ厚１０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルムを基板１として使用した。蒸発物質７としては
Ｎ１を２０ｗｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ合金を用いた。第
１図の装置においては蒸発原子の基板１への入射角は、
膜の成長にともない、基板に対して平行方向から垂直方
向に向かって変化する。本実験においては、蒸着終了部
における蒸発原子の基板への入射角φ、か３０°になる
ように遮蔽板３を配置した。この場合θ２は２０°とな
った。また、酸素導入パイプ１０はθ１が３５°となる
ように配置した。以上のような構成で、平均の膜堆積速
度を０．３μｍ／ｓとして、膜厚０．２μｍの磁性層を
形成した。なお、酸素導入パイプ１０から真空槽内へは
、１．５ｆ／ｍｉｎの割合で酸素を導入した。

以上の本方法と比較するために、従来の方法での成膜も
行なった。その際、酸素導入パイプの位置以外は、上記
と全く同し成膜条件にした。酸素導入パイプの位置は第
２図におけるＩＯＡの位置にした。

以上のようにして作製したテープの記録密度特性を測定
した結果を第３図に示す。第３図の横軸は記録密度であ
り、１インチ当たりの磁化反転の回数を表わしている。

縦軸は磁気ヘッドのトラック幅を１ｍｎ＋、コイル巻数
を１ターン、へ、ドとテープ間の相対速度をｌ　ｍ　／
　ｓに換算した再生出力である。第３図中の曲線１５は
本発明の方法で作製した磁気テープ、曲線１６は従来の
方法で作製した磁気テープである。なお、測定の際に用
いたヘッドは、ギャップ長０．１５μｍのセンダストヘ
ッドである。第３図から本発明の方法で作製した磁気テ
ープは、短波長領域において、従来の方法で作製したテ
ープに比へ高い再生出力を有していることがわかる。

上記の如く、本発明の方法で作製した磁気テープか高い
再生出力を有している理由としては、磁性層表面におけ
る非磁性に近い特性を有する酸化層の膜厚か薄いことか
考えられる。実際にオージェ電子分光分析により、膜厚
方向における組成分布を調へると、本発明の方法で作製
した磁性層は従来の方法で作製したものに比へ、磁性層
表面近傍における酸素濃度が低く、非磁性層の膜厚が極
めて薄いことが推定された。その結果、記録再生の際の
、スペーンングロスが小さくなるものと思われる。

以上ではＮｉを２０ｗｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ合金につ
いてのみ説明したが、この組成以外のＣ。

基合金についても全く同様の本発明の効果が得られる。

また、基板については、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムについて説明したが、ポリイミドフィルム、ポリ
アミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエ
チレンナフタレートフィルム等の高分子フィルムでも、
全く同様であることは言うまでもない。さらに、非磁性
の下地層あるいは磁性層の形成されている高分子フィル
ムを基板として使用しても、本発明の方法の効果は上記
の説明と同様である。また、φ７．θ１．θ２について
も、上記の説明の値に限ったものではなく、θ１〉θ２
なる条件を満たしてさえいれば、従来の方法で作製した
磁気テープよりも高い再生出力が得られる。

発明の効果 本発明によれば、短波長領域において高い再生出力を有
する薄膜型磁気テープを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における真空蒸着装置内部の
概略を示す図、第２図は従来例における真空蒸着装置内
部の概略を示す図、第３図は本発明の方法及び従来の方
法で得られた磁気テープの記録密度特性を示す図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、３
・・・・・・遮蔽板、４・・・・・・供給ロール、５・
・・・・・巻き取りロール、６・・・・・・基板走行方
向、７・・・・・・蒸発物質、８・・・・・・蒸発源、
９・・・・・・蒸発原子、１０・・・・・・酸素導入パ
イプ、１１・・・・・・蒸発部、１２・・・・・・蒸発
面の法線、１３・・・・・・蒸発部と酸素導入口先端を
結ぶ直線、１４・・・・・・蒸発部と遮蔽板の端部とを
結ぶ直線。 纂　ｌ　図 ４４民給ローＪし 、／ 第　′２０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 走行しつつある基板上に真空蒸着法によりＣｏ基の磁性
   層を形成する際に、蒸着終了部側から酸素を真空槽内に
   導入し、かつ酸素導入口と前記基板との間に蒸発原子を
   遮蔽するための遮蔽板を配置し、蒸発源の蒸発部と酸素
   導入口先端を結ぶ直線の蒸発面の法線に対する傾きが、
   前記蒸発源の蒸発部と前記遮蔽板の端部とを結ぶ直線の
   蒸発面の法線に対する傾きと前記法線に対して同方向で
   あり、しかも前者の傾斜角が後者の傾斜角より大なるこ
   とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。