JPH04172508A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH04172508A JPH04172508A JP30069790A JP30069790A JPH04172508A JP H04172508 A JPH04172508 A JP H04172508A JP 30069790 A JP30069790 A JP 30069790A JP 30069790 A JP30069790 A JP 30069790A JP H04172508 A JPH04172508 A JP H04172508A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
一定電圧発生回路を備えた半導体集積回路装置に係り、
詳しくは一定電圧発生回路の温度依存補償に関し、 半導体集積回路装置に備えられた一定電圧発生回路の温
度依存を補償して内部回路に所望する値の電圧を供給す
ることができることを目的とし、外部電源に基づいて内
部回路に供給するための一定電圧を発生する一定電圧発
生回路を備えた半導体集積回路装置において、一定電圧
発生回路と内部回路との間に、一定電圧発生回路の温度
依存とは逆の温度依存を持ち、かつ、一定電圧発生回路
の温度依存を補償する温度依存補償回路を設けて構成し
た。
詳しくは一定電圧発生回路の温度依存補償に関し、 半導体集積回路装置に備えられた一定電圧発生回路の温
度依存を補償して内部回路に所望する値の電圧を供給す
ることができることを目的とし、外部電源に基づいて内
部回路に供給するための一定電圧を発生する一定電圧発
生回路を備えた半導体集積回路装置において、一定電圧
発生回路と内部回路との間に、一定電圧発生回路の温度
依存とは逆の温度依存を持ち、かつ、一定電圧発生回路
の温度依存を補償する温度依存補償回路を設けて構成し
た。
［産業上の利用分野］
本発明は一定電圧発生回路を備えた半導体集積回路装置
に係り、詳しくは一定電圧発生回路の温度依存補償に関
するものである。
に係り、詳しくは一定電圧発生回路の温度依存補償に関
するものである。
近年の半導体集積回路装置には、動作マージンの確保の
ため、温度依存のできる限り少ないものが要求されてい
る。このため、一定電圧を発生するための一定電圧発生
回路においても温度依存のないものが必要である。
ため、温度依存のできる限り少ないものが要求されてい
る。このため、一定電圧を発生するための一定電圧発生
回路においても温度依存のないものが必要である。
［従来の技術］
従来、′−一定電圧発生回路備えた半導体集積回路装置
においては、一定電圧発生回路の出力電圧の温度依存に
ついて、特に回路的工夫はなされていなかった。
においては、一定電圧発生回路の出力電圧の温度依存に
ついて、特に回路的工夫はなされていなかった。
［発明が解決しようとする課題］
従って、半導体集積回路装置を構成する他の回路によっ
て一定電圧発生回路の温度依存を充分に相殺できない場
合には、半導体集積回路装置が全体として温度依存を持
つことになり、半導体集積回路装置全体の動作マージン
を確保できなくなるという問題を生じていた。
て一定電圧発生回路の温度依存を充分に相殺できない場
合には、半導体集積回路装置が全体として温度依存を持
つことになり、半導体集積回路装置全体の動作マージン
を確保できなくなるという問題を生じていた。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、半導体集積回路装置に備えられた一定電圧発生回
路の温度依存を補償して内部回路に所望する値の電圧を
供給することができることを目的とする。
って、半導体集積回路装置に備えられた一定電圧発生回
路の温度依存を補償して内部回路に所望する値の電圧を
供給することができることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。
一定電圧発生回路２は外部電源１に基づいて内部回路４
に供給するための一定電圧を発生する。
に供給するための一定電圧を発生する。
一定電圧発生回路と内部回路との間に設けられた温度依
存補償回路３は、一定電圧発生回路２の温度依存とは逆
の温度依存を持ち、かつ、一定電圧発生回路２の温度依
存を補償して内部回路４に電圧を供給する。
存補償回路３は、一定電圧発生回路２の温度依存とは逆
の温度依存を持ち、かつ、一定電圧発生回路２の温度依
存を補償して内部回路４に電圧を供給する。
［作用］
従って、例えば第１図（ｂ）に示すように、一定電圧発
生回路２の負の温度依存が温度依存補償回路３の正の温
度依存により打ち消される。このため、一定電圧発生回
路２及び温度依存補償回路３は全体として温度依存がな
くなり、内部回路４には所望する値の電圧が供給される
。
生回路２の負の温度依存が温度依存補償回路３の正の温
度依存により打ち消される。このため、一定電圧発生回
路２及び温度依存補償回路３は全体として温度依存がな
くなり、内部回路４には所望する値の電圧が供給される
。
［実施例］
以下、本発明を具体化した半導体集積回路装置の一実施
例を第２，３図に従って説明する。 −第２図はワンチ
ップ上に形成されたバイポーラ−”ＣＭＯ３構造の半導
体集積回路装置の一部を示し、一定電圧発生回路１１、
温度依存補償回路１２及び内部回路としてのＥＣＬ回路
を構成する電流スイッチ回路１５が構成されている。
例を第２，３図に従って説明する。 −第２図はワンチ
ップ上に形成されたバイポーラ−”ＣＭＯ３構造の半導
体集積回路装置の一部を示し、一定電圧発生回路１１、
温度依存補償回路１２及び内部回路としてのＥＣＬ回路
を構成する電流スイッチ回路１５が構成されている。
一定電圧発生回路１１はインピーダンスＺ１〜Ｚ３とｎ
ｐｎバイポーラトランジスタ（以下、ｎｐｎ）ランジス
タという）ＴＩ、Ｔ２とで構成されており、ｎｐｎ ）
ランジスタＴ１のコレクタ端子はインピーダンスＺ１を
介して外部電源ＶＣＣに接続され、エミッタ端子はグラ
ンドＧＮＤに接続されている。ｎｐｎトランジスタＴ２
のコレクタ端子は外部電源ＶＣＣに接続され、エミッタ
端子が直列接続されたインピーダンスＺ２．Ｚ：３を介
してグランドＧＮＤに接続されている。又、ｎｐｎトラ
ンジスタＴｌのベース端子はインピーダンス２２，２３
間に接続され、ｎｐｎ）ランジスタＴ２のベース端子は
ｎｐｎ トランジスタＴｌのコレクタ端子に接続されて
いる。インピーダンスＺｌ−２３としては例えば抵抗が
使用されている。
ｐｎバイポーラトランジスタ（以下、ｎｐｎ）ランジス
タという）ＴＩ、Ｔ２とで構成されており、ｎｐｎ ）
ランジスタＴ１のコレクタ端子はインピーダンスＺ１を
介して外部電源ＶＣＣに接続され、エミッタ端子はグラ
ンドＧＮＤに接続されている。ｎｐｎトランジスタＴ２
のコレクタ端子は外部電源ＶＣＣに接続され、エミッタ
端子が直列接続されたインピーダンスＺ２．Ｚ：３を介
してグランドＧＮＤに接続されている。又、ｎｐｎトラ
ンジスタＴｌのベース端子はインピーダンス２２，２３
間に接続され、ｎｐｎ）ランジスタＴ２のベース端子は
ｎｐｎ トランジスタＴｌのコレクタ端子に接続されて
いる。インピーダンスＺｌ−２３としては例えば抵抗が
使用されている。
そして、温度一定の状態において、一定電圧発生回路１
１はグランドＧＮＤを基準としてｎｐｎトランジスタＴ
Ｉ、Ｔ２及びインピーダンス２１〜Ｚ３の定数で決まる
一定電圧をノードＡから次段の温度依存補償回路１２に
出力するようになっている。即ち、例えばインピーダン
スＺｌの電圧降下が若干増加すると、ｎｐ−ｎ）ランジ
スタＴ２のベース電圧とベース・エミッタ間電圧との差
で求まるノーＦＡの電圧が減少し、インピーダンスＺ２
’、Ｚ３の電流が減少してインピーダンスＺ３の電圧降
下が減少する。このため、ｎｐｎ トランジスタＴＩの
電流が減少してインピーダンスＺｌの電圧降下が減少し
、ｎｐｎ トランジスタＴ２のベース端子の電圧が上昇
する。この結果、ノードＡの電圧は元の値に復帰する。
１はグランドＧＮＤを基準としてｎｐｎトランジスタＴ
Ｉ、Ｔ２及びインピーダンス２１〜Ｚ３の定数で決まる
一定電圧をノードＡから次段の温度依存補償回路１２に
出力するようになっている。即ち、例えばインピーダン
スＺｌの電圧降下が若干増加すると、ｎｐ−ｎ）ランジ
スタＴ２のベース電圧とベース・エミッタ間電圧との差
で求まるノーＦＡの電圧が減少し、インピーダンスＺ２
’、Ｚ３の電流が減少してインピーダンスＺ３の電圧降
下が減少する。このため、ｎｐｎ トランジスタＴＩの
電流が減少してインピーダンスＺｌの電圧降下が減少し
、ｎｐｎ トランジスタＴ２のベース端子の電圧が上昇
する。この結果、ノードＡの電圧は元の値に復帰する。
しかしながら、ｎｐｎトランジスタＴＩ、Ｔ２の抵抗値
は温度上昇に対して減少する負の温度依存、即ち、ベー
ス・エミッタ間電圧が減少する特性を持っているため、
一定電圧発生回路１１の出力電圧は第３図に示すように
グランドＧＮＤを基準として負の温度依存を持つものと
なる。
は温度上昇に対して減少する負の温度依存、即ち、ベー
ス・エミッタ間電圧が減少する特性を持っているため、
一定電圧発生回路１１の出力電圧は第３図に示すように
グランドＧＮＤを基準として負の温度依存を持つものと
なる。
即ち、温度か上昇すると、ｎｐｎ トランジスタＴ２は
電流が流れ易くなるが、同トランジスタＴ２はエミッタ
端子にインピーダンスＺ２．Ｚ３が接続されているので
、電流値はインピーダンスＺ２．Ｚ３によって決まり、
ノードＡの電圧はｎｐｎトランジスタＴ２のベース・エ
ミッタ間電圧の減少分だけ上昇する。一方、ｎｐｎ）ラ
ンジスタＴ１のエミッタ端子はグランドＧＮＤに接続さ
れているので、電流値の増加量は大きくインピーダンス
Ｚｌによる電圧降下の増加量も大きくなる。
電流が流れ易くなるが、同トランジスタＴ２はエミッタ
端子にインピーダンスＺ２．Ｚ３が接続されているので
、電流値はインピーダンスＺ２．Ｚ３によって決まり、
ノードＡの電圧はｎｐｎトランジスタＴ２のベース・エ
ミッタ間電圧の減少分だけ上昇する。一方、ｎｐｎ）ラ
ンジスタＴ１のエミッタ端子はグランドＧＮＤに接続さ
れているので、電流値の増加量は大きくインピーダンス
Ｚｌによる電圧降下の増加量も大きくなる。
従って、ｎｐｎトランジスタＴ２のベース端子の電圧の
減少量かｎｐｎ ）ランジスタＴ２のベース・エミッタ
間電圧の減少による上昇量よりも大きくなり、ノーＦＡ
の電圧は低下することとなる。
減少量かｎｐｎ ）ランジスタＴ２のベース・エミッタ
間電圧の減少による上昇量よりも大きくなり、ノーＦＡ
の電圧は低下することとなる。
温度依存補償回路１２はインピーダンスＺ４゜Ｚ５とｎ
ｐｎ ）ランジスタＴ３とで構成されており、ｎ ｐ
ｎ、 ）ランジスタＴ３のコレクタ端子はインピーダン
スｚ４を介して外部電源ｖｃｃに接続され、エミッタ端
子はインピーダンスＺ５を介してグランドＧＮＤに接続
されている。又、ｎｐｎ ）ランジスタＴ３のベース端
子は前記ノートＡに接続されて一定電圧発生回路１１の
出力電圧か印加されている。インピーダンスＺ４．．Ｚ
５としては例えば抵抗が使用されている。
ｐｎ ）ランジスタＴ３とで構成されており、ｎ ｐ
ｎ、 ）ランジスタＴ３のコレクタ端子はインピーダン
スｚ４を介して外部電源ｖｃｃに接続され、エミッタ端
子はインピーダンスＺ５を介してグランドＧＮＤに接続
されている。又、ｎｐｎ ）ランジスタＴ３のベース端
子は前記ノートＡに接続されて一定電圧発生回路１１の
出力電圧か印加されている。インピーダンスＺ４．．Ｚ
５としては例えば抵抗が使用されている。
そして、温度依存補償回路１２は温度一定の状態におい
て、一定電圧発生回路１１の圧力電圧に基づき、外部電
源■ＣＣを基準としてｎｐｎ トランジスタＴ３及びイ
ンピーダンスＺ４．Ｚ５の定数で決まる電圧をノードＢ
から次段の電流スイッチ回路１５に出力するようになっ
ている。
て、一定電圧発生回路１１の圧力電圧に基づき、外部電
源■ＣＣを基準としてｎｐｎ トランジスタＴ３及びイ
ンピーダンスＺ４．Ｚ５の定数で決まる電圧をノードＢ
から次段の電流スイッチ回路１５に出力するようになっ
ている。
又、この温度依存補償回路１２においてもｎｐｎトラン
ジスタＴ３の抵抗値は負の温度依存を持っているため、
温度依存補償回路１２の出力電圧は第３図に示すように
外部電源ＶＣＣを基準として正の温度依存を持つものと
なる。
ジスタＴ３の抵抗値は負の温度依存を持っているため、
温度依存補償回路１２の出力電圧は第３図に示すように
外部電源ＶＣＣを基準として正の温度依存を持つものと
なる。
即ち、温度が上昇すると、ｎｐｎ ）ランジスタＴ３は
ベース・エミッタ間電圧が減少し、そのベース・エミッ
タ間電圧の減少分だけトランジスタＴ３を流れる電流値
か増加するため、インピーダンスＺ４における電圧降下
が増加することとなる。
ベース・エミッタ間電圧が減少し、そのベース・エミッ
タ間電圧の減少分だけトランジスタＴ３を流れる電流値
か増加するため、インピーダンスＺ４における電圧降下
が増加することとなる。
電流スイッチ回路１５はｎ、 ｐ ｎ トランジスタＴ
９．ＴＩＯをエミッタ結合し、各トランジスタＴ９．Ｔ
ＩＯのコレクタ端子をｎｐｎトランジスタＴｌｌ、Ｔ１
２から抵抗Ｒ３，Ｒ，４を介して外部電源ＶＣＣに接続
している。両ｎｐｎ ｈランジスタＴ９．ＴＩＯのエミ
ッタ端子には定電流源としてのｎＭＯＳトランジスタＴ
１３が接続されている。ｎ、 ｐ ｎ トランジスタＴ
ｌｌ、Ｔ１．２のベース端子は前記ノードＢに接続され
て温度依存補償回路１２の出力電圧が印加されている。
９．ＴＩＯをエミッタ結合し、各トランジスタＴ９．Ｔ
ＩＯのコレクタ端子をｎｐｎトランジスタＴｌｌ、Ｔ１
２から抵抗Ｒ３，Ｒ，４を介して外部電源ＶＣＣに接続
している。両ｎｐｎ ｈランジスタＴ９．ＴＩＯのエミ
ッタ端子には定電流源としてのｎＭＯＳトランジスタＴ
１３が接続されている。ｎ、 ｐ ｎ トランジスタＴ
ｌｌ、Ｔ１．２のベース端子は前記ノードＢに接続され
て温度依存補償回路１２の出力電圧が印加されている。
従って、本実施例の半導体集積回路装置では、一定電圧
発生回路１１の負の温度依存を温度依存補償回路１２の
正の温度依存により打ち消すことにより、一定電圧発生
回路１１及び温度依存補償回路１２全体として温度依存
をなくすことができ、電流スイッチ回路１５のｎｐｎ
トランジスタＴ１１゜Ｔ１２のベース端子には第３図に
示すようにほぼ所望する一定値の供給電圧を印加するこ
とができる。
発生回路１１の負の温度依存を温度依存補償回路１２の
正の温度依存により打ち消すことにより、一定電圧発生
回路１１及び温度依存補償回路１２全体として温度依存
をなくすことができ、電流スイッチ回路１５のｎｐｎ
トランジスタＴ１１゜Ｔ１２のベース端子には第３図に
示すようにほぼ所望する一定値の供給電圧を印加するこ
とができる。
即ち、例えば温度が上昇すると、一定電圧発生回路１１
の出力電圧はｎｐｎ ）ランジスタＴｌ。
の出力電圧はｎｐｎ ）ランジスタＴｌ。
Ｔ２及びインピーダンスＺｌ−２３の定数で決まる一定
電圧よりも低下するため、一定電圧発生回路１１の出力
電圧に基づく温度依存補償回路１２の出力電圧も低下し
ようとする。ところか、温度上昇によりｎｐｎ トラン
ジスタＴ３はベース・エミッタ間電圧が減少するために
エミッタ電圧にほとんど変化はなく、ｎｐｎ トランジ
スタＴ３を流れる電流はほとんど変化しない。従って、
インピーダンスＺ４における電圧降下もほとんど変化せ
ず、ノードＢの電圧はほぼ一定値となる。
電圧よりも低下するため、一定電圧発生回路１１の出力
電圧に基づく温度依存補償回路１２の出力電圧も低下し
ようとする。ところか、温度上昇によりｎｐｎ トラン
ジスタＴ３はベース・エミッタ間電圧が減少するために
エミッタ電圧にほとんど変化はなく、ｎｐｎ トランジ
スタＴ３を流れる電流はほとんど変化しない。従って、
インピーダンスＺ４における電圧降下もほとんど変化せ
ず、ノードＢの電圧はほぼ一定値となる。
［別の実施例］
別の実施例を第４，５図に従って説明する。
尚、第２図と同様の構成については同一の符号を付して
説明を一部省略する。
説明を一部省略する。
本実施例における温度依存補償回路１４は第２図に示し
た温度依存補償回路１２の構成に加え、ｐＭＯ３）ラン
ジスタＴ７、ｎｐｎ ）ランジスタＴ８及びインピーダ
ンスＺ６．Ｚ７とを備えている。ｐＭＯ５ｈランシスタ
Ｔ７のソース端子は外部電源■ＣＣに接続され、ドレイ
ン端子はインピーダンスＺ６を介してグランドＧＮＤに
接続され、ゲート端子は前記ノードＢに接続されている
。ｎｐｎ）ランジスタＴ８のコレクタ端子は外部電源ｖ
ＣＣに接続され、エミッタ端子はインピーダンスＺ７を
介してグランドＧＮＤに接続されている。
た温度依存補償回路１２の構成に加え、ｐＭＯ３）ラン
ジスタＴ７、ｎｐｎ ）ランジスタＴ８及びインピーダ
ンスＺ６．Ｚ７とを備えている。ｐＭＯ５ｈランシスタ
Ｔ７のソース端子は外部電源■ＣＣに接続され、ドレイ
ン端子はインピーダンスＺ６を介してグランドＧＮＤに
接続され、ゲート端子は前記ノードＢに接続されている
。ｎｐｎ）ランジスタＴ８のコレクタ端子は外部電源ｖ
ＣＣに接続され、エミッタ端子はインピーダンスＺ７を
介してグランドＧＮＤに接続されている。
又、ｎｐｎ ）ランジスタＴ８のベース端子はｐＭＯＳ
トランジスタＴ７のドレイン端子に接続され、エミッタ
端子とインピーダンスｚ７との間のノードＣに電流スイ
ッチ回路１３が接続されている。
トランジスタＴ７のドレイン端子に接続され、エミッタ
端子とインピーダンスｚ７との間のノードＣに電流スイ
ッチ回路１３が接続されている。
インピーダンスＺ６．Ｚ７としては例えば抵抗が使用さ
れている。
れている。
電流スイッチ回路１３はｎｐｎ トランジスタＴ４．Ｔ
５をエミッタ結合し、各トランジスタＴ４．Ｔ５のコレ
クタ端子を抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して外部電源ＶＣＣに接
続している。両ｎｐｎ ）ランジスタＴ４．Ｔ５のエミ
ッタ端子には定電流源としてのｎＭＯ８トランジスタＴ
６が接続され、このｎＭＯｓトランジスタＴ６のゲート
端子が前記ノーＦＣに接続されて温度依存補償回路１４
の出力電圧が印加されている。
５をエミッタ結合し、各トランジスタＴ４．Ｔ５のコレ
クタ端子を抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して外部電源ＶＣＣに接
続している。両ｎｐｎ ）ランジスタＴ４．Ｔ５のエミ
ッタ端子には定電流源としてのｎＭＯ８トランジスタＴ
６が接続され、このｎＭＯｓトランジスタＴ６のゲート
端子が前記ノーＦＣに接続されて温度依存補償回路１４
の出力電圧が印加されている。
そして、温度依存補償回路１４は温度一定の状態におい
て、一定電圧発生回路１１の出力電圧に基づき、グラン
ドＧＮＤを基準としてｎｐｎ トランジスタＴ３．Ｔ８
、ｐＭｏｓトランジスタＴ７及びインピーダンスＺ４〜
Ｚ７の定数で決まる電圧をノードＣから次段の電流スイ
ッチ回路１３に出力するようになっている。
て、一定電圧発生回路１１の出力電圧に基づき、グラン
ドＧＮＤを基準としてｎｐｎ トランジスタＴ３．Ｔ８
、ｐＭｏｓトランジスタＴ７及びインピーダンスＺ４〜
Ｚ７の定数で決まる電圧をノードＣから次段の電流スイ
ッチ回路１３に出力するようになっている。
又、この温度依存補償回路１４におけるｎｐｎトランジ
スタＴ３．Ｔ８の抵抗値は負の温度依存を持ち、ｐＭＯ
ｓトランジスタＴ７の電流増幅率は温度上昇に対して減
少する負の温度依存を持っているため、温度依存補償回
路１４の出力電圧は第５図に示すようにグランドＧＮＤ
を基準として正の温度依存を持つものとなる。
スタＴ３．Ｔ８の抵抗値は負の温度依存を持ち、ｐＭＯ
ｓトランジスタＴ７の電流増幅率は温度上昇に対して減
少する負の温度依存を持っているため、温度依存補償回
路１４の出力電圧は第５図に示すようにグランドＧＮＤ
を基準として正の温度依存を持つものとなる。
即ち、温度が上昇すると、ｎ −ｐ ｎ ）ランジスタ
Ｔ３はベース・エミッタ間電圧が減少し、そのベース・
エミッタ間電圧の減少分だけ同トランジスタＴ３を流れ
る電流値が増加する。このため、インピーダンスＺ４に
おける電圧降下が増加し、グランドＧＮＤを基準とした
ノードＢの電圧が低下する。このノードＢの電圧低下に
よりｐＭＯｓトランジスタＴ７の電流が増加しようとす
る。ところが、温度上昇によりｐＭＯ５トランジスタＴ
７の電流増幅率は低下するため、ｐＭＯ３）ランジスタ
Ｔ７の電流は変化せず、インピーダンスＺ６における電
圧降下も変化しない。このとき、ｎｐｎトランジスタＴ
８は温度上昇により電流が流れ易くなるが、同トランジ
スタＴ８はエミッタ端子にインピーダンスＺ７が接続さ
れているので、ノードＣの電圧はｎｐｎ ）ランジスタ
Ｔ８のベース・エミッタ間電圧の減少分だけ上昇するこ
ととなる。
Ｔ３はベース・エミッタ間電圧が減少し、そのベース・
エミッタ間電圧の減少分だけ同トランジスタＴ３を流れ
る電流値が増加する。このため、インピーダンスＺ４に
おける電圧降下が増加し、グランドＧＮＤを基準とした
ノードＢの電圧が低下する。このノードＢの電圧低下に
よりｐＭＯｓトランジスタＴ７の電流が増加しようとす
る。ところが、温度上昇によりｐＭＯ５トランジスタＴ
７の電流増幅率は低下するため、ｐＭＯ３）ランジスタ
Ｔ７の電流は変化せず、インピーダンスＺ６における電
圧降下も変化しない。このとき、ｎｐｎトランジスタＴ
８は温度上昇により電流が流れ易くなるが、同トランジ
スタＴ８はエミッタ端子にインピーダンスＺ７が接続さ
れているので、ノードＣの電圧はｎｐｎ ）ランジスタ
Ｔ８のベース・エミッタ間電圧の減少分だけ上昇するこ
ととなる。
従って、本実施例の半導体集積回路装置では、一定電圧
発生回路１１の負の温度依存を温度依存補償回路１４の
正の温度依存により打ち消して、一定電圧発生回路１１
及び温度依存補償回路１４全体として温度依存をより確
実になくすことができ、電流スイッチ回路１３のｎＭＯ
ｓトランジスタＴ６のゲート端子には第５図に示すよう
に所望する一定値の供給電圧を印加することができる。
発生回路１１の負の温度依存を温度依存補償回路１４の
正の温度依存により打ち消して、一定電圧発生回路１１
及び温度依存補償回路１４全体として温度依存をより確
実になくすことができ、電流スイッチ回路１３のｎＭＯ
ｓトランジスタＴ６のゲート端子には第５図に示すよう
に所望する一定値の供給電圧を印加することができる。
即ち、例えば温度が上昇すると、一定電圧発生回路１１
の出力電圧はｎｐｎ ）ランジスタＴｌ。
の出力電圧はｎｐｎ ）ランジスタＴｌ。
Ｔ２及びインピーダンス２１〜Ｚ３の定数テ決マる一定
電圧よりも低下するため、一定電圧発生回路１１の出力
電圧に基づく温度依存補償回路１４の出力電圧も低下し
ようとする。ところが、温度上昇によりｎｐｎ ）ラン
ジスタＴ３はベース・エミッタ間電圧が減少゛するため
にエミッタ電圧にほとんど変化はなく、ｎｐｎ ）ラン
ジスタＴ３を流れる電流はほとんど変化しない。このた
め、インピーダンスＺ４における電圧降下もほとんど変
化せず、ノードＢの電圧もほとんど変化しない。
電圧よりも低下するため、一定電圧発生回路１１の出力
電圧に基づく温度依存補償回路１４の出力電圧も低下し
ようとする。ところが、温度上昇によりｎｐｎ ）ラン
ジスタＴ３はベース・エミッタ間電圧が減少゛するため
にエミッタ電圧にほとんど変化はなく、ｎｐｎ ）ラン
ジスタＴ３を流れる電流はほとんど変化しない。このた
め、インピーダンスＺ４における電圧降下もほとんど変
化せず、ノードＢの電圧もほとんど変化しない。
このとき、温度上昇によりｐＭｏｓトランジスタＴ７の
電流増幅率が低下し、インピーダンスＺ６における電圧
降下が減少する。ところが、温度上昇によりｎｐｎトラ
ンジスタＴ８はベース・エミッタ間電圧が減少するため
にエミッタ電圧は変化せず、従って、ノー１” Ｃの電
圧は一定値となる。
電流増幅率が低下し、インピーダンスＺ６における電圧
降下が減少する。ところが、温度上昇によりｎｐｎトラ
ンジスタＴ８はベース・エミッタ間電圧が減少するため
にエミッタ電圧は変化せず、従って、ノー１” Ｃの電
圧は一定値となる。
尚、前記各実施例では一定電圧発生回路１１の出力電圧
を負の温度依存とし、温度依存補償回路１２．１４の出
力電圧を正の温度依存としたが、一定電圧発生回路の出
力電圧を正の温度依存とし、温度依存補償回路の出力電
圧を負の温度依存としてもよい。
を負の温度依存とし、温度依存補償回路１２．１４の出
力電圧を正の温度依存としたが、一定電圧発生回路の出
力電圧を正の温度依存とし、温度依存補償回路の出力電
圧を負の温度依存としてもよい。
又、前記各実施例では一定電圧発生回路１１及び温度依
存補償回路１．２．１４に備えられたバイポーラトラン
ジスタをｎｐｎｈランジスタとしたが、これに限定され
るものではない。
存補償回路１．２．１４に備えられたバイポーラトラン
ジスタをｎｐｎｈランジスタとしたが、これに限定され
るものではない。
又、前記各実施例では内部回路を電流スイッチ回路１３
又は１５としたが、これに限定されるものではない。
又は１５としたが、これに限定されるものではない。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によれば半導体集積回路装
置に備えられた一定電圧発生回路の温度依存を補償して
内部回路に所望する値の電圧を供給することができる優
れた効果がある。
置に備えられた一定電圧発生回路の温度依存を補償して
内部回路に所望する値の電圧を供給することができる優
れた効果がある。
第１図ｔａ）、 （ｂ）は本発明の原理説明図、第２図
は一実施例を示す電気回路図、 第３図は一実施例の作用説明図、 第４図は別の実施例を示す電気回路図、第５図は別の実
施例の作用説明図である。 図において、 ■は外部電源、 ２は一定電圧発生回路、 ３は温度依存補償回路、 ４は内部回路である。
は一実施例を示す電気回路図、 第３図は一実施例の作用説明図、 第４図は別の実施例を示す電気回路図、第５図は別の実
施例の作用説明図である。 図において、 ■は外部電源、 ２は一定電圧発生回路、 ３は温度依存補償回路、 ４は内部回路である。
Claims (1)
- 外部電源（１）に基づいて内部回路（４）に供給する
ための一定電圧を発生する一定電圧発生回路（２）を備
えた半導体集積回路装置において、前記一定電圧発生回
路（２）と内部回路（４）との間に、前記一定電圧発生
回路（２）の温度依存とは逆の温度依存を持ち、かつ、
前記一定電圧発生回路（２）の温度依存を補償する温度
依存補償回路（３）を設けたことを特徴とする半導体集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30069790A JPH04172508A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30069790A JPH04172508A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04172508A true JPH04172508A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17887995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30069790A Pending JPH04172508A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04172508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521113A (ja) * | 2000-01-19 | 2003-07-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バンドギャップ電圧の参照電圧源 |
| JP2005044051A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
| JPWO2020105086A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2021-10-21 | 三菱電機株式会社 | オフセット補正回路 |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30069790A patent/JPH04172508A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521113A (ja) * | 2000-01-19 | 2003-07-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バンドギャップ電圧の参照電圧源 |
| JP2005044051A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
| JPWO2020105086A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2021-10-21 | 三菱電機株式会社 | オフセット補正回路 |
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