JPH0394843A - 合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法 - Google Patents
合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0394843A JPH0394843A JP22890789A JP22890789A JPH0394843A JP H0394843 A JPH0394843 A JP H0394843A JP 22890789 A JP22890789 A JP 22890789A JP 22890789 A JP22890789 A JP 22890789A JP H0394843 A JPH0394843 A JP H0394843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- quartz glass
- viscosity
- synthetic quartz
- glass crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000006148 magnetic separator Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
- C03B19/066—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction for the production of quartz or fused silica articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業土の利用分野]
本発明は合成石英ガラスるつぼ、特には天然石英ガラス
と同等以上の高温粘度を有することから半導体基村など
の溶融るつぼとして有用とされる合成石英ガラスるつぼ
およびその製造方法に関するものである。
と同等以上の高温粘度を有することから半導体基村など
の溶融るつぼとして有用とされる合成石英ガラスるつぼ
およびその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
半導体物質、特にシリコン車結晶の引上げ用るつぼは高
温での耐熱性Cすぐれていることから天然石英ガラス製
のものが汎用されているが、天然石英ガラスは不純物を
含有していることから最近における半導体メモリの高集
積化のために歩留まりの低下が問題となり、この高純度
化が要望されている。
温での耐熱性Cすぐれていることから天然石英ガラス製
のものが汎用されているが、天然石英ガラスは不純物を
含有していることから最近における半導体メモリの高集
積化のために歩留まりの低下が問題となり、この高純度
化が要望されている。
[発明が解決しようとする課題]
このため、このるつぼを純度の高い合成石英ガラスで作
ることも検討されているが、■四塩化けい素などを酸水
素火炎中で加水分解させてシリカ徹粒子ヒし、これを溶
融して石英ガラスとする方法にはガラス中&:011基
が1,0O0ppmも残留しているために高温粘性が低
く、真空中高温では発泡するという問題点があり、■こ
の酸水素火炎をプラズマ炎とする方法にはコストが高《
、量産化も難しいという不利がある。また、これについ
てはアルコキシシランをアルコール溶媒中で加水分解し
てシリカを作り、これを溶融して合成石英を得るという
、いわゆるゾルーゲル法によるこ辷も検討されており、
これには高純度品を安価に得るこεができる辷いう利益
があるもののOH基が残り易く、製造に長時間が必要辷
されるという不利があり、高温粘性の高いものが得られ
難いという欠点がある。
ることも検討されているが、■四塩化けい素などを酸水
素火炎中で加水分解させてシリカ徹粒子ヒし、これを溶
融して石英ガラスとする方法にはガラス中&:011基
が1,0O0ppmも残留しているために高温粘性が低
く、真空中高温では発泡するという問題点があり、■こ
の酸水素火炎をプラズマ炎とする方法にはコストが高《
、量産化も難しいという不利がある。また、これについ
てはアルコキシシランをアルコール溶媒中で加水分解し
てシリカを作り、これを溶融して合成石英を得るという
、いわゆるゾルーゲル法によるこ辷も検討されており、
これには高純度品を安価に得るこεができる辷いう利益
があるもののOH基が残り易く、製造に長時間が必要辷
されるという不利があり、高温粘性の高いものが得られ
難いという欠点がある。
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような不利を解決するこヒのできる合成石
英ガラスるつぼおよびその製造方法に関するもので、こ
れはOH基がBOppm以下であり、1,400℃社お
ける粘度(logη)がlO.6ポイズ以上であること
を特徴Lする合成石英ガラスるつぼおよびアルコキシシ
ランを加水分解して得たシリカわ3を減圧下1.700
℃以上の温度で焼結したのち粉砕し、吸着水分を0.0
3重量%以下とした状態でアーク炎で熔融し、るつぼに
成形することを特徴とする合成石英ガラスるつぼの製造
方法に関するものである。
英ガラスるつぼおよびその製造方法に関するもので、こ
れはOH基がBOppm以下であり、1,400℃社お
ける粘度(logη)がlO.6ポイズ以上であること
を特徴Lする合成石英ガラスるつぼおよびアルコキシシ
ランを加水分解して得たシリカわ3を減圧下1.700
℃以上の温度で焼結したのち粉砕し、吸着水分を0.0
3重量%以下とした状態でアーク炎で熔融し、るつぼに
成形することを特徴とする合成石英ガラスるつぼの製造
方法に関するものである。
すなわち、本発明者らは高温粘度が高い合成石英ガラス
るつぼをゾルーゲル法で製造する方法について種々検討
した結果、天然石英ガラスではこれに含有される0■基
mb粘度辷の間に特は相関はないが、合成石英ガラスで
はこれに含有され′Cいる0H基量ヒ粘度εの間に強い
相関があり、高温粘度を高くするためにはOl1基含有
量を80ppm以下ヒする必要のあるこヒ、またこれを
80ppm以下とすれば合成石英ガラスの1. . 4
0 0℃における粘度(Rogn)を10.6ポイズ
以上ヒすることができることを見出す辷共に、このよう
な合成石英ガラスを得るためにはゾルーゲル法で得られ
たシリカを減圧下&:].,700℃以上の温度で焼結
したのち粉砕し、この吸着水分を0.03重量以下εし
、これをアーク炎で溶融し、戊形すねばよいということ
を確認して本発明を完成させた。
るつぼをゾルーゲル法で製造する方法について種々検討
した結果、天然石英ガラスではこれに含有される0■基
mb粘度辷の間に特は相関はないが、合成石英ガラスで
はこれに含有され′Cいる0H基量ヒ粘度εの間に強い
相関があり、高温粘度を高くするためにはOl1基含有
量を80ppm以下ヒする必要のあるこヒ、またこれを
80ppm以下とすれば合成石英ガラスの1. . 4
0 0℃における粘度(Rogn)を10.6ポイズ
以上ヒすることができることを見出す辷共に、このよう
な合成石英ガラスを得るためにはゾルーゲル法で得られ
たシリカを減圧下&:].,700℃以上の温度で焼結
したのち粉砕し、この吸着水分を0.03重量以下εし
、これをアーク炎で溶融し、戊形すねばよいということ
を確認して本発明を完成させた。
以下はこれをさらじ詳述する。
[作 用1
本発明の合成万英ガラスるつぼは01{基含有量が80
ppm以下であり、1,400℃における粘度(fla
gη)が10,6ポイズ以上であるものとされる。
ppm以下であり、1,400℃における粘度(fla
gη)が10,6ポイズ以上であるものとされる。
これは一般に合成石英ガラスは高温粘度が低いために1
,500℃付近で使用される半導体用シリコンなどの引
上げ用るつぼには使用できないとされていたのであるが
、粉体に吸着している水分量辷るつぼに含有されている
OH基量および高温粘度εの関係を天然石英ガラスるつ
ぼと合成石英ガラスるつぼについて比較検討したヒころ
、天然石英ガラスるつぼは天然水晶やけい砂などを原料
とするもので、このα一石英は規則正しい結晶であるk
めに事実上0}1基なとは結合上存在せず、これに含有
されているOH基はその気泡中あるいはガラス中に82
0.Thして存在しでいるものであるため、元来その量
は少なく、したがってとのOH基含有量と高温粘度との
間には第1図に示したように相関が認められていないけ
れども、合成石英ガラスるつぼはガラス内部におけるヨ
SR − SKミ結合がるつぼ形戒時のアーク炎で加熱
されるとこれが吸着水分と反応してミS iOH基とな
るために結合が弱くなり、これが増加するヒ高温粘度が
下がるものと考えられており、事実第1図に示したよう
にそのOH基含有量ヒ高温粘度[ffiogη(ポイズ
)]との間には強い相関のあることが確認された。
,500℃付近で使用される半導体用シリコンなどの引
上げ用るつぼには使用できないとされていたのであるが
、粉体に吸着している水分量辷るつぼに含有されている
OH基量および高温粘度εの関係を天然石英ガラスるつ
ぼと合成石英ガラスるつぼについて比較検討したヒころ
、天然石英ガラスるつぼは天然水晶やけい砂などを原料
とするもので、このα一石英は規則正しい結晶であるk
めに事実上0}1基なとは結合上存在せず、これに含有
されているOH基はその気泡中あるいはガラス中に82
0.Thして存在しでいるものであるため、元来その量
は少なく、したがってとのOH基含有量と高温粘度との
間には第1図に示したように相関が認められていないけ
れども、合成石英ガラスるつぼはガラス内部におけるヨ
SR − SKミ結合がるつぼ形戒時のアーク炎で加熱
されるとこれが吸着水分と反応してミS iOH基とな
るために結合が弱くなり、これが増加するヒ高温粘度が
下がるものと考えられており、事実第1図に示したよう
にそのOH基含有量ヒ高温粘度[ffiogη(ポイズ
)]との間には強い相関のあることが確認された。
したがって、本発明の合成石英ガラスるつぼについては
そのOH基含有量を第1図の結果から80ppm以下ε
ずることが必要とされ、これによればその1,400℃
における高温粘度(Jo3η)を10.6ポイズ以上ヒ
することができるので、このものは半導体用シリコンな
どの溶融るつぼεしても使用するこ辷ができるεいう有
利性が与えられる。
そのOH基含有量を第1図の結果から80ppm以下ε
ずることが必要とされ、これによればその1,400℃
における高温粘度(Jo3η)を10.6ポイズ以上ヒ
することができるので、このものは半導体用シリコンな
どの溶融るつぼεしても使用するこ辷ができるεいう有
利性が与えられる。
まk1この合成石英ガラスるつぼの製造をゾルーゲル法
で得られたシリカから製造するためにはアルコキシシラ
ンの加水分解で得たシリカを焼結し、粉砕してから、こ
れをアーク炎で溶融成形するのであるが、この合成石英
ガラスは上記したようじこれは含有されるOH基を80
ppm以下とずるこヒが必要とされるので、このシリカ
の焼結は〜 気圧のような減圧下に1.7[10℃以上
の高温で行なって得られる石英ガラス中におけるミSi
−Siミ結合の発生量を多くしてミSi−OH基をで
きるだけ低下させる必要があり、このように焼結して得
た′ri莢ガラス塊な粉砕すれば叶基が80ppm以下
辷された石英ガラス粉末2−得るこ辷ができる.目的ヒ
する合或る英ガラスるつぼはこの合成石英ガラス粉末を
アーク炎で溶融成形するこεによって得るこヒができる
が、この合成石英ガラλ粉末中に吸着水分が多量に存在
しているヒアーク炎による溶融時社合成石英ガラス中に
含有きれ゛CいるミSi〜5i=結合がこの吸着水分ε
反応しでミSi・−OH基εなり、011基が80pp
Il1以上辷なる可能性があるので、この合成石英ガラ
ス粉末中にお【→る吸着水分量は厳重に管理する必要が
あり、この[及着水分がカールフィッシャー水分測定計
での測定値で0.03重量%以上であるεこれが合成石
英ガラス粉未中のミSR−Siiiiiヒ結合してミS
l−011基εなるので、これは0.03重量%以下に
低く抑えておくことが必要ヒされ、このように低く抑え
てお+−1ばこの反応によっでOH基量が80ppni
以士ヒなることはない。なお、この吸着水分量は当然低
ければ低いほどよい巾であるが、あまり低いと静電気が
発生して成望で含なくなるおそれが1・じるので、その
よ?)なεきにはイオナイザーなどを用いて中和するこ
εがよい。
で得られたシリカから製造するためにはアルコキシシラ
ンの加水分解で得たシリカを焼結し、粉砕してから、こ
れをアーク炎で溶融成形するのであるが、この合成石英
ガラスは上記したようじこれは含有されるOH基を80
ppm以下とずるこヒが必要とされるので、このシリカ
の焼結は〜 気圧のような減圧下に1.7[10℃以上
の高温で行なって得られる石英ガラス中におけるミSi
−Siミ結合の発生量を多くしてミSi−OH基をで
きるだけ低下させる必要があり、このように焼結して得
た′ri莢ガラス塊な粉砕すれば叶基が80ppm以下
辷された石英ガラス粉末2−得るこ辷ができる.目的ヒ
する合或る英ガラスるつぼはこの合成石英ガラス粉末を
アーク炎で溶融成形するこεによって得るこヒができる
が、この合成石英ガラλ粉末中に吸着水分が多量に存在
しているヒアーク炎による溶融時社合成石英ガラス中に
含有きれ゛CいるミSi〜5i=結合がこの吸着水分ε
反応しでミSi・−OH基εなり、011基が80pp
Il1以上辷なる可能性があるので、この合成石英ガラ
ス粉末中にお【→る吸着水分量は厳重に管理する必要が
あり、この[及着水分がカールフィッシャー水分測定計
での測定値で0.03重量%以上であるεこれが合成石
英ガラス粉未中のミSR−Siiiiiヒ結合してミS
l−011基εなるので、これは0.03重量%以下に
低く抑えておくことが必要ヒされ、このように低く抑え
てお+−1ばこの反応によっでOH基量が80ppni
以士ヒなることはない。なお、この吸着水分量は当然低
ければ低いほどよい巾であるが、あまり低いと静電気が
発生して成望で含なくなるおそれが1・じるので、その
よ?)なεきにはイオナイザーなどを用いて中和するこ
εがよい。
[実施例』
つぎ定木発明の実施例をあげる。
実施例
5(1(l iのグラスライニング反応器に半導体グレ
ードのアンモニア木130j2&超純水30J2を入れ
で0℃い冷却し、デフロンコート攪拌棒で攪拌しながら
、ここにメチルシリケート(蒸望晶)2Fi5k3を滴
.1”し、滴下終Y後遠水脱水器で脱水してVル状シリ
カ粉105kgを作った。
ードのアンモニア木130j2&超純水30J2を入れ
で0℃い冷却し、デフロンコート攪拌棒で攪拌しながら
、ここにメチルシリケート(蒸望晶)2Fi5k3を滴
.1”し、滴下終Y後遠水脱水器で脱水してVル状シリ
カ粉105kgを作った。
9いでこのシリカ粉を窒素がス中に43いて150℃で
乾燥してゲル状シリカ粉としてのt)、これを石英幻』
芯管に詰め、酸素ガス気流中で室温から1,200℃昇
温加熱し、この25kgを高純度黒鉛ケースに詰めて真
空中で室温から1.,500 t:まで2時間、きらニ
1,500℃から1,800 ”Cまで10時間かけて
昇温して焼結させた。
乾燥してゲル状シリカ粉としてのt)、これを石英幻』
芯管に詰め、酸素ガス気流中で室温から1,200℃昇
温加熱し、この25kgを高純度黒鉛ケースに詰めて真
空中で室温から1.,500 t:まで2時間、きらニ
1,500℃から1,800 ”Cまで10時間かけて
昇温して焼結させた。
つぎに、この焼結体を粉砕して粒度を5o〜80メッシ
,1に揃え、IICR, l{Fで洗浄し、乾燥後磁選
機にかけ、吸着水分量が第1表に示L・たように0.0
05 Jii%から0.048徂量までの11種のザン
ブル苓・・作り、これをアーク炎を使用してるつぼに溶
融成刑し、このるつぼに含イj”されているON基量2
・l.,400℃に請5ける粘度を測定すると共に”.
、ごのる″)ぼ片を10−’ トール、i,500℃に
4時間保持し・たヒきの膨れをしらべたεころ、第1表
に併記したとおりの結果が得られた。
,1に揃え、IICR, l{Fで洗浄し、乾燥後磁選
機にかけ、吸着水分量が第1表に示L・たように0.0
05 Jii%から0.048徂量までの11種のザン
ブル苓・・作り、これをアーク炎を使用してるつぼに溶
融成刑し、このるつぼに含イj”されているON基量2
・l.,400℃に請5ける粘度を測定すると共に”.
、ごのる″)ぼ片を10−’ トール、i,500℃に
4時間保持し・たヒきの膨れをしらべたεころ、第1表
に併記したとおりの結果が得られた。
「発明の効果]
本発明は合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法に関
するもので、これは前記したようにOH基含存量が80
ppm以十であり、1,400℃における粘度(Jog
η)が10.6ポイズ以上である合成石英ガラスるつぼ
、およびアルコキシシランを加水分解して得たシリカ粉
を減圧下に1,700℃以上の温度で焼結したのち粉砕
し、吸着水分を0.03重量以下起した状、態でアーク
炎で溶融成形してるつぼとすると1/Mうものであり、
この合成石英ガラスるつぼは高温粘度が高いので半導体
シリロンの引上げるつぼヒして使用し得るという有利性
をもつものであり、これは上記したようゾルーゲル法で
作られるので安価にかつ容易に得ることができるという
有利性をもつものである。
するもので、これは前記したようにOH基含存量が80
ppm以十であり、1,400℃における粘度(Jog
η)が10.6ポイズ以上である合成石英ガラスるつぼ
、およびアルコキシシランを加水分解して得たシリカ粉
を減圧下に1,700℃以上の温度で焼結したのち粉砕
し、吸着水分を0.03重量以下起した状、態でアーク
炎で溶融成形してるつぼとすると1/Mうものであり、
この合成石英ガラスるつぼは高温粘度が高いので半導体
シリロンの引上げるつぼヒして使用し得るという有利性
をもつものであり、これは上記したようゾルーゲル法で
作られるので安価にかつ容易に得ることができるという
有利性をもつものである。
第1図は天然石英ガラスるつぼと合威石英ガラスるつぼ
の含有OH基量&I.,400℃における粘度[i!o
gηくポイズ)] との関係を示したグラフである。 200 ○H含有量(pprn) 第1図
の含有OH基量&I.,400℃における粘度[i!o
gηくポイズ)] との関係を示したグラフである。 200 ○H含有量(pprn) 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、OH基含有量が80ppm以下であり、1,400
℃における粘度(logη)が10.6ポイズ以上であ
ることを特徴とする合成石英ガラスるつぼ。 2、アルコキシシランを加水分解して得たシリカ粉を減
圧下1,700℃以上の温度で焼結したのち粉砕し、吸
着水分を0.03重量%以下とした状態でアーク炎で溶
融し、るつぼに成形することを特徴とする合成石英ガラ
スるつぼの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22890789A JPH0394843A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法 |
US07/485,954 US5141786A (en) | 1989-02-28 | 1990-02-27 | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
EP19900302137 EP0385753A3 (en) | 1989-02-28 | 1990-02-28 | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
US07/862,799 US5302556A (en) | 1989-02-28 | 1992-04-03 | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22890789A JPH0394843A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0394843A true JPH0394843A (ja) | 1991-04-19 |
JPH0464741B2 JPH0464741B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=16883725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22890789A Granted JPH0394843A (ja) | 1989-02-28 | 1989-09-04 | 合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0394843A (ja) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS472771U (ja) * | 1971-01-26 | 1972-08-31 | ||
JPS5345318A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-24 | Toshiba Ceramics Co | Process and apparatus for preparing glass vessel and the like of high silica content |
JPS55167143A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Manufacture of optical glass |
JPS5849519A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-23 | Toyota Motor Corp | 自動車の車体フロア構造 |
JPS6090836A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英の製造方法 |
JPS60137892A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
JPS6144793A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JPS62176928A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-03 | Mitsubishi Metal Corp | 石英ガラス粉末の製造方法 |
JPS6330335A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-09 | Seiko Epson Corp | 石英ガラスの製造方法 |
JPH01215728A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-29 | Shinetsu Sekiei Kk | 石英ガラスの製造方法 |
JPH01275496A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH02172832A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
JPH02229735A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 石英ガラス部材 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP22890789A patent/JPH0394843A/ja active Granted
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS472771U (ja) * | 1971-01-26 | 1972-08-31 | ||
JPS5345318A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-24 | Toshiba Ceramics Co | Process and apparatus for preparing glass vessel and the like of high silica content |
JPS55167143A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Manufacture of optical glass |
JPS5849519A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-23 | Toyota Motor Corp | 自動車の車体フロア構造 |
JPS6090836A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英の製造方法 |
JPS60137892A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
JPS6144793A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JPS62176928A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-03 | Mitsubishi Metal Corp | 石英ガラス粉末の製造方法 |
JPS6330335A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-09 | Seiko Epson Corp | 石英ガラスの製造方法 |
JPH01215728A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-29 | Shinetsu Sekiei Kk | 石英ガラスの製造方法 |
JPH01275496A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH02172832A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
JPH02229735A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 石英ガラス部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0464741B2 (ja) | 1992-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5302556A (en) | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them | |
JPH02500972A (ja) | ガラス質シリカにおけるおよびに関する改良 | |
JPS59137325A (ja) | 高純度合成石英ガラスからなる物品の製法 | |
JPH0940434A (ja) | 高純度石英ガラス及びその製造方法 | |
JPH029783A (ja) | 石英ガラスるつぼ | |
JPH0280329A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JPS62212235A (ja) | ガラスの製造法 | |
JPH0394843A (ja) | 合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法 | |
JPH04238808A (ja) | 高純度結晶質シリカの製造方法 | |
JPH02307830A (ja) | 石英ガラス粉末の製造方法 | |
JPH03275527A (ja) | 多孔質シリカガラス粉末 | |
JPH02124739A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
JP3318946B2 (ja) | 粉状乾燥ゲル、シリカガラス粉末及びシリカガラス溶融成形品の製造方法 | |
JP3121733B2 (ja) | 高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラス | |
JPH0840735A (ja) | 合成石英ガラスルツボの製造方法 | |
JPH02172832A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
JPH035329A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JP3526591B2 (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JP2743949B2 (ja) | 耐熱性石英ガラス製造用粉末材料の製造方法 | |
JPH0541565B2 (ja) | ||
JP3689926B2 (ja) | 高純度合成石英ガラス粉及びその製造方法、並びにこれを用いた高純度合成石英ガラス成形体 | |
JP2019172515A (ja) | 合成シリカガラス粉 | |
JPH0567575B2 (ja) | ||
JP2019172514A (ja) | 合成シリカガラス粉 | |
JPS6033220A (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物用多孔質シリカガラスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |