JPS59137325A - 高純度合成石英ガラスからなる物品の製法 - Google Patents

高純度合成石英ガラスからなる物品の製法

Info

Publication number
JPS59137325A
JPS59137325A JP59000366A JP36684A JPS59137325A JP S59137325 A JPS59137325 A JP S59137325A JP 59000366 A JP59000366 A JP 59000366A JP 36684 A JP36684 A JP 36684A JP S59137325 A JPS59137325 A JP S59137325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
purity
crucible
product
quartz glass
quartz
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59000366A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6236974B2 (ja
Inventor
ヴインフリ−ト・ランク
ル−ドルフ・グリ−スハンマ−
ミヒアエル・シユヴアプ
ヴエルナ−・ツレ−ネル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Publication of JPS59137325A publication Critical patent/JPS59137325A/ja
Publication of JPS6236974B2 publication Critical patent/JPS6236974B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
    • C03B19/063—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction by hot-pressing powders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
    • C03B19/066—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction for the production of quartz or fused silica articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00—Glass manufacturing
    • Y10S65/08—Quartz

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、高純度合成石英ガラスから成る物品、特に
チョクラルスキー法により連索結晶をるつぼ引上げする
際に使用される石英るつぼの製法に関する。
高純度石英ガラスは、純度、温度安定性及び化学的安定
性を有しているので、半導体技術において、ゲルマニウ
ム、燐化インジウム、砒化ガリウム及び、とりわけ珪素
等の物質の製造及び加工の際に不可欠の加工用材料であ
る。従って、例えば加熱された支持体上でトリクロルシ
ランを分解することによる多結晶質高純度珪素の分離は
石英鍾内で行われることが多い（ドイツ特許公開第３１
０７４２１号明細書参照）。珪素つエノ・−が半導体構
成要素に加工される過程において付される酸化工程等の
高温工程にとっても石英ガラスから成る反応室は有用で
ある。
チョクラルスキー法により珪素結晶をるつぼ引上げする
除に溶融るつぼ材料として使用される石英ガラスには高
度の条件が要求される。反応性の大きい連索溶融物と石
英るつぼの壁面が直接に接触するために、溶融物が汚染
され、るつぼ壁面が柔軟化するという危険はますます大
きくなる。このような理由から、もし天然石英、すなわ
ち水晶又は石英砂から製造された石英るつばを使用する
場合には、るつぼ材料中の大量のドーピング物質である
硼素、燐及びアルミニウムのために、引上げられた珪素
結晶の抵抗値は一定の限界値までにしか高めることがで
きない。これに対して高抵抗性結晶は費用のかかる帯別
上げ法でなければ製造できない。従って、天然石英から
成るるつぼはドイツ特許公開第２９２８０８９号の方法
によれば内側が純粋な合成石英で被覆されている。しか
しながら、その製造には個々の部分品を絶えず回転させ
ながら煩雑な方法で行わなければならない。
さらに、天然石英より成る外壁から合成内部被株層部が
裂ける危険性もある。
この発明の課題は高純度の合成石英ガラスから成る物品
を簡単に製造することのできる方法を提供することであ
る。
この課題は、次の工程を特徴とする方法により解決され
る： α）高純度の四塩化珪素を高純度の水で加水分解し、 ｈ）加水分解生成物を分離、乾燥し、 Ｃ）乾燥生成物を成形処理し、 ｄ）成形された生成物を焼結し、 ｅ）この焼結生成物の表面を溶融させる。
この方法は、原則的に高純度合成石英ガラスから成る種
々の物品、例えば反応管、石英鍾及び石英の母型容器等
を製造するのに適している。しかしながら、とりわけチ
ョクラルスキー法により珪素結晶をるつぼ引上げするた
めに使用するのに好ましい石英るつぼが製造される。こ
のような高純度のるつぼを使用することにより、るつぼ
引上げ方法で得られた単結晶において、他の方法では帯
別上げ方法でのみ得られる抵抗値を得ることができる。
この方法により、コスト的に有利に、るつぼ引上げ法に
より得られる大きな直径および酸素含有量を有しており
、帯別上げ法により得られた材料に相当する抵抗値を示
す結晶を製造することができる。このような高酸素含有
量は帯別上げ法による珪素結晶では得ることができない
が、例えばそのゲッター作用のために多（の応用上欠く
ことのできないものである。
原料としては、高純匿四塩化注素と高純度の水が使用さ
れる。この両物質については多くの異なった製造法が知
られている。四塩化注素は例えば、トリクロルシランを
分解して多結晶珪素を製造する際に大量かつ非常に高純
度で副生物として有利に生成する。水は例えば脱塩及び
逆浸透により適当な純度にすることができる。原則的に
はこれら両物質はほぼ同じ純度でなければならない。
加水分解は室温から沸点までの温度範囲で行うことがで
きる。ここで四塩化珪素は好適には液状で過剰量の水に
加えられる。しかしながら、過剰の液状四塩化珪素に水
を加えることが好ましい。
何故ならば、特に水酸基が少なく高温で篤くべき高（・
耐軟化性を示す目的生成物が得られるからである。この
特性は、通常の合成石英ガラスにおいては、しばしば十
分には示されない（この点については、例えばエンサイ
クロペディア・オノ・ケミカル・テクノロジー、第１８
巻、８５〜８６頁（１９６９）、！２版、　Ｊｏｂ７Ｌ
Ｗｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ、Ｉｎｃ。
参照）。
加水分解反応は、有利には保護気体、例えば窒素又はア
ルゴンの存在下で行われる。反応混合物を例えば羽根型
攪拌機を用いて攪拌するのが好ましい。反応容器として
は高純度といつ理由から石英ガラス又はポリテトラフル
オロエチレン（テフロン）から成る容器が特に適してい
る。加水分解が終了した後、加水分解生成物は残ってい
る液相から例えば濾過又は遠心分離により分離される。
次いで、特に、存在する四塩化珪素に好ましくは不足量
の水を加えて得られる生成物の場合には、過剰の四塩化
珪素を除去するために、場合により真空中で、単に加熱
することにより蒸発を行うのがよい。このためには１０
０〜２００ｃの温度範囲が適当である。製造された粉末
状の粗生成物は次いで略−建の重量になるまで更に約８
００〜１０００１：’に加熱することにより更に乾燥す
ることができる。
このようにして前処理された粗生成物は続いて成形工程
に付され、例えば所望の形状にプレスされる。一般に、
成形工程によって得られた製品は、その後の加工処理を
行うために鋳型から引き出すことかできる程度の強度を
既に有している。こうして既に本質的に最終的形状を有
している半加工物は、続いて１１００〜１３０（Ｉ’の
温度で、更に強度を得るために焼結される。このことは
例えば焼結操作のための公知の通常の炉内で行われる。
有利な成形方法としては、特に約８００〜約１２００Ｃ
の温度そして５００〜２５００バールの圧力における等
圧熱間プレス（１ｓｏｒｔａｔｉｓｃｈｅｓ　Ｈｅｉβ
ｐγｅｓ’ｓｅｎ　）が挙げられる。何故ならばこの際
に成形工程と焼成工程が一つの作業工程にされるからで
ある。しかしながら場合により等圧熱間プレスに追加の
焼結工程を付随させることもできる。
最終工程において、焼結された物体は表面が浴融され、
そして通常は少なくとも、例えば抵抗性、化学的安定性
、密度等に関して特別の負荷が加えられる表面において
溶融される。石英るつぼに於いてこの面は一般に内壁で
ある。溶融は原則としてアーク加熱器等の他の加熱源も
通しているが、酸水素炎の作用により行うのが好ましい
。一般に溶融層が全壁厚さの約２０〜４０％の厚さを有
していれば十分である。
この発明の方法によれば、チョクラルスキー法によるる
つぼ引上げ工程の際に使用されるるつぼを特に有利に製
造することができる。この発明の旧点は、一方では天然
石英に比較してより高められた純度のるつぼ材料の得ら
れることにある。他方、このようなるつぼは高い熱安定
性を有している。何故ならばこの発明の方法による合成
石英ガラスは驚くべきことに軟化抵抗性に関して従来の
合成イシ料を凌罵しているからである。
実施例 珪素製造の際にトリクロルシランの分解により生成する
四塩化珪素１０００１ｎｌを室温で２１入りテフロン製
フラスコに入れ、蟹素による洗浄と同時に強く撹拌しつ
つ、２５０ｄの可逆浸透により精製した水（これは必要
とされる化学量論量の約２０チ以下に相当する）を徐々
に加える。反応の進行時に混合物は四塩化珪素の沸点ま
で加熱される。水を加え終わり、反応が終了した後、生
成した二酸化珪素粉末を粘看しでいる四塩化珪素から分
離するために温度を１５０Ｃに上げる。このようにして
、Ｘｌｎで無定形を示す粗二酸化珪素４５０Ｉが得られ
る。９５０Ｃまで徐々に加熱することにより生成物は５
０．９の重量を失う。残った粉末をるつぼ鋳型につめ、
９００Ｃ，１０００バールの等圧熱間プレスにより半加
工のるつぼ（直径約１２０關、旨さ約１１０ｍｍ＋厚さ
約４朋）が製造される。これは史に１２００Ｃで２時間
焼結され、最後にその内面を酸水素炎中で全壁厚さの３
０％まで溶融する。
このようにして製造されたるつぼからチョクラルスキー
法によるるつぼ引上げにより、直径５４朋、長さ３０ｃ
ｒＩＬの珪素単結晶を引上げる。低温ＩＲ測測定より棒
状体端部で測定したド−プ物質濃度は燐５×１０１２原
子／ｃｒｒＬ３、硼素６×１０１２原子／ｃｒｎ　３　
であり、アルミニウム含有量は検出限界以下であった。
引上げ工程が終了した後、囲りのタラファイトるつぼへ
の石英るつぼの付着は認められなかった。
ドイツ連邦共和国ノイエッテイ ンク・フエルトシュトラーセ１６ の発　明　者　ヴエルナー・ツレ−ネルドイツ連邦共和
国ハイミンク・ インシュトラーセ３０

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　α）高純度の四塩化珪素を高純夏の水で加水分解
    し、 ｈ）加水分解生成物を分離、乾燥し、 Ｃ）乾燥生成物を成形処理し、 ｄ）成形された生成物を焼結し、 ｅ）その焼結生成物の表面を浴融する 工程から成ることを特徴とする高純度合成石英ガラスか
    ら成る物品の製法。 ２、＃：素製造の際に、トリクロルシランの分解によっ
    て生成する四塩化注素を加水分解することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、過剰量の四塩化連索に水を加えることにより加水分
    解を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項または
    第２項に記載の方法。 ４、乾燥生成物を等圧熱プレスにより成形し、焼結する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項のいず
    れか１項に記載の方法。 ５、特許請求の範囲第１項〜第４項の何れか１項の方法
    により製造された石英るつぼを、珪素結晶のチョクラル
    スキー法によるるつぼ引上げに使用すること。
JP59000366A 1983-01-27 1984-01-06 高純度合成石英ガラスからなる物品の製法 Granted JPS59137325A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833302745 DE3302745A1 (de) 1983-01-27 1983-01-27 Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus hochreinem synthetischem quarzglas
DE3302745.5 1983-01-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59137325A true JPS59137325A (ja) 1984-08-07
JPS6236974B2 JPS6236974B2 (ja) 1987-08-10

Family

ID=6189373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59000366A Granted JPS59137325A (ja) 1983-01-27 1984-01-06 高純度合成石英ガラスからなる物品の製法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4572729A (ja)
JP (1) JPS59137325A (ja)
DE (1) DE3302745A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59213697A (ja) * 1983-05-20 1984-12-03 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶半導体引上装置
JPS6221708A (ja) * 1985-07-17 1987-01-30 ヘレウス・クアルツシユメルツエ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクタ−・ハフツング 粒子状合成高純度二酸化珪素から物品を製造する方法
JPS6227341A (ja) * 1985-07-26 1987-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 溶融ガラス体の製造方法
JPH0562869A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 高集積度メモリ基板の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4767429A (en) * 1986-12-11 1988-08-30 American Telephone & Telegraph Co., At&T Bell Laboratories Glass body formed from a vapor-derived gel and process for producing same
US4979973A (en) * 1988-09-13 1990-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of fused silica glass by hydrolysis of methyl silicate
US5063179A (en) * 1990-03-02 1991-11-05 Cabot Corporation Process for making non-porous micron-sized high purity silica
JPH0611705A (ja) * 1992-01-31 1994-01-21 Sony Corp 能動素子基板
US5913975A (en) * 1998-02-03 1999-06-22 Memc Electronic Materials, Inc. Crucible and method of preparation thereof
US6510707B2 (en) * 2001-03-15 2003-01-28 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Methods for making silica crucibles
WO2003037807A1 (fr) * 2001-10-30 2003-05-08 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Procede de production de verre de silice
DE10156137B4 (de) * 2001-11-15 2004-08-19 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kieselglastiegels mit kristallinen Bereichen aus einem porösen Kieselglasgrünkörper
JP4086283B2 (ja) * 2002-07-31 2008-05-14 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法
US7214267B2 (en) * 2004-05-12 2007-05-08 Sumitomo Mitsubishi Silicon Silicon single crystal and method for growing silicon single crystal
US20090120353A1 (en) * 2007-11-13 2009-05-14 Memc Electronic Materials, Inc. Reduction of air pockets in silicon crystals by avoiding the introduction of nearly-insoluble gases into the melt
EP2376395A4 (en) * 2008-12-23 2014-04-09 3M Innovative Properties Co MOLDABLE ARTICLES, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MOLDING METHOD
CN101804987B (zh) * 2010-03-08 2012-05-16 乌海市巨能环保科技开发有限公司 一种白炭黑的制备方法
US8713966B2 (en) 2011-11-30 2014-05-06 Corning Incorporated Refractory vessels and methods for forming same
TWI651283B (zh) * 2017-04-28 2019-02-21 友達晶材股份有限公司 坩堝結構及其製作方法與矽晶結構及其製作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5177612A (ja) * 1974-12-28 1976-07-06 Toshiba Ceramics Co Chokojundosekieigarasuseihinno seizohoho
JPS5271511A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Toshiba Ceramics Co Crucibles for rare metal fusion
JPS5333965A (en) * 1976-09-10 1978-03-30 Kobe Steel Ltd Continuous manufacturing equipment of long size pipe
JPS5617996A (en) * 1979-07-12 1981-02-20 Heraeus Schott Quarzschmelze Crucible for semiconductor art and manufacture thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2268589A (en) * 1934-07-07 1942-01-06 Heany Ind Ceramic Corp Method of producing vitreous silica articles
JPS55167143A (en) * 1979-06-15 1980-12-26 Hitachi Ltd Manufacture of optical glass
JPS569230A (en) * 1979-06-28 1981-01-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of high purity quartz glass pipe
JPS5846457B2 (ja) * 1979-06-29 1983-10-17 日本電信電話株式会社 光ファイバ用母材の石英ガラスパイプの製造方法
JPS5632344A (en) * 1979-08-25 1981-04-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of optical fiber base material
JPS5637234A (en) * 1979-09-03 1981-04-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of anhydrous quartz glass tube
JPS6049141B2 (ja) * 1980-01-07 1985-10-31 日本電信電話株式会社 石英ガラスの製造方法
JPS56129621A (en) * 1980-03-10 1981-10-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Molding method for quartz glass
CA1188895A (en) * 1980-09-11 1985-06-18 Shoichi Suto Fabrication methods of doped silica glass and optical fiber preform by using the doped silica glass
DE3040771A1 (de) * 1980-10-29 1982-05-27 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Verfahren zur herstellung von praktisch porenfreien, polykristallinen formkoerpern duch isostatisches heisspressen in glashuellen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5177612A (ja) * 1974-12-28 1976-07-06 Toshiba Ceramics Co Chokojundosekieigarasuseihinno seizohoho
JPS5271511A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Toshiba Ceramics Co Crucibles for rare metal fusion
JPS5333965A (en) * 1976-09-10 1978-03-30 Kobe Steel Ltd Continuous manufacturing equipment of long size pipe
JPS5617996A (en) * 1979-07-12 1981-02-20 Heraeus Schott Quarzschmelze Crucible for semiconductor art and manufacture thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59213697A (ja) * 1983-05-20 1984-12-03 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶半導体引上装置
JPS6221708A (ja) * 1985-07-17 1987-01-30 ヘレウス・クアルツシユメルツエ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクタ−・ハフツング 粒子状合成高純度二酸化珪素から物品を製造する方法
JPH0475848B2 (ja) * 1985-07-17 1992-12-02 Hereusu Kuarutsushumerutsue Gmbh
JPS6227341A (ja) * 1985-07-26 1987-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 溶融ガラス体の製造方法
JPH0562869A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 高集積度メモリ基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6236974B2 (ja) 1987-08-10
DE3302745A1 (de) 1984-08-02
US4572729A (en) 1986-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59137325A (ja) 高純度合成石英ガラスからなる物品の製法
KR101403349B1 (ko) 합성 불투명 석영유리 및 그 제조방법
CN1316073C (zh) 石英玻璃坩埚及其制造方法
KR840000958B1 (ko) 실리콘 금속으로 기질을 코팅하는 방법
US4826521A (en) Method of manufacturing articles of extremely pure synthetic particulate silicon dioxide
JP4038137B2 (ja) ケイ素−チタン−混合酸化物粉末を含有する分散液、その製造方法、それにより製造された成形体、その製造方法、ガラス成形品、その製造方法及びその使用
JPS63139059A (ja) 金属及び塩熔融物に耐える材料、それらの製造及びそれらの使用
JP3092675B2 (ja) オキシナイトライドガラス及びその製造方法
JPH07300324A (ja) 耐熱性合成石英ガラスの製造方法
WO1987005286A1 (en) Process for manufacturing glass
US4042404A (en) Fused P2 O5 type glasses
US4030938A (en) Method for the manufacture of borosilicate glasses
US3514256A (en) Fibrous corundum and its preparation
JPS6158822A (ja) 透明石英ガラスの製造法
JPS62212235A (ja) ガラスの製造法
JPS6158823A (ja) 透明石英ガラスの製造法
US20110095446A1 (en) Silicon-based green bodies
JPH0264027A (ja) 石英ガラスの製造方法
JP4297578B2 (ja) 不透明石英ガラスの製造方法
JPH0840735A (ja) 合成石英ガラスルツボの製造方法
JPH035329A (ja) 合成石英ガラスの製造方法
JPH02172832A (ja) 合成石英ガラスおよびその製造方法
JP3121733B2 (ja) 高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラス
JPH0394843A (ja) 合成石英ガラスるつぼおよびその製造方法
JPH0656446A (ja) 石英ガラスルツボの製造方法