JP3121733B2 - 高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラス - Google Patents
高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラスInfo
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度合成クリストバ
ライト粉、特に高温度下での粘度の高いシリカガラス及
び合成水晶育成原料である高純度合成クリストバライ
ト、その製造方法、及びシリカガラスに関する。
ライト粉、特に高温度下での粘度の高いシリカガラス及
び合成水晶育成原料である高純度合成クリストバライ
ト、その製造方法、及びシリカガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリカガラスは高純度で熱膨張率
が小さく、高温粘度が大きいところから、シリコンウエ
ハ−ボ−ト、電気炉内ガラスチャンバ−、拡散チャンバ
−等の熱処理用治具材料として用いられてきた。このシ
リカガラスとしては、天然の高純度水晶や石英を粉砕し
た結晶質シリカ粉を電気加熱溶融法または火炎ベルヌイ
法で溶融ガラス化したいわゆる”溶融石英ガラス”が使
用されてきた。ところが、前記溶融石英ガラスの原料と
なる高純度の水晶や石英は次第に枯渇しつつありその入
手が困難となっている。また、純度の低い水晶や石英を
原料として使用すると、溶融石英ガラス中に各種金属不
純物が含有されることになり、それが熱処理時にシリコ
ンウエハ−に拡散移行しシリコンウエハ−を汚染すると
いう問題があった。こうした問題点を解決するため四塩
化けい素等のけい素化合物を原料とした高純度の合成シ
リカガラスが熱処理治具用材料として検討されたが、合
成シリカガラスは高温における粘度が低く、特に最近の
大型化し、重量も大きくなったシリコンウエハ−の熱処
理治具として用いたとき熱処理時に大きな熱変形を起こ
し治具用材料として不適当なものであった。この合成シ
リカガラスの欠点を解決するため高温粘度が高い合成ク
リストバライト粉を用いたシリカガラスの製造方法が、
例えば特開昭６２ー１１３７２９号公報、特開昭６３ー
１６６７３０号公報、特開平１ー１７６２４３号公報等
で提案された。前記公報記載の製造方法はいずれもアル
カリ成分を加えてクリストバライトを合成するためクリ
ストバライト粉中にアルカリ元素不純物が高濃度で含有
され、その除去処理に費用がかかり、製造コストを高い
ものにしていた。
が小さく、高温粘度が大きいところから、シリコンウエ
ハ−ボ−ト、電気炉内ガラスチャンバ−、拡散チャンバ
−等の熱処理用治具材料として用いられてきた。このシ
リカガラスとしては、天然の高純度水晶や石英を粉砕し
た結晶質シリカ粉を電気加熱溶融法または火炎ベルヌイ
法で溶融ガラス化したいわゆる”溶融石英ガラス”が使
用されてきた。ところが、前記溶融石英ガラスの原料と
なる高純度の水晶や石英は次第に枯渇しつつありその入
手が困難となっている。また、純度の低い水晶や石英を
原料として使用すると、溶融石英ガラス中に各種金属不
純物が含有されることになり、それが熱処理時にシリコ
ンウエハ−に拡散移行しシリコンウエハ−を汚染すると
いう問題があった。こうした問題点を解決するため四塩
化けい素等のけい素化合物を原料とした高純度の合成シ
リカガラスが熱処理治具用材料として検討されたが、合
成シリカガラスは高温における粘度が低く、特に最近の
大型化し、重量も大きくなったシリコンウエハ−の熱処
理治具として用いたとき熱処理時に大きな熱変形を起こ
し治具用材料として不適当なものであった。この合成シ
リカガラスの欠点を解決するため高温粘度が高い合成ク
リストバライト粉を用いたシリカガラスの製造方法が、
例えば特開昭６２ー１１３７２９号公報、特開昭６３ー
１６６７３０号公報、特開平１ー１７６２４３号公報等
で提案された。前記公報記載の製造方法はいずれもアル
カリ成分を加えてクリストバライトを合成するためクリ
ストバライト粉中にアルカリ元素不純物が高濃度で含有
され、その除去処理に費用がかかり、製造コストを高い
ものにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、高純度の合成シ
リカガラス粉を水の存在下で高温高圧で処理すると、ア
ルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、及び遷移金属
元素含有量の低い高純度のクリストバライトが得られ、
これを原料とするシリカガラスは高純度で、しかも高温
粘度が高いシリカガラスであることを見出し、本発明を
完成したものである。すなわち
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、高純度の合成シ
リカガラス粉を水の存在下で高温高圧で処理すると、ア
ルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、及び遷移金属
元素含有量の低い高純度のクリストバライトが得られ、
これを原料とするシリカガラスは高純度で、しかも高温
粘度が高いシリカガラスであることを見出し、本発明を
完成したものである。すなわち
【０００４】本発明は、アルカリ元素含有量の少ない高
純度合成クリストバライト粉を提供することを目的とす
る。
純度合成クリストバライト粉を提供することを目的とす
る。
【０００５】本発明は、耐熱性の高いシリカガラス及び
合成水晶原料として有用な高純度合成クリストバライト
粉を提供することを目的とする。
合成水晶原料として有用な高純度合成クリストバライト
粉を提供することを目的とする。
【０００６】本発明は、上記合成クリストバライト粉を
原料とする高純度で、高温粘度が高いシリカガラスを提
供することを目的とする。
原料とする高純度で、高温粘度が高いシリカガラスを提
供することを目的とする。
【０００７】さらに、本発明は、上記高純度合成クリス
トバライト粉の新規な製造方法を提供することを目的と
する。
トバライト粉の新規な製造方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、高純度合成シリカガラス粉を水蒸気雰囲気で高温
高圧処理して得られたリチウム、ナトリウム、カリウム
のアルカリ金属元素濃度及びカルシウム、マグネシウム
のアルカリ土類金属元素濃度が各々１００ｗｔｐｐｂ以
下、並びにチタン、クロム、鉄、ニッケル、銅の遷移金
属元素濃度が各々５０ｗｔｐｐｂ以下である合成クリス
トバライト粉、その製造方法、及びシリカガラスに係
る。
明は、高純度合成シリカガラス粉を水蒸気雰囲気で高温
高圧処理して得られたリチウム、ナトリウム、カリウム
のアルカリ金属元素濃度及びカルシウム、マグネシウム
のアルカリ土類金属元素濃度が各々１００ｗｔｐｐｂ以
下、並びにチタン、クロム、鉄、ニッケル、銅の遷移金
属元素濃度が各々５０ｗｔｐｐｂ以下である合成クリス
トバライト粉、その製造方法、及びシリカガラスに係
る。
【０００９】本発明で使用する高純度合成シリカガラス
粉とは、四塩化けい素等の揮発性けい素化合物を酸水素
火炎加水分解法、プロパン火炎加水分解法、プラズマ法
等で合成した合成シリカガラス粉、或は金属アルコキシ
ド又は無機けい酸塩を原料としゾルゲル法で製造した合
成シリカガラス粉であって、粒径が１〜１，０００μｍ
の範囲の粉体をいう。前記合成シリカガラス粉のうちゾ
ルゲル法で製造された合成シリカガラス粉はコストが低
く安価に製造できるので好適である。また、前記合成シ
リカガラス粉中に含有される、リチウム、ナトリウム、
カリウムのアルカリ金属元素濃度、カルシウム、マグネ
シウムのアルカリ土類金属元素濃度は各々１００ｗｔｐ
ｐｂ以下、チタン、クロム、鉄、ニッケル、銅の遷移金
属元素濃度は各々５０ｗｔｐｐｂ以下、好ましくはアル
カリ金属元素濃度、アルカリ土類金属元素濃度は各々１
０ｗｔｐｐｂ以下、遷移金属元素濃度は５ｗｔｐｐｂ以
下であることが重要である。各元素濃度が前記範囲を超
えると、熱処理中にシリコンウエハーが汚染され、高品
位のシリコンウエハーを得ることができない。また、合
成シリカガラス粉の粒径が前記範囲を逸脱すると、ガラ
ス化時に気泡が発生し易くなり、ガラス中に取り込ま
れ、シリカガラスの品質を悪いものにする。
粉とは、四塩化けい素等の揮発性けい素化合物を酸水素
火炎加水分解法、プロパン火炎加水分解法、プラズマ法
等で合成した合成シリカガラス粉、或は金属アルコキシ
ド又は無機けい酸塩を原料としゾルゲル法で製造した合
成シリカガラス粉であって、粒径が１〜１，０００μｍ
の範囲の粉体をいう。前記合成シリカガラス粉のうちゾ
ルゲル法で製造された合成シリカガラス粉はコストが低
く安価に製造できるので好適である。また、前記合成シ
リカガラス粉中に含有される、リチウム、ナトリウム、
カリウムのアルカリ金属元素濃度、カルシウム、マグネ
シウムのアルカリ土類金属元素濃度は各々１００ｗｔｐ
ｐｂ以下、チタン、クロム、鉄、ニッケル、銅の遷移金
属元素濃度は各々５０ｗｔｐｐｂ以下、好ましくはアル
カリ金属元素濃度、アルカリ土類金属元素濃度は各々１
０ｗｔｐｐｂ以下、遷移金属元素濃度は５ｗｔｐｐｂ以
下であることが重要である。各元素濃度が前記範囲を超
えると、熱処理中にシリコンウエハーが汚染され、高品
位のシリコンウエハーを得ることができない。また、合
成シリカガラス粉の粒径が前記範囲を逸脱すると、ガラ
ス化時に気泡が発生し易くなり、ガラス中に取り込ま
れ、シリカガラスの品質を悪いものにする。
【００１０】上記高純度合成シリカガラス粉を高純度の
水、特に純度９９．９９９ｗｔ％以上の水とともに高
温、高圧容器に入れ、温度範囲３００〜１，０００℃、
好ましくは、５００〜８００℃、圧力範囲１００〜２，
０００Ｋｇｆ／ｃｍ2、好ましくは５００〜１，０００
Ｋｇｆ／ｃｍ2で１〜１４日間処理することで、本発明
の高純度クリストバライトが合成される。前記製造方法
では前述のとおり製造時にアルカリを使用しないところ
から、合成されたクリストバライトには原料の不純物濃
度が増加せずに高純度が維持される。前記製造方法にお
いて、処理温度が３００℃未満ではクリストバライトへ
の転移が起こらず、また１，０００℃を超えると周囲か
らの不純物による汚染が多くなる。更に、圧力が１００
Ｋｇｆ／ｃｍ2未満ではクリストバライトへ転移せず、
２，０００Ｋｇｆ／ｃｍ2を超える高圧は装置が大型化
し工業的にコスト高になる。実用的に好ましい範囲は、
温度５００〜８００℃、圧力５００〜１，０００Ｋｇｆ
／ｃｍ2である。
水、特に純度９９．９９９ｗｔ％以上の水とともに高
温、高圧容器に入れ、温度範囲３００〜１，０００℃、
好ましくは、５００〜８００℃、圧力範囲１００〜２，
０００Ｋｇｆ／ｃｍ2、好ましくは５００〜１，０００
Ｋｇｆ／ｃｍ2で１〜１４日間処理することで、本発明
の高純度クリストバライトが合成される。前記製造方法
では前述のとおり製造時にアルカリを使用しないところ
から、合成されたクリストバライトには原料の不純物濃
度が増加せずに高純度が維持される。前記製造方法にお
いて、処理温度が３００℃未満ではクリストバライトへ
の転移が起こらず、また１，０００℃を超えると周囲か
らの不純物による汚染が多くなる。更に、圧力が１００
Ｋｇｆ／ｃｍ2未満ではクリストバライトへ転移せず、
２，０００Ｋｇｆ／ｃｍ2を超える高圧は装置が大型化
し工業的にコスト高になる。実用的に好ましい範囲は、
温度５００〜８００℃、圧力５００〜１，０００Ｋｇｆ
／ｃｍ2である。
【００１１】本発明のシリカガラスは、上記に得られた
合成クリストバライト粉を原料とし、電気溶融法等でガ
ラス化して製造される。得られたシリカガラスは、例え
ば１，２００℃で１０12.8ポアズ以上、１，１００℃で
１０14.8ポアズ以上と天然水晶の電気溶融法で得られた
溶融石英ガラスの粘度と同等又はそれ以上の高温粘度を
示す。その理由としては、合成クリストバライト粉を溶
融したシリカガラスは、微細な結晶構造が残っており、
それが高温での粘度を高いものにしているものと推定さ
れる。しかしながら、前記結晶構造はＸ線回析法でも検
知されないので、数ｎｍ以内のものと考えられる。
合成クリストバライト粉を原料とし、電気溶融法等でガ
ラス化して製造される。得られたシリカガラスは、例え
ば１，２００℃で１０12.8ポアズ以上、１，１００℃で
１０14.8ポアズ以上と天然水晶の電気溶融法で得られた
溶融石英ガラスの粘度と同等又はそれ以上の高温粘度を
示す。その理由としては、合成クリストバライト粉を溶
融したシリカガラスは、微細な結晶構造が残っており、
それが高温での粘度を高いものにしているものと推定さ
れる。しかしながら、前記結晶構造はＸ線回析法でも検
知されないので、数ｎｍ以内のものと考えられる。
【００１２】本発明の合成クリストバライト粉は、シリ
カガラス製造用の原料にととまらず、人工水晶の単結晶
を合成するのにも有用であり、強度、透明性、形態の異
方性、熱伝導性等が他の天然石英を原料とする水熱合成
法で得られた人工水晶と遜色がなく、また補強材フィラ
ー、スペーサーとしても有用である。
カガラス製造用の原料にととまらず、人工水晶の単結晶
を合成するのにも有用であり、強度、透明性、形態の異
方性、熱伝導性等が他の天然石英を原料とする水熱合成
法で得られた人工水晶と遜色がなく、また補強材フィラ
ー、スペーサーとしても有用である。
【００１３】
実施例１〜６ （原料シリカガラス粉の製造） （ａ）テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）１
モルの原料に対して、０．０１規定のアンモニア水を３
モル、メタノールを４モルの比率で混合攪拌してゾル液
を造り、該ゾル液をプラスチックビーカーに注入し恒温
槽にて６０℃に１０時間放置した。得られたゲルを電気
炉中で２００℃に加熱し、乾燥し、さらに１，０００℃
で加熱したのち、合成シリカガラス製のボールミルで粉
砕し、それをフルイで分級して、２０〜２００μｍの粉
末を得た。
モルの原料に対して、０．０１規定のアンモニア水を３
モル、メタノールを４モルの比率で混合攪拌してゾル液
を造り、該ゾル液をプラスチックビーカーに注入し恒温
槽にて６０℃に１０時間放置した。得られたゲルを電気
炉中で２００℃に加熱し、乾燥し、さらに１，０００℃
で加熱したのち、合成シリカガラス製のボールミルで粉
砕し、それをフルイで分級して、２０〜２００μｍの粉
末を得た。
【００１４】（ｂ）蒸留精製した四塩化けい素を収容し
た蒸発器内にキャリアーガスとしてアルゴンガスを吹き
込みアルゴンガス２０Ｎｌ／ｈ中に１００ｇ／ｈの四塩
化けい素を含む原料ガスを作り、これを酸水素火炎中で
加水分解させ、シリカ粒状体を堆積させた。次いでフル
イで分級し、５〜５０μｍの合成シリカガラス微粉末を
得た。
た蒸発器内にキャリアーガスとしてアルゴンガスを吹き
込みアルゴンガス２０Ｎｌ／ｈ中に１００ｇ／ｈの四塩
化けい素を含む原料ガスを作り、これを酸水素火炎中で
加水分解させ、シリカ粒状体を堆積させた。次いでフル
イで分級し、５〜５０μｍの合成シリカガラス微粉末を
得た。
【００１５】（クリストバライトの合成）上記各合成シ
リカガラス粉１００ｇを、それぞれ内表面が金箔でライ
ニング処理された高温高圧容器内に投入し、次いで純度
９９．９９９ｗｔ％以上の水を５ｃｃ投入したのち、容
器の蓋を閉め、表１に示す各温度、圧力、及び処理時間
で処理した。得られた粉体について粉末Ｘ線回析法によ
る鉱物の同定（同定のためのデータは、ＪＣＰＤＳ、Ｊ
ｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ Ｏｎ ＰｏｗｅｒＤｉ
ｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ、に従った）
を行うとともに、実施例１、４で得られた粉体について
その不純物濃度を測定し、その結果を、表１、２に示
す。
リカガラス粉１００ｇを、それぞれ内表面が金箔でライ
ニング処理された高温高圧容器内に投入し、次いで純度
９９．９９９ｗｔ％以上の水を５ｃｃ投入したのち、容
器の蓋を閉め、表１に示す各温度、圧力、及び処理時間
で処理した。得られた粉体について粉末Ｘ線回析法によ
る鉱物の同定（同定のためのデータは、ＪＣＰＤＳ、Ｊ
ｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ Ｏｎ ＰｏｗｅｒＤｉ
ｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ、に従った）
を行うとともに、実施例１、４で得られた粉体について
その不純物濃度を測定し、その結果を、表１、２に示
す。
【００１６】（石英ガラスの製造）上記製造された粉体
を真空雰囲気の電気炉内で１７５０℃で１時間溶融ガラ
ス化してシリカガラスを製造した。得られたシリカガラ
スについて、ビームゲンディング法による１，２００℃
における粘度（小林 啓二、横田 良助、窯業協会誌、
Ｖｏｌ．７６，Ｎｏ．７、１９６８、ｐｐ．２１８〜２
２３に従う）、及び不純物元素分析（原子吸光光度法に
よる）を行い、その結果を表１、２に示す。
を真空雰囲気の電気炉内で１７５０℃で１時間溶融ガラ
ス化してシリカガラスを製造した。得られたシリカガラ
スについて、ビームゲンディング法による１，２００℃
における粘度（小林 啓二、横田 良助、窯業協会誌、
Ｖｏｌ．７６，Ｎｏ．７、１９６８、ｐｐ．２１８〜２
２３に従う）、及び不純物元素分析（原子吸光光度法に
よる）を行い、その結果を表１、２に示す。
【００１７】比較例１ 実施例１の原料（ａ）を用い、水の存在しない窒素ガス
を充填したドライ雰囲気中で、５００℃、５００Ｋｇｆ
／ｃｍ2で７日間処理した。得られた粉体及びシリカガ
ラスについて実施例１と同様な評価を行った。その結果
を表１に示す。
を充填したドライ雰囲気中で、５００℃、５００Ｋｇｆ
／ｃｍ2で７日間処理した。得られた粉体及びシリカガ
ラスについて実施例１と同様な評価を行った。その結果
を表１に示す。
【００１８】比較例２ 比較例１において高温高圧容器内に水を存在させ２００
℃、５００Ｋｇｆ／ｃｍ2で７日間処理を行い、得られ
た粉体及びシリカガラスの評価を行い、その結果を表１
に示す。
℃、５００Ｋｇｆ／ｃｍ2で７日間処理を行い、得られ
た粉体及びシリカガラスの評価を行い、その結果を表１
に示す。
【００１９】比較例３ 実施例１の原料（ａ）をＮａＯＨ溶液で処理し、原料に
均一にＮａが存在するようにしたのち、１，５００℃、
１Ｋｇｆ／ｃｍ2で３日間処理を行った。得られた粉体
及びシリカガラスについて実施例１と同様な評価を行
い、その結果を表１、２に示す。
均一にＮａが存在するようにしたのち、１，５００℃、
１Ｋｇｆ／ｃｍ2で３日間処理を行った。得られた粉体
及びシリカガラスについて実施例１と同様な評価を行
い、その結果を表１、２に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】（単位ｗｔｐｐｂ）
【００２２】上記表１、２にみるように本発明の製造方
法で得られた合成クリストバライト粉は高純度で、特に
アルカリ元素不純物濃度が低い。この合成クリストバラ
イト粉を原料としたシリカガラスは、高温粘度が天然水
晶を溶融ガラス化した溶融石英ガラスと同等又はそれ以
上に高い。一方、本発明の製造条件を満たさない比較例
１、２のシリカガラスは合成シリカガラスの高温粘度を
示すにとどまる。
法で得られた合成クリストバライト粉は高純度で、特に
アルカリ元素不純物濃度が低い。この合成クリストバラ
イト粉を原料としたシリカガラスは、高温粘度が天然水
晶を溶融ガラス化した溶融石英ガラスと同等又はそれ以
上に高い。一方、本発明の製造条件を満たさない比較例
１、２のシリカガラスは合成シリカガラスの高温粘度を
示すにとどまる。
【００２３】また、本発明の合成クリストバライト中の
アルカリ元素濃度、及び遷移金属元素濃度は表２にみる
ように従来法で得られた比較例３のシリカガラスに比べ
遥かに低い高純度のものであった。
アルカリ元素濃度、及び遷移金属元素濃度は表２にみる
ように従来法で得られた比較例３のシリカガラスに比べ
遥かに低い高純度のものであった。
【００２４】
【発明の効果】本発明のクリストバライト粉は半導体工
業でシリコンウェハーの特性に悪影響を及ぼすアルカリ
金属元素及びアルカリ土類金属元素が少なく、それを原
料としたシリカガラスは高純度で、不純物元素濃度、特
にアルカリ元素濃度が低く、しかも耐熱性が高いところ
から半導体熱処理用治具材料として有用である。
業でシリコンウェハーの特性に悪影響を及ぼすアルカリ
金属元素及びアルカリ土類金属元素が少なく、それを原
料としたシリカガラスは高純度で、不純物元素濃度、特
にアルカリ元素濃度が低く、しかも耐熱性が高いところ
から半導体熱処理用治具材料として有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−133310（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−109897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−191241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−33996（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−70098（ＪＰ，Ａ) 米国特許4061724（ＵＳ，Ａ) 米国特許3861935（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 20/00 C01B 33/18 C03C 3/06
Claims (6)
- 【請求項１】高純度合成シリカガラス粉を水蒸気雰囲気
で高温高圧処理した、リチウム、ナトリウム、カリウム
のアルカリ金属元素濃度及びカルシウム、マグネシウム
のアルカリ土類金属元素濃度が各々１００ｗｔｐｐｂ以
下、並びにチタン、クロム、鉄、ニッケル、銅の遷移金
属元素濃度が各々５０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴
とする合成クリストバライト粉。 - 【請求項２】アルカリ金属元素の各濃度、及びアルカリ
土類金属元素の各濃度が１０ｗｔｐｐｂ以下、遷移金属
元素の各濃度が５ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とす
る請求項１記載の合成クリストバライト粉。 - 【請求項３】高純度合成シリカガラス粉と、純度９９．
９９９ｗｔ％以上の水を高温高圧容器内に入れ、温度範
囲３００〜１，０００℃、圧力範囲１００〜２，０００
Ｋｇｆ／ｃｍ2で処理することを特徴とする合成クリス
トバライト粉の製造方法。 - 【請求項４】温度範囲が５００〜８００℃、圧力範囲が
５００〜１，０００Ｋｇｆ／ｃｍ2であることを特徴と
する請求項３記載の合成クリストバライト粉の製造方
法。 - 【請求項５】高純度合成シリカガラス粉が火炎加水分解
法、又はゾルゲル法で製造された粒径１〜１，０００μ
ｍの粉体であることを特徴とする請求項３又は４記載の
合成クリストバライト粉の製造方法。 - 【請求項６】請求項１記載の合成クリストバライト粉を
溶融ガラス化することを特徴とするシリカガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29032694A JP3121733B2 (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29032694A JP3121733B2 (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08133719A JPH08133719A (ja) | 1996-05-28 |
| JP3121733B2 true JP3121733B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=17754633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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