JPS6033220A - 電子部品封止用樹脂組成物用多孔質シリカガラスの製造方法 - Google Patents
電子部品封止用樹脂組成物用多孔質シリカガラスの製造方法Info
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- JPS6033220A JPS6033220A JP14161983A JP14161983A JPS6033220A JP S6033220 A JPS6033220 A JP S6033220A JP 14161983 A JP14161983 A JP 14161983A JP 14161983 A JP14161983 A JP 14161983A JP S6033220 A JPS6033220 A JP S6033220A
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- silica
- glass
- silica glass
- porous silica
- fumed silica
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多孔質シリカガラス、特には各種電子部品の封
止用樹脂組成物（二充填剤として使用するための多孔質
シリカガラスの製造方法に関するものである。
止用樹脂組成物（二充填剤として使用するための多孔質
シリカガラスの製造方法に関するものである。
ＩＣチップなどの電子部品を基板直二固定し一封止する
方法としては、これをセラミック中に焼成して封止する
か、エボキリ樹脂、ｉ／Ｑフーン樹脂などにシリカ粉末
を混練したモールディングコンパウンド（以下ＭＯと略
記する）と呼称されている樹脂組成物で封止する方法が
知られており、こ（７）ＭＯ用充填剤のりリカ粉末とし
ては天然に産する水晶の粉末、けい砂を焼成した石英ガ
ラスあるいは天然の鉱石を水洗し、フッ酸処理してから
１，０００〜１，８００℃で焼結または溶融したのち粉
砕して得た石英粉などが使用されている。
方法としては、これをセラミック中に焼成して封止する
か、エボキリ樹脂、ｉ／Ｑフーン樹脂などにシリカ粉末
を混練したモールディングコンパウンド（以下ＭＯと略
記する）と呼称されている樹脂組成物で封止する方法が
知られており、こ（７）ＭＯ用充填剤のりリカ粉末とし
ては天然に産する水晶の粉末、けい砂を焼成した石英ガ
ラスあるいは天然の鉱石を水洗し、フッ酸処理してから
１，０００〜１，８００℃で焼結または溶融したのち粉
砕して得た石英粉などが使用されている。
しかし、この天然ｉ二産する鉱物を原料とした水晶粉末
、石英ガラスは１〜１００ｐｐｂもしくはそれ以上のト
リウム、ウランなどのα線を放射する放射線元素を含有
しているため、これを充填剤としたＭＯで封止した電子
部品はそれが６４〜２５６ Ｋｂｉｔ のような高集積
度のものであるとソフトエラー率が高くなるということ
が指摘されており、この種の用途シニは放射線源を含有
しない合成りリカを使用することが必要とされている。
、石英ガラスは１〜１００ｐｐｂもしくはそれ以上のト
リウム、ウランなどのα線を放射する放射線元素を含有
しているため、これを充填剤としたＭＯで封止した電子
部品はそれが６４〜２５６ Ｋｂｉｔ のような高集積
度のものであるとソフトエラー率が高くなるということ
が指摘されており、この種の用途シニは放射線源を含有
しない合成りリカを使用することが必要とされている。
このため、高集積度の電子部品封止用ＭＯに使用される
充填剤としては各種の不純物を沸点差で容易に除去する
ことができ、したがって極めて純度の高いものを得るこ
とができる四塩化けい素（Ｓｉｎ／、４）などのけい素
化合物を始発材とし。
充填剤としては各種の不純物を沸点差で容易に除去する
ことができ、したがって極めて純度の高いものを得るこ
とができる四塩化けい素（Ｓｉｎ／、４）などのけい素
化合物を始発材とし。
これを酸水素炎で気相加水分解させて得られるヒユーム
ドシリカが考えられるが、このヒユームドシリカは比表
面積が極めて大きく、微細であるため封止材としての特
性を出すためにはどうしても必要な充填剤を多量に樹脂
成分Ｃ二充填することが極めてむづかしく、これはまた
シラノール基を多量区二含んでいるのでこれが電子部品
の特性を損なうという欠点がある。
ドシリカが考えられるが、このヒユームドシリカは比表
面積が極めて大きく、微細であるため封止材としての特
性を出すためにはどうしても必要な充填剤を多量に樹脂
成分Ｃ二充填することが極めてむづかしく、これはまた
シラノール基を多量区二含んでいるのでこれが電子部品
の特性を損なうという欠点がある。
本発明はこのような不利を解決した多孔質シリカガラス
の製造方法に関するものであり、これはヒユームドシリ
カを１，２００〜１，６００℃に保持された空間域に滞
在させて、その密度を１．４０ｇ／ｃｌＩ以上とするこ
とを特徴とするものである。
の製造方法に関するものであり、これはヒユームドシリ
カを１，２００〜１，６００℃に保持された空間域に滞
在させて、その密度を１．４０ｇ／ｃｌＩ以上とするこ
とを特徴とするものである。
これを説明すると１本発明者らは電子部品封止用Ｍｏｌ
二使用する充填剤としてのりリカ粉末の取得方法につい
て種々検討した結果、けい素化合物の気相加水分解法に
よって製造されるヒユームドシリカを始発材とし、これ
を高温で焼成すればこの焼結でヒユームドシリカが多孔
質シリカガラスとなり、その密度も上昇するので高充填
が可能で。
二使用する充填剤としてのりリカ粉末の取得方法につい
て種々検討した結果、けい素化合物の気相加水分解法に
よって製造されるヒユームドシリカを始発材とし、これ
を高温で焼成すればこの焼結でヒユームドシリカが多孔
質シリカガラスとなり、その密度も上昇するので高充填
が可能で。
しかもシラノール量の極めて少ないシリカが得られるこ
とを見出し、この焼成条件などについての研究を進め、
焼成温度を１，２００〜１，６００℃として１０〜６０
分間焼成すればよく、さらにこの焼成ｉ二よって得られ
るシリカガラスの密ｇｔは１．４０ｇ／ｃｄ以上とすれ
ばよいということを確認して本発明を完成させた。
とを見出し、この焼成条件などについての研究を進め、
焼成温度を１，２００〜１，６００℃として１０〜６０
分間焼成すればよく、さらにこの焼成ｉ二よって得られ
るシリカガラスの密ｇｔは１．４０ｇ／ｃｄ以上とすれ
ばよいということを確認して本発明を完成させた。
本発明の方法で始発材とされるヒユームドシリカは前記
したようにけい素化合物特には５ｉＯｔ４の気相加水分
解反応によって作られたものであればよく、これは通常
５ｉＯ２４が精留などｉ二よって極めて純度の高いもの
とされることから放射線源となる不純物を１ｐｐｂ以下
しか含有しないシリカとして供給される。このヒユーム
ドシリカは通常比表面積５０〜３００ｔｒ？／Ｌ嵩密度
０．Ｏ１〜ｏ、１ｏｇ／ｃＪとして供給されるが１本発
明の方法Ｃ二おいてはこの比表面積、嵩密度がどノヨウ
ナモのであってもよい。
したようにけい素化合物特には５ｉＯｔ４の気相加水分
解反応によって作られたものであればよく、これは通常
５ｉＯ２４が精留などｉ二よって極めて純度の高いもの
とされることから放射線源となる不純物を１ｐｐｂ以下
しか含有しないシリカとして供給される。このヒユーム
ドシリカは通常比表面積５０〜３００ｔｒ？／Ｌ嵩密度
０．Ｏ１〜ｏ、１ｏｇ／ｃＪとして供給されるが１本発
明の方法Ｃ二おいてはこの比表面積、嵩密度がどノヨウ
ナモのであってもよい。
本発明の方法はこのヒユームドシリカを１、２００〜Ｌ
６００℃に保持した空間域で１０〜６０分間加熱処理し
て、ヒユームドシリカを焼結させて多孔質シリカガラス
とするのであるが、こノ温度が１，２００℃以下ではヒ
ユームドシリカが焼結せず、バラバラの状態のま＼とな
り、またこしな１，６００℃以上とするとヒユームドシ
リカの密度が高くなりすぎて粉砕を目的とするときＣ二
好ましくないことになるほか、加熱源としてのヒーター
や保温材からの不純物の拡散が激しくなって焼結体が汚
染され−さらにはりリカ（８１０）の蒸発も促進される
という不利が生じるので、この加熱温度は１，２００〜
１．０００℃の範囲とする必要がある。また、この加熱
時間は温度が高ければ短時間としてもよく１通常これは
１．６００℃で１０分間−１，２００℃で６０分とすれ
ばよい。ヒユームドシリカはこの加熱処理によって焼結
されて多孔質シリカガラスとされるが、この密度は１．
２００℃、６０分間の熱処理で１．４０９／ｉ−Ｊとな
り−１，６００℃、１０分間の熱処理では１．９５／ｄ
となるが、この密度シ二つし）てはこれが１．４０．９
／ｍ以下であるとフユームドνリカが一抽の溶融状態に
ある焼結シリカ（ガラス状）の粒状界面もしくはガラス
状シリカ内部に封入された状態となり、粉砕後１ニフユ
ームドシリ力が粉粒体の中に混合してきて、熱伝導性、
流動性、樹脂との濡れ性が低下し、封止後の電子部品の
特性を損じるおそれがあるので、これは１．４０９／ｃ
ｄ以上とする必要がある。なお、この密度は加熱処理を
１，６００℃で２０分間とすると石英ガラスの密度であ
る２、２０ｇ／−に近いｚ、ｏ５ｇ／ｃｒ！ｉとなり、
は＼完全なガラス状となるが、これ以上の時間加熱して
も密度はこれ以上上昇せず、むしろシリカの蒸発で次第
に重量が減少し、さらＣ二結晶化が進行するだけとなる
ので、１，６００℃での加熱処理は１０分間以下とする
ことがよい。なお、この結晶化が進行すると石英ガラス
は失透してきわめてもろいものとなり一粉砕すると微粉
化し易く、微粉化しない条件で粉砕してもＭＯ用充填剤
としては封止被覆の強度の著しい低いものになるので、
この加熱処理はこの失透現象の起らない範囲で行なうこ
とが必要とされる。
６００℃に保持した空間域で１０〜６０分間加熱処理し
て、ヒユームドシリカを焼結させて多孔質シリカガラス
とするのであるが、こノ温度が１，２００℃以下ではヒ
ユームドシリカが焼結せず、バラバラの状態のま＼とな
り、またこしな１，６００℃以上とするとヒユームドシ
リカの密度が高くなりすぎて粉砕を目的とするときＣ二
好ましくないことになるほか、加熱源としてのヒーター
や保温材からの不純物の拡散が激しくなって焼結体が汚
染され−さらにはりリカ（８１０）の蒸発も促進される
という不利が生じるので、この加熱温度は１，２００〜
１．０００℃の範囲とする必要がある。また、この加熱
時間は温度が高ければ短時間としてもよく１通常これは
１．６００℃で１０分間−１，２００℃で６０分とすれ
ばよい。ヒユームドシリカはこの加熱処理によって焼結
されて多孔質シリカガラスとされるが、この密度は１．
２００℃、６０分間の熱処理で１．４０９／ｉ−Ｊとな
り−１，６００℃、１０分間の熱処理では１．９５／ｄ
となるが、この密度シ二つし）てはこれが１．４０．９
／ｍ以下であるとフユームドνリカが一抽の溶融状態に
ある焼結シリカ（ガラス状）の粒状界面もしくはガラス
状シリカ内部に封入された状態となり、粉砕後１ニフユ
ームドシリ力が粉粒体の中に混合してきて、熱伝導性、
流動性、樹脂との濡れ性が低下し、封止後の電子部品の
特性を損じるおそれがあるので、これは１．４０９／ｃ
ｄ以上とする必要がある。なお、この密度は加熱処理を
１，６００℃で２０分間とすると石英ガラスの密度であ
る２、２０ｇ／−に近いｚ、ｏ５ｇ／ｃｒ！ｉとなり、
は＼完全なガラス状となるが、これ以上の時間加熱して
も密度はこれ以上上昇せず、むしろシリカの蒸発で次第
に重量が減少し、さらＣ二結晶化が進行するだけとなる
ので、１，６００℃での加熱処理は１０分間以下とする
ことがよい。なお、この結晶化が進行すると石英ガラス
は失透してきわめてもろいものとなり一粉砕すると微粉
化し易く、微粉化しない条件で粉砕してもＭＯ用充填剤
としては封止被覆の強度の著しい低いものになるので、
この加熱処理はこの失透現象の起らない範囲で行なうこ
とが必要とされる。
本発明の方法５二おけるヒユームトリリカの加熱処理は
大ヴ圧下で行なってもよいが、これはりり力表面に吸着
している空気の成分、特に窒素ガスが吸着されたま＼で
あると高温処理の際に窒化して窒化けい素（Ｓ’３Ｎ４
）が生成するということから減圧下または不活性ガス
雰囲気下とすることがよい。この不活性ガス雰囲気とし
てはヘリウム。
大ヴ圧下で行なってもよいが、これはりり力表面に吸着
している空気の成分、特に窒素ガスが吸着されたま＼で
あると高温処理の際に窒化して窒化けい素（Ｓ’３Ｎ４
）が生成するということから減圧下または不活性ガス
雰囲気下とすることがよい。この不活性ガス雰囲気とし
てはヘリウム。
アルゴンなどのガス存在下とすればよいが、窒素ガス雰
囲気とすることは高温雰囲気であり、シリカが窒化けい
素になるおそれがあるので避けることが必要とされる。
囲気とすることは高温雰囲気であり、シリカが窒化けい
素になるおそれがあるので避けることが必要とされる。
なお、本発明の方法で処理されたヒユームドシリカは前
記したように焼結によって嵩密度が１．４０ｐ／ｄ以上
となるので、微粉状シリカはその体積が１／２以下の連
続した帯状または棒状の焼結体として取得されるのであ
るが、これはそれを適宜の長さに切断し、ついでハンマ
ーミル、ジェットミル−ボールミルなどを使用して０．
１〜１００μｍ程度に粉砕して各種用途に使用すればよ
い。
記したように焼結によって嵩密度が１．４０ｐ／ｄ以上
となるので、微粉状シリカはその体積が１／２以下の連
続した帯状または棒状の焼結体として取得されるのであ
るが、これはそれを適宜の長さに切断し、ついでハンマ
ーミル、ジェットミル−ボールミルなどを使用して０．
１〜１００μｍ程度に粉砕して各種用途に使用すればよ
い。
つぎに本発明の方法を添付の図面にもとづいて説明する
が、第１図は静置式、第２図は連続方式を示したもので
ある。図においてカーボン、石英ガラス、アルミニウム
などで作られた炉ロエ外部加熱源２で所定の温度にまで
加熱されるが、この炉をエヒュームドシリ力が焼結によ
って体積の小さい焼結体となるのでこの加熱部分は断面
積を小さくしたものとされている。第１図の静置式では
この炉の全体にヒユームドシリカ８を充填し、加熱源の
入力でこれを加熱すればよく、この場合５二は所定温度
、所定時間の加熱で図示したように加熱部分のりリカは
焼結ｇ二よって体積が縮少した多孔質シリカガラス４と
なるので一ついで、これを取出し粉砕して製品とすれば
よい。また、第２図ではヒユームドシリカ８を炉上部（
二設けたホッパー５から連続的に投入すれば、多孔質シ
リカガラス４も連続的に炉内を下降してくるので、これ
をローラー６で送コ］出し、ついでこれをカッター７で
適宜２二切断し、粉砕すればよい。
が、第１図は静置式、第２図は連続方式を示したもので
ある。図においてカーボン、石英ガラス、アルミニウム
などで作られた炉ロエ外部加熱源２で所定の温度にまで
加熱されるが、この炉をエヒュームドシリ力が焼結によ
って体積の小さい焼結体となるのでこの加熱部分は断面
積を小さくしたものとされている。第１図の静置式では
この炉の全体にヒユームドシリカ８を充填し、加熱源の
入力でこれを加熱すればよく、この場合５二は所定温度
、所定時間の加熱で図示したように加熱部分のりリカは
焼結ｇ二よって体積が縮少した多孔質シリカガラス４と
なるので一ついで、これを取出し粉砕して製品とすれば
よい。また、第２図ではヒユームドシリカ８を炉上部（
二設けたホッパー５から連続的に投入すれば、多孔質シ
リカガラス４も連続的に炉内を下降してくるので、これ
をローラー６で送コ］出し、ついでこれをカッター７で
適宜２二切断し、粉砕すればよい。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例１
第１図に示した静置式のが−ポン製の炉内に。
比表面積が２ｏ０ｒｌ／１１で嵩密度が０．０５９／ｄ
であるヒユームドシリカ８００ｇを充填し、これを１．
０トルの真空下で１，３００℃に５０分間加熱したのち
冷却したところ２この加熱部分Ｃ二存在していたりリカ
は内向炉内で内径が約１７２で密度が１．５１１部ｍの
多孔質シリカガラスとなり、この全軍量も７８０ｇとな
った。
であるヒユームドシリカ８００ｇを充填し、これを１．
０トルの真空下で１，３００℃に５０分間加熱したのち
冷却したところ２この加熱部分Ｃ二存在していたりリカ
は内向炉内で内径が約１７２で密度が１．５１１部ｍの
多孔質シリカガラスとなり、この全軍量も７８０ｇとな
った。
つぎに、この多孔質シリカガラス化した部分を取り出し
て平均粒径が５μｍの粒子に粉砕し、この２５０部をエ
ポキシ樹脂１００部と混合してＩＣチップ封止用のＭＯ
を作ったところ−全く問題な〈従来の石英粉と同様に充
填可能であった。
て平均粒径が５μｍの粒子に粉砕し、この２５０部をエ
ポキシ樹脂１００部と混合してＩＣチップ封止用のＭＯ
を作ったところ−全く問題な〈従来の石英粉と同様に充
填可能であった。
実施例２
実施例１の方法においてヒユームドシリカの充＠Ｉｔを
８７０９とし、この加熱処理をヘリウムガス雰囲気の１
，６００℃で１０分間としたほかは同様に処理したとこ
ろ一嵩密度が１．９４９７ａｄの多孔質シリカガラスが
得られた。
８７０９とし、この加熱処理をヘリウムガス雰囲気の１
，６００℃で１０分間としたほかは同様に処理したとこ
ろ一嵩密度が１．９４９７ａｄの多孔質シリカガラスが
得られた。
実施例３
第２図１二示した石英ガラス製の直径１００ｍ。
加熱部属径が８０ｍ、の炉に、実施例１と同じヒユー４
ドシリ力を充填し、炉内をアルゴンガスの大気圧下Ｃ二
１，３００℃に保持し、この加熱帯域なりリカが４０分
間で徐々に下降して通過するようにし、この間炉内には
りリカが常に充満しているようにホッパーからシリカを
連続的に供給し、８時間の加熱処理を行なったところ、
外径が約４０ｓｉで嵩密度が１．５０．９／ｃｌＩであ
る多孔質シリカガラス棒状体が得られたので、これを５
０６ｎｌ二切断したのち粉砕してＭＯ用充填剤としての
りリカ粉を作った。
ドシリ力を充填し、炉内をアルゴンガスの大気圧下Ｃ二
１，３００℃に保持し、この加熱帯域なりリカが４０分
間で徐々に下降して通過するようにし、この間炉内には
りリカが常に充満しているようにホッパーからシリカを
連続的に供給し、８時間の加熱処理を行なったところ、
外径が約４０ｓｉで嵩密度が１．５０．９／ｃｌＩであ
る多孔質シリカガラス棒状体が得られたので、これを５
０６ｎｌ二切断したのち粉砕してＭＯ用充填剤としての
りリカ粉を作った。
実施例４
第１図に示した加熱部の直径が７０酬であるアルミナ製
の炉の中に実施例１で使用したヒユームドシリカを充填
し、アルゴンガスの大気吐下に１．６００℃で５分間加
熱処理をしたところ、嵩密度が１．０．９／ｄのシリカ
焼結体が得られ、これはガラス化が充分でなく極めても
ろいものであったが、同様の方法でこの加熱時間を１０
分間としたところ、嵩密度が１．９５．９／ａｌの多孔
質Ｖリカガラスが得られ、この時間Ｙ２Ｏ分、３０分と
したときには２．０５１／ｃｄ、 ２．０８１１／ｃｄ
の密度をもつ多孔質シリカガラスが得られた。
の炉の中に実施例１で使用したヒユームドシリカを充填
し、アルゴンガスの大気吐下に１．６００℃で５分間加
熱処理をしたところ、嵩密度が１．０．９／ｄのシリカ
焼結体が得られ、これはガラス化が充分でなく極めても
ろいものであったが、同様の方法でこの加熱時間を１０
分間としたところ、嵩密度が１．９５．９／ａｌの多孔
質Ｖリカガラスが得られ、この時間Ｙ２Ｏ分、３０分と
したときには２．０５１／ｃｄ、 ２．０８１１／ｃｄ
の密度をもつ多孔質シリカガラスが得られた。
つぎに、この温度Ｙｌ、５００．１，４００．１．３０
０．１，２００．１，１００℃とし、それぞれ？二つい
ての加熱時間を５〜７０分間として加熱処理したところ
、第３図に示した結果が得られた。
０．１，２００．１，１００℃とし、それぞれ？二つい
ての加熱時間を５〜７０分間として加熱処理したところ
、第３図に示した結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図は静置式、第２図は連続式（；よる本発明のシリ
カガラス製造装置の縦断面図を示したものであり、第３
図はこの第１図による装置ζ二おいて１．１００〜１，
５００℃でヒユームドシリカを処理したときの結果をグ
ラフで示したものである。 １・・・炉、 ２・・・外部加熱源、 ６！・・ヒユームドシリカ、 ４・・・多孔質シリカガラス、 ５・・・ホッパー、 ６・−ロール、 ７・・・カッター。 特許出願人 信越化学工業株式会社 第２５Ａ
カガラス製造装置の縦断面図を示したものであり、第３
図はこの第１図による装置ζ二おいて１．１００〜１，
５００℃でヒユームドシリカを処理したときの結果をグ
ラフで示したものである。 １・・・炉、 ２・・・外部加熱源、 ６！・・ヒユームドシリカ、 ４・・・多孔質シリカガラス、 ５・・・ホッパー、 ６・−ロール、 ７・・・カッター。 特許出願人 信越化学工業株式会社 第２５Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ヒユームドシリカを１，２００〜１，６００℃に
保持された空間域に滞在させて、その密度を１．４１／
ｃｒＩ以上とすることを特徴とする多孔質シリカガラス
の製造方法。 ２、 １．２００〜１，６００℃に保持された空間域で
の滞在時間を１０〜６０分間とする特許請求の範囲第１
項記載の多孔質シリカガラスの製造方法。 ３、 １，２００〜１，６００℃に保持された空間域が
真空下またはへリウムーアルゴンの不活性雰囲気下とさ
れる特許請求の範囲第１項または簗２項記載の多孔質シ
リカガラスの製造方法。 ４、 ヒユームドシリカが連続的（二導入され、かつ通
続ＦＦＪに二取り出される特許請求の範囲第１項。 第２項または第３項記載の多孔質シリカガラスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14161983A JPS6033220A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 電子部品封止用樹脂組成物用多孔質シリカガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14161983A JPS6033220A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 電子部品封止用樹脂組成物用多孔質シリカガラスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033220A true JPS6033220A (ja) | 1985-02-20 |
| JPS6316344B2 JPS6316344B2 (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=15296250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14161983A Granted JPS6033220A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 電子部品封止用樹脂組成物用多孔質シリカガラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275626A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP14161983A patent/JPS6033220A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275626A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316344B2 (ja) | 1988-04-08 |
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