JP2863554B2 - 石英ガラスるつぼ及びその製法 - Google Patents
石英ガラスるつぼ及びその製法Info
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- JP2863554B2 JP2863554B2 JP1174167A JP17416789A JP2863554B2 JP 2863554 B2 JP2863554 B2 JP 2863554B2 JP 1174167 A JP1174167 A JP 1174167A JP 17416789 A JP17416789 A JP 17416789A JP 2863554 B2 JP2863554 B2 JP 2863554B2
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- Japan
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- silicon dioxide
- inner lining
- outer portion
- quartz glass
- synthetic
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は石英ガラスるつぼ及びその製法に関し、特に
二酸化ケイ素含有外側部とこの外側部に一体化する合成
二酸化ケイ素からなる内側ライニングとから構成され、
シリコン単結晶引上げに使用される２層構成の石英ガラ
スるつぼ及びその製法に係わる。
二酸化ケイ素含有外側部とこの外側部に一体化する合成
二酸化ケイ素からなる内側ライニングとから構成され、
シリコン単結晶引上げに使用される２層構成の石英ガラ
スるつぼ及びその製法に係わる。
［従来の技術］ 従来、シリコン単結晶引上げに使用される２層構造の
石英ガラスるつぼとしては、二酸化ケイ素含有外側部
と，この外側部と一体化する合成二酸化ケイ素からなる
内側ライニングとから構成されたものが知られている。
以下、従来の各石英ガラスるつぼについて列挙する。
石英ガラスるつぼとしては、二酸化ケイ素含有外側部
と，この外側部と一体化する合成二酸化ケイ素からなる
内側ライニングとから構成されたものが知られている。
以下、従来の各石英ガラスるつぼについて列挙する。
四塩化ケイ素の加水分解により得られた二酸化ケイ素
からなる内側ライニングを備えた構成のもの（ドイツ特
許公報第962868号）。
からなる内側ライニングを備えた構成のもの（ドイツ特
許公報第962868号）。
内側ライニングの原料が結晶質合成石英粒子からなる
構成のもの（特公昭58−50955号公報）。
構成のもの（特公昭58−50955号公報）。
内側ライニングの原料が四塩化ケイ素の加水分解によ
る合成石英のみで形成される構成のもの（特公昭58−50
955号公報）。
る合成石英のみで形成される構成のもの（特公昭58−50
955号公報）。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の石英ガラスるつぼによれば、以
下の問題点を有する。
下の問題点を有する。
上記の場合、るつぼの内側ライニングが多孔質であ
るため、単結晶を引き上げなければならない半導体物質
が内側ライニングの孔の中に補促され、引き上げ操作が
著しく妨げられる。
るため、単結晶を引き上げなければならない半導体物質
が内側ライニングの孔の中に補促され、引き上げ操作が
著しく妨げられる。
上記の場合、結晶質合成石英粒子の製造が困難でか
つ多くの時間とエネルギーを要する。
つ多くの時間とエネルギーを要する。
上記の場合、内側ライニングを高純度にできるが、
粘性が低いため高温での使用ができず、大型化できな
い。また、内厚を大きくすることができない。更に、プ
レスなどを必要とするため、製造コストが高価となる。
更には、合成二酸化ケイ素に加水分解時に生じる塩素が
残留するため、高温真空中にて使用中発泡する場合があ
る。
粘性が低いため高温での使用ができず、大型化できな
い。また、内厚を大きくすることができない。更に、プ
レスなどを必要とするため、製造コストが高価となる。
更には、合成二酸化ケイ素に加水分解時に生じる塩素が
残留するため、高温真空中にて使用中発泡する場合があ
る。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、孔のない
平滑で耐熱性に優れた内側ライニングを有し、高温での
使用，大型化が可能で、かつ所望の厚みに容易にしえる
低コストの石英ガラスるつぼ及びその製法を提供するこ
とを目的とする。
平滑で耐熱性に優れた内側ライニングを有し、高温での
使用，大型化が可能で、かつ所望の厚みに容易にしえる
低コストの石英ガラスるつぼ及びその製法を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本願第１の発明は、二酸化ケイ素含有外側部，及びこ
の外側部の内側に設けられた合成二酸化ケイ素からなる
内側ライニングとを具備した石英ガラスるつぼにおい
て、前記外側部が天然産結晶質石英粒子を原料とし、か
つ前記内側ライニングが合成非晶質二酸化ケイ素を原料
とし、しかもこの合成非晶質二酸化ケイ素がシリコンア
ルコキシドの加水分解によって得られることを特徴とす
る石英ガラスるつぼである。
の外側部の内側に設けられた合成二酸化ケイ素からなる
内側ライニングとを具備した石英ガラスるつぼにおい
て、前記外側部が天然産結晶質石英粒子を原料とし、か
つ前記内側ライニングが合成非晶質二酸化ケイ素を原料
とし、しかもこの合成非晶質二酸化ケイ素がシリコンア
ルコキシドの加水分解によって得られることを特徴とす
る石英ガラスるつぼである。
本願第２の発明は、シリコンアルコキシドの加水分解
により得られた非晶質二酸化ケイ素を粉砕して粉末状の
粗生成物を形成する工程と、この粗生成物を1000〜1300
℃で熱処理する工程と、天然産結晶質石英粒子を回転式
型内に供給して二酸化ケイ素含有外側部となる第１層を
形成する工程と、ひきつづき熱処理した前記粗生成物を
前記回転式型内に供給して合成二酸化ケイ素からなる内
側ライニングとなる第２層を形成する工程と、前記第１
層，第２層に熱を供給，溶融して二酸化ケイ素含有外側
部及びこれと一体化した合成二酸化ケイ素からなる内側
ライニングを形成する工程とを具備することを特徴とす
る石英ガラスるつぼの製法である。
により得られた非晶質二酸化ケイ素を粉砕して粉末状の
粗生成物を形成する工程と、この粗生成物を1000〜1300
℃で熱処理する工程と、天然産結晶質石英粒子を回転式
型内に供給して二酸化ケイ素含有外側部となる第１層を
形成する工程と、ひきつづき熱処理した前記粗生成物を
前記回転式型内に供給して合成二酸化ケイ素からなる内
側ライニングとなる第２層を形成する工程と、前記第１
層，第２層に熱を供給，溶融して二酸化ケイ素含有外側
部及びこれと一体化した合成二酸化ケイ素からなる内側
ライニングを形成する工程とを具備することを特徴とす
る石英ガラスるつぼの製法である。
前記非晶質二酸化ケイ素の粒度は、50〜100メッシュ
に粉砕することが好ましい。
に粉砕することが好ましい。
熱処理温度を上記の如く1000〜1300℃に設定するの
は、1000℃未満の場合粒子の脱水，閉孔化が充分に行わ
れず、その後の溶融時に粒子が発泡し、内側ライニング
が多孔質化することからである。逆に、1300℃を越える
と、熱処理時と粒子が焼結するため、その後再度粉砕す
る必要があるからである。
は、1000℃未満の場合粒子の脱水，閉孔化が充分に行わ
れず、その後の溶融時に粒子が発泡し、内側ライニング
が多孔質化することからである。逆に、1300℃を越える
と、熱処理時と粒子が焼結するため、その後再度粉砕す
る必要があるからである。
上記内側ライニングの厚みは、少なくとも0.2mm以
上、好ましくはるつぼの肉厚の1/2以下とする。この理
由は、0.2mm以下であると、るつぼの使用中シリコン融
液中に内側ライニング表面が溶損し、外側部が露出して
初期の効果が得られないからである。また、上記のよう
につぼの肉厚の1/2以下とするのは、肉厚の1/2を越える
と、るつぼ自体が変形し、使用不能になる可能性がある
からである。
上、好ましくはるつぼの肉厚の1/2以下とする。この理
由は、0.2mm以下であると、るつぼの使用中シリコン融
液中に内側ライニング表面が溶損し、外側部が露出して
初期の効果が得られないからである。また、上記のよう
につぼの肉厚の1/2以下とするのは、肉厚の1/2を越える
と、るつぼ自体が変形し、使用不能になる可能性がある
からである。
前記第１層及び第２層を溶融する温度は、大体1500〜
2200℃であり、アークトーチ，電気抵抗，高周波等によ
り加熱される。
2200℃であり、アークトーチ，電気抵抗，高周波等によ
り加熱される。
［作用］ 本発明によれば、内側ライニングの表面が平滑で孔の
ないち密な表面となり、しかも高温での使用，大型化が
可能で、かつ所望の厚みに容易にしえる低コストの石英
ガラスるつぼを得ることができる。また、従来のように
四塩化ケイ素使用による塩素の残留の問題がない。更
に、外側部に高粘性の天然石英粒子を原料とすることに
より、変形を防止することができる。更には、内側ライ
ニングの原料である合成非晶質二酸化ケイ素が、シリコ
ンアルコキシドを加水分解することによって得られるた
め、短時間で簡単に製造でき、コスト的にも安く大量生
産に適している。
ないち密な表面となり、しかも高温での使用，大型化が
可能で、かつ所望の厚みに容易にしえる低コストの石英
ガラスるつぼを得ることができる。また、従来のように
四塩化ケイ素使用による塩素の残留の問題がない。更
に、外側部に高粘性の天然石英粒子を原料とすることに
より、変形を防止することができる。更には、内側ライ
ニングの原料である合成非晶質二酸化ケイ素が、シリコ
ンアルコキシドを加水分解することによって得られるた
め、短時間で簡単に製造でき、コスト的にも安く大量生
産に適している。
また、本願第２の発明により製造されるるつぼを使用
してCZ（チョクラルスキ）法によりSi単結晶を引き上げ
る際、次のような長所が生れる。即ち、 CZ法では、シリコン融液と石英ガラスるつぼの壁面が
直接に接触するため、シリコン融液中に石英ガラスが溶
融する。このとき、石英ガラスるつぼ中の微量な不純物
も、シリコン融液中に溶解し、Si単結晶の品質を低下さ
せる。
してCZ（チョクラルスキ）法によりSi単結晶を引き上げ
る際、次のような長所が生れる。即ち、 CZ法では、シリコン融液と石英ガラスるつぼの壁面が
直接に接触するため、シリコン融液中に石英ガラスが溶
融する。このとき、石英ガラスるつぼ中の微量な不純物
も、シリコン融液中に溶解し、Si単結晶の品質を低下さ
せる。
しかし、本発明による石英ガラスるつぼは合成二酸化
ケイ素を原料とすることにより、容易に超高純度のもの
が得られ、このような石英ガラスるつぼを使用すること
により、高品質なSi単結晶を得ることができ、ひいては
その単結晶を用いて製造される半導体素子の製造歩留及
び信頼性を向上させることができる。
ケイ素を原料とすることにより、容易に超高純度のもの
が得られ、このような石英ガラスるつぼを使用すること
により、高品質なSi単結晶を得ることができ、ひいては
その単結晶を用いて製造される半導体素子の製造歩留及
び信頼性を向上させることができる。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例について製造方法を併記して
説明する。
説明する。
第１図は、石英ガラスるつぼの断面図を示す。
図中の１は、高粘性の天然産結晶質石英粒子からなる
外側部である。この外側部１の内側には、合成非晶質二
酸化ケイ素からなる内側ライニング２が外側部１と一体
化して設けられている。この内側ライニング２の合成非
晶質二酸化ケイ素は、シリコンアルコキシドの加水分解
によって得られる。前記内側ライニング２の厚みは例え
ば2mmで、ルツボ３の厚みの1/2以下である。なお、内側
ライニング２の厚みは、底部と胴部とでほぼ等しい。ま
た、るつぼ３のサイズは、例えば外径（Ｌ）200mm、厚
み（Ｔ）8mm、高さ（Ｈ）200mmである。
外側部である。この外側部１の内側には、合成非晶質二
酸化ケイ素からなる内側ライニング２が外側部１と一体
化して設けられている。この内側ライニング２の合成非
晶質二酸化ケイ素は、シリコンアルコキシドの加水分解
によって得られる。前記内側ライニング２の厚みは例え
ば2mmで、ルツボ３の厚みの1/2以下である。なお、内側
ライニング２の厚みは、底部と胴部とでほぼ等しい。ま
た、るつぼ３のサイズは、例えば外径（Ｌ）200mm、厚
み（Ｔ）8mm、高さ（Ｈ）200mmである。
しかして、上記実施例に係る石英ガラスるつぼによれ
ば、高粘度の天然産結晶質石英粒子からなる外側部１、
及び合成非晶質二酸化ケイ素からなる内側ライニング２
の２層構造で、しかも前記合成非晶質二酸化ケイ素がシ
リコンアルコキシドを加水分解することによって得られ
るるため、内側ライニング２の表面が平滑で孔のないち
密な表面となり、しかも高温での使用，大型化が可能
で、所望の厚みに容易にしえコスト低減を図ることがで
きる。また、従来のように四塩化ケイ素使用による塩素
の残留の問題がない。更に、外側部１に高粘性の天然産
結晶質石英粒子を原料とすることにより、変形を防止す
ることができる。更には、内側ライニング２の原料であ
る合成非晶質二酸化ケイ素が、シリコンアルコキシドを
加水分解することによって得られるため、短時間で簡単
に製造でき、コスト的にも安く大量生産に適している。
ば、高粘度の天然産結晶質石英粒子からなる外側部１、
及び合成非晶質二酸化ケイ素からなる内側ライニング２
の２層構造で、しかも前記合成非晶質二酸化ケイ素がシ
リコンアルコキシドを加水分解することによって得られ
るるため、内側ライニング２の表面が平滑で孔のないち
密な表面となり、しかも高温での使用，大型化が可能
で、所望の厚みに容易にしえコスト低減を図ることがで
きる。また、従来のように四塩化ケイ素使用による塩素
の残留の問題がない。更に、外側部１に高粘性の天然産
結晶質石英粒子を原料とすることにより、変形を防止す
ることができる。更には、内側ライニング２の原料であ
る合成非晶質二酸化ケイ素が、シリコンアルコキシドを
加水分解することによって得られるため、短時間で簡単
に製造でき、コスト的にも安く大量生産に適している。
次に、本発明の石英ガラスるつぼの製造方法について
説明する。
説明する。
まず、高純度のシリコンアルコキシドの加水分解によ
り得られた非晶質二酸化ケイ素を、所定の粒度例えば50
〜100メッシュに粉砕し、粉末状の粗生成物を得た。つ
づいて、得られた粉末状の粗生成物を1000〜1300℃で熱
処理し、脱水，閉孔化した。次いで、天然産結晶質石英
粒子を回転式型に供給し、型の内壁に外側壁１となる第
１層を形成した。ひきつづき、前述した熱処理した粗生
成物を前記回転式型内に供給し、前記第１層の内側に第
２層を形成した。更に、回転型の回転を続けながらアー
クトーチ加熱により熱を供給して上記第１層，第２層を
溶融した。この結果、天然産結晶質石英粒子からなる外
側部１と非晶質二酸化ケイ素粒子からなる内側ライニン
グ２から構成された石英ガラスるつぼを形成できた。
り得られた非晶質二酸化ケイ素を、所定の粒度例えば50
〜100メッシュに粉砕し、粉末状の粗生成物を得た。つ
づいて、得られた粉末状の粗生成物を1000〜1300℃で熱
処理し、脱水，閉孔化した。次いで、天然産結晶質石英
粒子を回転式型に供給し、型の内壁に外側壁１となる第
１層を形成した。ひきつづき、前述した熱処理した粗生
成物を前記回転式型内に供給し、前記第１層の内側に第
２層を形成した。更に、回転型の回転を続けながらアー
クトーチ加熱により熱を供給して上記第１層，第２層を
溶融した。この結果、天然産結晶質石英粒子からなる外
側部１と非晶質二酸化ケイ素粒子からなる内側ライニン
グ２から構成された石英ガラスるつぼを形成できた。
こうした本発明方法によれば、上記したように内側ラ
イニング２の表面が平滑で孔のないち密な表面となり、
しかも高温での使用，大型化が可能で、所望の厚みに容
易にしえコスト低減を図ることができる。また、従来の
ように四塩化ケイ素使用による塩素の残留の問題がな
い。更に、外側部１に高粘性の天然石英粒子を原料とす
ることにより、変形を防止することができる。更には、
内側ライニングの原料である合成非晶質二酸化ケイ素
が、シリコンアルコキシドを加水分解することによって
得られるため、短時間で簡単に製造でき、コスト的にも
安く大量生産に適している。
イニング２の表面が平滑で孔のないち密な表面となり、
しかも高温での使用，大型化が可能で、所望の厚みに容
易にしえコスト低減を図ることができる。また、従来の
ように四塩化ケイ素使用による塩素の残留の問題がな
い。更に、外側部１に高粘性の天然石英粒子を原料とす
ることにより、変形を防止することができる。更には、
内側ライニングの原料である合成非晶質二酸化ケイ素
が、シリコンアルコキシドを加水分解することによって
得られるため、短時間で簡単に製造でき、コスト的にも
安く大量生産に適している。
事実、上記実施例１に係るるつぼより幅（Ｗ）30mmの
リング４を切出し、第２図（Ａ）図示の電気炉５中で熱
処理（1250℃,20時間）を行ない、そのつぶれ量の測定
を行った（サンプル１）。また、比較のため、下記サン
プル２〜５についても同様な試験を行ったところ、後掲
する第１表に示す結果を得た。
リング４を切出し、第２図（Ａ）図示の電気炉５中で熱
処理（1250℃,20時間）を行ない、そのつぶれ量の測定
を行った（サンプル１）。また、比較のため、下記サン
プル２〜５についても同様な試験を行ったところ、後掲
する第１表に示す結果を得た。
サンプル2;上記実施例１と比べ内側ライニングの厚み
（4mm）のみ異なる石英ガラスるつぼを上記と同様にリ
ングにしたもの。
（4mm）のみ異なる石英ガラスるつぼを上記と同様にリ
ングにしたもの。
サンプル3;全てシリコンアルコキシド加水分解により
製造される二酸化ケイ素を原料とする石英ガラスるつぼ
を上記と同様にリングしたもの。
製造される二酸化ケイ素を原料とする石英ガラスるつぼ
を上記と同様にリングしたもの。
サンプル4;全て天然石英を原料とする石英ガラスるつ
ぼを上記と同様にリングにしたもの。
ぼを上記と同様にリングにしたもの。
サンプル5;Si C4の加水分解により製造される二酸化
ケイ素を内側ライニングの原料とし、この内側ライニン
グの厚みを2mmとした石英ガラスるつぼを上記と同様に
リングにしたもの。なお、上記つぶれ量はL1（200mm）
と熱処理後の最短径（L2）（第２図（Ｂ）参照））の差
で表わされる。
ケイ素を内側ライニングの原料とし、この内側ライニン
グの厚みを2mmとした石英ガラスるつぼを上記と同様に
リングにしたもの。なお、上記つぶれ量はL1（200mm）
と熱処理後の最短径（L2）（第２図（Ｂ）参照））の差
で表わされる。
また、上記各サンプルと同じ原料を用いて、外形406m
m、高さ305mm、肉厚8mmのるつぼを製造し、MCZ法により
ノンドープSi単結晶引上げに使用した。その結果、サン
プル1,2,4は正常に引上げされた。サンプル３は20％引
上げたところでルツボの変形が激しくなって引上げ不可
能となった。サンプル５はるつぼ内表面に開気孔が多く
存在したものとなり、Si融液が孔に補促され、引上げが
不可能であった。この理由は、SiCl4の加水分解により
得られる二酸化ケイ素は塩素の残留が避けられず、これ
が原因となり溶融時及び単結晶引き上げ時にるつぼ肉中
からの発泡を招き、内表面に開気孔の存在したものとな
ったためと推察される。
m、高さ305mm、肉厚8mmのるつぼを製造し、MCZ法により
ノンドープSi単結晶引上げに使用した。その結果、サン
プル1,2,4は正常に引上げされた。サンプル３は20％引
上げたところでルツボの変形が激しくなって引上げ不可
能となった。サンプル５はるつぼ内表面に開気孔が多く
存在したものとなり、Si融液が孔に補促され、引上げが
不可能であった。この理由は、SiCl4の加水分解により
得られる二酸化ケイ素は塩素の残留が避けられず、これ
が原因となり溶融時及び単結晶引き上げ時にるつぼ肉中
からの発泡を招き、内表面に開気孔の存在したものとな
ったためと推察される。
ところで、上記サンプル1,4に係るるつぼにより引き
上げられた結晶の特性を調べたところ、サンプル1,4の
ライフタイムは夫々80〜120（μｍ）、10〜40（μｍ）
であった。但し、測定方法は反射マイクロ波法を用い、
測定部分はウェハ中央部とした。なお、ウェハ中央部の
みならず、他の部分でもサンプル１の方がサンプル４に
比べ３〜５倍のライフタイムを示した。
上げられた結晶の特性を調べたところ、サンプル1,4の
ライフタイムは夫々80〜120（μｍ）、10〜40（μｍ）
であった。但し、測定方法は反射マイクロ波法を用い、
測定部分はウェハ中央部とした。なお、ウェハ中央部の
みならず、他の部分でもサンプル１の方がサンプル４に
比べ３〜５倍のライフタイムを示した。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明に係る石英ガラスるつぼに
よれば、孔のない平滑で耐熱性に優れた内側ライニング
を有し、高温での使用、大型化が可能で、かつ所望の厚
みに容易にしえコスト低減を図ることができる。
よれば、孔のない平滑で耐熱性に優れた内側ライニング
を有し、高温での使用、大型化が可能で、かつ所望の厚
みに容易にしえコスト低減を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る石英ガラスるつぼの断
面図、第２図はるつぼより切出したリングのつぶれ量を
測定するための説明図である。 １……外側部、２……内側ライニング、３……るつぼ。
面図、第２図はるつぼより切出したリングのつぶれ量を
測定するための説明図である。 １……外側部、２……内側ライニング、３……るつぼ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西脇 勉 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社小国製造 所内 (56)参考文献 特開 昭64−82526（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−17996（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−138335（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−226418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−36342（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (2)
- 【請求項１】二酸化ケイ素含有外側部，及びこの外側部
の内側に設けられた合成二酸化ケイ素からなる内側ライ
ニングとを具備した石英ガラスるつぼにおいて、前記外
側部が天然産結晶質石英粒子を原料とし、かつ前記内側
ライニングが合成非晶質二酸化ケイ素を原料とし、しか
もこの合成非晶質二酸化ケイ素がシリコンアルコキシド
の加水分解によって得られることを特徴とする石英ガラ
スるつぼ。 - 【請求項２】シリコンアルコキシドの加水分解により得
られた非晶質二酸化ケイ素を粉砕して粉末状の粗生成物
を形成する工程と、この粗生成物を1000〜1300℃で熱処
理する工程と、天然産結晶質石英粒子を回転式型内に供
給して二酸化ケイ素含有外側部となる第１層を形成する
工程と、ひきつづき熱処理した前記粗生成物を前記回転
式型内に供給して合成二酸化ケイ素からなる内側ライニ
ングとなる第２層を形成する工程と、前記第１層，第２
層に熱を供給，溶融して二酸化ケイ素含有外側部及びこ
れと一体化した合成二酸化ケイ素からなる内側ライニン
グを形成する工程とを具備することを特徴とする石英ガ
ラスるつぼの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174167A JP2863554B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 石英ガラスるつぼ及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174167A JP2863554B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 石英ガラスるつぼ及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340989A JPH0340989A (ja) | 1991-02-21 |
| JP2863554B2 true JP2863554B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=15973879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174167A Expired - Lifetime JP2863554B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 石英ガラスるつぼ及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2863554B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102477508A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 上海航天精密机械研究所 | 防止zl205a合金熔炼过程中增铁的方法 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1174167A patent/JP2863554B2/ja not_active Expired - Lifetime
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