JPH0375389A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0375389A JPH0375389A JP21007389A JP21007389A JPH0375389A JP H0375389 A JPH0375389 A JP H0375389A JP 21007389 A JP21007389 A JP 21007389A JP 21007389 A JP21007389 A JP 21007389A JP H0375389 A JPH0375389 A JP H0375389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- end point
- etching
- detecting
- window glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 16
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチングの終点検出用センサを備えたドラ
イエツチング装置に関する。
イエツチング装置に関する。
従来のドライエツチング装置は．エッチングチャンバと
、上記エツチングチャンバに設けられた窓と、上記窓を
介してプラズマの発光状態の変化によりエツチングの終
点を検出するセンサとを有する。
、上記エツチングチャンバに設けられた窓と、上記窓を
介してプラズマの発光状態の変化によりエツチングの終
点を検出するセンサとを有する。
なお、ドライエツチング装置は、例えば「電子材料別冊
、超ＬＳＩ製造試験装置ガイドブック」、１２４〜１２
８頁、１９８４年工業調査会発行、で知られる。
、超ＬＳＩ製造試験装置ガイドブック」、１２４〜１２
８頁、１９８４年工業調査会発行、で知られる。
従来の装置では、エツチング時の反応生成物の付着によ
り、上記窓が汚れ、終点検出用センサへの入力光が減衰
してくる点について配慮されておらず、処理枚数の増加
とともに、終点検出感度が低下し、終点検出の誤差が大
きくなるという問題があり、このため、クリーニング頻
度も高かった。
り、上記窓が汚れ、終点検出用センサへの入力光が減衰
してくる点について配慮されておらず、処理枚数の増加
とともに、終点検出感度が低下し、終点検出の誤差が大
きくなるという問題があり、このため、クリーニング頻
度も高かった。
本発明の目的は、終点検出用センサへの入力光の減衰を
防ぎ、終点検出精度を向上させ、クリーニング頻度を下
げることにある。
防ぎ、終点検出精度を向上させ、クリーニング頻度を下
げることにある。
上記の課題を解決するために、本発明のドライエツチン
グ装置は．エッチングチャンバと、上記エツチングチャ
ンバに設けられた窓と、上記窓を介してエツチングの終
点を検出するセンサと、上記窓を加熱する手段とを具備
することを特徴とする。
グ装置は．エッチングチャンバと、上記エツチングチャ
ンバに設けられた窓と、上記窓を介してエツチングの終
点を検出するセンサと、上記窓を加熱する手段とを具備
することを特徴とする。
窓に付着するプラズマエツチング時の反応生成物は、プ
ラズマエツチングにより気化した被エツチング膜とエツ
チングガスとの反応ガスが温度の低下により凝固するも
のと考えられる。このため、エツチングチャンバおよび
エツチングチャンバ排気系において温度の低い部分には
生成物が付きやすく、温度の高い部分には生成物が付き
にくいという特徴がある。そこで、窓を加熱し、高温に
保てば、窓への生成物の付着は減少し、処理枚数が増え
ても終点検出用センサへの入力光は安定したレベルとな
り、終点検出の誤差が生じず、終点検出精度が向上する
。
ラズマエツチングにより気化した被エツチング膜とエツ
チングガスとの反応ガスが温度の低下により凝固するも
のと考えられる。このため、エツチングチャンバおよび
エツチングチャンバ排気系において温度の低い部分には
生成物が付きやすく、温度の高い部分には生成物が付き
にくいという特徴がある。そこで、窓を加熱し、高温に
保てば、窓への生成物の付着は減少し、処理枚数が増え
ても終点検出用センサへの入力光は安定したレベルとな
り、終点検出の誤差が生じず、終点検出精度が向上する
。
本発明の実施例を第工図および第２図により説明する。
第１図は、本発明の一実施例のドライエツチング装置の
患部の平面図、第２図はこの窓部の断面図である。
患部の平面図、第２図はこの窓部の断面図である。
エツチングチャンバ６に設けられた終点検出用窓（エツ
チング波形モニタ用窓）は、窓枠ｌと。
チング波形モニタ用窓）は、窓枠ｌと。
窓ガラス２から構成される。窓ガラス２にヒータ３を取
り付け、窓ガラス２を加熱することにより窓ガラス２を
例えば７０℃以上の高温に保つ。これにより、エツチン
グ時に窓ガラス２には生成物が付着しなくなり、ヒータ
３に設けた窓穴４を通して終点検出用センサ５に入力す
るプラズマ光が常時同一レベルとなり、終点検出精度の
誤差がなくなり、終点検出精度が向上する。
り付け、窓ガラス２を加熱することにより窓ガラス２を
例えば７０℃以上の高温に保つ。これにより、エツチン
グ時に窓ガラス２には生成物が付着しなくなり、ヒータ
３に設けた窓穴４を通して終点検出用センサ５に入力す
るプラズマ光が常時同一レベルとなり、終点検出精度の
誤差がなくなり、終点検出精度が向上する。
すなわち、■終点検出精度が向上するので、ウェハごと
に適切なエツチング時間が得られ、エツチングの過不足
による不良がなくなり、歩留りが向上する。■窓に生成
物が付着しなくなるので、クリーニング頻度を低減でき
、作業性が向上する。
に適切なエツチング時間が得られ、エツチングの過不足
による不良がなくなり、歩留りが向上する。■窓に生成
物が付着しなくなるので、クリーニング頻度を低減でき
、作業性が向上する。
以上説明したように、本発明によれば、終点検出精度が
向上でき、かつ、クリーニング頻度を低減できる。
向上でき、かつ、クリーニング頻度を低減できる。
第１図は、本発明の一実施例のドライエツチング装置の
患部の平面図、第２図はこの窓部の断面図である。 ｌ・・・窓枠 ２・・・窓ガラス ３・・・ヒータ ４・・・窓穴 ５・・・終点検出用センサ ６・・・エツチングチャンバ 第１図 第２図 ｂ・−一 エプナンクー争ヤンバ゛ ６０２−
患部の平面図、第２図はこの窓部の断面図である。 ｌ・・・窓枠 ２・・・窓ガラス ３・・・ヒータ ４・・・窓穴 ５・・・終点検出用センサ ６・・・エツチングチャンバ 第１図 第２図 ｂ・−一 エプナンクー争ヤンバ゛ ６０２−
Claims (1)
- １．エッチングチャンバと、上記エッチングチャンバに
設けられた窓と、上記窓を介してエッチングの終点を検
出するセンサと、上記窓を加熱する手段とを具備するこ
とを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21007389A JPH0375389A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21007389A JPH0375389A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375389A true JPH0375389A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16583374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21007389A Pending JPH0375389A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375389A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922223A (en) * | 1995-11-16 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| KR100488541B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-05-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| KR20050059451A (ko) * | 2003-12-15 | 2005-06-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 공정의 종점 검출 장치 |
| CN102969216A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-13 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 蚀刻终点检测窗口、检测仪及蚀刻腔室 |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP21007389A patent/JPH0375389A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922223A (en) * | 1995-11-16 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| KR100488541B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-05-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| KR20050059451A (ko) * | 2003-12-15 | 2005-06-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 공정의 종점 검출 장치 |
| CN102969216A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-13 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 蚀刻终点检测窗口、检测仪及蚀刻腔室 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5496834B2 (ja) | センサ基板 | |
| JPH0375389A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS6223113A (ja) | 終点検出方法 | |
| JPH0610357B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5961036A (ja) | プラズマエツチング終点検出方法 | |
| JPS62113425A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH11131211A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3184765B2 (ja) | プラズマ処理装置のプラズマ光の検出窓 | |
| JPS55118637A (en) | Plasma etching apparatus | |
| JPS59210442A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH056655Y2 (ja) | ||
| JPH08278273A (ja) | ガス検知装置 | |
| JPS59170272A (ja) | ドライ処理装置 | |
| JPH01232725A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0323304Y2 (ja) | ||
| JPS6082681A (ja) | エツチング装置 | |
| JPH10111264A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS5750648A (en) | Thick film type gas detecting element | |
| JPS5739535A (en) | Etching control method | |
| JPH06102120A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH0471225A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02111020A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6295829A (ja) | エツチング終点検出方法 | |
| JPS60218846A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS63312986A (ja) | エツチング処理装置 |