JPH056655Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH056655Y2 JPH056655Y2 JP1984034929U JP3492984U JPH056655Y2 JP H056655 Y2 JPH056655 Y2 JP H056655Y2 JP 1984034929 U JP1984034929 U JP 1984034929U JP 3492984 U JP3492984 U JP 3492984U JP H056655 Y2 JPH056655 Y2 JP H056655Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sensor
- vacuum chamber
- substrate
- attached
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体ウエハ等の基板のエツチングモ
ニターに関する。
ニターに関する。
従来第１図示のように真空槽ａ内で基板ｂを取
付けたエツチング電極ｃを回転させ、該電極ｃと
図示してない対向電極との間に生じさせた放電に
より該基板ｂにエツチングを施すことが行なわれ
ているが、この場合エツチングが一定以上に進行
しないように真空槽ａに放電スペクトルをモニタ
ーする採光器その他のセンサｄを設けるを一般と
する。而して回転する電極ｃに複数の基板ｂが取
付けられているときはセンサｄの前方に頻繁に基
板ｂが現われ、第２図の曲線Ａで示すような略一
定の信号強度をモニターすることが出来、該曲線
Ａが変化し始める点でエツチングのエンドポイン
トを検出し、エツチングを終了させることが可能
であるが、例えば１枚の基板しか取付けられてい
ないと、センサｄと基板ｂの計測距離が変わり、
第２図の曲線Ｂのように信号強度が振動しエンド
ポイントの検出が難しくなる。
付けたエツチング電極ｃを回転させ、該電極ｃと
図示してない対向電極との間に生じさせた放電に
より該基板ｂにエツチングを施すことが行なわれ
ているが、この場合エツチングが一定以上に進行
しないように真空槽ａに放電スペクトルをモニタ
ーする採光器その他のセンサｄを設けるを一般と
する。而して回転する電極ｃに複数の基板ｂが取
付けられているときはセンサｄの前方に頻繁に基
板ｂが現われ、第２図の曲線Ａで示すような略一
定の信号強度をモニターすることが出来、該曲線
Ａが変化し始める点でエツチングのエンドポイン
トを検出し、エツチングを終了させることが可能
であるが、例えば１枚の基板しか取付けられてい
ないと、センサｄと基板ｂの計測距離が変わり、
第２図の曲線Ｂのように信号強度が振動しエンド
ポイントの検出が難しくなる。
本考案はこうした難点を解決することを目的と
するもので、真空槽１内で回転するエツチング電
極２に取付けた基板３のエツチングの進行を、真
空槽１に固定の採光器その他のセンサ４でモニタ
ーする式のものに於て、該センサ４の複数個を用
意して互に間隔を存して該電極２の周囲の真空槽
１に取付け、各センサ４を共通の検出器５に接続
して成る。
するもので、真空槽１内で回転するエツチング電
極２に取付けた基板３のエツチングの進行を、真
空槽１に固定の採光器その他のセンサ４でモニタ
ーする式のものに於て、該センサ４の複数個を用
意して互に間隔を存して該電極２の周囲の真空槽
１に取付け、各センサ４を共通の検出器５に接続
して成る。
該センサ４は例えば第３図示のように真空槽１
に等間隔で６個配置され、該センサ４が採光器の
場合夫々光フアイバー６を介して検出器５に接続
し、該検出器５に於て光信号が電気信号に変換さ
れる。また該センサ４は各基板３のプラズマイン
ピーダンスを検出するブローブで構成することも
可能である。
に等間隔で６個配置され、該センサ４が採光器の
場合夫々光フアイバー６を介して検出器５に接続
し、該検出器５に於て光信号が電気信号に変換さ
れる。また該センサ４は各基板３のプラズマイン
ピーダンスを検出するブローブで構成することも
可能である。
その作動を採光器のセンサ４を設けた場合につ
き説明するに、基板３を取付けたエツチング電極
２が回転されると共にこれへ通電されると各基板
３の前面に生ずる放電領域からイオンが飛来し、
基板３の表面がエツチングされる。エツチングが
進行し、該基板３の下層の物質がエツチングされ
始めるとエツチングを終了しなければならない
が、その終了はセンサ４に於て基板３の表面の発
光分光パルスの強度が変化することを感知して行
なわれる。センサ４は間隔を存して配置されてお
り、その前方を基板３が移動するので、例えば１
枚であつても必ずいづれかのセンサ４で検知さ
れ、検出器５には第２図の曲線Ａで示すような脈
動の少ない曲線が現われ、エツチングのエンドポ
イントを明確に知ることが出来る。
き説明するに、基板３を取付けたエツチング電極
２が回転されると共にこれへ通電されると各基板
３の前面に生ずる放電領域からイオンが飛来し、
基板３の表面がエツチングされる。エツチングが
進行し、該基板３の下層の物質がエツチングされ
始めるとエツチングを終了しなければならない
が、その終了はセンサ４に於て基板３の表面の発
光分光パルスの強度が変化することを感知して行
なわれる。センサ４は間隔を存して配置されてお
り、その前方を基板３が移動するので、例えば１
枚であつても必ずいづれかのセンサ４で検知さ
れ、検出器５には第２図の曲線Ａで示すような脈
動の少ない曲線が現われ、エツチングのエンドポ
イントを明確に知ることが出来る。
このように本考案によるときは複数個のセンサ
４を回転する電極２の周囲の真空槽１に設け、各
センサ４からの信号を一個の共通の検出器５で検
出するようにしたので、エツチング状況を脈動の
少ない信号で検出でき、少数枚の基板のエツチン
グのエンドポイントを正確に判断可能になり、一
つの検出器５を設ければよいので、設備を簡略化
できて経済的である等の効果がある。
４を回転する電極２の周囲の真空槽１に設け、各
センサ４からの信号を一個の共通の検出器５で検
出するようにしたので、エツチング状況を脈動の
少ない信号で検出でき、少数枚の基板のエツチン
グのエンドポイントを正確に判断可能になり、一
つの検出器５を設ければよいので、設備を簡略化
できて経済的である等の効果がある。
第１図は従来例の截断平面図、第２図は信号強
度の線図、第３図は本考案の実施例の截断平面図
である。 １……真空槽、２……エツチング電極、３……
基板、４……センサ、５……検出器。
度の線図、第３図は本考案の実施例の截断平面図
である。 １……真空槽、２……エツチング電極、３……
基板、４……センサ、５……検出器。
Claims (1)
- 真空槽１内で回転するエツチング電極２に取付
けた基板３のエツチングの進行を、真空槽１に固
定の採光器その他のセンサ４でモニターする式の
ものに於て、該センサ４の複数個を用意して互に
間隔を存して該電極２の周囲の該真空槽１に取付
け、各センサ４を共通の検出器５に接続して成る
エツチングモニター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3492984U JPS60149133U (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | エツチングモニタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3492984U JPS60149133U (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | エツチングモニタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149133U JPS60149133U (ja) | 1985-10-03 |
| JPH056655Y2 true JPH056655Y2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=30538752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3492984U Granted JPS60149133U (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | エツチングモニタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149133U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206226A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
| JP4554429B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2010-09-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ発光測定システム |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128584A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS56130473A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS5745254A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic detector for amount of silicon wafer worked |
| JPS57102022A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Nec Corp | Reactive sputter etching equipment |
| JPS58216423A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | Hitachi Ltd | エツチング終点検出装置 |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP3492984U patent/JPS60149133U/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128584A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS56130473A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS5745254A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic detector for amount of silicon wafer worked |
| JPS57102022A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Nec Corp | Reactive sputter etching equipment |
| JPS58216423A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | Hitachi Ltd | エツチング終点検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60149133U (ja) | 1985-10-03 |
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