JPS58216423A - エツチング終点検出装置 - Google Patents
エツチング終点検出装置Info
- Publication number
- JPS58216423A JPS58216423A JP9853782A JP9853782A JPS58216423A JP S58216423 A JPS58216423 A JP S58216423A JP 9853782 A JP9853782 A JP 9853782A JP 9853782 A JP9853782 A JP 9853782A JP S58216423 A JPS58216423 A JP S58216423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- digital
- spectral intensity
- intensity waveform
- etching
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 37
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001835 viscera Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半畳体間路用のウェハを複
数枚一括してエツチング終点をするエツチング装置おい
て、エツチング処理中の各ウェハについて、そのプラズ
マ改′１シ尤の各分光強度波形を得て、各個別にエツチ
ング終点をオンラインで検出するだめのエツチング終点
検出装置に関するものである。
数枚一括してエツチング終点をするエツチング装置おい
て、エツチング処理中の各ウェハについて、そのプラズ
マ改′１シ尤の各分光強度波形を得て、各個別にエツチ
ング終点をオンラインで検出するだめのエツチング終点
検出装置に関するものである。
分光分析法を用いたエツチング終点検出装置において、
エツチング処理中のウェハからのプラズマ放電光の光電
変換をして得られる分光強度波形は、第１図のウェハか
らのプラズマ放電光の一例の分光強度波形図に示すよう
に、ブラズー７放電開始（時点Ａ）から同停止（時点Ｂ
）に至るまで、短い時間間隔の振幅変動（例えば数ＭＨ
７程度の雑音成分）を伴っている。
エツチング処理中のウェハからのプラズマ放電光の光電
変換をして得られる分光強度波形は、第１図のウェハか
らのプラズマ放電光の一例の分光強度波形図に示すよう
に、ブラズー７放電開始（時点Ａ）から同停止（時点Ｂ
）に至るまで、短い時間間隔の振幅変動（例えば数ＭＨ
７程度の雑音成分）を伴っている。
エツチング終点を検出するには、−１−配分光強度波形
の終時変化をモニタする必゛堤があり、それを容易に行
うために分光強度波形から雑音成分を除去し、第２図の
上述の分光強度波形の一例の基本波形図に示すような波
形を得る必要がある。
の終時変化をモニタする必゛堤があり、それを容易に行
うために分光強度波形から雑音成分を除去し、第２図の
上述の分光強度波形の一例の基本波形図に示すような波
形を得る必要がある。
このために従来装置ではローパスフィルタが用いられて
きたが、上記時点ＡＢ間の時間が長い（約数十分）ため
、その遮断周波数は極めて低いものであることが必要で
あった。
きたが、上記時点ＡＢ間の時間が長い（約数十分）ため
、その遮断周波数は極めて低いものであることが必要で
あった。
ところが、最近、ウェハ製造のスルーブツト向上１歩留
り向上が共に要求されてきたので、単独の採光系で複数
枚のウェハのプラズマ放電状態をモニタし、ウニかごと
に個別にエツチング終点を検出することが必要となって
きた。
り向上が共に要求されてきたので、単独の採光系で複数
枚のウェハのプラズマ放電状態をモニタし、ウニかごと
に個別にエツチング終点を検出することが必要となって
きた。
単独の採光系で複数枚のウェハのプラズマ放電状態をモ
ニタするには、−例として、第３図の複数ウェハからの
２°ラズマ放電光の一例の分光強度波形図に示すように
、モニタ期間Ａ−Ｂ’を所定の周期Ｔで分割して各周期
内で時分割的に順次に各ウェハのプラズマ放電光を採光
し、その各分光強度波形を得るようにしなければならな
い。
ニタするには、−例として、第３図の複数ウェハからの
２°ラズマ放電光の一例の分光強度波形図に示すように
、モニタ期間Ａ−Ｂ’を所定の周期Ｔで分割して各周期
内で時分割的に順次に各ウェハのプラズマ放電光を採光
し、その各分光強度波形を得るようにしなければならな
い。
この場合、各ウェハの分光強度波形は、それぞれ独自の
波形のものであって、その分光強度が同−周期内でも各
ウェハによって異なる値を示しつつも、全体としては順
次に低下してエツチング終点となるような波形がモニタ
される。
波形のものであって、その分光強度が同−周期内でも各
ウェハによって異なる値を示しつつも、全体としては順
次に低下してエツチング終点となるような波形がモニタ
される。
したがって、このような懐敢つ毛ハのエツチング終点の
検出を行おうとして、第３図のような分光強度波形の雑
音成分を除去するのに一しホのようなローパスフィルタ
による従来装置を１１ｙ川すると、その波形全体がなま
って時刻ごとに平均化されてし砿い、個々のウェハに対
する発光強＋Ｌ’ｘ個別に得ることができず、各エツチ
ング終点の厳密な検出が困難であった。
検出を行おうとして、第３図のような分光強度波形の雑
音成分を除去するのに一しホのようなローパスフィルタ
による従来装置を１１ｙ川すると、その波形全体がなま
って時刻ごとに平均化されてし砿い、個々のウェハに対
する発光強＋Ｌ’ｘ個別に得ることができず、各エツチ
ング終点の厳密な検出が困難であった。
本発明の目的は、ト記した従来技術の欠点をなくシ、各
ウェハの分光強度波形から雑音成分を除去しつつ、個別
に各発光強度を得て工・ノチング終点をオノラインで検
出することができるエツチング終点検出装置を提供する
ことにある。
ウェハの分光強度波形から雑音成分を除去しつつ、個別
に各発光強度を得て工・ノチング終点をオノラインで検
出することができるエツチング終点検出装置を提供する
ことにある。
本発明に係るエツチング終点検出装置の構成は、エツチ
ング処理中の複数のウェハからの各プラズマ放電光を所
定周期で時分割的に採光する採光器と、その各採光につ
いて所定の分光を行う分光器 （と、その
分光出力を電気信号に変換して分光強度波形を出力する
。光電変換器と、（−記時分割採尤に同期して」二記分
光強度波形をザンブリノグして当該値を保持するサンプ
ルホールド回路と、その各サンプルホールド値を順次に
ディジタル値に変換するアナログ／ディジタル変換器と
、上記各ウェハについて、上記ディジタルｆｉｆｆｉｔ
時系列的に連続する所定数ごとに平均することによって
、当該分光強度波形から雑音成分を除去し、その平均１
直が所定値に安定するエツチング終点の時点の判定・検
出をして当該ウェハ番号の出力をするディジタル演算処
理回路とからな句ようにしたものである。
ング処理中の複数のウェハからの各プラズマ放電光を所
定周期で時分割的に採光する採光器と、その各採光につ
いて所定の分光を行う分光器 （と、その
分光出力を電気信号に変換して分光強度波形を出力する
。光電変換器と、（−記時分割採尤に同期して」二記分
光強度波形をザンブリノグして当該値を保持するサンプ
ルホールド回路と、その各サンプルホールド値を順次に
ディジタル値に変換するアナログ／ディジタル変換器と
、上記各ウェハについて、上記ディジタルｆｉｆｆｉｔ
時系列的に連続する所定数ごとに平均することによって
、当該分光強度波形から雑音成分を除去し、その平均１
直が所定値に安定するエツチング終点の時点の判定・検
出をして当該ウェハ番号の出力をするディジタル演算処
理回路とからな句ようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
第４図は、本発明に係るエツチング終点検出装置の一実
施例のブロック図、第５図は、その主要部における波形
図、第６図は、同ディジタル・演算処理のフローチャー
トである。
施例のブロック図、第５図は、その主要部における波形
図、第６図は、同ディジタル・演算処理のフローチャー
トである。
ここで、１０は、採光器、１０Ａは、その回転ミラー、
１０Ｂは、同集光レンズ、１１は、分光器、１２は、光
電変換器、１３は、ローパスフィルタ、１４は、サンプ
ルホールド回路、１５は、Ａ／Ｄ （アナログ／ディジ
タル）変換器、１６は、テイジタル演算処理回路、１７
は、クロック発生器、１８は、タイミング回路、１９は
、採ｔａ動器であって、これらは本エツヂング終点検出
装置を構成するものである。なお、２０け、エツチング
装置のエツチング電極、３０−１〜３０−Ｎ。
１０Ｂは、同集光レンズ、１１は、分光器、１２は、光
電変換器、１３は、ローパスフィルタ、１４は、サンプ
ルホールド回路、１５は、Ａ／Ｄ （アナログ／ディジ
タル）変換器、１６は、テイジタル演算処理回路、１７
は、クロック発生器、１８は、タイミング回路、１９は
、採ｔａ動器であって、これらは本エツヂング終点検出
装置を構成するものである。なお、２０け、エツチング
装置のエツチング電極、３０−１〜３０−Ｎ。
３Ｏ−（Ｎ＋１）〜３０−Ｌは、同時に、エツチング処
理されるＬ個のウェハ、４０は、それらから発光するプ
ラズマ光である。また、第５図の各波形ａ−ｄは、第４
図において同符号を記入した箇所に対するものである。
理されるＬ個のウェハ、４０は、それらから発光するプ
ラズマ光である。また、第５図の各波形ａ−ｄは、第４
図において同符号を記入した箇所に対するものである。
まず、クロック発生器１７からのクロックパルスｂで採
光駆′動器１９を駆動して採光器１０の回転ミラー１０
Ａ？：回転させることにより、エツチング電極２０上の
１７枚のウェハについて、それぞれのプラズマ放電光４
０を集光レンズＩＯＢで集光して分光器１１へ順次にサ
イクリックに取り込む。
光駆′動器１９を駆動して採光器１０の回転ミラー１０
Ａ？：回転させることにより、エツチング電極２０上の
１７枚のウェハについて、それぞれのプラズマ放電光４
０を集光レンズＩＯＢで集光して分光器１１へ順次にサ
イクリックに取り込む。
すなわち、各ウェハ・・・、３０−１〜３０−Ｎ。
３Ｏ−（Ｎ＋１．）〜３０−Ｌ、 ３０−１ 、
・・というようにクロックパルスｂの周期に従って各プ
ラズマ放電光が取り込まれる。
・・というようにクロックパルスｂの周期に従って各プ
ラズマ放電光が取り込まれる。
分光器１１は、エツチングによって発生する上記プラズ
マ放電光のうち特定波長（例えば、ウニバカアルミニュ
ームメッキであるときは３６５ｎｍの波長）の発光スペ
クトルの強度を得て、光電変換器１２は、それを電気信
号に変換して分光強度波形ａを出力する。
マ放電光のうち特定波長（例えば、ウニバカアルミニュ
ームメッキであるときは３６５ｎｍの波長）の発光スペ
クトルの強度を得て、光電変換器１２は、それを電気信
号に変換して分光強度波形ａを出力する。
この分光強度波形ａは、放電によるプラズマの強度変動
の影響を受け、短い時間間隔の振幅変動（例えば、前述
と同様に数ＭＨ２程度の雑音成分）を伴っている。した
がって、クロックパルスｂの波形がなまらない程度の遮
断周波数（例えば、クロックパルスｂの周波数の１００
倍程度）のローパスフィルタ１３を通過させてサンプル
ホールド回路１４へ入力させる。
の影響を受け、短い時間間隔の振幅変動（例えば、前述
と同様に数ＭＨ２程度の雑音成分）を伴っている。した
がって、クロックパルスｂの波形がなまらない程度の遮
断周波数（例えば、クロックパルスｂの周波数の１００
倍程度）のローパスフィルタ１３を通過させてサンプル
ホールド回路１４へ入力させる。
サンプルホールド回路１４は、クロックパルスｂのタイ
ミングにより、ローパスフィルタ１３を通過した分光強
度波形ａのサンプリング（標本化）をして当該値を保持
しておく。
ミングにより、ローパスフィルタ１３を通過した分光強
度波形ａのサンプリング（標本化）をして当該値を保持
しておく。
一方、タイミング回路１８は、クロックパルスｂに同期
した、タイミ／グパルス（後述するＡ／Ｄ変換器１５の
動作準備のブｊめにクロックパルスｂに対して所要の位
相差を有するもの）を作成し、そのパルスことにＡ／Ｄ
変換器１５を起動する。
した、タイミ／グパルス（後述するＡ／Ｄ変換器１５の
動作準備のブｊめにクロックパルスｂに対して所要の位
相差を有するもの）を作成し、そのパルスことにＡ／Ｄ
変換器１５を起動する。
Ａ、 ／ Ｄ変換器１５は、その起動ごとにす／プルホ
ールド回路１４における保持ｆｆ１ｔテイジタル値に変
換し、順次に各ディジタル値Ｖ（１，１）。
ールド回路１４における保持ｆｆ１ｔテイジタル値に変
換し、順次に各ディジタル値Ｖ（１，１）。
−、Ｖ （Ｎ、 １ ）、 ・、 Ｖ （Ｎ＋１．
１１． ・。
１１． ・。
Ｖ （Ｌ、 １ ） 、 Ｖ （１，２）、・・・、Ｖ
（Ｎ、＋）。
（Ｎ、＋）。
・・・を出力する。ここでディジタル１直ｖ（Ｎ、■）
は、分光強度波形ａについて、第Ｎ番目のウェハ３Ｏ−
Ｎ（１５Ｎニし）の第１回目のサンプリングによって得
られる当該値に対応するものである。
は、分光強度波形ａについて、第Ｎ番目のウェハ３Ｏ−
Ｎ（１５Ｎニし）の第１回目のサンプリングによって得
られる当該値に対応するものである。
これを時系列的に波形Ｃとして第５図に示しである。
上記各ディジタル（＠ｆｄ、順次、その各変換終了信号
ＥＮＤでディジタル演算処理回路１６に取り込まれ、そ
の記憶回路へ転送・記憶される（第６図のフローチャー
トにおける処理５０）。
ＥＮＤでディジタル演算処理回路１６に取り込まれ、そ
の記憶回路へ転送・記憶される（第６図のフローチャー
トにおける処理５０）。
次に、各ウェハごとに時系列的に連続する所定数ｍ（例
えば、当該周期のものとその前の２周期のものとの馴３
個）のテイジタル値の平均値■（Ｎ、ｉ）’を次式によ
って求める（同前処理６０）。
えば、当該周期のものとその前の２周期のものとの馴３
個）のテイジタル値の平均値■（Ｎ、ｉ）’を次式によ
って求める（同前処理６０）。
ただし、１〈ｍの場合は、例外として、次式のように当
該ザンブリングイ直のディジタル（直をそのまま平均値
とする。
該ザンブリングイ直のディジタル（直をそのまま平均値
とする。
ｖ （Ｎ、 １）−Ｖ （Ｎ、 ｉ）これをアナロ
グ波形的に図示すれば、例えばウェハ３０−Ｎについて
第５図の波形ｄに示すようになる。
グ波形的に図示すれば、例えばウェハ３０−Ｎについて
第５図の波形ｄに示すようになる。
更に、各ウェハごとに上記平均値の相連続するものＶ（
Ｎ、ｉ）、Ｖ（Ｎ、ｉ＋１）の差分が所定値（実用上、
エツチング終点と認めうる分光強度の差）以下となる平
均部を判定し、これをエツチング終点とする（同前判断
７０）。
Ｎ、ｉ）、Ｖ（Ｎ、ｉ＋１）の差分が所定値（実用上、
エツチング終点と認めうる分光強度の差）以下となる平
均部を判定し、これをエツチング終点とする（同前判断
７０）。
以上の動作を分光強度波形ａのサンプリングごとに繰り
返して行い、ウエノ・ごとにエツチング終点を判定した
後、当該ウエノ・番号（１〜Ｎ−Ｌ）を出力・端子（月
ＩＴから出力する（同前処理８０）、このようにし−Ｃ
エッチ／グ終点が演出さｔ１／ζウェハ甫号は、Ｉ＆ｌ
ｌえば」≧タ郁ロ山装置６へＩ太田さね、１俵当するつ
１ハの／ヤノタのみが閉し７られ、そ第１以後のエツチ
ングが進行しないように１ｉｌｌ （＋ＡＩすることが
でき、谷ウェハことに高梢度のエツチング処理が可能と
なる。
返して行い、ウエノ・ごとにエツチング終点を判定した
後、当該ウエノ・番号（１〜Ｎ−Ｌ）を出力・端子（月
ＩＴから出力する（同前処理８０）、このようにし−Ｃ
エッチ／グ終点が演出さｔ１／ζウェハ甫号は、Ｉ＆ｌ
ｌえば」≧タ郁ロ山装置６へＩ太田さね、１俵当するつ
１ハの／ヤノタのみが閉し７られ、そ第１以後のエツチ
ングが進行しないように１ｉｌｌ （＋ＡＩすることが
でき、谷ウェハことに高梢度のエツチング処理が可能と
なる。
上記夷弛例において、分光強度波形ａはローパスフィル
タ１３を通過させて面周ｅ成分を除去するようにしてい
るが、これは必ずしも必ヅでなく、所望の咲出精度に応
じて設けるようにしてもよい。
タ１３を通過させて面周ｅ成分を除去するようにしてい
るが、これは必ずしも必ヅでなく、所望の咲出精度に応
じて設けるようにしてもよい。
以上、詳細に説明したように、本元明によれば、複数枚
のウニ・・を一括してエンチング処理をしていても、谷
ウェハごとに個別にエツチング終点をオフラインで確実
に梢；隻よくう灸出しうるエツチング終点検出装置西を
実現することができるので、ウェハのエツチング処理工
程における梢１埃回に１歩留り向上、再現訃向上に顕著
な効果が得られる。
のウニ・・を一括してエンチング処理をしていても、谷
ウェハごとに個別にエツチング終点をオフラインで確実
に梢；隻よくう灸出しうるエツチング終点検出装置西を
実現することができるので、ウェハのエツチング処理工
程における梢１埃回に１歩留り向上、再現訃向上に顕著
な効果が得られる。
第１図は、ウェハからのプラス゛”Ｊｋ ｔｂ、’ Ｌ
（７）−例の分光強度波形図、第２図は、その基本波
形図、第３図は、俵数枚ウェハからのプラズマ放電光の
一例の分光強度波形図、第４図は、本光明に係るエツチ
ング終点模出装置区の一実・１也例のブロック図、第５
図は、その主要部における波形図、第６図は、同ディジ
タル側算処連のフローチャートである。 １０・・・採光前、１１・・・分光、、臓 １２・・・
光奄変侠器、１３・ ローパスフィルタ、１４・・サン
プルホールド回路、１５・・・Ａ／１〕変、ｉ災−、横
、１６・・・ディジタル演算処理回路、１７・・・クロ
ック発生器、１８・・タイミング回路、１９・・採光駆
動器、２０・・・エツチング電俟。 代理人 弁理士 福田幸作 （ｔｌか１名） 第 ３ 目
（７）−例の分光強度波形図、第２図は、その基本波
形図、第３図は、俵数枚ウェハからのプラズマ放電光の
一例の分光強度波形図、第４図は、本光明に係るエツチ
ング終点模出装置区の一実・１也例のブロック図、第５
図は、その主要部における波形図、第６図は、同ディジ
タル側算処連のフローチャートである。 １０・・・採光前、１１・・・分光、、臓 １２・・・
光奄変侠器、１３・ ローパスフィルタ、１４・・サン
プルホールド回路、１５・・・Ａ／１〕変、ｉ災−、横
、１６・・・ディジタル演算処理回路、１７・・・クロ
ック発生器、１８・・タイミング回路、１９・・採光駆
動器、２０・・・エツチング電俟。 代理人 弁理士 福田幸作 （ｔｌか１名） 第 ３ 目
Claims (1)
- ■。エツチング処理中の複数のウェハからの各プラズマ
放電光を所定周期で時分割的に順次に採光する採光器と
、その各採光について所定の分光を行う分光器と、その
分光出力を電気信号に変換して分光強度波形を出力する
光電変換器と、上記時分割採光に同期して上記分光強度
波形をザンブリングして当該ｆｉｔ ｋ保持するザンブ
ルホールド回路と、その各ザンブルホールト１直を順次
にディジタル値に変換するアナログ／ディジタル変換器
と、上記各ウェハについて、上記ディジタル＋ｉｒ時系
列的に連続する所定数ごとに平均することによって当該
分光強度波形から雑音成分を除去し、その平均匝が所定
値に安定するエツチング終点の時点の判定・検出をして
当該ウェハ番号の出力をするディジタル演算処理回路と
から構成したことを特徴とするエツチング終点検出装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9853782A JPS58216423A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | エツチング終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9853782A JPS58216423A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | エツチング終点検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216423A true JPS58216423A (ja) | 1983-12-16 |
Family
ID=14222431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9853782A Pending JPS58216423A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | エツチング終点検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216423A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149133U (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-03 | 日本真空技術株式会社 | エツチングモニタ− |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPS6448420A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Hitachi Ltd | Plasma treater and decision method of end point of plasma treatment |
-
1982
- 1982-06-10 JP JP9853782A patent/JPS58216423A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149133U (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-03 | 日本真空技術株式会社 | エツチングモニタ− |
| JPH056655Y2 (ja) * | 1984-03-13 | 1993-02-19 | ||
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH0455329B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1992-09-03 | Hitachi Ltd | |
| JPS6448420A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Hitachi Ltd | Plasma treater and decision method of end point of plasma treatment |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3766991B2 (ja) | プラズマ処理の終点検出方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いた半導体製造方法及び装置 | |
| KR101629253B1 (ko) | 광방출 스펙트럼의 정규화 방법 및 장치 | |
| EP0841682A2 (en) | Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same | |
| EP0878842A1 (en) | Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system | |
| US4469946A (en) | Fluorescent gas analyzer | |
| US20030098290A1 (en) | Emission spectroscopic processing apparatus and plasma processing method using it | |
| JPS58216423A (ja) | エツチング終点検出装置 | |
| JPH0773105B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4041579B2 (ja) | プラズマ処理の終点検出方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH05179467A (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JPH0455329B2 (ja) | ||
| JP4007748B2 (ja) | プラズマエッチング処理の終点検出方法 | |
| JPH08145889A (ja) | 蛍光測定装置 | |
| JPH11214363A (ja) | 半導体製造方法とその装置、並びに半導体素子 | |
| JPH02285633A (ja) | エッチング処理方法 | |
| JP6637393B2 (ja) | 四重極型質量分析計及び質量分析方法 | |
| JPS61145825A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法 | |
| JPH0520993Y2 (ja) | ||
| JP5239892B2 (ja) | 発光分析装置 | |
| JPH0653179A (ja) | ドライエッチングの終点検出方法 | |
| JP2001244252A (ja) | エッチング終点判定方法及び装置 | |
| JPH04338663A (ja) | プラズマの測定装置 | |
| JPS6393115A (ja) | 終点判定方法 | |
| JPH0263535U (ja) | ||
| JPS61207583A (ja) | エツチングの終点検出方法 |