JPS6295829A - エツチング終点検出方法 - Google Patents
エツチング終点検出方法Info
- Publication number
- JPS6295829A JPS6295829A JP23515685A JP23515685A JPS6295829A JP S6295829 A JPS6295829 A JP S6295829A JP 23515685 A JP23515685 A JP 23515685A JP 23515685 A JP23515685 A JP 23515685A JP S6295829 A JPS6295829 A JP S6295829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma light
- etching
- etching process
- end point
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はエツチング終点検出方法に係り、特に発光分光
法を用いて終点検出を行なうの暑こ好適な、エツチング
終点検出方法に関するものである。
法を用いて終点検出を行なうの暑こ好適な、エツチング
終点検出方法に関するものである。
従来、ドライエツチングで処理されるウェハのエツチン
グ反応の終点検出方法は、例えば、特開昭５６−１１５
５３６号公報に記載のように、プラズマエツチング反応
中に生じる発光から選択された特定波長の発光の光量の
時間による変化がある値以下になった時点、すなわち、
（プラズマ光量）／（反応時間）の函数の微分値が前も
って設定していた反応終了の判定値以下になった時点を
もって、エツチングの終了を判定するとなっていた。し
かし、この方法には次のような欠点があった。
グ反応の終点検出方法は、例えば、特開昭５６−１１５
５３６号公報に記載のように、プラズマエツチング反応
中に生じる発光から選択された特定波長の発光の光量の
時間による変化がある値以下になった時点、すなわち、
（プラズマ光量）／（反応時間）の函数の微分値が前も
って設定していた反応終了の判定値以下になった時点を
もって、エツチングの終了を判定するとなっていた。し
かし、この方法には次のような欠点があった。
１、 エツチングパターンの変更により、エツチング面
積が減少した場合、発光光景が少なくなって終点検出が
困難になる。
積が減少した場合、発光光景が少なくなって終点検出が
困難になる。
２ パッチ式ドライエツチングにおいて、バッチ内の処
理枚数の変化により、処理枚数が減少した場合、エツチ
ング面積が減少して発光光量が少なくなって終点検出が
困難（こなる。
理枚数の変化により、処理枚数が減少した場合、エツチ
ング面積が減少して発光光量が少なくなって終点検出が
困難（こなる。
３ 処理室の採光窓の汚れ等の状態により、検出光の光
量が異なるため再現性が悪く、検出光の光量は経時的に
減少して、終点検出が困難Ｇこなる。
量が異なるため再現性が悪く、検出光の光量は経時的に
減少して、終点検出が困難Ｇこなる。
４、前記のように光量が減少した場合、反応終予の判定
値を変えるか、または光量のデータな電気的に補正する
必要がある。
値を変えるか、または光量のデータな電気的に補正する
必要がある。
本発明の目的は、ドライエツチングにおけるエツチング
の終点を、再現性良くかつ安定性良く検出できるエツチ
ング終点検出方法を提供することにある。
の終点を、再現性良くかつ安定性良く検出できるエツチ
ング終点検出方法を提供することにある。
本発明は１発光分光法を用いて終点検出を行なうドライ
エツチング装置において、エツチングが終了する時点で
のモニターするプラズマ光の光量の変化の時間に対する
函数の二次微分値を算出し、その二次微分値が負から正
あるいは正から負に変化した時点をエツチングの終点と
判定することを特徴とし、ドライエツチングにおけるエ
ツチングの終点を、再現性良（かつ安定性良く検出でき
るようにしたものである。
エツチング装置において、エツチングが終了する時点で
のモニターするプラズマ光の光量の変化の時間に対する
函数の二次微分値を算出し、その二次微分値が負から正
あるいは正から負に変化した時点をエツチングの終点と
判定することを特徴とし、ドライエツチングにおけるエ
ツチングの終点を、再現性良（かつ安定性良く検出でき
るようにしたものである。
本発明の実施例を第１図〜第４図により説明する。
第１因は、エツチング処理時に、特徴的に発生するプラ
ズマ光１例えば、反応生成物事こ対応したプラズマ光の
光量の反応時間に対する変化曲線で。
ズマ光１例えば、反応生成物事こ対応したプラズマ光の
光量の反応時間に対する変化曲線で。
この場合、プラズマ光量ＱＬは反応開始と共に急増し、
エツチングの終了と共に急激に減少するモニター波形１
ａを示す。第２図は、第１図のプラズマ光のモニター波
形１ａについて、（プラズマ光量）／（反応時間）の函
数の二次微分を行なった曲線で、この場合、エツチング
終点の検出において、（プラズマ光量）／（反応時間）
の函数の二次微分値２ａの算出時間ｔＬを経過した時点
より開始し、二次微分値２ａの符号がマイナス（−）か
らプラス（＋）へと変化した時点１Ｅを、エツチング終
点として検出する。
エツチングの終了と共に急激に減少するモニター波形１
ａを示す。第２図は、第１図のプラズマ光のモニター波
形１ａについて、（プラズマ光量）／（反応時間）の函
数の二次微分を行なった曲線で、この場合、エツチング
終点の検出において、（プラズマ光量）／（反応時間）
の函数の二次微分値２ａの算出時間ｔＬを経過した時点
より開始し、二次微分値２ａの符号がマイナス（−）か
らプラス（＋）へと変化した時点１Ｅを、エツチング終
点として検出する。
第３図は、エツチング処理時に、特徴的に発生するプラ
ズマ光９例えば、反応生成物に対応したプラズマ光の光
量の反応時間に対する変化曲線で。
ズマ光９例えば、反応生成物に対応したプラズマ光の光
量の反応時間に対する変化曲線で。
この場合、プラズマ光量ＱＬは反応終了と共に急激に増
加するモニター波形１ｂを示す。第４図は、第３因のプ
ラズマ光のモニター波形１ｂについて、（プラズマ光ｆ
ｉ）／（反応時間）の函数の二次微分を行なった曲線で
、この場合、エツチング終点の検出において、（プラズ
マ光量）／（反応時間）の函数の二次微分値２ｂの算出
を時間ｔＬを経過した時点より開始し、二次微分値２ｂ
がプラス（＋）から（−）へと変化した時点ｔ□を、エ
ツチング終点として検出する。
加するモニター波形１ｂを示す。第４図は、第３因のプ
ラズマ光のモニター波形１ｂについて、（プラズマ光ｆ
ｉ）／（反応時間）の函数の二次微分を行なった曲線で
、この場合、エツチング終点の検出において、（プラズ
マ光量）／（反応時間）の函数の二次微分値２ｂの算出
を時間ｔＬを経過した時点より開始し、二次微分値２ｂ
がプラス（＋）から（−）へと変化した時点ｔ□を、エ
ツチング終点として検出する。
本実施例によれば、プラズマ光量の時間に対する二次微
分値の符号の変化でエツチングの終点を検出するので、
次のような効果がある。
分値の符号の変化でエツチングの終点を検出するので、
次のような効果がある。
１１１ エツチングパターンの変更によるエツチング
面積の変化に依存しない終点検出が可能である。
面積の変化に依存しない終点検出が可能である。
（２） バッチ式のドライエツチング装置において。
処理枚数に依存しない終点検出が可能である。
（３）プラズマ光量の検出量ポートもしくは、チャンバ
ーの汚れに依存しない終点検出が可能である。
ーの汚れに依存しない終点検出が可能である。
（４）モニター波形のゲイン調整、オフセクト調整が不
用である。
用である。
本発明によれば、エツチングの終了時のモニターするプ
ラズマ光の光量の変化の時間に対する函数を二次微分し
、その二次微分値の正負の符号の変化を調べることによ
って、エツチングの終点を検出できるので、ドライエツ
チングにおけるエツチングの終点を、再現性良（かつ安
定性良く検出できるという効果がある。
ラズマ光の光量の変化の時間に対する函数を二次微分し
、その二次微分値の正負の符号の変化を調べることによ
って、エツチングの終点を検出できるので、ドライエツ
チングにおけるエツチングの終点を、再現性良（かつ安
定性良く検出できるという効果がある。
第１図、第３図は本発明の一実施例であるエツチング時
のプラズマ光の光量をモニターしたグラフ、第２図は第
１因のプラズマ発光量を時間で二次微分したグラフ、第
４図は第３Ｎのプラズマ発光量を時間で二次微分したグ
ラフである。
のプラズマ光の光量をモニターしたグラフ、第２図は第
１因のプラズマ発光量を時間で二次微分したグラフ、第
４図は第３Ｎのプラズマ発光量を時間で二次微分したグ
ラフである。
Claims (1)
- １、発光分光法を用いて終点検出を行なうドライエッチ
ング装置において、エッチングが終了する時点でのモニ
ターするプラズマ光の光量の変化の時間に対する函数の
二次微分値を算出し、その二次微分値が負から正あるい
は正から負に変化した時点をエッチングの終点と判定す
ることを特徴とするエッチングの終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23515685A JPS6295829A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | エツチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23515685A JPS6295829A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | エツチング終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295829A true JPS6295829A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=16981876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23515685A Pending JPS6295829A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | エツチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6149761A (en) * | 1994-12-08 | 2000-11-21 | Sumitomo Metal Industries Limited | Etching apparatus and etching system using the method thereof |
| US6669810B1 (en) | 1994-12-08 | 2003-12-30 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Method for detecting etching endpoint, and etching apparatus and etching system using the method thereof |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23515685A patent/JPS6295829A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6149761A (en) * | 1994-12-08 | 2000-11-21 | Sumitomo Metal Industries Limited | Etching apparatus and etching system using the method thereof |
| US6669810B1 (en) | 1994-12-08 | 2003-12-30 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Method for detecting etching endpoint, and etching apparatus and etching system using the method thereof |
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