JPH0369716B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエーザー光等の記録用ビームによつ
て、所定の基板上に設けられた記録用薄膜に、た
とえば映像や音声なのどアナログ信号をFM変調
したものや、たとえば電子計算機のデータや、フ
アクシミリ信号などのデイジタル情報を、リアイ
タイムで記録することを可能とする記録用部材及
びその製造方法に関するものである。
て、所定の基板上に設けられた記録用薄膜に、た
とえば映像や音声なのどアナログ信号をFM変調
したものや、たとえば電子計算機のデータや、フ
アクシミリ信号などのデイジタル情報を、リアイ
タイムで記録することを可能とする記録用部材及
びその製造方法に関するものである。
近年、基板上に設けられた金属薄膜にレーザー
光等によつて情報の書込みを行なう情報記録方式
が注目されている。この種の記録方式は、レーザ
ー光等の記録用ビームの熱的エネルギーによつ
て、金属薄膜に孔（基板または下地層に達する
穴）または凹部を形成することによつて記録を行
なうものである。凹部よりも孔を形成する方が実
用上利点が多い。
光等によつて情報の書込みを行なう情報記録方式
が注目されている。この種の記録方式は、レーザ
ー光等の記録用ビームの熱的エネルギーによつ
て、金属薄膜に孔（基板または下地層に達する
穴）または凹部を形成することによつて記録を行
なうものである。凹部よりも孔を形成する方が実
用上利点が多い。
情報を光によつてデイスク状記録用部材に記録
する方法の要点を以下に説明する。
する方法の要点を以下に説明する。
第１図に示したように、記録用部材（光デイス
ク）を、回転軸２を中心として高速回転させ、記
録ヘツド３とデイスクの記録膜との距離を一定に
保ち、記録すべき情報に対応してパルス状に変調
されたレーザー光４（電子線などを使用すること
もできる）を記録膜に集光して照射する。第２図
に示したように、照射部分の記録膜５は基板６上
で融解し、温度差による表面張力の差によつて変
形し、一部は蒸発する。変形・蒸発によつて照射
部分の一部で基板が露出すると表面張力によつて
孔が拡大し、孔の周囲には盛上がりが形成され
る。
ク）を、回転軸２を中心として高速回転させ、記
録ヘツド３とデイスクの記録膜との距離を一定に
保ち、記録すべき情報に対応してパルス状に変調
されたレーザー光４（電子線などを使用すること
もできる）を記録膜に集光して照射する。第２図
に示したように、照射部分の記録膜５は基板６上
で融解し、温度差による表面張力の差によつて変
形し、一部は蒸発する。変形・蒸発によつて照射
部分の一部で基板が露出すると表面張力によつて
孔が拡大し、孔の周囲には盛上がりが形成され
る。
上記の記録用薄膜に用い得る実用的な感度を持
つた材料として、従来、たとえばBi、Te、Cdカ
ルコゲンガラス、結晶性カルコゲン化物など多く
の材料が知られている。
つた材料として、従来、たとえばBi、Te、Cdカ
ルコゲンガラス、結晶性カルコゲン化物など多く
の材料が知られている。
しかし、一般にこれらの材料は、単一元素より
成るものでは酸化が起こりやすく、２元素以上よ
りなる膜では膜の製造が容易でなく、同時多源回
転蒸着などの方法もあるが、非結晶の膜では、蒸
着後に常温で結晶化するのを完全に防止するのは
困難であり、結晶化の際粗大な結晶粒が発生する
場合が多い。各結晶粒は結晶軸の向きに依存した
影響を光の偏光面や吸収に与え、結晶軸の向きが
結晶粒毎に異なるため、レーザー光が入射した場
合、透過光や反射光の偏光状態や吸収に及ぼす複
屈折の影響も、結晶粒毎に異なる。このため、再
生信号に大きな雑音を発生する。Teのみの膜よ
りも、TeにSeを添加した膜の方がこの影響が大
きい。また、膜面内に結晶化した部分と、未だ非
晶質である部分とが共存する状態では、結晶部分
と非晶質部分との反射率や透過率が異なるので、
記録および読出しの障害となる。
成るものでは酸化が起こりやすく、２元素以上よ
りなる膜では膜の製造が容易でなく、同時多源回
転蒸着などの方法もあるが、非結晶の膜では、蒸
着後に常温で結晶化するのを完全に防止するのは
困難であり、結晶化の際粗大な結晶粒が発生する
場合が多い。各結晶粒は結晶軸の向きに依存した
影響を光の偏光面や吸収に与え、結晶軸の向きが
結晶粒毎に異なるため、レーザー光が入射した場
合、透過光や反射光の偏光状態や吸収に及ぼす複
屈折の影響も、結晶粒毎に異なる。このため、再
生信号に大きな雑音を発生する。Teのみの膜よ
りも、TeにSeを添加した膜の方がこの影響が大
きい。また、膜面内に結晶化した部分と、未だ非
晶質である部分とが共存する状態では、結晶部分
と非晶質部分との反射率や透過率が異なるので、
記録および読出しの障害となる。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無く
し、製造プロセスが簡単で再現性が良く、かつ長
期間安定な情報の記録用部材及びその製造方法を
提供することにある。
し、製造プロセスが簡単で再現性が良く、かつ長
期間安定な情報の記録用部材及びその製造方法を
提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明の記録用部
材における記録膜は、少なくともTeおよび原子
数パーセントで２パーセント以上35パーセント以
下のSeを含有し、結晶性であるものとする。た
だし記録膜の膜厚方向の全体にわたつて結晶性で
ある必要はなく、非晶質部分が存在してもよい。
材における記録膜は、少なくともTeおよび原子
数パーセントで２パーセント以上35パーセント以
下のSeを含有し、結晶性であるものとする。た
だし記録膜の膜厚方向の全体にわたつて結晶性で
ある必要はなく、非晶質部分が存在してもよい。
本願発明者の実験によれば、Teに適当量のSe
を含有させることにより、半導体レーザによる記
録感度が高く、かつ、Teのみの膜に比べて湿つ
た空気中での安定性が飛躍的に向上した膜を得る
ことができる。Seの膜厚方向の平均含有量の適
当な範囲は、原子数パーセントで２パーセント以
上35パーセント以下の範囲であつて、特に好まし
いのは原子数パーセントで５パーセント以上25パ
ーセント以下の範囲である。Seの含有量は膜厚
方向に一定である必要はない。Seの膜厚方向の
平均含有量が多過ぎると半導体レーザ光に対する
感度が低くなり、Se系の結晶粒による欠陥が発
生しやすい。Seの膜厚方向に平均含有量が少な
過ぎると、Teの、湿つた空気中での酸化が速く
なる。
を含有させることにより、半導体レーザによる記
録感度が高く、かつ、Teのみの膜に比べて湿つ
た空気中での安定性が飛躍的に向上した膜を得る
ことができる。Seの膜厚方向の平均含有量の適
当な範囲は、原子数パーセントで２パーセント以
上35パーセント以下の範囲であつて、特に好まし
いのは原子数パーセントで５パーセント以上25パ
ーセント以下の範囲である。Seの含有量は膜厚
方向に一定である必要はない。Seの膜厚方向の
平均含有量が多過ぎると半導体レーザ光に対する
感度が低くなり、Se系の結晶粒による欠陥が発
生しやすい。Seの膜厚方向に平均含有量が少な
過ぎると、Teの、湿つた空気中での酸化が速く
なる。
TeおよびSe以外に、添加して何らかの効果が
表われる元素は、Sb、Bi、SSi、Ge、Sn、Pb、
Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Au、Ag、Cu、Ni、
Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ、およびTaよりなる群よ
り選ばれた少なくとも１元素である。これらの元
素の合計含有量は45パーセント以下で、Te含有
量は50パーセント以上であるのが好ましい。これ
らの元素の含有量も、膜厚方向に一様でなくても
よい。これらのうちではIn、SnおよびPbが特に
有用であり、光吸収を増し、結晶粒径を小さくし
て雑音発生も抑制する効果がある。膜のクラツク
発生を防止する効果も有る。これらの特に好まし
い含有量は１パーセント以上30パーセント以下の
範囲である。５パーセント以上20パーセント以下
の範囲が、より好ましい。次いで好ましいのは
Biであり、好ましい含有量は１パーセント以上
30パーセント以下である。その他の有用な添加元
素はSbであり、蒸着直後から膜の平坦度が良く
なる。Sbの特に好ましい含有量も１パーセント
以上30パーセント以下の範囲である。Siおよび
Geも膜の平坦度を良くする効果はあるが、真空
蒸着が難しいこと、記録時に孔の内部に残留する
おそれがあることが難点である。含有量は１パー
セント以上５パーセント以下が特に好ましい。
Ga、Zn、およびCdは光吸収を増加させる効果が
あり、特に好ましい含有量は１パーセント以上30
パーセント以下の範囲である。Al、Au、Ag、
Cu、Ni、Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ、およびTaは、
光反射率を高める効果があり、特に好ましい含有
量は１パーセント以上15パーセント以下の範囲で
ある。Ｓは膜の蒸発を容易にする効果があり、特
に好ましい含有量は１パーセント以上15パーセン
ト以下の範囲である。Tlは膜の構造変化を防ぐ
効果があり、特に好ましい含有量は１パーセント
以上10パーセント以下の範囲である。これらの
他、Mn、Ti、Ｖ、Zr、Nb、およびFeのうちの
少なくとも一元素が少量含まれても特に顕著な性
質の変化は無い。TeおよびSeのみより形成した
膜を、上記のような他元素を添加したものと比較
した時の長所は、膜形成が容易で、低価格にでき
ることである。
表われる元素は、Sb、Bi、SSi、Ge、Sn、Pb、
Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Au、Ag、Cu、Ni、
Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ、およびTaよりなる群よ
り選ばれた少なくとも１元素である。これらの元
素の合計含有量は45パーセント以下で、Te含有
量は50パーセント以上であるのが好ましい。これ
らの元素の含有量も、膜厚方向に一様でなくても
よい。これらのうちではIn、SnおよびPbが特に
有用であり、光吸収を増し、結晶粒径を小さくし
て雑音発生も抑制する効果がある。膜のクラツク
発生を防止する効果も有る。これらの特に好まし
い含有量は１パーセント以上30パーセント以下の
範囲である。５パーセント以上20パーセント以下
の範囲が、より好ましい。次いで好ましいのは
Biであり、好ましい含有量は１パーセント以上
30パーセント以下である。その他の有用な添加元
素はSbであり、蒸着直後から膜の平坦度が良く
なる。Sbの特に好ましい含有量も１パーセント
以上30パーセント以下の範囲である。Siおよび
Geも膜の平坦度を良くする効果はあるが、真空
蒸着が難しいこと、記録時に孔の内部に残留する
おそれがあることが難点である。含有量は１パー
セント以上５パーセント以下が特に好ましい。
Ga、Zn、およびCdは光吸収を増加させる効果が
あり、特に好ましい含有量は１パーセント以上30
パーセント以下の範囲である。Al、Au、Ag、
Cu、Ni、Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ、およびTaは、
光反射率を高める効果があり、特に好ましい含有
量は１パーセント以上15パーセント以下の範囲で
ある。Ｓは膜の蒸発を容易にする効果があり、特
に好ましい含有量は１パーセント以上15パーセン
ト以下の範囲である。Tlは膜の構造変化を防ぐ
効果があり、特に好ましい含有量は１パーセント
以上10パーセント以下の範囲である。これらの
他、Mn、Ti、Ｖ、Zr、Nb、およびFeのうちの
少なくとも一元素が少量含まれても特に顕著な性
質の変化は無い。TeおよびSeのみより形成した
膜を、上記のような他元素を添加したものと比較
した時の長所は、膜形成が容易で、低価格にでき
ることである。
記録膜の形成方法は、真空蒸着またはガス中蒸
着法、中でも時に実施例で述べるような同時多源
回転蒸着法が好ましい。この他スパツタリングな
ど他の既知の薄膜形成方法を用いることも可能で
ある。また、有機物の同時多源回転蒸着法などに
よつてTeを主成分とする部分を有する複合膜と
することによつて高感度化することも可能であ
る。
着法、中でも時に実施例で述べるような同時多源
回転蒸着法が好ましい。この他スパツタリングな
ど他の既知の薄膜形成方法を用いることも可能で
ある。また、有機物の同時多源回転蒸着法などに
よつてTeを主成分とする部分を有する複合膜と
することによつて高感度化することも可能であ
る。
記録膜の組成と蒸着条件によつては、膜形成直
後から結晶性ともなり得るが、膜形成直後は非晶
質であり、形成後に熱処理によつて結晶化させる
と、膜の凹凸や欠陥が少ない場合もある。熱処理
温度は40℃〜70℃が好ましい。熱処理時間は、膜
の組成にもよるが、40℃のときは３〜４日程度、
70℃のときは１〜２時間が必要である。
後から結晶性ともなり得るが、膜形成直後は非晶
質であり、形成後に熱処理によつて結晶化させる
と、膜の凹凸や欠陥が少ない場合もある。熱処理
温度は40℃〜70℃が好ましい。熱処理時間は、膜
の組成にもよるが、40℃のときは３〜４日程度、
70℃のときは１〜２時間が必要である。
本発明の記録膜を被着する基板は、金属、ガラ
ス、有機物などのいずれから形成されていてもよ
いし、これらの複合基板であつてもよい。
ス、有機物などのいずれから形成されていてもよ
いし、これらの複合基板であつてもよい。
上記の記録膜と基板との間に中間層を設け、こ
れらの層に光反射率低下、接着性改良、ノイズ低
減などの働きをさせてもよい。記録時には、この
中間層にも孔が形成されたり、光学的性質が変化
したりの変化が起つてもよいし、起こらなくても
よい。特に、中間層としてBiを主成分とする層
を設けると、ノイズ低減の効果がある。すなわ
ち、Teを主成分とする記録膜は、結晶粒の偏光
状態や吸収への影響によつてノイズが発生しやす
いが、Bi層はこれらによるノイズは極めて小さ
い。従つて、基板側から読出しを行なう場合にノ
イズを低減することができる。Bi層は、単独で
記録膜とした場合は酸化しやすく、安定性が悪い
が、Teを主成分とする膜に覆われていることに
より、安定性の問題は改善される。Seを主成分
とする膜で覆われている場合のように、SeとBi
の反応や酸素の透過で、光透過率が上がることも
無い。Bi層にもSeを含有させると、さらに安定
性が向上する。Seの代わりにSbを添加しても効
果がある。基板表面に有機物を用いた場合、基板
側からの水分や酸素の侵入も問題となるので、基
板側に向かつてSeやSbの含有量を増加させ、基
板との界面にSeやSbを多量に含有させれば、効
果がある。Biを主成分とする中間層には、記録
時に孔があく。Biを主成分とする中間層のSeま
たはSbの含有量は、原子数パーセントで２％以
上35％以下の範囲が好ましい。この層は通常、結
晶性である。Biに次いで中間層に適しているの
はSnおよびPbである。また、厚さ１〜100Åの
Cr層は接着性改良効果が高い。中間層と記録膜
との界面では、組成が連続的に変化していてもよ
い。
れらの層に光反射率低下、接着性改良、ノイズ低
減などの働きをさせてもよい。記録時には、この
中間層にも孔が形成されたり、光学的性質が変化
したりの変化が起つてもよいし、起こらなくても
よい。特に、中間層としてBiを主成分とする層
を設けると、ノイズ低減の効果がある。すなわ
ち、Teを主成分とする記録膜は、結晶粒の偏光
状態や吸収への影響によつてノイズが発生しやす
いが、Bi層はこれらによるノイズは極めて小さ
い。従つて、基板側から読出しを行なう場合にノ
イズを低減することができる。Bi層は、単独で
記録膜とした場合は酸化しやすく、安定性が悪い
が、Teを主成分とする膜に覆われていることに
より、安定性の問題は改善される。Seを主成分
とする膜で覆われている場合のように、SeとBi
の反応や酸素の透過で、光透過率が上がることも
無い。Bi層にもSeを含有させると、さらに安定
性が向上する。Seの代わりにSbを添加しても効
果がある。基板表面に有機物を用いた場合、基板
側からの水分や酸素の侵入も問題となるので、基
板側に向かつてSeやSbの含有量を増加させ、基
板との界面にSeやSbを多量に含有させれば、効
果がある。Biを主成分とする中間層には、記録
時に孔があく。Biを主成分とする中間層のSeま
たはSbの含有量は、原子数パーセントで２％以
上35％以下の範囲が好ましい。この層は通常、結
晶性である。Biに次いで中間層に適しているの
はSnおよびPbである。また、厚さ１〜100Åの
Cr層は接着性改良効果が高い。中間層と記録膜
との界面では、組成が連続的に変化していてもよ
い。
中間層の膜圧は、１Å以上3000Å以下の範囲が
好ましく、中間層まで孔が形成される場合は１Å
以上350Å以下の範囲が好ましい。Biを主成分と
する層の場合は、50Å以上300Å以下の範囲が特
に好ましい。
好ましく、中間層まで孔が形成される場合は１Å
以上350Å以下の範囲が好ましい。Biを主成分と
する層の場合は、50Å以上300Å以下の範囲が特
に好ましい。
記録膜の膜厚は、中間層にも孔があく場合は中
間層の膜厚も含めて250Å以上600Å以下の範囲が
特に好ましい。
間層の膜厚も含めて250Å以上600Å以下の範囲が
特に好ましい。
記録膜上に直接密着して保護膜を形成する場合
には、記録膜の膜厚は30Å以上200Å以下の範囲
が好ましい。保護膜としては、有機物、酸化物、
カルコゲン化物などが使用可能である。
には、記録膜の膜厚は30Å以上200Å以下の範囲
が好ましい。保護膜としては、有機物、酸化物、
カルコゲン化物などが使用可能である。
本発明の記録用部材は、照射するレーザ光のス
ポツト直径が0.5μｍ以上2μｍ以下、記録する孔の
短径が0.5μｍ以上1.5μｍ以下の場合に特に効果が
ある。
ポツト直径が0.5μｍ以上2μｍ以下、記録する孔の
短径が0.5μｍ以上1.5μｍ以下の場合に特に効果が
ある。
以下に本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
直径30cm厚さ1.1mmのドーナツ状化学強化ガラ
スの表面に紫外線硬化樹脂によつてトラツキング
用の溝のレプリカを形成した基板７を第３図に示
したような内部構造の真空蒸着装置中に配置し
た。蒸着装置中には、３つの蒸着用ボート８，
９，１０が配置されている。これらのボートの位
置は、デイスクに情報を記録しようとする部分の
下であつて、デイスク回転の中心軸１１と中心を
同一にする円周上にほぼ位置する。これらのボー
トは、いずれも、蒸着原料の液滴または小塊が飛
んで基板に付着するのを防ぐため、蒸着基板の、
蒸着膜が着く場所から、直接蒸着原料が見えない
構造になつている。３つのボートのうち２つに、
それぞれ、TeおよびSeを入れた。ボートと基板
との間には、扇形のスリツトを持つマスク１２，
１３，１４とシヤツター１５，１６，１７が配置
されている。スリツトの扇形の開き角は約12度と
した。基板を12rpmで回転させておいて、各ボー
トに電流を流し、各ボート中の蒸着原料を蒸発さ
せた。各ボートからの蒸発量は水晶振動子式膜厚
モニター１８，１９，２０で検出し、蒸発速度が
一定になるようにボートに流す電流を制御した。
TeとSeの蒸発量の比は、蒸着膜内の原子数比で
80：20となるようにした。両方のボートのシヤツ
ターを同時に全開とし、膜厚が約300Åにたつた
時に同時に閉じた。このようにして形成した蒸着
膜は、そのままでも原子配列の規則性がかなりあ
るが、60℃で約24時間加熱して結晶化を進めた。
スの表面に紫外線硬化樹脂によつてトラツキング
用の溝のレプリカを形成した基板７を第３図に示
したような内部構造の真空蒸着装置中に配置し
た。蒸着装置中には、３つの蒸着用ボート８，
９，１０が配置されている。これらのボートの位
置は、デイスクに情報を記録しようとする部分の
下であつて、デイスク回転の中心軸１１と中心を
同一にする円周上にほぼ位置する。これらのボー
トは、いずれも、蒸着原料の液滴または小塊が飛
んで基板に付着するのを防ぐため、蒸着基板の、
蒸着膜が着く場所から、直接蒸着原料が見えない
構造になつている。３つのボートのうち２つに、
それぞれ、TeおよびSeを入れた。ボートと基板
との間には、扇形のスリツトを持つマスク１２，
１３，１４とシヤツター１５，１６，１７が配置
されている。スリツトの扇形の開き角は約12度と
した。基板を12rpmで回転させておいて、各ボー
トに電流を流し、各ボート中の蒸着原料を蒸発さ
せた。各ボートからの蒸発量は水晶振動子式膜厚
モニター１８，１９，２０で検出し、蒸発速度が
一定になるようにボートに流す電流を制御した。
TeとSeの蒸発量の比は、蒸着膜内の原子数比で
80：20となるようにした。両方のボートのシヤツ
ターを同時に全開とし、膜厚が約300Åにたつた
時に同時に閉じた。このようにして形成した蒸着
膜は、そのままでも原子配列の規則性がかなりあ
るが、60℃で約24時間加熱して結晶化を進めた。
上記のようにして形成した膜への記録は次のよ
うにして行なつた。記録膜を蒸着したデイスクを
600rpmで回転させ、半導体レーザ（波長8300Å）
の光を記録が行なわれないレベルに保つて記録ヘ
ツド中のレンズで集光して基板側からデイスクに
照射し、反射光を検出することによつて、トラツ
キング用を溝の中心と光スポツトの中心が常に一
致するようにヘツドを駆動した。このようにトラ
ツキングを行ないながら、さらに記録膜上に焦点
が来るように自動焦点合わせを行ない、レーザパ
ワーを情報信号に従つて強めたり元のレベルに戻
したりすることによつて記録を行なつた。また、
必要に応じて別の溝にジヤンプして記録を行なつ
た。記録、記録膜に、基板まで達する直径約0.8μ
ｍの孔が形成されることによつて行なわれた。
うにして行なつた。記録膜を蒸着したデイスクを
600rpmで回転させ、半導体レーザ（波長8300Å）
の光を記録が行なわれないレベルに保つて記録ヘ
ツド中のレンズで集光して基板側からデイスクに
照射し、反射光を検出することによつて、トラツ
キング用を溝の中心と光スポツトの中心が常に一
致するようにヘツドを駆動した。このようにトラ
ツキングを行ないながら、さらに記録膜上に焦点
が来るように自動焦点合わせを行ない、レーザパ
ワーを情報信号に従つて強めたり元のレベルに戻
したりすることによつて記録を行なつた。また、
必要に応じて別の溝にジヤンプして記録を行なつ
た。記録、記録膜に、基板まで達する直径約0.8μ
ｍの孔が形成されることによつて行なわれた。
読出しは次のようにして行なつた。デイスクを
600rpmで回転させ、記録時と同じようにトラツ
キングと自動焦点合わせを行ないながら、記録さ
れないようなレーザパワーで反射光の強弱を検出
し、情報を再生した。本実施例では約５×10-6の
エラーレイトを得られた。
600rpmで回転させ、記録時と同じようにトラツ
キングと自動焦点合わせを行ないながら、記録さ
れないようなレーザパワーで反射光の強弱を検出
し、情報を再生した。本実施例では約５×10-6の
エラーレイトを得られた。
同じ膜厚のTeのみよりなる蒸着膜では、60℃
湿度90％以上の環境中で１週間で透過率が60％を
越したのに対して、本実施例の記録膜では、同じ
環境中で１カ月を経過しても透過率は20％以下の
ほぼ一定値を保持した。
湿度90％以上の環境中で１週間で透過率が60％を
越したのに対して、本実施例の記録膜では、同じ
環境中で１カ月を経過しても透過率は20％以下の
ほぼ一定値を保持した。
本実施例の記録膜の膜厚を厚い方に変化させた
時、エラーレイトは次のように変化した（〜はお
よその値であることを示す。） 500Å：〜８×10-6 600Å：〜１×10-5 1000Å：〜１×10-4 このように、膜厚が厚いとエラーレイトが大き
く（悪く）なるのは、孔の周囲に盛上がりが大き
くなり、孔と孔の間隙が小さくなつて正常な読出
しが行なわれないためである。また、膜厚が厚い
と感度が低下して記録困難であつた。
時、エラーレイトは次のように変化した（〜はお
よその値であることを示す。） 500Å：〜８×10-6 600Å：〜１×10-5 1000Å：〜１×10-4 このように、膜厚が厚いとエラーレイトが大き
く（悪く）なるのは、孔の周囲に盛上がりが大き
くなり、孔と孔の間隙が小さくなつて正常な読出
しが行なわれないためである。また、膜厚が厚い
と感度が低下して記録困難であつた。
一方、膜厚が薄いと、ピンホールが発生しやす
く、時間の経過とともにエラーレイトが大きくな
る。また、部分的な膜の酸化の影響も大きい。蒸
着後常温清浄空気中に６カ月保存後のエラーレイ
トは 250Å：〜１×10-5 200Å：〜１×10-4 150Å：〜５×10-4 となつた。
く、時間の経過とともにエラーレイトが大きくな
る。また、部分的な膜の酸化の影響も大きい。蒸
着後常温清浄空気中に６カ月保存後のエラーレイ
トは 250Å：〜１×10-5 200Å：〜１×10-4 150Å：〜５×10-4 となつた。
Se含有量を変化させた時、25℃湿度約90％の
清浄環境中に３カ月保存後のエラーレイトは次の
ようになつた。
清浄環境中に３カ月保存後のエラーレイトは次の
ようになつた。
1％：〜１×10-4 2％：〜１×10-5
5％：〜７×10-6 25％：〜７×10-6
35％：〜１×10-5 50％：〜１×10-4
Se含有量が35％を越えると結晶粒による欠陥
が発生し、また光吸収が不十分になつて記録困難
であつた。Se含有量が２％未満ではTeの酸化の
ために光吸収が不十分になつて、やはり記録困難
であつた。
が発生し、また光吸収が不十分になつて記録困難
であつた。Se含有量が２％未満ではTeの酸化の
ために光吸収が不十分になつて、やはり記録困難
であつた。
実際にデイスクを使用する場合には、第４図に
断面構造を示したように、記録膜２３側にスペー
サー２１，２２を挾んで基板７と同じ化学強化ガ
ラス２４を接着し、塵埃の付着などを防止した。
上記の新たに貼り付ける基板にもトラツキング用
の溝のレプリカと記録膜２５を着けておけば、両
面に記録することができる。上記の接着は、市販
の接着剤を用いてもよく、特に無溶剤タイプの接
着剤（エポキシ系など）を用いると記録膜に障害
を与えないが、紫外線硬化性の接着剤を用いるの
も、能率がよくて好ましい。このような構造とし
ても、接着剤が透湿性を持つため、記録膜として
酸化しにくいものを用いることは必要である。
断面構造を示したように、記録膜２３側にスペー
サー２１，２２を挾んで基板７と同じ化学強化ガ
ラス２４を接着し、塵埃の付着などを防止した。
上記の新たに貼り付ける基板にもトラツキング用
の溝のレプリカと記録膜２５を着けておけば、両
面に記録することができる。上記の接着は、市販
の接着剤を用いてもよく、特に無溶剤タイプの接
着剤（エポキシ系など）を用いると記録膜に障害
を与えないが、紫外線硬化性の接着剤を用いるの
も、能率がよくて好ましい。このような構造とし
ても、接着剤が透湿性を持つため、記録膜として
酸化しにくいものを用いることは必要である。
記録用薄膜上に直接密着して、パラフイン、
SiO、GeO2、Sb2S2などの有機物、酸化物、硫化
物などよりなる保護膜を形成した場合には、記録
膜の膜厚を200Å以下としないと記録原信号に充
分忠実な記録が困難であり、30Å以上としないと
経時変化が極めて大きかつた。
SiO、GeO2、Sb2S2などの有機物、酸化物、硫化
物などよりなる保護膜を形成した場合には、記録
膜の膜厚を200Å以下としないと記録原信号に充
分忠実な記録が困難であり、30Å以上としないと
経時変化が極めて大きかつた。
実施例 ２
直径30cm、厚さ1.1mmのドーナツ状化学強化ガ
ラスの表面に紫外線硬化樹脂によつてトラツキン
グ用の溝のレプリカを形成した基板１を、第１図
に示したような内部構造の真空蒸着装置中に配置
した。蒸着装置内の３つの蒸着用ボートには、
Te、Se、およびInを入れた。基板を120rpmで回
転させておいて各ボートに電流を流し、各ボート
中の蒸着原料を蒸発させた。各ボートからの蒸発
量は水晶振動子式膜厚モニターで検出し、蒸発速
度が一定になるようにボートに流す電流を制御し
た。TeとSeとInの蒸着量の比は、80：10：10と
した。
ラスの表面に紫外線硬化樹脂によつてトラツキン
グ用の溝のレプリカを形成した基板１を、第１図
に示したような内部構造の真空蒸着装置中に配置
した。蒸着装置内の３つの蒸着用ボートには、
Te、Se、およびInを入れた。基板を120rpmで回
転させておいて各ボートに電流を流し、各ボート
中の蒸着原料を蒸発させた。各ボートからの蒸発
量は水晶振動子式膜厚モニターで検出し、蒸発速
度が一定になるようにボートに流す電流を制御し
た。TeとSeとInの蒸着量の比は、80：10：10と
した。
３つのボートのシヤツターを同時に開け、膜厚
が約350Åになつた時に同時に閉じた。このよう
にして形成した蒸着膜は、60℃で約24時間加熱し
て結晶化を進めた。
が約350Åになつた時に同時に閉じた。このよう
にして形成した蒸着膜は、60℃で約24時間加熱し
て結晶化を進めた。
上記のようにして形成した膜への記録は次のよ
うにして行なつた。記憶膜を蒸着したデイスクを
600rpmで回転させ、半導体レーザ（波長8300Å）
の光を、パワーを記録が行なわれないレベルに保
つて記録ヘツド中のレンズで集光して基板側から
デイスクに照射し、反射光を検出することによつ
てトラツキング用の溝の中心と光スポツトの中心
が常に一致するようにヘツドを駆動した。このよ
うにトラツキングを行ないながら、さらに記録膜
上に焦点が来るように自動焦点合わせを行ない、
レーザパワーを情報信号に従つて強めたり元のレ
ベルに戻したりすることによつて記録を行なつ
た。また、必要に応じて別の溝にジヤンプして記
録を行なつた。記録は、記録膜に、基板まで達成
する直径約0.8μｍの孔が形成されることによつて
行なわれた。
うにして行なつた。記憶膜を蒸着したデイスクを
600rpmで回転させ、半導体レーザ（波長8300Å）
の光を、パワーを記録が行なわれないレベルに保
つて記録ヘツド中のレンズで集光して基板側から
デイスクに照射し、反射光を検出することによつ
てトラツキング用の溝の中心と光スポツトの中心
が常に一致するようにヘツドを駆動した。このよ
うにトラツキングを行ないながら、さらに記録膜
上に焦点が来るように自動焦点合わせを行ない、
レーザパワーを情報信号に従つて強めたり元のレ
ベルに戻したりすることによつて記録を行なつ
た。また、必要に応じて別の溝にジヤンプして記
録を行なつた。記録は、記録膜に、基板まで達成
する直径約0.8μｍの孔が形成されることによつて
行なわれた。
読出しは次のようにして行なつた。デイスクを
600rpmで回転させ、記録時と同じようにトラキ
ングと自動焦点合わせを行ないながら、記録され
ないようなレーザパワーで反射光の強弱を検出
し、情報を再生した。本実施例では約２×10-6の
エラーレイトが得られた。同じ膜厚のTeのみよ
りなる蒸着膜では、60℃湿度90％以上の環境中で
１週間で透過率が60％を越したのに対して、本実
施例の記録膜では、同じ環境中で３週間を経過し
ても、透過率は15％以下のほぼ一定値を保持し
た。
600rpmで回転させ、記録時と同じようにトラキ
ングと自動焦点合わせを行ないながら、記録され
ないようなレーザパワーで反射光の強弱を検出
し、情報を再生した。本実施例では約２×10-6の
エラーレイトが得られた。同じ膜厚のTeのみよ
りなる蒸着膜では、60℃湿度90％以上の環境中で
１週間で透過率が60％を越したのに対して、本実
施例の記録膜では、同じ環境中で３週間を経過し
ても、透過率は15％以下のほぼ一定値を保持し
た。
Se含有量を変化させた時、25℃湿度90％の清
浄環境中に３カ月保存後のエラーレイトは次のよ
うになつた。
浄環境中に３カ月保存後のエラーレイトは次のよ
うになつた。
1％：〜３×10-4 2％：〜１×10-5
5％：〜５×10-6 25％：〜５×10-6
35％：〜１×10-5 40％：〜３×10-5
45％：〜１×10-4
In−Te−Se膜を25℃、湿度90％の清浄環境中
に３カ月保存後のエラーレイトは、Te含有量を
変化させた時、次のようになつた。
に３カ月保存後のエラーレイトは、Te含有量を
変化させた時、次のようになつた。
45％：〜２×10-5 50％：〜１×10-5
60％：〜４×10-6 80％：〜２×10-6
90％：〜４×10-6 98％：〜１×10-5
これらのデータをプロツトした線図を第７図に
示す。
示す。
In含有量を変化させた時、25℃湿度90％の清浄
環境中に３カ月保存後のエラーレイトは次のよう
になつた。
環境中に３カ月保存後のエラーレイトは次のよう
になつた。
0.5％：〜６×10-6 1％：〜３×10-6
30 ％：〜３×10-6 35％：〜６×10-6
40 ％：〜１×10-5 45％：〜１×10-4
50 ％：〜４×10-4
In含有量が多過ぎた場合には膜が酸化しやすく
なり、エラーレイトが大きくなつた。さらに、In
含有量が５％以上20％以下の範囲では、Inを含有
しない場合に比べて、ビデオ信号を記録した場合
のSN比に5dB以上の改善が見られた。
なり、エラーレイトが大きくなつた。さらに、In
含有量が５％以上20％以下の範囲では、Inを含有
しない場合に比べて、ビデオ信号を記録した場合
のSN比に5dB以上の改善が見られた。
Inの代わりに他の元素を用いた時、次の組成範
囲で良好なエラーレイトが得られた。
囲で良好なエラーレイトが得られた。
Sn、Pb：１〜30％
これらはInとほぼ同等の効果が得られた。
Bi、Sb：１〜30％ Si、Ge：１〜５％
Ga、Zn、Cd：１〜30％
Al、Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Rh、Cr、Mo、
Ｗ：１〜15％ Ｓ：１〜15％ Tl：１〜10％ Ag−Te−Se膜を25℃、湿度90％の清浄環境中
に３カ月保存後のエラーレイトは、Ag含有量を
変化させた時、次のようになつた。
Ｗ：１〜15％ Ｓ：１〜15％ Tl：１〜10％ Ag−Te−Se膜を25℃、湿度90％の清浄環境中
に３カ月保存後のエラーレイトは、Ag含有量を
変化させた時、次のようになつた。
1％：〜３×10-6 5％：〜2.5×10-6
15％：〜３×10-6 40％：〜１×10-5
これらのデータをプロツトした線図を第９図に
示す。
示す。
本実施例の最初に述べたTe−Se−In記録膜の、
膜厚を厚い方に変化させた時、エラーレイトは次
のように変化した。
膜厚を厚い方に変化させた時、エラーレイトは次
のように変化した。
500Å：〜５×10-6 600Å：〜１×10-5
1000Å：〜１×10-4
このように膜厚が厚いとエラーレイトが大きく
（悪く）なるのは、孔の周囲の盛上がりが大きく
なり、孔と孔の間隙が小さくなつて正常な読出し
が行なわれないためである。また、膜厚が厚いと
感度が低下して記録困難であつた。
（悪く）なるのは、孔の周囲の盛上がりが大きく
なり、孔と孔の間隙が小さくなつて正常な読出し
が行なわれないためである。また、膜厚が厚いと
感度が低下して記録困難であつた。
一方、膜厚が薄いとピンホールが発生しやす
く、時間の経過とともにエラーレイトが大きくな
る。また、部分的膜の酸化の影響も大きい。蒸着
後常温清浄空気中に６カ月保存後のエラーレイト
は 250Å：〜１×10-5，200Å：〜１×10-4 150Å：〜３×10-4 であつた。
く、時間の経過とともにエラーレイトが大きくな
る。また、部分的膜の酸化の影響も大きい。蒸着
後常温清浄空気中に６カ月保存後のエラーレイト
は 250Å：〜１×10-5，200Å：〜１×10-4 150Å：〜３×10-4 であつた。
記録膜上に密着保護膜を着ける場合の最適膜厚
の変化などは、実施例１と同様である。
の変化などは、実施例１と同様である。
Inのかわりにパラフインを蒸着して有機物と
Te−Seの複合膜とした場合は、1.2倍以上の感度
の向上がみられた。この場合TeとSeの比率が本
発明の範囲内にあれば、パラフインの含有量は45
％を越しても、In等の場合ほど大きな特性の低下
は見られなかつた。
Te−Seの複合膜とした場合は、1.2倍以上の感度
の向上がみられた。この場合TeとSeの比率が本
発明の範囲内にあれば、パラフインの含有量は45
％を越しても、In等の場合ほど大きな特性の低下
は見られなかつた。
実施例 ３
実施例１と同様な基板を、実施例１と同様な蒸
着装置内に入れた。蒸着装置内の３つの蒸着用ボ
ートには、Te、Se、およびBiを入れた。基板を
120rpmで回転させておいてまずBiを入れたボー
トとSeを入れたボートに電流を流し、両ボート
上のシヤツターの開き角を調整して、第５図のよ
うなSe含有量分布（原子数パーセント）とした。
ここまでの膜厚は約120nｍとした。続いてTeを
入れたボートとSeを入れたボートに電流を流し、
両ボート上のシヤツターの開き角を調整して第５
図のようなSe含有量分布とし、蒸着を終了した。
全体の膜厚は約38nｍとした。
着装置内に入れた。蒸着装置内の３つの蒸着用ボ
ートには、Te、Se、およびBiを入れた。基板を
120rpmで回転させておいてまずBiを入れたボー
トとSeを入れたボートに電流を流し、両ボート
上のシヤツターの開き角を調整して、第５図のよ
うなSe含有量分布（原子数パーセント）とした。
ここまでの膜厚は約120nｍとした。続いてTeを
入れたボートとSeを入れたボートに電流を流し、
両ボート上のシヤツターの開き角を調整して第５
図のようなSe含有量分布とし、蒸着を終了した。
全体の膜厚は約38nｍとした。
記録および読出しは実施例１と同様にして行な
つた。記憶時には基板に達する孔が形成された。
つた。記憶時には基板に達する孔が形成された。
本実施例では、ビデオ信号を記録して読出しを
行なつた場合、約40dBのSN比が得られた。
行なつた場合、約40dBのSN比が得られた。
基板付近にSe含有量の特に多い部分を設けな
かつた場合、記録感度が約20％低下するまでの日
数が約半分となつた。
かつた場合、記録感度が約20％低下するまでの日
数が約半分となつた。
BiおよびSeを含む中間層の膜厚を変化させた
時、SN比は次のように変化した。ただし、全体
の膜厚は一定となるようにした。
時、SN比は次のように変化した。ただし、全体
の膜厚は一定となるようにした。
30Å：〜30dB 50Å：〜35dB
80Å：〜38dB 250Å：〜38dB
300Å：〜35dB 350Å：〜30dB
膜厚方向の各部分の膜厚比を一定に保つて全体
の膜厚を変化させた場合、エラーレイトの変化は
実施例１と同様であつた。
の膜厚を変化させた場合、エラーレイトの変化は
実施例１と同様であつた。
中間層中のSe量が少な過ぎる場合は酸化によ
つて、多過ぎる場合は化合物形成によつて透過率
が上がり、記録感度の劣化が見られた。適当な
Se量の範囲は、Teを主成分とする記録膜におけ
るとほぼ同じで２〜35％である。従つて、中間層
と記録膜の両方を含む全体の好ましいSe含有量
も、２％以上35％以下の範囲である。中間層の
Seは、Sbで置換えても同様な酸化防止効果が見
られた。この場合、Sb量が35％を越すと、反射
率と融点の上昇のために感度の劣下とSN比の劣
下が著しくなつた。
つて、多過ぎる場合は化合物形成によつて透過率
が上がり、記録感度の劣化が見られた。適当な
Se量の範囲は、Teを主成分とする記録膜におけ
るとほぼ同じで２〜35％である。従つて、中間層
と記録膜の両方を含む全体の好ましいSe含有量
も、２％以上35％以下の範囲である。中間層の
Seは、Sbで置換えても同様な酸化防止効果が見
られた。この場合、Sb量が35％を越すと、反射
率と融点の上昇のために感度の劣下とSN比の劣
下が著しくなつた。
第１図は本発明の記録用部材に記録を行なう方
法の概略を示す図、第２図は本発明の記録用部材
に孔を形成して記録が行なわれた状態を示す図、
第３図は本発明の記録用部材を真空蒸着する蒸着
装置内の構造を示す図、第４図は本発明の記録用
部材の断面構造を示す図、第５図は本発明の一実
施例である記録膜の膜厚方向の組成分布を示す
図、第６図はIn−Te−Se膜における25℃湿度90
％で３カ月保存後のSe含有量とエラーレイトの
関係を示す線図、第７図はIn−Te−Se膜におけ
る25℃、湿度90％で３カ月保存後のTe含有量と
エラーレイトの関係を示す線図、第８図はIn−
Te−Se膜における25℃、湿度90％で３カ月保存
後のIn含有量とエラーレイトの関係を示す線図、
第９図はAg−Te−Se膜における25℃、湿度90％
で３カ月保存後のAg含有量とエラーレイトの関
係を示す線図である。 １……記録部材、２……回転軸、３……記録ヘ
ツド、４……レーザー光、５……記録膜（薄膜）、
６……基板、７……トラツキング用の溝のレプリ
カを形成した基板、８，９，１０……蒸着用ボー
ト、１１……中心軸、１２，１３，１４……マス
ク、１５，１６，１７……シヤツター、１８，１
９，２０……膜厚モニター、２１，２２……スペ
ーサー、２３，２５……記録膜、２４……化学強
化ガラス。
法の概略を示す図、第２図は本発明の記録用部材
に孔を形成して記録が行なわれた状態を示す図、
第３図は本発明の記録用部材を真空蒸着する蒸着
装置内の構造を示す図、第４図は本発明の記録用
部材の断面構造を示す図、第５図は本発明の一実
施例である記録膜の膜厚方向の組成分布を示す
図、第６図はIn−Te−Se膜における25℃湿度90
％で３カ月保存後のSe含有量とエラーレイトの
関係を示す線図、第７図はIn−Te−Se膜におけ
る25℃、湿度90％で３カ月保存後のTe含有量と
エラーレイトの関係を示す線図、第８図はIn−
Te−Se膜における25℃、湿度90％で３カ月保存
後のIn含有量とエラーレイトの関係を示す線図、
第９図はAg−Te−Se膜における25℃、湿度90％
で３カ月保存後のAg含有量とエラーレイトの関
係を示す線図である。 １……記録部材、２……回転軸、３……記録ヘ
ツド、４……レーザー光、５……記録膜（薄膜）、
６……基板、７……トラツキング用の溝のレプリ
カを形成した基板、８，９，１０……蒸着用ボー
ト、１１……中心軸、１２，１３，１４……マス
ク、１５，１６，１７……シヤツター、１８，１
９，２０……膜厚モニター、２１，２２……スペ
ーサー、２３，２５……記録膜、２４……化学強
化ガラス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、該基板上に直接もしくは中間層を介
して形成され、記録用ビームの照射をうけて凹部
又は孔部を形成する薄膜とを有する情報の記録用
部材において、上記薄膜が一般式 SexTeyMz（ただしｘ、ｙ、ｚは、それぞれ0.02
ｘ0.35、 0.50ｙ0.98及び０ｚ0.40の範囲の値であ
り、Ｍは、Sb、Bi、Ｓ、Sn、Pb、Al、In、Au、
Ag、Cu、Ni、Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ及びTaか
らなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表
わす）で表わされる組成を有する結晶性薄膜であ
ることを特徴とする情報の記録用部材。 ２ 上記ｘの値が0.05ｘ0.25の範囲の値であ
る特許請求の範囲第１項記載の情報の記録用部
材。 ３ 上記ｚの値が０である特許請求の範囲第１項
記載の情報の記録用部材。 ４ 上記一般式のＭがIn、Pb及びSnからなる群
より選ばれた少なくとも一種の元素である特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の情報の記録用部
材。 ５ 上記ｚの値が0.01ｚ0.30の範囲の値であ
る特許請求の範囲第４項記載の情報の記録用部
材。 ６ 上記一般式のＭがSb及びBiからなる群から
選ばれた少なくとも一種の元素である特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の情報の記録用部材。 ７ 上記ｚの値が0.01ｚ0.30の範囲の値であ
る特許請求の範囲第６項記載の情報の記録用部
材。 ８ 上記一般式のＭがAl、Au、Ag、Cu、Ni、
Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ及びTaからなる群から選
ばれた少なくとも一種の元素である特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の情報の記録用部材。 ９ 上記ｚの値が0.01ｚ0.15の範囲の値であ
る特許請求の範囲第８項記載の情報の記録用部
材。 １０ 上記一般式のＭがＳである特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の情報の記録用部材。 １１ 上記ｚの値が0.01ｚ0.15の範囲の値で
ある特許請求の範囲第１０項記載の情報の記録用
部材。 １２ 上記薄膜の膜厚が30〜600Åの範囲である
特許請求の範囲第１項から第１１項までのいずれ
かに記載の情報の記録用部材。 １３ 上記薄膜の厚みが250〜600Åの範囲である
特許請求の範囲第１２項記載の情報の記録用部
材。 １４ 上記薄膜の上にさらに保護膜が形成されて
なる特許請求の範囲第１項から第１２項までのい
ずれかに記載の情報の記録用部材。 １５ 上記薄膜の厚みが30〜250Åの範囲である
特許請求の範囲第１４項記載の情報の記録用部
材。 １６ 上記薄膜と上記基板との間にさらに中間層
を設けてなる特許請求の範囲第１項から第１５項
までのいずれかに記載の情報の記録用部材。 １７ 上記中間層がBiを主成分とすることを特
徴とする特許請求の範囲第１６項記載の情報の記
録用部材。 １８ 上記中間層がBiを主成分とし、加えてSe
またはSbを含有することを特徴とする特許請求
の範囲第１７項記載の情報の記録用部材。 １９ 上記中間層中のSeまたはSbの含有量が基
板との界面近傍に向かつて増加していることを特
徴とする特許請求の範囲第１８項記載の情報の記
録用部材。 ２０ 上記中間層の平均のSeまたはSb含有量が
原子数パーセントで２パーセント以上35パーセン
ト以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１８項記載の情報の記録用部材。 ２１ 基板と、該基板上に直接もしくは中間層を
介して形成され、記録用ビームの照射をうけて凹
部又は孔部を形成する一般式 SexTeyMz（ただしｘ、ｙ、ｚは、それぞれ0.02
ｘ0.35、 0.50ｙ0.98及び０ｚ0.40の範囲の値であ
り、Ｍは、Sb、Bi、Ｓ、Sn、Pb、Al、In、Au、
Ag、Cu、Ni、Pd、Rh、Cr、Mo、Ｗ及びTaか
らなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表
わす）で表わされる組成を有する薄膜とを有する
記録用部材を加熱し、上記薄膜を結晶化させるこ
とを特徴とする情報の記録用部材の製造方法。 ２２ 上記加熱が40〜70℃の範囲の温度で行なわ
れる特許請求の範囲第２１項記載の情報の記録用
部材の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142911A JPS5766996A (en) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Information recording member and method of preparing thereof |
| CA000387636A CA1160496A (en) | 1980-10-15 | 1981-10-09 | Information recording medium including a crystalling film of a se/te alloy |
| EP81304799A EP0050047B1 (en) | 1980-10-15 | 1981-10-14 | Information recording member and method of fabricating the same |
| DE8181304799T DE3173896D1 (en) | 1980-10-15 | 1981-10-14 | Information recording member and method of fabricating the same |
| US06/311,888 US4434429A (en) | 1980-10-15 | 1981-10-15 | Information recording member and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142911A JPS5766996A (en) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Information recording member and method of preparing thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5766996A JPS5766996A (en) | 1982-04-23 |
| JPH0369716B2 true JPH0369716B2 (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=15326477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55142911A Granted JPS5766996A (en) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Information recording member and method of preparing thereof |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4434429A (ja) |
| EP (1) | EP0050047B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5766996A (ja) |
| CA (1) | CA1160496A (ja) |
| DE (1) | DE3173896D1 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8005693A (nl) * | 1980-10-16 | 1982-05-17 | Philips Nv | Optische registratie schijf. |
| JPS58124693A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-25 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光学記録デイスク |
| NL8203545A (nl) * | 1982-01-12 | 1983-08-01 | Philips Nv | Optische registratieschijf. |
| DE3324551A1 (de) * | 1983-07-07 | 1985-01-17 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur kennzeichnung von halbleiteroberflaechen durch laserstrahlung |
| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
| JPS60112490A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造法 |
| JPS60184885A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS60234248A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-20 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS615989A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| WO1986000744A1 (en) * | 1984-07-06 | 1986-01-30 | Storage Technology Corporation | Optical storage structure |
| JPS6168296A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記緑部材 |
| JPH0829616B2 (ja) * | 1984-10-05 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録用部材 |
| JPS6198597A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS61117746A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Hitachi Ltd | 光デイスク基板 |
| NL8403817A (nl) * | 1984-12-17 | 1986-07-16 | Philips Nv | Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. |
| JPS61152487A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61165842A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0717093B2 (ja) * | 1985-06-07 | 1995-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生デイスク |
| JPS6222249A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録担体およびその製造方法 |
| JPS6235888A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
| DE3675845D1 (de) * | 1985-08-15 | 1991-01-10 | Ibm | Optisches aufzeichnungsverfahren. |
| JPS6273438A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6273439A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| DE3783637D1 (de) * | 1986-04-09 | 1993-03-04 | Hitachi Ltd | Optisches speichermedium und dessen informationsaufzeichnungs- und -loeschmethode und geraet dazu. |
| US4806952A (en) * | 1986-07-04 | 1989-02-21 | Hitachi, Ltd. | Information recording apparatus for recording/reproducing information by irradiating an information recording medium with an energy beam |
| JPS6320738A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録用媒体 |
| JPH02171286A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-02 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| US5268254A (en) * | 1989-02-28 | 1993-12-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5273860A (en) * | 1989-11-24 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
| US5390142A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-14 | Kappa Numerics, Inc. | Memory material and method for its manufacture |
| US5313176A (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-17 | Motorola Lighting, Inc. | Integrated common mode and differential mode inductor device |
| US5718983A (en) * | 1992-10-30 | 1998-02-17 | Kappa Numerics, Inc. | Thin film composite having ferromagnetic and piezoelectric properties comprising a layer of Pb-Cd-Fe and a layer of Cr-Zn-(Te or Tl) |
| AU5455794A (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-22 | Kappa Numerics Inc. | Memory material and method for its manufacture |
| US5470626A (en) * | 1995-02-21 | 1995-11-28 | Eastman Kodak Company | Optical recording layers containing sulfur |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5139125A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-01 | Canon Kk | |
| JPS52140326A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Formation of indented image |
| JPS53141040A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-08 | Hitachi Ltd | Information recording material |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3132584A (en) | 1954-07-26 | 1964-05-12 | Timefax Corp | Planographic master-forming blank and method of manufacture thereof |
| DE1574687B2 (de) | 1968-02-06 | 1978-08-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Aufzeichnungsträger für Informationen |
| DE2439848C2 (de) * | 1973-08-20 | 1985-05-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zum Aufzeichnen mittels eines Laserstrahls |
| US3889272A (en) | 1974-05-30 | 1975-06-10 | Bell Telephone Labor Inc | Metal film recording media for laser writing |
| DE2632122C2 (de) * | 1975-07-18 | 1983-08-18 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Schicht zur Informationsaufzeichnung mittels Laserstrahl |
| JPS5331106A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-24 | Hitachi Ltd | Information recording member |
| JPS5532238A (en) | 1978-08-25 | 1980-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical recorder and reproducing method |
| FR2468971B1 (fr) * | 1978-09-19 | 1985-07-12 | Hitachi Ltd | Organe d'enregistrement d'informations |
| JPS563443A (en) | 1979-06-22 | 1981-01-14 | Hitachi Ltd | Information recording component |
-
1980
- 1980-10-15 JP JP55142911A patent/JPS5766996A/ja active Granted
-
1981
- 1981-10-09 CA CA000387636A patent/CA1160496A/en not_active Expired
- 1981-10-14 EP EP81304799A patent/EP0050047B1/en not_active Expired
- 1981-10-14 DE DE8181304799T patent/DE3173896D1/de not_active Expired
- 1981-10-15 US US06/311,888 patent/US4434429A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5139125A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-01 | Canon Kk | |
| JPS52140326A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Formation of indented image |
| JPS53141040A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-08 | Hitachi Ltd | Information recording material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4434429A (en) | 1984-02-28 |
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