JPS6023997B2 - 記録用部材 - Google Patents
記録用部材Info
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- JPS6023997B2 JPS6023997B2 JP55113509A JP11350980A JPS6023997B2 JP S6023997 B2 JPS6023997 B2 JP S6023997B2 JP 55113509 A JP55113509 A JP 55113509A JP 11350980 A JP11350980 A JP 11350980A JP S6023997 B2 JPS6023997 B2 JP S6023997B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/165—Thermal imaging composition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、情報の記録用部材に関する。
より詳しくは、本発明は、エネルギービームの照射をう
けて変形又は蒸発除去し凹部又は孔部を形成し得る薄膜
を有する記録用部材に関する。光デオディスク、あるい
は光ディジタルディスクにおいて、極めて高密度の画像
情報などを記録しても大きな信号対雑音比や、小さなエ
ラーレィトが得られるように、記録用部村の開発が進め
られて釆た。
けて変形又は蒸発除去し凹部又は孔部を形成し得る薄膜
を有する記録用部材に関する。光デオディスク、あるい
は光ディジタルディスクにおいて、極めて高密度の画像
情報などを記録しても大きな信号対雑音比や、小さなエ
ラーレィトが得られるように、記録用部村の開発が進め
られて釆た。
例えばディスク基板上に設けられる記録膜として、ビス
マスＢｉ、テルルＴｅなどの薄膜や、枇素−テルル系な
どのカルコゲンガラス薄膜が知られている。光ビデオデ
ィスク用としては、再生信号の質はＡｓ−Ｔｅ系の場合
に最も高いが、光ディジタルディスク用としては、Ｂｉ
あるいはＴｅでも良好な特性が得られる。これらの薄膜
は、ＡＩなどの金属薄膜に比べて、し−ザ光を吸収しや
すく、低融（軟化）点、低沸点であり、熱伝導率が低い
ので、極めて記録感度が高い。しかし、船、Ｔｅおよび
Ｂｉは、ともに空気中に長期間置いた場合酸化するので
、長期的に安定して使用できない。また、瓜単体の真空
蒸着は安定に行なえないので、Ａｓ−Ｔｅ系蒸着原料を
使用した場合、蒸発物の組成が時間とともに変化し、再
現性の良い蒸着が難しい。本発明は上記欠点を改良した
安定で製造の再現性の良い記録用部材を提供することを
目的とする。
マスＢｉ、テルルＴｅなどの薄膜や、枇素−テルル系な
どのカルコゲンガラス薄膜が知られている。光ビデオデ
ィスク用としては、再生信号の質はＡｓ−Ｔｅ系の場合
に最も高いが、光ディジタルディスク用としては、Ｂｉ
あるいはＴｅでも良好な特性が得られる。これらの薄膜
は、ＡＩなどの金属薄膜に比べて、し−ザ光を吸収しや
すく、低融（軟化）点、低沸点であり、熱伝導率が低い
ので、極めて記録感度が高い。しかし、船、Ｔｅおよび
Ｂｉは、ともに空気中に長期間置いた場合酸化するので
、長期的に安定して使用できない。また、瓜単体の真空
蒸着は安定に行なえないので、Ａｓ−Ｔｅ系蒸着原料を
使用した場合、蒸発物の組成が時間とともに変化し、再
現性の良い蒸着が難しい。本発明は上記欠点を改良した
安定で製造の再現性の良い記録用部材を提供することを
目的とする。
本発明の記録用部材は、基板並びにテルルＴｅ及びビス
マスＢｉからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素
とセレンＳｅとよりなる記録膜を上記基板上に設けてな
り、該記録膜の表面付近又は基板との界面付近若しくは
その両者におけるＳｅ含有量が記録膜の他の部分におけ
るＳｅ含有量の平均より多くしたことを特徴とする。
マスＢｉからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素
とセレンＳｅとよりなる記録膜を上記基板上に設けてな
り、該記録膜の表面付近又は基板との界面付近若しくは
その両者におけるＳｅ含有量が記録膜の他の部分におけ
るＳｅ含有量の平均より多くしたことを特徴とする。
Ｓｅは極めて酸化し‘こくし、元素であるから、上記の
ようにすることによって、記録膜の表面側あるいは基板
との界面側から酸素や水分が侵入して来ても、記録膜内
部のＴｅやＢｉの酸化等の変化を防止することができる
。
ようにすることによって、記録膜の表面側あるいは基板
との界面側から酸素や水分が侵入して来ても、記録膜内
部のＴｅやＢｉの酸化等の変化を防止することができる
。
したがって数年経ても全く初期と同じ条件で記録、読出
しが行なえる。ＴｅとＢｉのうちでは、Ｔｅを主として
含有する方が、Ｓｅとの高融点の化合物が形成されるお
それが無いという点で好ましい。表面付近と、基板との
界面付近とのうちでは、表面付近にＳｅ含有量の多い部
分を設けた方が、経時変化の防止、効果が大きいが、基
板との界面付近のみに設けても効果は有る。両方にＳｅ
含有量の多い部分を設ければ、さらに効果が大きい。本
発明の記録膜における平均６ｅ含有量の好ましい範囲は
、原子数パ−セントで０．５％以上３０％以下の範囲で
あって、特に好ましいのは１０％以上２０％以下の範囲
である。Ｓｅ含有量が多い部分は、基板側、表面側のそ
れぞれにおいて厚さｌｎｍ以上軌ｍ以下であるのが特に
好ましく、また２カ所以下であるのが特に好ましい。Ｓ
ｅ含有量が多い部分におけるＳｅの量は、前記の如く他
の部分より多ければ効果が認められるが、原子数パーセ
ントで５０％以上１００％以下の範囲が好ましい。旨録
膜の前記Ｓｅの含有量が多い部分以外の部分におけるＳ
ｅ含有量は、原子数パーセントで０％以上、２９．８％
以下であることが好ましい。つまりこの部分においては
Ｓｅが含まれていなくとも、記録層全体としてＳｅが平
均０．５以上含まれていればさしつかえない。膜厚方向
の組成変化は、なめらかであるのが好ましい。
しが行なえる。ＴｅとＢｉのうちでは、Ｔｅを主として
含有する方が、Ｓｅとの高融点の化合物が形成されるお
それが無いという点で好ましい。表面付近と、基板との
界面付近とのうちでは、表面付近にＳｅ含有量の多い部
分を設けた方が、経時変化の防止、効果が大きいが、基
板との界面付近のみに設けても効果は有る。両方にＳｅ
含有量の多い部分を設ければ、さらに効果が大きい。本
発明の記録膜における平均６ｅ含有量の好ましい範囲は
、原子数パ−セントで０．５％以上３０％以下の範囲で
あって、特に好ましいのは１０％以上２０％以下の範囲
である。Ｓｅ含有量が多い部分は、基板側、表面側のそ
れぞれにおいて厚さｌｎｍ以上軌ｍ以下であるのが特に
好ましく、また２カ所以下であるのが特に好ましい。Ｓ
ｅ含有量が多い部分におけるＳｅの量は、前記の如く他
の部分より多ければ効果が認められるが、原子数パーセ
ントで５０％以上１００％以下の範囲が好ましい。旨録
膜の前記Ｓｅの含有量が多い部分以外の部分におけるＳ
ｅ含有量は、原子数パーセントで０％以上、２９．８％
以下であることが好ましい。つまりこの部分においては
Ｓｅが含まれていなくとも、記録層全体としてＳｅが平
均０．５以上含まれていればさしつかえない。膜厚方向
の組成変化は、なめらかであるのが好ましい。
本発明の記録膜は、他元素を添加することによって安定
性を増すことも可能である。ただし膿形成は容易でなく
なる。添加することによって効果が期待できる元素は、
シリコンＳｉ、ゲルマニウム戊、技ヒ素瓜、タリウムＴ
１、錫Ｓｎ、鉛Ｐｂ、インジウムｌｎ、アンチモンＳｂ
、およびタンタルＴａのうちの少なくとも１元素である
。これらの元素は、合計量として原子数パーセントで３
０％以下であることが好ましい。５％以下でも添加の効
果が現われる場合は１％以上５％以下とするのが特に好
ましい。
性を増すことも可能である。ただし膿形成は容易でなく
なる。添加することによって効果が期待できる元素は、
シリコンＳｉ、ゲルマニウム戊、技ヒ素瓜、タリウムＴ
１、錫Ｓｎ、鉛Ｐｂ、インジウムｌｎ、アンチモンＳｂ
、およびタンタルＴａのうちの少なくとも１元素である
。これらの元素は、合計量として原子数パーセントで３
０％以下であることが好ましい。５％以下でも添加の効
果が現われる場合は１％以上５％以下とするのが特に好
ましい。
本発明の記録膜の好ましい膜厚は、２仇ｍ以上１０ｍｍ
以下、特に好ましいのは２則ｍ以上６仇ｍ以下の範囲で
ある。
以下、特に好ましいのは２則ｍ以上６仇ｍ以下の範囲で
ある。
記録膜の表面に、後述するように保護膜を形成する場合
は則ｍ以上１０仇ｍ以下の範囲が可能である。Ｓｅ含有
量が多い部分が存在する位置は、記録膜の表面付近又は
基板との界面付近であればよく、必らずして表面又は界
面に存在する必要はない。
は則ｍ以上１０仇ｍ以下の範囲が可能である。Ｓｅ含有
量が多い部分が存在する位置は、記録膜の表面付近又は
基板との界面付近であればよく、必らずして表面又は界
面に存在する必要はない。
すなわち、表面又は界面からやや内側に入った所に位置
してもよい。この場合、Ｓｅ含有量の多い部分の厚みの
中心の位置が膜表面側は、膜表面から１仇ｍ以下である
のが好ましく、基板側は、基板との界面から１則ｍ以下
であるのが好ましい。以下に本発明を実施例によって詳
細に説明する。
してもよい。この場合、Ｓｅ含有量の多い部分の厚みの
中心の位置が膜表面側は、膜表面から１仇ｍ以下である
のが好ましく、基板側は、基板との界面から１則ｍ以下
であるのが好ましい。以下に本発明を実施例によって詳
細に説明する。
第１図に示したように、厚さ約１肌、外蓬３００肌、内
径３５側のドーナツ板状化学強化ガラス上に、紫外線硬
化樹脂によって、厚さ約２０ムｍのトラッキング用の溝
のレプリカを形成した基板１を、真空蒸着装暦内に回転
軸２に取付け、１２仇ｐｍで回転させる。
径３５側のドーナツ板状化学強化ガラス上に、紫外線硬
化樹脂によって、厚さ約２０ムｍのトラッキング用の溝
のレプリカを形成した基板１を、真空蒸着装暦内に回転
軸２に取付け、１２仇ｐｍで回転させる。
上記ディスク基板の情報を記録しようとする部分の下で
あって、中心軸と中心を同一する１つの円上にほぼ位置
する２つの蒸着用ボート３および４を配置する。ボート
の上には、回転中心を中心とする扇状に広がったスリッ
トを持つ、マスク５および６があり、その上に上記のス
リットをふさぐ全体シャッター７および９がある。７お
よび９は連動して同時にスリットを開閉する。
あって、中心軸と中心を同一する１つの円上にほぼ位置
する２つの蒸着用ボート３および４を配置する。ボート
の上には、回転中心を中心とする扇状に広がったスリッ
トを持つ、マスク５および６があり、その上に上記のス
リットをふさぐ全体シャッター７および９がある。７お
よび９は連動して同時にスリットを開閉する。
全体シャッターの上には、角度シャッター８および８′
があり、これらは設定した速度で設定した角度だけ動く
ことができる。この角度シャッターには羽根１０および
１１が取付けられており、この羽根がディスクの最外周
部に蒸着膜が着いて、後の接着工程で接着力が弱くなる
のを防ぐ。ディスクの内周部は、ディスクのすぐ下に取
付けられた金属円板によって、蒸着されるのを防がれて
いる。２つのボートのうち１つにはＴｅ、他の１つには
Ｓｅを入れた。
があり、これらは設定した速度で設定した角度だけ動く
ことができる。この角度シャッターには羽根１０および
１１が取付けられており、この羽根がディスクの最外周
部に蒸着膜が着いて、後の接着工程で接着力が弱くなる
のを防ぐ。ディスクの内周部は、ディスクのすぐ下に取
付けられた金属円板によって、蒸着されるのを防がれて
いる。２つのボートのうち１つにはＴｅ、他の１つには
Ｓｅを入れた。
両方のボートはいずれもタンタル製で、蒸着原料の液滴
または小塊が飛んで基板を付着するのを防ぐため、ディ
スク基板の、黍着膜が着く場所から、直鞍蒸着原料が見
えない構造のものを用いた。ディスクを回転させたまま
、ボートに電流を流し、ボート中の蒸着原料を蒸発させ
た。ボートからの蒸発量は、マスク５および６にあげら
れた孔１３および１４を通して、水晶振動子式膜厚モニ
ター１５および１６に蒸発物を付着させることによって
検出した。次にこの検出量から速度を算出して、速度が
一定になるようにボートに流す電流を制御した。各ボー
トからディスクへの葵着速度の比は、各角度シャッター
の開き角によって決まる。全体シャッターを開いた後、
角度シャッターを制御して、厚さ４仇ｍで膜厚方向の組
成分布が第２図のような記録膜を蒸着し、全体シャッタ
ーを閉じて蒸着を終了した。
または小塊が飛んで基板を付着するのを防ぐため、ディ
スク基板の、黍着膜が着く場所から、直鞍蒸着原料が見
えない構造のものを用いた。ディスクを回転させたまま
、ボートに電流を流し、ボート中の蒸着原料を蒸発させ
た。ボートからの蒸発量は、マスク５および６にあげら
れた孔１３および１４を通して、水晶振動子式膜厚モニ
ター１５および１６に蒸発物を付着させることによって
検出した。次にこの検出量から速度を算出して、速度が
一定になるようにボートに流す電流を制御した。各ボー
トからディスクへの葵着速度の比は、各角度シャッター
の開き角によって決まる。全体シャッターを開いた後、
角度シャッターを制御して、厚さ４仇ｍで膜厚方向の組
成分布が第２図のような記録膜を蒸着し、全体シャッタ
ーを閉じて蒸着を終了した。
上記のようにして記録膜を蒸着したディスク基板１は、
第３図に示したように、外周のスベーサー３２および内
周のスベーサ−３３を挟んで、同一形状の他の化学強化
ガラス板１′に接着した。
第３図に示したように、外周のスベーサー３２および内
周のスベーサ−３３を挟んで、同一形状の他の化学強化
ガラス板１′に接着した。
この時、記録膜は、内側に密閉されるようにした。ただ
し寿命試験用のディスクでは、試験時間短縮のため接着
を完全に行なわず、外気と流通するようにした。スベー
サーの材質はアルミニウム合金とした。本記録用部材に
記録を行なうには、第３図に示したように、本記録用部
材を記録装置に装着し、回転数２４仇舷‐１で回転軸１
７のまわりに回転させた。
し寿命試験用のディスクでは、試験時間短縮のため接着
を完全に行なわず、外気と流通するようにした。スベー
サーの材質はアルミニウム合金とした。本記録用部材に
記録を行なうには、第３図に示したように、本記録用部
材を記録装置に装着し、回転数２４仇舷‐１で回転軸１
７のまわりに回転させた。
記録光源としては、波長８３ｍｍ、出力１５ｍＷの半導
体レーザ１８を用いた。トラツキング用ディテク夕−１
９からの信号によって、溝をトラッキングしながらパル
ス中１０仇もでディジタル信号によって変調されたレー
ザ光を、読出しヘッド中の偏光プリズム２０、１／４波
長板２１、およびレンズを通して基板越しに記録膜上に
集光した。自動焦点合わせは、ディテクター２２からの
信号によって行なっている。レーザ光照射部分では、記
録膜に直径約０．８山ｍのほぼ円形の孔が形成された。
記録の読出し‘ま次のようにして行なった。
体レーザ１８を用いた。トラツキング用ディテク夕−１
９からの信号によって、溝をトラッキングしながらパル
ス中１０仇もでディジタル信号によって変調されたレー
ザ光を、読出しヘッド中の偏光プリズム２０、１／４波
長板２１、およびレンズを通して基板越しに記録膜上に
集光した。自動焦点合わせは、ディテクター２２からの
信号によって行なっている。レーザ光照射部分では、記
録膜に直径約０．８山ｍのほぼ円形の孔が形成された。
記録の読出し‘ま次のようにして行なった。
ディスクを回転数２４仇舷‐１で回転させ、出力を５ｍ
Ｗに落した。記録に用いたのと同じ半導体レーザの光を
、基板越し‘こ記録膜に照射し、反射光の強度変化を、
自動焦点合わせ用でもあるディテクター２２で検出し、
再生信号を得た。謙出しの誤まり率は約４×１０‐６で
あった。Ｓｅ含有量が多い部分の厚さを変えると、即ｍ
を越えた場合には膜形成後１カ月程度で膜礎造に変化が
起こり、黒点やシワが膜表面に現われた。
Ｗに落した。記録に用いたのと同じ半導体レーザの光を
、基板越し‘こ記録膜に照射し、反射光の強度変化を、
自動焦点合わせ用でもあるディテクター２２で検出し、
再生信号を得た。謙出しの誤まり率は約４×１０‐６で
あった。Ｓｅ含有量が多い部分の厚さを変えると、即ｍ
を越えた場合には膜形成後１カ月程度で膜礎造に変化が
起こり、黒点やシワが膜表面に現われた。
ｌｎｍ未満になった場合にはト室温２５ｏｏ、湿度９５
％の環境下の加速寿命試験では約１カ月で半導体レーザ
の波長における透過率が３０％を越し、記録感度が大中
に低下した。Ｓｅ含有量の膜厚方向の変化のパターンが
そのまま保たれるように、膜厚方向の各部分のＳｅ含有
量をすべて一定比率で増したり減らしたりする（この方
法で含有量が計算上１００％を越す部分は含有量１００
％とする。
％の環境下の加速寿命試験では約１カ月で半導体レーザ
の波長における透過率が３０％を越し、記録感度が大中
に低下した。Ｓｅ含有量の膜厚方向の変化のパターンが
そのまま保たれるように、膜厚方向の各部分のＳｅ含有
量をすべて一定比率で増したり減らしたりする（この方
法で含有量が計算上１００％を越す部分は含有量１００
％とする。
また、Ｓｅ含有量のピークが計算上５０％を割る場合も
、ピーク前後の厚さｌｎｍの範囲は５０％に保つ。）と
いう方法で、膜厚方向の平均６ｅ含有量を変化させた時
、平均Ｓｅ含有量が原子数パーセントで０．５％未満で
は、室温２５００、湿度９５％の環境下で１週間で半導
体レーザの波長における透過率が３０％を越した。平均
Ｓｅ含有量が３０％を越えた場合には膜形成後１カ月程
度で膿構造に変化が越こり、黒点やシワが膜面に現われ
た。特に、高い記録感度を安定に保つことのできるＳｅ
含有量は、１０％以上２０％以下の範囲である。記録膜
の全体の膜厚を変えた時、２仇ｍ未満では６カ月以内に
多数のピンホールが発生し、１０仇ｍを越すと隣接する
孔同志が干渉してエラーレィトが１０‐４より大きくな
った。
、ピーク前後の厚さｌｎｍの範囲は５０％に保つ。）と
いう方法で、膜厚方向の平均６ｅ含有量を変化させた時
、平均Ｓｅ含有量が原子数パーセントで０．５％未満で
は、室温２５００、湿度９５％の環境下で１週間で半導
体レーザの波長における透過率が３０％を越した。平均
Ｓｅ含有量が３０％を越えた場合には膜形成後１カ月程
度で膿構造に変化が越こり、黒点やシワが膜面に現われ
た。特に、高い記録感度を安定に保つことのできるＳｅ
含有量は、１０％以上２０％以下の範囲である。記録膜
の全体の膜厚を変えた時、２仇ｍ未満では６カ月以内に
多数のピンホールが発生し、１０仇ｍを越すと隣接する
孔同志が干渉してエラーレィトが１０‐４より大きくな
った。
膜厚が２則ｍ以上ではピンホール発生までの期間が２年
以上となり、２則ｍ以上６Ｍｍ以下ではエラーレイトが
１０‐５より小さくなった。膜表面側のＳｅ含有量が多
い部分の中心の、膜表面からの距離を変化させた時、そ
の距離が１仇ｍを越すと、膜表面の酸化により、温度２
５℃、湿度９５％の環境下で約１週間で感度が２０％以
上低下した。
以上となり、２則ｍ以上６Ｍｍ以下ではエラーレイトが
１０‐５より小さくなった。膜表面側のＳｅ含有量が多
い部分の中心の、膜表面からの距離を変化させた時、そ
の距離が１仇ｍを越すと、膜表面の酸化により、温度２
５℃、湿度９５％の環境下で約１週間で感度が２０％以
上低下した。
基板側のＳｅ含有量が多い部分の中心の、基板との界面
からの距離を変化させた時は、１卸ｍを越すと、温度２
５ｑ０、湿度９５％の環境下で約３週間で感度が２０％
以上低下した。ＴｅのかわりにＢｉを用いた場合、２５
ｑｏ湿度９５％の環境における経時変化は急速に起こり
、透過率６０％で飽和した。湿度４０％の環境では全体
に経時変化の速度が小さくなるが、Ｂｉの方がＴｅより
経時変化の速度が大きかった。本発明の記録用部村は、
真空蒸着法で形成するのが好ましいが、ガス中蒸着、ス
パッタリングなどの方法を採用してもよい。
からの距離を変化させた時は、１卸ｍを越すと、温度２
５ｑ０、湿度９５％の環境下で約３週間で感度が２０％
以上低下した。ＴｅのかわりにＢｉを用いた場合、２５
ｑｏ湿度９５％の環境における経時変化は急速に起こり
、透過率６０％で飽和した。湿度４０％の環境では全体
に経時変化の速度が小さくなるが、Ｂｉの方がＴｅより
経時変化の速度が大きかった。本発明の記録用部村は、
真空蒸着法で形成するのが好ましいが、ガス中蒸着、ス
パッタリングなどの方法を採用してもよい。
本発明の記録用部材の表面上に直接保護膜を形成するこ
とは、記録感度を低下させるが、経時変化の速度を低下
させるのには効果がある。
とは、記録感度を低下させるが、経時変化の速度を低下
させるのには効果がある。
保護膜としては無機物および有機物の両方が考えられる
が、低融（軟化）点の有機物を用いるのが、感度低下を
小さくできるという点で好ましい。例えば、パラフィン
系炭化水素の真空蒸着膜、ケトン樹脂の塗布膜を用いる
ことができる。本実施例の記録膜に他元素を添加した場
合、ビデオ信号を記録した時のＳＮ比が良くなる。
が、低融（軟化）点の有機物を用いるのが、感度低下を
小さくできるという点で好ましい。例えば、パラフィン
系炭化水素の真空蒸着膜、ケトン樹脂の塗布膜を用いる
ことができる。本実施例の記録膜に他元素を添加した場
合、ビデオ信号を記録した時のＳＮ比が良くなる。
耐熱性が向上する、などの効果が表われる元素は、Ｓｉ
、Ｇｅ、Ａｓ、ｍ、Ｓｎ、Ｐｂ、ｌｎ、Ｓｂ、およびＴ
ａである。たとえば、Ｔｅの蒸発源に、これらの元素を
混入させる方法で、Ｔｅの４％を母で道換えたもの、お
よびＴｅの５％をＰｂで暦換えたものでは、再生信号の
ＳＮ比向上が見られた。以上詳述したように、本発明の
記録用部材では、高い感度と安定性が得られ、膜形成プ
ロセスも容易で再現性が良くなるので、得られる利益は
極めて大きい。
、Ｇｅ、Ａｓ、ｍ、Ｓｎ、Ｐｂ、ｌｎ、Ｓｂ、およびＴ
ａである。たとえば、Ｔｅの蒸発源に、これらの元素を
混入させる方法で、Ｔｅの４％を母で道換えたもの、お
よびＴｅの５％をＰｂで暦換えたものでは、再生信号の
ＳＮ比向上が見られた。以上詳述したように、本発明の
記録用部材では、高い感度と安定性が得られ、膜形成プ
ロセスも容易で再現性が良くなるので、得られる利益は
極めて大きい。
第１図は、本発明の記録用部材の記録膜の蒸着装贋の一
例の説明図、第２図は、本発明の一実施例の記録膜の膜
厚方向の組成変化を示す図、第３図は、本発明−実施例
の記録用部材を用いて記録・再生する装置の一例の説明
図である。 ☆’図 を２図 を３図
例の説明図、第２図は、本発明の一実施例の記録膜の膜
厚方向の組成変化を示す図、第３図は、本発明−実施例
の記録用部材を用いて記録・再生する装置の一例の説明
図である。 ☆’図 を２図 を３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、該基板上に形成されたエネルギービームの
照射により変形又は除去される記録膜とよりなる情報の
記録用部材において、上記記録膜は、テルル及びビスマ
スからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素及びセ
レンを少なくとも含有し、かつ該記録膜の表面付近又は
基板との界面付近若しくはその両者に上記記録膜の他の
部分の平均のセレン含有量よりもセレン含有量が多い部
分を有することを特徴とする記録用部材。 ２ セレン含有量が多い部分におけるセレン含有量が原
子数パーセントで５０％以上１００％以下の範囲である
特許請求の範囲第１項記載の記録用部材。 ３ セレン含有量が多い部分の厚みが１ｎｍ以上５ｎｍ
以下の範囲である特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の記録用部材。 ４ セレン含有量の多い部分が記録膜の表面付近及び基
板との界面付近に共に設けられている特許請求の範囲第
１項、第２項又は第３項記載の記録用部材。 ５ セレン含有量の多い部分が記録膜の表面付近にのみ
設けられている特許請求の範囲第１項、第２項又は第３
項記載の記録用部材。 ６ 記録膜の表面付近に設けられているセレン含有量の
多い部分は、表面より内部に位置し、該部分の中心が表
面から１０ｎｍ以内におかれている特許請求の範囲第１
項から第５項までのいずれかに記載の記録用部材。 ７ 記録膜の表面付近に設けられているセレン含有量の
多い部分は、記録膜の表面におかれている特許請求の範
囲第１項から第５項までのいずれかに記載の記録用部材
。 ８ 記録膜の基板との界面付近に設けられているセレン
含有量の多い部分は、界面より内部に位置し、該部分の
中心が界面から１５ｎｍ以内におかれている特許請求の
範囲第１項から第４項までのいずれかに記載の記録用部
材。 ９ 記録膜の基板との界面付近に設けられているセレン
含有量の多い部分は、記録膜の基板との界面におかれて
いる特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれかに
記載の記録用部材。 １０ 記録膜は、平均のセレン含有量が原子数パーセン
トで０．５％以上３０％以下の範囲である特許請求の範
囲第１項から第９項までのいずれかに記載の記録用部材
。 １１ 記録膜は、その厚みが２００ｎｍ以上１００ｎｍ
以下の範囲である特許請求の範囲第１項から第１０項ま
でのいずれかに記載の記録用部材。 １２ 記録膜は、テルルとセレンを少なくとも含有する
記録膜である特許請求の範囲第１項から第１１項までの
いずれかに記載の記録用部材。 １３ 記録膜は、さらに原子数パーセントで３０％以下
のシリコン、ゲルマニウム、砒素、タリウム、すず、鉛
、インジウム、アンチモン及びタンタルからなる群から
選ばれた少なくとも一種の他の元素を含むものである特
許請求の範囲第１項から第１２項までのいずれかに記載
の記録用部材。 １４ 上記他の元素は、原子数パーセントで１％以上５
％以下の範囲である特許請求の範囲第１３項記載の記録
用部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55113509A JPS6023997B2 (ja) | 1980-08-20 | 1980-08-20 | 記録用部材 |
| US06/290,562 US4385305A (en) | 1980-08-20 | 1981-08-06 | Recording member |
| EP81303786A EP0046412B1 (en) | 1980-08-20 | 1981-08-19 | Recording member |
| DE8181303786T DE3167090D1 (en) | 1980-08-20 | 1981-08-19 | Recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55113509A JPS6023997B2 (ja) | 1980-08-20 | 1980-08-20 | 記録用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5738189A JPS5738189A (en) | 1982-03-02 |
| JPS6023997B2 true JPS6023997B2 (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=14614129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55113509A Expired JPS6023997B2 (ja) | 1980-08-20 | 1980-08-20 | 記録用部材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4385305A (ja) |
| EP (1) | EP0046412B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6023997B2 (ja) |
| DE (1) | DE3167090D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
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| JPS60129294A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-10 | Hoya Corp | 光記録媒体用基板と光記録媒体 |
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| JPS62282979A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-08 | Nec Corp | 光記録媒体 |
| JPS62286793A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Nec Corp | 光記録媒体 |
| US5294523A (en) * | 1988-08-01 | 1994-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5273860A (en) * | 1989-11-24 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
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| JPS5932319B2 (ja) * | 1974-03-22 | 1984-08-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 記録材料 |
| FR2318481A1 (fr) * | 1975-07-18 | 1977-02-11 | Hitachi Ltd | Film d'enregistrement d'informations |
| JPS5331106A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-24 | Hitachi Ltd | Information recording member |
| GB2007860B (en) * | 1977-11-04 | 1982-07-07 | Asahi Chemical Ind | Impaging material and method of producing image thereon |
| FR2420188A1 (fr) * | 1978-03-16 | 1979-10-12 | Labo Electronique Physique | Memoire optique a base de verre chalcogenure |
| DE2920480A1 (de) * | 1978-05-24 | 1979-11-29 | Philips Nv | Informationsaufzeichnungselement |
| FR2468971B1 (fr) * | 1978-09-19 | 1985-07-12 | Hitachi Ltd | Organe d'enregistrement d'informations |
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-
1980
- 1980-08-20 JP JP55113509A patent/JPS6023997B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-08-06 US US06/290,562 patent/US4385305A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-08-19 DE DE8181303786T patent/DE3167090D1/de not_active Expired
- 1981-08-19 EP EP81303786A patent/EP0046412B1/en not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527892U (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-09 | アイワ株式会社 | ベルトハンガー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0046412A1 (en) | 1982-02-24 |
| DE3167090D1 (en) | 1984-12-13 |
| EP0046412B1 (en) | 1984-11-07 |
| US4385305A (en) | 1983-05-24 |
| JPS5738189A (en) | 1982-03-02 |
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