JPS60184885A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS60184885A JPS60184885A JP59041167A JP4116784A JPS60184885A JP S60184885 A JPS60184885 A JP S60184885A JP 59041167 A JP59041167 A JP 59041167A JP 4116784 A JP4116784 A JP 4116784A JP S60184885 A JPS60184885 A JP S60184885A
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- Japan
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- recording medium
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は光学的な記録媒体に係り、％にレーザ光等の光
及び熱エネルギーを用いて情報を高密度に記録し、且つ
再生可能なａｃ録媒体に関する。
及び熱エネルギーを用いて情報を高密度に記録し、且つ
再生可能なａｃ録媒体に関する。
（ロ）従来技術
レーザ光等のエネルギービームを照射して、基板上の金
属等の薄膜を溶融あるいけ蒸発させ、ピットを形成する
方式の記録材料としては感度が高く、基板上の記録層の
膜厚が均一であり化学、るものでなければならない。
属等の薄膜を溶融あるいけ蒸発させ、ピットを形成する
方式の記録材料としては感度が高く、基板上の記録層の
膜厚が均一であり化学、るものでなければならない。
例えば、日経エレクトロニクス１９８２年１月４日号第
８６頁以下、「画像ファイルに使われ出した光ディスク
・メモリ」なる記事等ＶＣ開示されている如く、現在こ
の方式の記録材料としてはテルル（Ｔｅ）が一般的に用
いられている。Ｔｅは熱伝導率が低く、光吸収係数が大
きく、低融点でおるので感度の良い記録膜が得られるが
、空気中の水分によって容易に酸化され、光学的に透明
な二酸化テルル（Ｔｅ０２ ）に変化するため信号が再
生できなくなり、長期間の情報の記録保存が難しい。す
なわち記録寿命が短いという欠点を有している。又前掲
の記事中にはＴｉ（チタニウム）単体を薄膜材料として
使用する例（第９８頁第１６図（ｂ）〕や、その他の複
合材料を薄膜材料を使用する例も提案されている。
８６頁以下、「画像ファイルに使われ出した光ディスク
・メモリ」なる記事等ＶＣ開示されている如く、現在こ
の方式の記録材料としてはテルル（Ｔｅ）が一般的に用
いられている。Ｔｅは熱伝導率が低く、光吸収係数が大
きく、低融点でおるので感度の良い記録膜が得られるが
、空気中の水分によって容易に酸化され、光学的に透明
な二酸化テルル（Ｔｅ０２ ）に変化するため信号が再
生できなくなり、長期間の情報の記録保存が難しい。す
なわち記録寿命が短いという欠点を有している。又前掲
の記事中にはＴｉ（チタニウム）単体を薄膜材料として
使用する例（第９８頁第１６図（ｂ）〕や、その他の複
合材料を薄膜材料を使用する例も提案されている。
しかし乍らＴｉ単体は感度が劣るだけでなく大面積に亘
って均一な組成のものを低コストで得ることが困難であ
るという欠点を否めない。
って均一な組成のものを低コストで得ることが困難であ
るという欠点を否めない。
Ｖ−＆の廿ａＬ４９１１４ ｂ’ｌ’ Ｔ ｎ ＯＱ
／ Ｔ ＋ Ａ ｃｒ ）９ ｔＪＨＴｅ９４（ＴｉＡ
ｇ）ｓＫついても追試に依れば、第７図に示す加速試験
に基づく透過率〔相対値〕変化特性からも判る如く記録
寿命の伸びは認められるものの十分なものとは言い難い
。
／ Ｔ ＋ Ａ ｃｒ ）９ ｔＪＨＴｅ９４（ＴｉＡ
ｇ）ｓＫついても追試に依れば、第７図に示す加速試験
に基づく透過率〔相対値〕変化特性からも判る如く記録
寿命の伸びは認められるものの十分なものとは言い難い
。
（ハ）発明の目的
本発明は上述の従来例の欠点、即ち、記録寿命が短−い
記録盤の薄膜が化学的に不安定であるという欠点を、記
録に要するパワーの増加、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ ）の著しい
低下を伴うことなく達成し得、長期間にわたって情報の
記録及び再生を可能とした光学的記録媒体を提供するこ
とを目的とするものである。
記録盤の薄膜が化学的に不安定であるという欠点を、記
録に要するパワーの増加、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ ）の著しい
低下を伴うことなく達成し得、長期間にわたって情報の
記録及び再生を可能とした光学的記録媒体を提供するこ
とを目的とするものである。
に）発明の構成
記録再生特性を決める薄膜をＴｅ （１００−ｘ−ｙ−
ｚ）−Ｔｉｘ−Ａｇｙ＠Ｓｅｚ但し、Ｘ。
ｚ）−Ｔｉｘ−Ａｇｙ＠Ｓｅｚ但し、Ｘ。
７、Ｚはモル％Ｘ＋）’＋Ｚ ＜１５３を組成とする非
晶質金属で形成する。
晶質金属で形成する。
（ホ）実 施 例
第１図は本発明の光学記録媒体の要部断面斜視図を示す
ものである。この記録媒体は基本的に記録薄膜ｉｌｌを
内面に形成した透明基盤（２）と、保護基盤（３）及び
両者を一定の間隔を空けて一体に固定するスペーサ＋４
）＋５１で構成される。矢印は記録、再生用のレーザ光
の方向を示す。
ものである。この記録媒体は基本的に記録薄膜ｉｌｌを
内面に形成した透明基盤（２）と、保護基盤（３）及び
両者を一定の間隔を空けて一体に固定するスペーサ＋４
）＋５１で構成される。矢印は記録、再生用のレーザ光
の方向を示す。
前記透明基盤（２）は、ガラス、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメチールテレフ
タレート樹脂或はアクリル樹脂等の如く蒸着或ｅまスパ
ッタリング金属等の付着性が良く透明度の秀れた素材で
成型される。
ート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメチールテレフ
タレート樹脂或はアクリル樹脂等の如く蒸着或ｅまスパ
ッタリング金属等の付着性が良く透明度の秀れた素材で
成型される。
前記記録薄膜としては、上述の長寿命化を計るという課
題の他、記録再生用のＬＤ（半導体レーザダイオード）
の出ブハＳ／Ｎ （Ｃ／Ｎ ）、感度、信頼性等の観点
から、種々の実験によシ、Ｔｅ（１００−Ｘ−ｙ−ｚ）
＠Ｔｉｘ＠ＡｇｙｏＳｅｘ（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＜１５
）なる組成の非晶質薄膜を採用した。
題の他、記録再生用のＬＤ（半導体レーザダイオード）
の出ブハＳ／Ｎ （Ｃ／Ｎ ）、感度、信頼性等の観点
から、種々の実験によシ、Ｔｅ（１００−Ｘ−ｙ−ｚ）
＠Ｔｉｘ＠ＡｇｙｏＳｅｘ（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＜１５
）なる組成の非晶質薄膜を採用した。
上述の如く、本発明の光学記録媒体の表面に形成される
非晶質薄膜の組成はＴｅ（１ｏｏ−Ｘ−ｙ−ｚ）−Ｔｉ
ｘ−Ａｇｙ−８ｅｘ＾＠る７５（、コノ組成は以下に説
明する種々の実験に基づいて決定されたものである。
非晶質薄膜の組成はＴｅ（１ｏｏ−Ｘ−ｙ−ｚ）−Ｔｉ
ｘ−Ａｇｙ−８ｅｘ＾＠る７５（、コノ組成は以下に説
明する種々の実験に基づいて決定されたものである。
（１）非晶質薄膜の形成
予め用意されたＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
樹脂製の基板上への非晶質金属薄膜の形成はＲＦスパッ
タリング法によって行う。
樹脂製の基板上への非晶質金属薄膜の形成はＲＦスパッ
タリング法によって行う。
ターゲットとしては、例えば直径１２５ｆｆのＴｅのタ
ーゲット上にＴｉＡｇとＳｅのタブレットを設置した複
合ターゲットを用い。スパッタリングの条件は、残留ガ
ス圧２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ１Ａｒガス圧４ＸＩＱ ’Ｔ
ｏｒｒ％ＲＦパワー８０Ｗとすればよいが、ターゲット
サイズ等はスパッタリングすべきＰＭＭＡ基板のサイズ
等に応じ選択設計する。
ーゲット上にＴｉＡｇとＳｅのタブレットを設置した複
合ターゲットを用い。スパッタリングの条件は、残留ガ
ス圧２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ１Ａｒガス圧４ＸＩＱ ’Ｔ
ｏｒｒ％ＲＦパワー８０Ｗとすればよいが、ターゲット
サイズ等はスパッタリングすべきＰＭＭＡ基板のサイズ
等に応じ選択設計する。
薄厚は通常５ｏｏＡとするが、記録寿命、記録レーザの
パワー、ディスク径、回転速度等の要件を考慮して５ｏ
ｏｔ〜５ｏｏＡの範囲内の値に決定する。
パワー、ディスク径、回転速度等の要件を考慮して５ｏ
ｏｔ〜５ｏｏＡの範囲内の値に決定する。
（２）加速試験と記録寿命の推定
記録盤の記録寿命は温度６０℃湿度９０呪の雰囲気中で
加凍ぽＩ！＆＆行つとシｔＦＦｈ堆中「４測定試料は前
述のＰＭＭＡ基板上にＲＦスパッタリング法により記録
膜を約３００Ｘの厚さに形成したものを用いた。第２図
に加速試験を行った場合の透過率の変化を示す。
加凍ぽＩ！＆＆行つとシｔＦＦｈ堆中「４測定試料は前
述のＰＭＭＡ基板上にＲＦスパッタリング法により記録
膜を約３００Ｘの厚さに形成したものを用いた。第２図
に加速試験を行った場合の透過率の変化を示す。
第２図は、非晶質薄膜材料としてＴｅ％Ｔｉ、Ａｇ及び
Ｓｅを用い、これらを複合ターゲットして基板上１くス
パッタした光学記録媒体について行ったが加速試験の結
果を示すものでるる。
Ｓｅを用い、これらを複合ターゲットして基板上１くス
パッタした光学記録媒体について行ったが加速試験の結
果を示すものでるる。
図では代表例として、Ｔｅ５ｅ・Ｔｉ４・Ａｇ＜、Ｓｅ
７とＴｅ７ｅ−Ｔｌａ−Ａｇ４−８ｅ２゜をスパッタし
た基板の上記雰囲気中における時間（日）対透過率（相
対値）特性のみを示しているが、Ｓｓのモル鳴を７から
２０まで増加したものはいずれも両２例の間に入ること
が確認された。
７とＴｅ７ｅ−Ｔｌａ−Ａｇ４−８ｅ２゜をスパッタし
た基板の上記雰囲気中における時間（日）対透過率（相
対値）特性のみを示しているが、Ｓｓのモル鳴を７から
２０まで増加したものはいずれも両２例の間に入ること
が確認された。
ＴｃｚｓｏＴ１４Ａｇ４Ｓｅｙをスパッタした記録盤の
場合には、第２園から判る如く、透過率が２ｅ鳴以上に
上昇するのＩｃ ３．０日以上を要することが確認され
た。第７図の追試の結果を参照すると、この記録盤の記
録寿命は、従来のＴｅ単体を薄膜材料として用いる本の
に対「、て略３ｎ倍−同じ＜Ｔｅ９４・Ｔｉ６・Ａｇｅ
を用いたものに対して２倍以上の記録寿命を保証し得る
ことが判る。
場合には、第２園から判る如く、透過率が２ｅ鳴以上に
上昇するのＩｃ ３．０日以上を要することが確認され
た。第７図の追試の結果を参照すると、この記録盤の記
録寿命は、従来のＴｅ単体を薄膜材料として用いる本の
に対「、て略３ｎ倍−同じ＜Ｔｅ９４・Ｔｉ６・Ａｇｅ
を用いたものに対して２倍以上の記録寿命を保証し得る
ことが判る。
（３）Ｓｅの含有量と透過率・反射率及び吸収率との関
係、 次に記録寿命の点では高性能を示すことが確認されたＴ
ｅｅ２−％ｍ Ｔｉ４−Ａｇａ−８ｅｘ（Ｘはモル％）
を非晶質薄膜とする媒体サンプルについて、Ｓｅの含有
量対透過率、反射率及び吸収率の各特性試験を行った。
係、 次に記録寿命の点では高性能を示すことが確認されたＴ
ｅｅ２−％ｍ Ｔｉ４−Ａｇａ−８ｅｘ（Ｘはモル％）
を非晶質薄膜とする媒体サンプルについて、Ｓｅの含有
量対透過率、反射率及び吸収率の各特性試験を行った。
第６図はその結果を示すものである。この図から判る様
に吸収率はＳｅの含有量の増加と共に低下し、一方透過
率はＳｅの含有量の増加と共に増大し漸次一定値に近づ
き、又反射率は微増はするものの実質的な変化のないこ
とが確認された。
に吸収率はＳｅの含有量の増加と共に低下し、一方透過
率はＳｅの含有量の増加と共に増大し漸次一定値に近づ
き、又反射率は微増はするものの実質的な変化のないこ
とが確認された。
これらの結果から記録寿命の点からみるとＢｅの含有量
が多い程望ましい結果が得られるが、記（４）所要記録
パワー 次に（３）の結果に基づき、前記２つのサンプルＳｅ７
とＳｅ ２０についてディスク回転数６０Ｏｒｐｍ、記
録周波数１ＭＨｚの条件で所望品位の録再特性を満すた
めに半導体レーザＬＤに要求されるパワー（ディスク面
上）とディスク半径との関係をめた。第４図はその結果
を表すものである。
が多い程望ましい結果が得られるが、記（４）所要記録
パワー 次に（３）の結果に基づき、前記２つのサンプルＳｅ７
とＳｅ ２０についてディスク回転数６０Ｏｒｐｍ、記
録周波数１ＭＨｚの条件で所望品位の録再特性を満すた
めに半導体レーザＬＤに要求されるパワー（ディスク面
上）とディスク半径との関係をめた。第４図はその結果
を表すものである。
分余裕をもった記録再生を行い得ることが判る。
（５）記録薄膜と再生信号のＣ／Ｎとの関係第５図及び
第６図は、従来例を含めた各組成の記録薄膜を備える各
記録盤についてディスク回転数６０Ｏｒｐｍ、半径６０
０の位置に於けるＣ／Ｎｔ−測定した結果を示すもので
める。これによルト、Ｔｅ単体記録膜とＴｅｓｅ（Ｔｉ
Ａｇ）４Ｓｅｔの記録膜のＣ／Ｎは殆ど変わらないこと
がわかる。また、ＴｅＴｉＡｇＳｅ膜ではＳｅの址が増
すにつれてＣ／Ｎが下がっていくことがわかり、この点
からも、Ｓｅの量は制限を受ける。Ｔａ５ｓ （ＴｔＡ
ｇ：）ａｓｅｙ記録膜（６２Ｍ Ｈｚの再生信号のＣ／
Ｎが５ＱｄＢあるので、光ディス）として使用できるた
めのＳ／Ｎを満足しておシ、上述のｘ＋ｙ＋Ｚ＜１５の
範１２（ｉｆもＣ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）特性は満足し得るに・
と・が確認された。
第６図は、従来例を含めた各組成の記録薄膜を備える各
記録盤についてディスク回転数６０Ｏｒｐｍ、半径６０
０の位置に於けるＣ／Ｎｔ−測定した結果を示すもので
める。これによルト、Ｔｅ単体記録膜とＴｅｓｅ（Ｔｉ
Ａｇ）４Ｓｅｔの記録膜のＣ／Ｎは殆ど変わらないこと
がわかる。また、ＴｅＴｉＡｇＳｅ膜ではＳｅの址が増
すにつれてＣ／Ｎが下がっていくことがわかり、この点
からも、Ｓｅの量は制限を受ける。Ｔａ５ｓ （ＴｔＡ
ｇ：）ａｓｅｙ記録膜（６２Ｍ Ｈｚの再生信号のＣ／
Ｎが５ＱｄＢあるので、光ディス）として使用できるた
めのＳ／Ｎを満足しておシ、上述のｘ＋ｙ＋Ｚ＜１５の
範１２（ｉｆもＣ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）特性は満足し得るに・
と・が確認された。
上述の各実験によシ、Ｔｅ（１００−ｘ＋）Ｆ−ｚ）−
Ｔｉｘ−Ａｇｙ−８ｅｚ（但し！＋３’＋Ｚく１５〕を
主組成の金属により非晶質の記録薄膜を形成すれば、他
の特性を維持したま＼で大巾な記録寿命の伸長を計るこ
とが出来ることが確認された。
Ｔｉｘ−Ａｇｙ−８ｅｚ（但し！＋３’＋Ｚく１５〕を
主組成の金属により非晶質の記録薄膜を形成すれば、他
の特性を維持したま＼で大巾な記録寿命の伸長を計るこ
とが出来ることが確認された。
（へ）発明の効果
本発明によれば他の条件はＴｅ単体と同様に維持したま
＼で長期間にわたって情報の記録及び再生が行ない得る
光学記録媒体を提供することができる。
＼で長期間にわたって情報の記録及び再生が行ない得る
光学記録媒体を提供することができる。
第１図乃至第６図はいずれも本発明に係シ、第１図は、
記録ディスクの要部断面斜視図、第２図は加速試験の結
果を示す図、第３図は光学的特性を示す図、第４図はデ
ィスク半径対しＤパワーの関係を示す図、第５図及び第
６図はそれぞれ再生信号のＣ／Ｎ特性を示す図である。 第７図は従来例の加速試験の結果を示す図でるる。 （１）・・・記録薄膜、（２）・・・透明基雛、（３）
・・・保護基盤、（４Ｊｆ５７・・・スペーサ。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士佐 野 靜 夫 第１図 第２図 ｊｊＤ達ｊべ１％ｈこよる速νｋｌの灸化第３図 Ｓｅ含含量量モル２） 丸イＢタナ徳、實の支ｆヒ 第５図 ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ （ＭＨｚ） （同須畝） ＾）Ｌ信号のＣ／Ｎ 第６図 ０ １ ２ 偕ノン（ＭＨｚ） 丙！作号のＣ／Ｎ
記録ディスクの要部断面斜視図、第２図は加速試験の結
果を示す図、第３図は光学的特性を示す図、第４図はデ
ィスク半径対しＤパワーの関係を示す図、第５図及び第
６図はそれぞれ再生信号のＣ／Ｎ特性を示す図である。 第７図は従来例の加速試験の結果を示す図でるる。 （１）・・・記録薄膜、（２）・・・透明基雛、（３）
・・・保護基盤、（４Ｊｆ５７・・・スペーサ。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士佐 野 靜 夫 第１図 第２図 ｊｊＤ達ｊべ１％ｈこよる速νｋｌの灸化第３図 Ｓｅ含含量量モル２） 丸イＢタナ徳、實の支ｆヒ 第５図 ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ （ＭＨｚ） （同須畝） ＾）Ｌ信号のＣ／Ｎ 第６図 ０ １ ２ 偕ノン（ＭＨｚ） 丙！作号のＣ／Ｎ
Claims (1)
- エネルギービームの照射によって情報を記録する方式の
光学記録媒体において、基板上に（Ｔｅ（１００−ｘ−
ｙ−ｚ）−Ｔｉｘ−Ａｇｙ−８ｅｚ１但しｘ ＋ ｙ
＋ ｚ ＜ １５ ； ” ｐ ）’ ｔ ｚはモル％
を示す〕なる組成をもつ非晶質薄膜を形成したことを特
徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041167A JPS60184885A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041167A JPS60184885A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184885A true JPS60184885A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0322826B2 JPH0322826B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=12600865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041167A Granted JPS60184885A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184885A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109087A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Daicel Chem Ind Ltd | Ｄｒａｗ用光記録媒体 |
| US7049009B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766996A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Information recording member and method of preparing thereof |
| JPS57189893A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Duplication of optical information |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP59041167A patent/JPS60184885A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766996A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Information recording member and method of preparing thereof |
| JPS57189893A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Duplication of optical information |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109087A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Daicel Chem Ind Ltd | Ｄｒａｗ用光記録媒体 |
| US7049009B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322826B2 (ja) | 1991-03-27 |
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