JPH0359998B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0359998B2 JPH0359998B2 JP7593087A JP7593087A JPH0359998B2 JP H0359998 B2 JPH0359998 B2 JP H0359998B2 JP 7593087 A JP7593087 A JP 7593087A JP 7593087 A JP7593087 A JP 7593087A JP H0359998 B2 JPH0359998 B2 JP H0359998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- thin film
- carbon atoms
- hydrophobic organic
- ferrocene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000693 micelle Substances 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical class [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- -1 ferrocene compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRQIXHXHHPWVIL-ISLYRVAYSA-N Sudan I Chemical compound OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 MRQIXHXHHPWVIL-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical class [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical class [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAEZRSFWWCTVNP-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)-(4-methoxyphenyl)imino-oxidoazanium Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N=[N+]([O-])C1=CC=C(OC)C=C1 KAEZRSFWWCTVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOEWOXIQPYAWCG-UHFFFAOYSA-L 1-dodecyl-4-(1-dodecylpyridin-1-ium-4-yl)pyridin-1-ium;dibromide Chemical compound [Br-].[Br-].C1=C[N+](CCCCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=[N+](CCCCCCCCCCCC)C=C1 NOEWOXIQPYAWCG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VRXAJMCFEOESJO-UHFFFAOYSA-L 1-heptyl-4-(1-heptylpyridin-1-ium-4-yl)pyridin-1-ium;dibromide Chemical compound [Br-].[Br-].C1=C[N+](CCCCCCC)=CC=C1C1=CC=[N+](CCCCCCC)C=C1 VRXAJMCFEOESJO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical class [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000006947 Histones Human genes 0.000 description 1
- 108010033040 Histones Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical class [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000016943 Muramidase Human genes 0.000 description 1
- 108010014251 Muramidase Proteins 0.000 description 1
- 108010062010 N-Acetylmuramoyl-L-alanine Amidase Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N [2,2-bis(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxypropyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000021 acetate salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical class [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical class [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004325 lysozyme Substances 0.000 description 1
- 229960000274 lysozyme Drugs 0.000 description 1
- 235000010335 lysozyme Nutrition 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical class [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機薄膜の製造方法に関し、詳しくは
特定のミセル化剤を用いると共に電気化学的手法
を講じることにより、電子材料等に利用しうる有
機薄膜を効率よく製造する方法に関する。
特定のミセル化剤を用いると共に電気化学的手法
を講じることにより、電子材料等に利用しうる有
機薄膜を効率よく製造する方法に関する。
従来から、色素等の有機薄膜を製造する方法と
して、真空蒸着法、熱CVD法、プラズマCVD
法、超高真空(イオンビーム、分子線エピタキシ
ー)法、LB膜法、キヤスト法などが知られてい
る。
して、真空蒸着法、熱CVD法、プラズマCVD
法、超高真空(イオンビーム、分子線エピタキシ
ー)法、LB膜法、キヤスト法などが知られてい
る。
しかしながら、これらの方法はいずれも色素等
の材料を有機溶媒に溶解させたりあるいは加熱す
るなどの操作を必要とするため、熱い弱い疎水性
の有機物質を薄膜化することができなかつた。
の材料を有機溶媒に溶解させたりあるいは加熱す
るなどの操作を必要とするため、熱い弱い疎水性
の有機物質を薄膜化することができなかつた。
本発明者らは上記従来技術の欠点を解消し、熱
に弱い疎水性の有機物質でも容易に薄膜化しうる
方法を開発すべく鋭意研究を重ねた。
に弱い疎水性の有機物質でも容易に薄膜化しうる
方法を開発すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、フエロセン誘導体をミセル化剤とし
て用いると、水中で各種の疎水性有機物質をミセ
ル中に取り込むことができ、これを電解処理する
ことにより、所望の有機薄膜を電極上に形成でき
ることを見出した。本発明はかかる知見に基いて
完成したものである。
て用いると、水中で各種の疎水性有機物質をミセ
ル中に取り込むことができ、これを電解処理する
ことにより、所望の有機薄膜を電極上に形成でき
ることを見出した。本発明はかかる知見に基いて
完成したものである。
すなわち本発明は、疎水性有機物質を、水性媒
体中でフエロセン誘導体よりなるミセル化剤にて
可溶化し、得られるミセル溶液を電解して電極上
に前記疎水性有機物質の薄膜を形成することを特
徴とする有機薄膜の製造方法を提供するものであ
る。
体中でフエロセン誘導体よりなるミセル化剤にて
可溶化し、得られるミセル溶液を電解して電極上
に前記疎水性有機物質の薄膜を形成することを特
徴とする有機薄膜の製造方法を提供するものであ
る。
本発明の方法は、第1図に示す如き原理にした
がつて進行し、電極(陽極)上に有機薄膜が形成
される。つまり、水に必要に応じて支持電解質等
を加えて電気伝導度を調節した水性媒体に、フエ
ロセン誘導体1よりなるミセル化剤と疎水性有機
物質を加えて充分に混合攪拌して分散させると、
疎水性有機物質2を内部にとり込んだミセル3が
形成され、これを電解処理するとミセル3が陽極
5に引き寄せられて陽極上でミセル中のフエロセ
ン誘導体が電子e−を失い(フエロセン中の
Fe2+がFe3+に酸化される)、それとともにミセル
が崩壊して内部の疎水性有機物質2が陽極5上に
析出して薄膜を形成する。一方、酸化されたフエ
ロセン誘導体4は陰極6に引き寄せられて電子e
−を受け取り、再びミセルを形成し、疎水性有機
物質2を内部に取り込む。
がつて進行し、電極(陽極)上に有機薄膜が形成
される。つまり、水に必要に応じて支持電解質等
を加えて電気伝導度を調節した水性媒体に、フエ
ロセン誘導体1よりなるミセル化剤と疎水性有機
物質を加えて充分に混合攪拌して分散させると、
疎水性有機物質2を内部にとり込んだミセル3が
形成され、これを電解処理するとミセル3が陽極
5に引き寄せられて陽極上でミセル中のフエロセ
ン誘導体が電子e−を失い(フエロセン中の
Fe2+がFe3+に酸化される)、それとともにミセル
が崩壊して内部の疎水性有機物質2が陽極5上に
析出して薄膜を形成する。一方、酸化されたフエ
ロセン誘導体4は陰極6に引き寄せられて電子e
−を受け取り、再びミセルを形成し、疎水性有機
物質2を内部に取り込む。
このようなミセルの形成と崩壊が繰返される過
程で、疎水性有機物質2の粒子が陽極上に析出し
て薄膜状のものとなり、目的とする有機薄膜が形
成されるのである。
程で、疎水性有機物質2の粒子が陽極上に析出し
て薄膜状のものとなり、目的とする有機薄膜が形
成されるのである。
本発明の方法で用いるミセル化剤は、フエロセ
ン誘導体よりなるものである。ここでフエロセン
誘導体としては各種のものがあるが、通常は炭素
数4〜16(好ましくは8〜14)の主鎖を有するア
ンモニウム型(好ましくは第四級アンモニウム
型)のカチオン性界面活性剤にフエロセン化合物
(フエロセンあるいはフエロセンに適当な置換基
(アルキル基、アセチル基など)が結合したもの)
が結合したものがあげられる。ここで主鎖の炭素
数が少ないものでは、ミセルを形成せず、また多
すぎるものでは、水に溶解しなくなるという不都
合がある。
ン誘導体よりなるものである。ここでフエロセン
誘導体としては各種のものがあるが、通常は炭素
数4〜16(好ましくは8〜14)の主鎖を有するア
ンモニウム型(好ましくは第四級アンモニウム
型)のカチオン性界面活性剤にフエロセン化合物
(フエロセンあるいはフエロセンに適当な置換基
(アルキル基、アセチル基など)が結合したもの)
が結合したものがあげられる。ここで主鎖の炭素
数が少ないものでは、ミセルを形成せず、また多
すぎるものでは、水に溶解しなくなるという不都
合がある。
この界面活性剤にフエロセン化合物が結合する
態様は様々であり、大別して界面活性剤の主鎖の
末端に結合したもの、主鎖の途中に直接あるいは
アルキル基を介して結合したもの、主鎖中に組み
込まれたものなどの態様があげられる。
態様は様々であり、大別して界面活性剤の主鎖の
末端に結合したもの、主鎖の途中に直接あるいは
アルキル基を介して結合したもの、主鎖中に組み
込まれたものなどの態様があげられる。
このようなフエロセン誘導体の一般式を示す
と、 一般式 (式中、R1,R2はそれぞれ水素または炭素数
1〜4(但し、後述の整数mを超えない)のアル
キル基を示し、Y,Zはそれぞれ水素または置換
基を示し、Xはハロゲンを示す。また、m,nは
m≧0,n≧0でありかつ4≦m+n≦16を満た
す整数を示す。)、 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Zは前記と同じ
(但し、R1,R2の炭素数は後述の整数hを超えな
い。)である。また、h,j,kはh≧0,j≧
0,k≧1でありかつ3≦h+j+k≦15を満た
す整数を示し、pは0≦p≦k−1を満たす整数
を示す。) 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Zは前記と同じ
(但し、R1,R2の炭素数は後述の整数rを超えな
い。)である。また、r,s,tはr≧0,s≧
0,t≧1でありかつ4≦r+s+t≦16を満た
す整数を示す。) あるいは 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Z,r,s,tは
前記と同じである。) で表わされるものがあげられる。
と、 一般式 (式中、R1,R2はそれぞれ水素または炭素数
1〜4(但し、後述の整数mを超えない)のアル
キル基を示し、Y,Zはそれぞれ水素または置換
基を示し、Xはハロゲンを示す。また、m,nは
m≧0,n≧0でありかつ4≦m+n≦16を満た
す整数を示す。)、 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Zは前記と同じ
(但し、R1,R2の炭素数は後述の整数hを超えな
い。)である。また、h,j,kはh≧0,j≧
0,k≧1でありかつ3≦h+j+k≦15を満た
す整数を示し、pは0≦p≦k−1を満たす整数
を示す。) 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Zは前記と同じ
(但し、R1,R2の炭素数は後述の整数rを超えな
い。)である。また、r,s,tはr≧0,s≧
0,t≧1でありかつ4≦r+s+t≦16を満た
す整数を示す。) あるいは 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Z,r,s,tは
前記と同じである。) で表わされるものがあげられる。
このミセル化剤としてのフエロセン誘導体の具
体例を示せば 式 式 式 などがあげられる。
体例を示せば 式 式 式 などがあげられる。
一方、本発明の方法で製造される有機薄膜の原
料となる疎水性有機物質は、水に対して不溶性な
いし難溶性であり、しかもその粒子がミセル内に
取込まれ得るもの(即ち、ミセルに可溶なもの)
であれば各種のものが使用可能であり、特に制限
はない。例えば色素、塗料、感光材料、有機導電
材料、電気絶縁材料など様々なものがあり、具体
的には1,1′−ジヘプチル−4,4′−ビピリジニ
ウムジブロマイド、1,1′−ジドデシル−4,
4′−ビピリジニウムジブロマイドなどのエレクト
ロクロミツク材料、6−ニトロ−1,3,3−ト
リメチルスピロ−(2′H−1′−ベンゾピラン−2,
2′−イソドリン)(通称スピロピラン)などの感
光材料(フオトクロミツク材料)、p−アゾキシ
アニソールなどの液晶表示用色素、7,7,8,
8−テトラシアノキノンジメタン(TCNQ)と
テトラチアフルバレン(TTF)との1:1錯体
などの有機導電材料、ペンタエリスリトールジア
クリレートなどの光硬化性塗料、ステアリン酸な
どの絶縁材料、フタロシアニンなどの有機顔料、
1−フエニルアゾ−2−ナフトールなどのジアゾ
タイプの感光材料や塗料等をあげることができ
る。そのほか、ヒストン、リゾチーム等の蛋白質
などを疎水性有機物質として利用することもでき
る。
料となる疎水性有機物質は、水に対して不溶性な
いし難溶性であり、しかもその粒子がミセル内に
取込まれ得るもの(即ち、ミセルに可溶なもの)
であれば各種のものが使用可能であり、特に制限
はない。例えば色素、塗料、感光材料、有機導電
材料、電気絶縁材料など様々なものがあり、具体
的には1,1′−ジヘプチル−4,4′−ビピリジニ
ウムジブロマイド、1,1′−ジドデシル−4,
4′−ビピリジニウムジブロマイドなどのエレクト
ロクロミツク材料、6−ニトロ−1,3,3−ト
リメチルスピロ−(2′H−1′−ベンゾピラン−2,
2′−イソドリン)(通称スピロピラン)などの感
光材料(フオトクロミツク材料)、p−アゾキシ
アニソールなどの液晶表示用色素、7,7,8,
8−テトラシアノキノンジメタン(TCNQ)と
テトラチアフルバレン(TTF)との1:1錯体
などの有機導電材料、ペンタエリスリトールジア
クリレートなどの光硬化性塗料、ステアリン酸な
どの絶縁材料、フタロシアニンなどの有機顔料、
1−フエニルアゾ−2−ナフトールなどのジアゾ
タイプの感光材料や塗料等をあげることができ
る。そのほか、ヒストン、リゾチーム等の蛋白質
などを疎水性有機物質として利用することもでき
る。
本発明の方法では、上述のミセル剤と疎水性有
機物質を水あるいは水を主成分とする水性媒体中
に加えて混合攪拌するが、この水性媒体中にはそ
の電気伝導度を調節するために必要に応じて支持
塩(支持電解質)を加える。この支持塩の添加量
は通常は上記ミセル化剤の10〜300倍程度の濃度、
好ましくは50〜200倍程度の濃度を目安とする。
また、この支持塩の種類は、ミセルの形成や電極
への疎水性有機物質の析出を妨げることなく、水
性媒体の電気伝導度を調節しうるものであれば特
に制限はない。
機物質を水あるいは水を主成分とする水性媒体中
に加えて混合攪拌するが、この水性媒体中にはそ
の電気伝導度を調節するために必要に応じて支持
塩(支持電解質)を加える。この支持塩の添加量
は通常は上記ミセル化剤の10〜300倍程度の濃度、
好ましくは50〜200倍程度の濃度を目安とする。
また、この支持塩の種類は、ミセルの形成や電極
への疎水性有機物質の析出を妨げることなく、水
性媒体の電気伝導度を調節しうるものであれば特
に制限はない。
具体的には、一般広く支持塩として用いられて
いる硫酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウム、
ルビジウム、アルミニウムなどの塩)、酢酸塩
(リチウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム、
ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロ
ンチウム、バリウム、アルミニウムなどの塩)が
好適である。
いる硫酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウム、
ルビジウム、アルミニウムなどの塩)、酢酸塩
(リチウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム、
ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロ
ンチウム、バリウム、アルミニウムなどの塩)が
好適である。
また、本発明の方法で用いる電極は、フエロセ
ンの酸化電位(+0.15V対飽和甘コウ電極)より
貴な金属もしくは導電体であればよい。具体的に
はITO(酸化インジウムと酸化スズとの混合酸化
物)、白金、金、銀、グラシーカーボン、導電性
金属酸化物、有機ポリマー導電体などがあげられ
る。
ンの酸化電位(+0.15V対飽和甘コウ電極)より
貴な金属もしくは導電体であればよい。具体的に
はITO(酸化インジウムと酸化スズとの混合酸化
物)、白金、金、銀、グラシーカーボン、導電性
金属酸化物、有機ポリマー導電体などがあげられ
る。
本発明の方法では、まず水性媒体中に上記のミ
セル化剤、支持塩ならびに疎水性有機物質を入れ
て、超音波、ホモジナイザーあるいは攪拌機等に
より充分に分散させてミセルを形成せしめ、その
後必要に応じて過剰の疎水性有機物質を除去し、
得られたミセル溶液を静置したままあるいは若干
の攪拌を加えながら上述の電極を用いて電解処理
する。また、電解処理中に疎水性有機物質をミセ
ル溶液に補充添加してもよく、あるいは陽極近傍
のミセル溶液を系外へ抜き出し、抜き出したミセ
ル溶液に疎水性有機物質を加えて充分に混合攪拌
し、しかる後にこの液を陰極近傍へ戻す循環回路
を併設してもよい。この際の電解条件は、各種状
況に応じて適宜選定すればよいが、通常は液温0
〜70℃、好ましくは20〜30℃、電圧0.03〜1V、
好ましくは0.1〜0.5Vとし、電流密度10mA/cm2
以下、好ましくは50〜300μA/cm2とする。
セル化剤、支持塩ならびに疎水性有機物質を入れ
て、超音波、ホモジナイザーあるいは攪拌機等に
より充分に分散させてミセルを形成せしめ、その
後必要に応じて過剰の疎水性有機物質を除去し、
得られたミセル溶液を静置したままあるいは若干
の攪拌を加えながら上述の電極を用いて電解処理
する。また、電解処理中に疎水性有機物質をミセ
ル溶液に補充添加してもよく、あるいは陽極近傍
のミセル溶液を系外へ抜き出し、抜き出したミセ
ル溶液に疎水性有機物質を加えて充分に混合攪拌
し、しかる後にこの液を陰極近傍へ戻す循環回路
を併設してもよい。この際の電解条件は、各種状
況に応じて適宜選定すればよいが、通常は液温0
〜70℃、好ましくは20〜30℃、電圧0.03〜1V、
好ましくは0.1〜0.5Vとし、電流密度10mA/cm2
以下、好ましくは50〜300μA/cm2とする。
この電解処理を行うと、前述したように第1図
に示す如き反応が進行する。これをフエロセン誘
導体中のFeイオンの挙動に着目すると、陽極で
はフエロセンのFe2+がFe3+となつて、ミセルが
崩壊し、疎水性有機物質の粒子(600〜900Å程
度)が陽極上に析出する。一方、陰極では陽極で
酸化されたFe3+がFe2+に還元されてもとのミセ
ルに戻り、このミセル形成時に水性媒体中に浮遊
している疎水性有機物質が内部に取り込まれるこ
ととなる。
に示す如き反応が進行する。これをフエロセン誘
導体中のFeイオンの挙動に着目すると、陽極で
はフエロセンのFe2+がFe3+となつて、ミセルが
崩壊し、疎水性有機物質の粒子(600〜900Å程
度)が陽極上に析出する。一方、陰極では陽極で
酸化されたFe3+がFe2+に還元されてもとのミセ
ルに戻り、このミセル形成時に水性媒体中に浮遊
している疎水性有機物質が内部に取り込まれるこ
ととなる。
このような電解処理により、陽極上には所望す
る疎水性有機物質の600〜900Å程度の粒子による
薄膜が形成される。
る疎水性有機物質の600〜900Å程度の粒子による
薄膜が形成される。
次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明す
る。
る。
実施例 1
100c.c.の水に支持塩としての硫酸リチウムを
0.02モル溶かし、これにミセル化剤として、 式 の化合物を0.2ミリモル添加し、超音波により分
散させミセルを形成させた。次に、このミセル溶
液に疎水性有機物質である色素(1−フエニルア
ゾ−2−ナフトール)を0.2ミリモル加えた後、
超音波によりミセル中にこの色素を取り込ませ
た。その後過剰の色素を濾過により取り除き、ミ
セル溶液を得た。このミセル溶液を電解液とし
て、陽極にITO、陰極に白金、参照電極に飽和甘
コウ電極を用いて、温度25℃、印加電圧0.3V、
電流密度35μA/cm2の条件で電解処理を行つた。
20分後、平均粒径700Åの一次粒子をもつ色素薄
膜をITO上に得た。
0.02モル溶かし、これにミセル化剤として、 式 の化合物を0.2ミリモル添加し、超音波により分
散させミセルを形成させた。次に、このミセル溶
液に疎水性有機物質である色素(1−フエニルア
ゾ−2−ナフトール)を0.2ミリモル加えた後、
超音波によりミセル中にこの色素を取り込ませ
た。その後過剰の色素を濾過により取り除き、ミ
セル溶液を得た。このミセル溶液を電解液とし
て、陽極にITO、陰極に白金、参照電極に飽和甘
コウ電極を用いて、温度25℃、印加電圧0.3V、
電流密度35μA/cm2の条件で電解処理を行つた。
20分後、平均粒径700Åの一次粒子をもつ色素薄
膜をITO上に得た。
生成した色素薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)
写真(倍率35000倍、日本電子(株)製 JSM−T220
使用)を第2図に示す。また、この薄膜をエタノ
ールに溶かした紫外線吸収スペクトルを第5図の
曲線Dに示す。なお、上記色素を単にエタノール
に溶かしたものの紫外線吸収スペクトルを第5図
の曲線Cに示したが、曲線CとDは吸収ピークが
一致していることからITO上の薄膜は上記色素よ
りなるものであることがわかる。
写真(倍率35000倍、日本電子(株)製 JSM−T220
使用)を第2図に示す。また、この薄膜をエタノ
ールに溶かした紫外線吸収スペクトルを第5図の
曲線Dに示す。なお、上記色素を単にエタノール
に溶かしたものの紫外線吸収スペクトルを第5図
の曲線Cに示したが、曲線CとDは吸収ピークが
一致していることからITO上の薄膜は上記色素よ
りなるものであることがわかる。
実施例 2
実施例1において、陽極を白金に、電流密度を
38μA/cm2に変えたこと以外は、実施例1と同様
の操作を行つた。
38μA/cm2に変えたこと以外は、実施例1と同様
の操作を行つた。
生成した薄膜をエタノールに溶かしたものの紫
外線吸収スペクトルを第5図の曲線Bに示す。
外線吸収スペクトルを第5図の曲線Bに示す。
実施例 3
実施例1において、陽極をグラシーカーボン
に、電流密度を40μA/cm2に変えたこと以外は、
実施例1と同様の操作を行つた。
に、電流密度を40μA/cm2に変えたこと以外は、
実施例1と同様の操作を行つた。
生成した薄膜をエタノールに溶かしたものの紫
外線吸収スペクトルを第5図の曲線Aに示す。
外線吸収スペクトルを第5図の曲線Aに示す。
実施例 4
実施例1において、ミセル化剤として、
式
の化合物を用い、電流密度を30μA/cm2に変えた
こと以外は、実施例1と同様の操作を行つた。
こと以外は、実施例1と同様の操作を行つた。
生成した薄膜のSEM写真(倍率35000倍、日本
電子(株)製JSM−T220使用)を第3図に示す。
電子(株)製JSM−T220使用)を第3図に示す。
実施例 5
実施例1において、色素として1,1′−ジドデ
シル−4,4′−ビピリジニウムジブロマイドを用
い、電流密度を58μA/cm2に変えたこと以外は、
実施例1と同様の操作を行つてITO上に薄膜を生
成した。
シル−4,4′−ビピリジニウムジブロマイドを用
い、電流密度を58μA/cm2に変えたこと以外は、
実施例1と同様の操作を行つてITO上に薄膜を生
成した。
生成した薄膜をメタノールに溶かした紫外線吸
収スペクトルを第6図の曲線Bに示す。なお、上
記色素をメタノールに溶かした(濃度0.042ミリ
モル/)ものの紫外線吸収スペクトルを第6図
の曲線Aに示す。曲線AとBは吸収ピークが一致
していることからITO上の薄膜は上記色素よりな
るものであることがわかる。
収スペクトルを第6図の曲線Bに示す。なお、上
記色素をメタノールに溶かした(濃度0.042ミリ
モル/)ものの紫外線吸収スペクトルを第6図
の曲線Aに示す。曲線AとBは吸収ピークが一致
していることからITO上の薄膜は上記色素よりな
るものであることがわかる。
実施例 6
実施例5において、陽極をグラシーカーボン
に、電流密度を60μA/cm2に変えたこと以外は、
実施例5と同様の操作を行つた。得られた薄膜の
SEM写真(倍率500倍、(株)日立製作所S−800使
用)を第4図に示す。
に、電流密度を60μA/cm2に変えたこと以外は、
実施例5と同様の操作を行つた。得られた薄膜の
SEM写真(倍率500倍、(株)日立製作所S−800使
用)を第4図に示す。
叙上の如く本発明の方法によれば、各種の疎水
性有機物質の薄膜を、有機溶剤を使用することな
く、室温程度の温度にて効率よく製造することが
できる。しかも、形成される薄膜を大面積化する
ことも、また膜厚を調節することも容易である。
性有機物質の薄膜を、有機溶剤を使用することな
く、室温程度の温度にて効率よく製造することが
できる。しかも、形成される薄膜を大面積化する
ことも、また膜厚を調節することも容易である。
したがつて、本発明の方法は各種製品の塗装、
絶縁、防錆、着色をはじめ、光導電体材料(有機
電子写真感光ドラム、レーザープリンター用
OPC、複写機)、電力機器材料(太陽電池)、表
示デバイス材料(EL、センサ、EC、LCD、PDP
用発光素子、非線型材料素子)、カラーフイルタ
(ラツプトツプパソコン、液晶プロジエクター、
ビユーフアインダ、オーロラビジヨン)、メモリ
材料(光メモリデイスクのメモリ素子、PHB素
子)等の製造に幅広くかつ有効に利用される。
絶縁、防錆、着色をはじめ、光導電体材料(有機
電子写真感光ドラム、レーザープリンター用
OPC、複写機)、電力機器材料(太陽電池)、表
示デバイス材料(EL、センサ、EC、LCD、PDP
用発光素子、非線型材料素子)、カラーフイルタ
(ラツプトツプパソコン、液晶プロジエクター、
ビユーフアインダ、オーロラビジヨン)、メモリ
材料(光メモリデイスクのメモリ素子、PHB素
子)等の製造に幅広くかつ有効に利用される。
第1図は本発明の方法の原理を模式的に示す説
明図、第2〜4図はそれぞれ実施例1,4,6で
形成された薄膜の表面構造を示す電子顕微鏡写真
である。また、第5図は実施例1〜3で形成され
た薄膜のエタノール溶液の紫外線吸収スペクトル
を示し、第6図は実施例5で形成された薄膜のメ
タノール溶液の紫外線吸収スペクトルを示す。 なお、第1図中、1はフエロセン誘導体、2は
疎水性有機物質、3はミセル、4は酸化されたフ
エロセン誘導体、5は陽極、6は陰極を示し、
Fcはフエロセン、e-は電子を示す。
明図、第2〜4図はそれぞれ実施例1,4,6で
形成された薄膜の表面構造を示す電子顕微鏡写真
である。また、第5図は実施例1〜3で形成され
た薄膜のエタノール溶液の紫外線吸収スペクトル
を示し、第6図は実施例5で形成された薄膜のメ
タノール溶液の紫外線吸収スペクトルを示す。 なお、第1図中、1はフエロセン誘導体、2は
疎水性有機物質、3はミセル、4は酸化されたフ
エロセン誘導体、5は陽極、6は陰極を示し、
Fcはフエロセン、e-は電子を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 疎水性有機物質を、水性媒体中でフエロセン
誘導体よりなるミセル化剤にて可溶化し、得られ
るミセル溶液を電解して電極上に前記疎水性有機
物質の薄膜を形成することを特徴とする有機薄膜
の製造方法。 2 フエロセン誘導体が、炭素数4〜16の主鎖を
有するアンモニウム塩型のカチオン性界面活性剤
にフエロセン化合物が結合したものである特許請
求の範囲第1項記載の製造方法。 3 フエロセン誘導体が、 一般式 (式中、R1,R2はそれぞれ水素または炭素数
1〜4(但し、後述の整数mを超えない)のアル
キル基を示し、Y,Zはそれぞれ水素または置換
基を示し、Xはハロゲンを示す。また、m,nは
m≧0,n≧0でありかつ4≦m+n≦16を満た
す整数を示す。) 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Zは前記と同じ
(但し、R1,R2の炭素数は後述の整数hを超えな
い。)である。また、h,j,kはh≧0,j≧
0,k≧1でありかつ3≦h+j+k≦15を満た
す整数を示し、pは0≦p≦k−1を満たす整数
を示す。) 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Zは前記と同じ
(但し、R1,R2の炭素数は後述の整数rを超えな
い。)である。また、r,s,tはr≧0,s≧
0,t≧1でありかつ4≦r+s+t≦16を満た
す整数を示す。) あるいは 一般式 (式中、R1,R2,X,Y,Z,r,s,tは
前記と同じである。) で表わされるものである特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7593087A JPS63243298A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 有機薄膜の製造方法 |
DE3855770T DE3855770T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Ferrocenderivate, diese enthaltende oberflächenaktive stoffe und verfahren zur herstellung dünner organischer filme |
PCT/JP1988/000323 WO1988007538A1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Ferrocene derivatives and process for preparing thin organic film |
EP88902937A EP0409981B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Ferrocene derivatives, surfactants containing them and process for producing organic thin films |
US07/469,299 US5082539A (en) | 1987-03-31 | 1990-01-24 | Ferrocene compounds and uses thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7593087A JPS63243298A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 有機薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63243298A JPS63243298A (ja) | 1988-10-11 |
JPH0359998B2 true JPH0359998B2 (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=13590475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7593087A Granted JPS63243298A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 有機薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63243298A (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02184803A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Seiko Epson Corp | カラーフイルターとその製造方法 |
EP0340968A3 (en) * | 1988-04-30 | 1992-05-06 | Seiko Epson Corporation | Thin film device and method of manufacturing the same |
US5242558A (en) * | 1988-04-30 | 1993-09-07 | Seiko Epson Corporation | Method for forming a thin film device |
JP2699422B2 (ja) * | 1988-07-13 | 1998-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル用カラーフィルターおよび液晶装置 |
JPH02129602A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-17 | Seiko Epson Corp | カラーフィルターの製造方法 |
US5240797A (en) * | 1988-04-30 | 1993-08-31 | Seiko Epson Corporation | Thin film device and method of manufacture |
JPH02236299A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-09-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 無機薄膜の製造方法 |
US5203974A (en) * | 1988-12-17 | 1993-04-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for producing thin films |
US5122247A (en) * | 1988-12-17 | 1992-06-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for producing thin films |
JP2707704B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1998-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法および液晶装置用カラーフィルターおよび液晶装置 |
JP2762541B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1998-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法 |
US5399450A (en) * | 1989-04-28 | 1995-03-21 | Seiko Epson Corporation | Method of preparation of a color filter by electrolytic deposition of a polymer material on a previously deposited pigment |
JP2707787B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1998-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法および液晶装置用カラーフィルターの製造方法 |
JP2707746B2 (ja) * | 1989-07-27 | 1998-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルターおよびその製造方法ならびに液晶装置 |
EP0444201A4 (en) * | 1989-09-18 | 1992-12-30 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method of producing color filter and resist for light-shielding film used for the method |
JP2707793B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1998-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法、液晶装置用カラーフィルターおよび液晶装置 |
JP3162313B2 (ja) | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
JP3809908B2 (ja) | 2002-09-20 | 2006-08-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光路切替装置および光路切替方法 |
JP3972066B2 (ja) | 2004-03-16 | 2007-09-05 | 大日精化工業株式会社 | 光制御式光路切替型データ配信装置および配信方法 |
US7749638B2 (en) | 2004-03-18 | 2010-07-06 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method of lamination body of electrolytic body and particle, lamination body of electrolytic body and particle, electrochemical element, fuel battery, and portable machine |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7593087A patent/JPS63243298A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63243298A (ja) | 1988-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0359998B2 (ja) | ||
US5041582A (en) | Novel ferrocene derivatives, surfactants containing same and process for producing organic thin films | |
WO1988007538A1 (en) | Ferrocene derivatives and process for preparing thin organic film | |
WO1989001939A1 (en) | Ferrocene derivatives, surfactants containing same, and process for producing thin organic film | |
JPH0826476B2 (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
JPH01222087A (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
JPH0243396A (ja) | 金属フタロシアニン化合物錯体薄膜の製造方法 | |
JPH0794718B2 (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
JPH0336528A (ja) | エレクトロクロミック素子及びその製造方法 | |
JPH0230794A (ja) | フタロシアニン化合物銅錯体薄膜の製造方法 | |
JP2885467B2 (ja) | 薄膜および電子写真感光体の製造方法 | |
JP2738457B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
EP0369289A1 (en) | Process for producing inorganic thin films | |
JPH02173296A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
JPH02236299A (ja) | 無機薄膜の製造方法 | |
JPH02173295A (ja) | 薄膜の製造法 | |
JPH0430172A (ja) | 薄膜および電子写真感光体の製造方法 | |
JPH0541635B2 (ja) | ||
JPH02163745A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JPH02200797A (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
JPH02164435A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
JPH02175897A (ja) | 薄膜の多段製膜法 | |
KR960009734B1 (ko) | 컬러표시재료 및 컬러필터의 제조방법 | |
JPH10310898A (ja) | ミセル分散液の製造方法および薄膜の製造方法 | |
JPH0288798A (ja) | 薄膜の洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |