JPH10310898A - ミセル分散液の製造方法および薄膜の製造方法 - Google Patents
ミセル分散液の製造方法および薄膜の製造方法Info
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- JPH10310898A JPH10310898A JP12271697A JP12271697A JPH10310898A JP H10310898 A JPH10310898 A JP H10310898A JP 12271697 A JP12271697 A JP 12271697A JP 12271697 A JP12271697 A JP 12271697A JP H10310898 A JPH10310898 A JP H10310898A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化還元性界面活性剤において、電解処理時
に有効に働く界面活性剤の量あるいは比率を管理しなけ
れば、安定な電解処理，安定な分散液を得ることができ
ない。酸化体の比率が少なければ分散能力のある界面活
性剤が多く、分散に寄与する界面活性剤量が多くなり、
また、酸化体の比率が多くなると分散能力のない界面活
性剤が増え安定な分散液を得ることができない。 【解決手段】 純水に臭化リチウム一水和物とフェロセ
ニルポリエチレングリコール（Ｆ−ＰＥＧ）とフタロシ
アニンブルーとジオキサンバイオレットと疎水化表面処
理ＩＴＯ粒子とを混合し、攪拌した後、超音波ホモジナ
イザーで分散して遠心分離する。この時、ミセル分散液
中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化
体比率を０から０．３とする。
に有効に働く界面活性剤の量あるいは比率を管理しなけ
れば、安定な電解処理，安定な分散液を得ることができ
ない。酸化体の比率が少なければ分散能力のある界面活
性剤が多く、分散に寄与する界面活性剤量が多くなり、
また、酸化体の比率が多くなると分散能力のない界面活
性剤が増え安定な分散液を得ることができない。 【解決手段】 純水に臭化リチウム一水和物とフェロセ
ニルポリエチレングリコール（Ｆ−ＰＥＧ）とフタロシ
アニンブルーとジオキサンバイオレットと疎水化表面処
理ＩＴＯ粒子とを混合し、攪拌した後、超音波ホモジナ
イザーで分散して遠心分離する。この時、ミセル分散液
中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化
体比率を０から０．３とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はミセル分散液および
薄膜の製造方法に関し、詳しくは分散液中の界面活性剤
の酸化体比率を制御、薄膜品質の高い成膜が可能な分散
液および薄膜を効率よく製造する方法に関する。
薄膜の製造方法に関し、詳しくは分散液中の界面活性剤
の酸化体比率を制御、薄膜品質の高い成膜が可能な分散
液および薄膜を効率よく製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜の製造方法としてミセル電解
法が知られている。このミセル電解法に用いる分散液
は、顔料をはじめとする疎水性物質とフェロセン誘導体
界面活性剤と水を混合し、超音波・ミルなどの分散手段
により得ることができる。この分散液に電極を挿入し、
電解処理を行うと電極に疎水性物質の薄膜が形成され
る。このようなミセル電解法を効率よく行うためには、
分散液の分散状態を適切に制御する必要がある。ミセル
電解法とは、疎水性物質をフェロセン誘導体界面活性剤
により分散させた状態の分散液に電極を挿入し、電解処
理によりフェロセン誘導体界面活性剤を酸化して分散能
力をなくして疎水性物質の表面から離脱させ、疎水性物
質を電極上に凝集させることを特徴とする。安定な分散
液を得るためには、まず界面活性剤の濃度の制御が重要
である。界面活性剤の量が多すぎると、電解しても電極
上に疎水性物質を凝集させることはできない。一方、界
面活性剤の添加量が少なすぎると、電解処理以前に凝集
が発生し、分散液中の疎水性物質の粒径が粗大化すると
いう課題が生じる。
法が知られている。このミセル電解法に用いる分散液
は、顔料をはじめとする疎水性物質とフェロセン誘導体
界面活性剤と水を混合し、超音波・ミルなどの分散手段
により得ることができる。この分散液に電極を挿入し、
電解処理を行うと電極に疎水性物質の薄膜が形成され
る。このようなミセル電解法を効率よく行うためには、
分散液の分散状態を適切に制御する必要がある。ミセル
電解法とは、疎水性物質をフェロセン誘導体界面活性剤
により分散させた状態の分散液に電極を挿入し、電解処
理によりフェロセン誘導体界面活性剤を酸化して分散能
力をなくして疎水性物質の表面から離脱させ、疎水性物
質を電極上に凝集させることを特徴とする。安定な分散
液を得るためには、まず界面活性剤の濃度の制御が重要
である。界面活性剤の量が多すぎると、電解しても電極
上に疎水性物質を凝集させることはできない。一方、界
面活性剤の添加量が少なすぎると、電解処理以前に凝集
が発生し、分散液中の疎水性物質の粒径が粗大化すると
いう課題が生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】安定な分散液を得るた
めには、界面活性剤の濃度の制御のほかに酸化された界
面活性剤の濃度の制御も重要である。酸化体の比率が少
なければ分散能力のある界面活性剤が多く、分散に寄与
する界面活性剤量が多くなる。一方、酸化体の比率が多
くなると分散能力のない界面活性剤が増え安定な分散液
を得ることができない。フェロセン誘導体界面活性剤は
容易に酸化される物質であり、分散液中に酸性表面を持
つ物質が含まれたり、分散中に超音波やミルなど外部か
ら強力な力が加わると電解処理以前にフェロセン誘導体
界面活性剤が酸化されてしまう課題が生じる。従って、
電解処理時に有効に働く界面活性剤量あるいは比率を管
理しなければ、安定な電解処理，安定な分散液を得るこ
とができない。界面活性剤の濃度の制御を解決するため
に、疎水性物質とフェロセン誘導体界面活性剤の濃度を
制御する方法が開示されている（特開平３−１０２３０
２号公報、特開平４−６８３０１号公報、特開平４−３
３５６０２号公報、特開平５−２５６６１号公報）が、
酸化体比率を制御あるいは管理する手段が開示されてい
ない。従って、分散液中の酸化体比率を把握して安定な
分散液を得るための技術の開発が望まれている。
めには、界面活性剤の濃度の制御のほかに酸化された界
面活性剤の濃度の制御も重要である。酸化体の比率が少
なければ分散能力のある界面活性剤が多く、分散に寄与
する界面活性剤量が多くなる。一方、酸化体の比率が多
くなると分散能力のない界面活性剤が増え安定な分散液
を得ることができない。フェロセン誘導体界面活性剤は
容易に酸化される物質であり、分散液中に酸性表面を持
つ物質が含まれたり、分散中に超音波やミルなど外部か
ら強力な力が加わると電解処理以前にフェロセン誘導体
界面活性剤が酸化されてしまう課題が生じる。従って、
電解処理時に有効に働く界面活性剤量あるいは比率を管
理しなければ、安定な電解処理，安定な分散液を得るこ
とができない。界面活性剤の濃度の制御を解決するため
に、疎水性物質とフェロセン誘導体界面活性剤の濃度を
制御する方法が開示されている（特開平３−１０２３０
２号公報、特開平４−６８３０１号公報、特開平４−３
３５６０２号公報、特開平５−２５６６１号公報）が、
酸化体比率を制御あるいは管理する手段が開示されてい
ない。従って、分散液中の酸化体比率を把握して安定な
分散液を得るための技術の開発が望まれている。
【０００４】そこで、本発明は、上記のような課題を解
決するためのもので、その目的とするところは、ミセル
分散液中の酸化還元反応性界面活性剤の状態を把握し、
酸化体比率を制御あるいは管理することによって、分散
性の良い安定なミセル分散液の製造方法および薄膜の製
造方法を提供することにある。
決するためのもので、その目的とするところは、ミセル
分散液中の酸化還元反応性界面活性剤の状態を把握し、
酸化体比率を制御あるいは管理することによって、分散
性の良い安定なミセル分散液の製造方法および薄膜の製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は、以下の手段
で解決される。
で解決される。
【０００６】酸化体比率は以下のようにして計算を行な
う。酸化体比率は、全界面活性剤中に占める酸化された
界面活性剤の比率で、ａと仮定すると ａ＝Ｃｏｘ／（Ｃｏｘ＋Ｃｒｅｄ） と表すことができる。
う。酸化体比率は、全界面活性剤中に占める酸化された
界面活性剤の比率で、ａと仮定すると ａ＝Ｃｏｘ／（Ｃｏｘ＋Ｃｒｅｄ） と表すことができる。
【０００７】一般にフェロセン誘導体界面活性剤のよう
に酸化還元反応が可能な系においては、ネルンストの式
に従う。
に酸化還元反応が可能な系においては、ネルンストの式
に従う。
【０００８】 Ｅ＝Ｅ0 ＋（ＲＴ／ｎＦ）ｌｎ（Ｃｏｘ／Ｃｒｅｄ） Ｅ0 は標準酸化還元電位、Ｅは酸化還元電位、Ｒは気体
定数、Ｆはファラデー定数、Ｔは温度、ｎは反応種1個
あたりに交換される電子数である。上記のミセル分散液
において分散後の自然電極電位がＥ，同濃度の界面活性
剤のみの水溶液のサイクリックボルタンメトリー（以下
ＣＶと略す）を測定し、その時のｉｐａ×１／２時の電
位（半波電位）がＥ0 になる。従って、この式によりＣ
ｏｘ／Ｃｒｅｄの値を求めることができる。また、ここ
で酸化体比率をａと仮定し、界面活性剤全量の濃度，吸
着した界面活性剤の濃度でＣｏｘ／Ｃｒｅｄに相当する
式を作る。ＣＶ測定でわかるｉｐａは、界面活性剤濃度
に比例するので、界面活性剤全量の濃度と吸着した界面
活性剤の濃度はそれぞれ、分散液と同濃度の界面活性剤
水溶液のｉｐａと分散液と同濃度の界面活性剤水溶液の
ｉｐａから分散液のｉｐａ（疎水性物質に吸着していな
いフリーな界面活性剤濃度）を引いて求めることができ
る。この式を解くことによって酸化体比率ａを求める。
定数、Ｆはファラデー定数、Ｔは温度、ｎは反応種1個
あたりに交換される電子数である。上記のミセル分散液
において分散後の自然電極電位がＥ，同濃度の界面活性
剤のみの水溶液のサイクリックボルタンメトリー（以下
ＣＶと略す）を測定し、その時のｉｐａ×１／２時の電
位（半波電位）がＥ0 になる。従って、この式によりＣ
ｏｘ／Ｃｒｅｄの値を求めることができる。また、ここ
で酸化体比率をａと仮定し、界面活性剤全量の濃度，吸
着した界面活性剤の濃度でＣｏｘ／Ｃｒｅｄに相当する
式を作る。ＣＶ測定でわかるｉｐａは、界面活性剤濃度
に比例するので、界面活性剤全量の濃度と吸着した界面
活性剤の濃度はそれぞれ、分散液と同濃度の界面活性剤
水溶液のｉｐａと分散液と同濃度の界面活性剤水溶液の
ｉｐａから分散液のｉｐａ（疎水性物質に吸着していな
いフリーな界面活性剤濃度）を引いて求めることができ
る。この式を解くことによって酸化体比率ａを求める。
【０００９】このようにして求められる酸化体比率を以
下のような方法で管理および製造することにより、経時
的に安定な分散性の良いミセル分散液を得ることができ
る。
下のような方法で管理および製造することにより、経時
的に安定な分散性の良いミセル分散液を得ることができ
る。
【００１０】（１）少なくとも疎水性物質および酸化還
元可能なフェロセン誘導体界面活性剤を水性媒体に分散
してなるミセル分散液の製造方法において、疎水性物質
と該界面活性剤を水性媒体中に分散する工程でフェロセ
ン誘導体界面活性剤中の酸化体の比率を０を越え且つ
０．３以下の範囲内に保つことを特徴とするミセル分散
液の製造方法。
元可能なフェロセン誘導体界面活性剤を水性媒体に分散
してなるミセル分散液の製造方法において、疎水性物質
と該界面活性剤を水性媒体中に分散する工程でフェロセ
ン誘導体界面活性剤中の酸化体の比率を０を越え且つ
０．３以下の範囲内に保つことを特徴とするミセル分散
液の製造方法。
【００１１】（２）疎水性物質として酸性表面を持つ物
質と酸性表面を持たない物質を含むことを特徴とする前
記手段１記載のミセル分散液の製造方法。
質と酸性表面を持たない物質を含むことを特徴とする前
記手段１記載のミセル分散液の製造方法。
【００１２】（３）少なくとも疎水性物質および酸化還
元可能なフェロセン誘導体界面活性剤を水性媒体に分散
してなるミセル分散液の製造方法において、酸性表面を
持たない疎水性物質を分散した後に酸性表面を持つ疎水
性物質を添加し分散することを特徴とする前記手段１記
載のミセル分散液の製造方法。
元可能なフェロセン誘導体界面活性剤を水性媒体に分散
してなるミセル分散液の製造方法において、酸性表面を
持たない疎水性物質を分散した後に酸性表面を持つ疎水
性物質を添加し分散することを特徴とする前記手段１記
載のミセル分散液の製造方法。
【００１３】（４）疎水性物質およびフェロセン誘導体
界面活性剤を水性媒体に分散してなるミセル分散液に導
電性基板を挿入し通電処理して疎水性物質の薄膜を製造
する製造方法において、該ミセル分散液が少なくとも通
電処理されている間、該フェロセン誘導体界面活性剤中
の酸化体の比率を０を越え且つ０．３以下の範囲内に保
つことを特徴とする薄膜の製造方法。
界面活性剤を水性媒体に分散してなるミセル分散液に導
電性基板を挿入し通電処理して疎水性物質の薄膜を製造
する製造方法において、該ミセル分散液が少なくとも通
電処理されている間、該フェロセン誘導体界面活性剤中
の酸化体の比率を０を越え且つ０．３以下の範囲内に保
つことを特徴とする薄膜の製造方法。
【００１４】（５）用いるミセル分散液が、上記（１）
あるいは（２）あるいは（３）記載の方法で製造したも
のである薄膜の製造方法。
あるいは（２）あるいは（３）記載の方法で製造したも
のである薄膜の製造方法。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明における実施例を、以下に
詳細に説明する。ここで、酸性表面を持つ物質とは、フ
タロシアニンブルー、ジオキサジンバイオレット、ジア
ントラキノニルレッド、ジスアゾイエロー、フタロシア
ニングリーンなどの有機顔料等を示し、酸性表面を持た
ない物質とは、ＩＴＯ、酸化スズなどの金属粒子等を示
す。
詳細に説明する。ここで、酸性表面を持つ物質とは、フ
タロシアニンブルー、ジオキサジンバイオレット、ジア
ントラキノニルレッド、ジスアゾイエロー、フタロシア
ニングリーンなどの有機顔料等を示し、酸性表面を持た
ない物質とは、ＩＴＯ、酸化スズなどの金属粒子等を示
す。
【００１６】（実施例１）純水５００ｍｌに臭化リチウ
ム一水和物５．２４ｇとフェロセニルポリエチレングリ
コール（以下Ｆ−ＰＥＧという）１．８５ｇとフタロシ
アニンブルー２．５８ｇとジオキサジンバイオレット
０．４６ｇと疎水化表面処理ＩＴＯ粒子とを混合した。
ここで、フタロシアニンブルーとジオキサンバイオレッ
トは酸性表面を持たない物質で、疎水化表面処理ＩＴＯ
粒子が酸性表面を持つ物質にあたいする。
ム一水和物５．２４ｇとフェロセニルポリエチレングリ
コール（以下Ｆ−ＰＥＧという）１．８５ｇとフタロシ
アニンブルー２．５８ｇとジオキサジンバイオレット
０．４６ｇと疎水化表面処理ＩＴＯ粒子とを混合した。
ここで、フタロシアニンブルーとジオキサンバイオレッ
トは酸性表面を持たない物質で、疎水化表面処理ＩＴＯ
粒子が酸性表面を持つ物質にあたいする。
【００１７】攪拌混合した後、超音波ホモジナイザー
（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ、出力：２０
ｋＨｚ、６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条件
下、１１０分分散した。この超音波分散した分散液を冷
却遠心機を用いて５３０×ｇの遠心加速度で3分間遠心
分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸着し
ていないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．２
３であった。
（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ、出力：２０
ｋＨｚ、６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条件
下、１１０分分散した。この超音波分散した分散液を冷
却遠心機を用いて５３０×ｇの遠心加速度で3分間遠心
分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸着し
ていないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．２
３であった。
【００１８】酸化体比率は以下のようにして計算を行な
う。一般にＦ−ＰＥＧのように酸化還元反応が可能な系
においては、ネルンストの式に従う。
う。一般にＦ−ＰＥＧのように酸化還元反応が可能な系
においては、ネルンストの式に従う。
【００１９】 Ｅ＝Ｅ0 ＋（ＲＴ／ｎＦ）ｌｎ（Ｃｏｘ／Ｃｒｅｄ） Ｅ0 は標準酸化還元電位，Ｅは酸化還元電位，Ｒは気体
定数，Ｆはファラデー定数，Ｔは温度，ｎは反応種1個
あたりに交換される電子数である。上記のミセル分散液
において分散後の自然電極電位がＥ，同濃度のＦ−ＰＥ
Ｇのみの水溶液のｉｐａ×１／２時の電位（半波電位）
がＥ0 になる。従って、この式によりＣｏｘ／Ｃｒｅｄ
の値を求めることができる。また、ここで酸化体比率を
ａと仮定し、Ｆ−ＰＥＧ全量の濃度，吸着したＦ−ＰＥ
Ｇの濃度でＣｏｘ／Ｃｒｅｄに相当する式を作る。この
式を解くことによって酸化体比率ａを求めることができ
る。
定数，Ｆはファラデー定数，Ｔは温度，ｎは反応種1個
あたりに交換される電子数である。上記のミセル分散液
において分散後の自然電極電位がＥ，同濃度のＦ−ＰＥ
Ｇのみの水溶液のｉｐａ×１／２時の電位（半波電位）
がＥ0 になる。従って、この式によりＣｏｘ／Ｃｒｅｄ
の値を求めることができる。また、ここで酸化体比率を
ａと仮定し、Ｆ−ＰＥＧ全量の濃度，吸着したＦ−ＰＥ
Ｇの濃度でＣｏｘ／Ｃｒｅｄに相当する式を作る。この
式を解くことによって酸化体比率ａを求めることができ
る。
【００２０】ここでＩＴＯ粒子の疎水化表面処理方法を
以下に記する。住友金属鉱山製ＩＴＯ粒子（平均一次粒
子径３００〜４００オングストローム）１００ｇを５０
０ｍｌセパラブルフラスコにとり、１２０℃で３時間真
空乾燥する。これにイソプロピルトリス（ジオクチルパ
イロフォスフェート）チタネート１．０ｇをキシレン２
００ｍｌに溶かした溶液を入れ、高速ホモジナイザーを
用いて６０００ｒｐｍの速度で９０分間攪拌粉砕を行な
う。フラスコにテフロン製攪拌棒、還流管、温度計を取
り付け、オイルバス中で反応を行なう。反応液は２５０
ｒｐｍの回転数で１１３±２℃になるようにオイルバス
の温度を制御しながら３時間保持する。反応終了後なす
型フラスコに取り出してエバポレーターでキシレンを留
去した後、ＩＴＯ粒子を１００℃で３時間真空乾燥して
めのう乳鉢ですりつぶして完成する。
以下に記する。住友金属鉱山製ＩＴＯ粒子（平均一次粒
子径３００〜４００オングストローム）１００ｇを５０
０ｍｌセパラブルフラスコにとり、１２０℃で３時間真
空乾燥する。これにイソプロピルトリス（ジオクチルパ
イロフォスフェート）チタネート１．０ｇをキシレン２
００ｍｌに溶かした溶液を入れ、高速ホモジナイザーを
用いて６０００ｒｐｍの速度で９０分間攪拌粉砕を行な
う。フラスコにテフロン製攪拌棒、還流管、温度計を取
り付け、オイルバス中で反応を行なう。反応液は２５０
ｒｐｍの回転数で１１３±２℃になるようにオイルバス
の温度を制御しながら３時間保持する。反応終了後なす
型フラスコに取り出してエバポレーターでキシレンを留
去した後、ＩＴＯ粒子を１００℃で３時間真空乾燥して
めのう乳鉢ですりつぶして完成する。
【００２１】このミセル分散液中にアノードとして電極
を持ったガラス基板と、カソードとしてステンレス基板
を浸析させ、＋０．４Ｖの電位で１５分電解を行なっ
た。この結果ＩＴＯ基板上に青色の顔料膜が形成され
た。この基板を水洗し１８０℃で３０分焼成した後、
０．２μｍのオーバーコート（ＪＳＳ−８日本合成ゴム
社製）を塗布して膜厚を測定した。膜厚は均一で０．８
２μｍであった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共
析膜（以下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１
×１０5.1 Ωｃｍであった。またこの液を1週間放置し
た後、同様の方法でＣＦ層を作製し特性を測定した結
果、膜厚は０．７５μm，導電率は１×１０5.2ｃｍとな
り経時的に安定している。
を持ったガラス基板と、カソードとしてステンレス基板
を浸析させ、＋０．４Ｖの電位で１５分電解を行なっ
た。この結果ＩＴＯ基板上に青色の顔料膜が形成され
た。この基板を水洗し１８０℃で３０分焼成した後、
０．２μｍのオーバーコート（ＪＳＳ−８日本合成ゴム
社製）を塗布して膜厚を測定した。膜厚は均一で０．８
２μｍであった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共
析膜（以下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１
×１０5.1 Ωｃｍであった。またこの液を1週間放置し
た後、同様の方法でＣＦ層を作製し特性を測定した結
果、膜厚は０．７５μm，導電率は１×１０5.2ｃｍとな
り経時的に安定している。
【００２２】ここで好ましい導電率の範囲は、パネルに
した時のしきい値電圧Ｖｔｈ（光の透過率が１０％の時
の電圧）のばらつきにより判断する。その結果、１×１
０7.0 Ωｃｍを越えると色毎の顔料の誘電率が少し異な
るのでパネルの色間のＶｔｈのばらつきがでる。１×１
０7.0 Ωｃｍ以下になると色間のＶｔｈが揃ってくるの
で、実用的には１×１０7.0 Ωｃｍ以下がよいと考えら
れる。
した時のしきい値電圧Ｖｔｈ（光の透過率が１０％の時
の電圧）のばらつきにより判断する。その結果、１×１
０7.0 Ωｃｍを越えると色毎の顔料の誘電率が少し異な
るのでパネルの色間のＶｔｈのばらつきがでる。１×１
０7.0 Ωｃｍ以下になると色間のＶｔｈが揃ってくるの
で、実用的には１×１０7.0 Ωｃｍ以下がよいと考えら
れる。
【００２３】（実施例２）純水６００ｍｌに臭化リチウ
ム一水和物６．２３ｇとフェロセニルポリエチレングリ
コール（Ｆ−ＰＥＧ）２．３２ｇとジアントラキノニル
レッド５．１５ｇとジスアゾイエローＨＲ１．０６ｇと
を混合した。攪拌混合した後、超音波ホモジナイザー
（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０
ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条件
下、３時間分散した。この超音波分散した分散液を冷却
遠心機を用いて２２００×ｇの遠心加速度で１０分間遠
心分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸着
していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．
０７５であった。
ム一水和物６．２３ｇとフェロセニルポリエチレングリ
コール（Ｆ−ＰＥＧ）２．３２ｇとジアントラキノニル
レッド５．１５ｇとジスアゾイエローＨＲ１．０６ｇと
を混合した。攪拌混合した後、超音波ホモジナイザー
（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０
ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条件
下、３時間分散した。この超音波分散した分散液を冷却
遠心機を用いて２２００×ｇの遠心加速度で１０分間遠
心分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸着
していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．
０７５であった。
【００２４】次に、遠心分離したミセル分散液の５００
ｍｌを取り出し、そこに疎水化処理を行なったＩＴＯ粒
子８．８２ｇを添加する。ミセル分散液にＩＴＯ粒子を
添加後、超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形
式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を
用いて、液温１３±２℃の条件下、再度３０分分散し
た。この時のミセル分散液中の顔料に吸着していないフ
リーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．１７であっ
た。
ｍｌを取り出し、そこに疎水化処理を行なったＩＴＯ粒
子８．８２ｇを添加する。ミセル分散液にＩＴＯ粒子を
添加後、超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形
式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を
用いて、液温１３±２℃の条件下、再度３０分分散し
た。この時のミセル分散液中の顔料に吸着していないフ
リーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．１７であっ
た。
【００２５】このミセル分散液中にアノードとして電極
を持ったガラス基板と、カソードとしてステンレス基板
を浸析させ、＋０．６Ｖの電位で１５分電解を行なっ
た。この結果ＩＴＯ基板上に赤色の顔料膜が形成され
た。この基板を水洗し１８０℃で３０分焼成した後、
０．２μｍのオーバーコート（ＪＳＳ−８日本合成ゴム
社製）を塗布して膜厚を測定した。膜厚は均一で１．０
５μｍであった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共
析膜（以下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１
×１０5.3 Ωｃｍであった。また、この液を１週間放置
した後、同様の方法でＣＦ層を作製し特性を測定した結
果、膜厚は０．９８μm，導電率は１×１０5.6Ωｃｍと
なり経時的に安定している。
を持ったガラス基板と、カソードとしてステンレス基板
を浸析させ、＋０．６Ｖの電位で１５分電解を行なっ
た。この結果ＩＴＯ基板上に赤色の顔料膜が形成され
た。この基板を水洗し１８０℃で３０分焼成した後、
０．２μｍのオーバーコート（ＪＳＳ−８日本合成ゴム
社製）を塗布して膜厚を測定した。膜厚は均一で１．０
５μｍであった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共
析膜（以下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１
×１０5.3 Ωｃｍであった。また、この液を１週間放置
した後、同様の方法でＣＦ層を作製し特性を測定した結
果、膜厚は０．９８μm，導電率は１×１０5.6Ωｃｍと
なり経時的に安定している。
【００２６】（実施例３）純水５００ｍｌに臭化リチウ
ム一水和物５．２４ｇとフェロセニルポリエチレングリ
コール（Ｆ−ＰＥＧ）２．５０ｇとジアントラキノニル
レッド７．９８ｇとジスアゾイエローＨＲ１．６４ｇと
を混合した。攪拌混合した後、超音波ホモジナイザー
（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０
ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条件
下、３時間分散した。この超音波分散した分散液を冷却
遠心機を用いて２２００×ｇの遠心加速度で１０分間遠
心分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸着
していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．
０７であった。
ム一水和物５．２４ｇとフェロセニルポリエチレングリ
コール（Ｆ−ＰＥＧ）２．５０ｇとジアントラキノニル
レッド７．９８ｇとジスアゾイエローＨＲ１．６４ｇと
を混合した。攪拌混合した後、超音波ホモジナイザー
（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０
ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条件
下、３時間分散した。この超音波分散した分散液を冷却
遠心機を用いて２２００×ｇの遠心加速度で１０分間遠
心分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸着
していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．
０７であった。
【００２７】次に、疎水化表面処理ＩＴＯ粒子１０．８
ｇとＦ−ＰＥＧ０．８１ｍｌを純水２００ｍｌ中で攪拌
混合した液を、上記顔料分散液３００ｍｌと混合した。
混合後、超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形
式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を
用いて、液温１３±２℃の条件下、再度分散した。分散
時間は、３０分と６０分行なった。この時のセル分散液
中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化
体比率は、それぞれ０．１５，０．１９であった。
ｇとＦ−ＰＥＧ０．８１ｍｌを純水２００ｍｌ中で攪拌
混合した液を、上記顔料分散液３００ｍｌと混合した。
混合後、超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形
式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を
用いて、液温１３±２℃の条件下、再度分散した。分散
時間は、３０分と６０分行なった。この時のセル分散液
中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化
体比率は、それぞれ０．１５，０．１９であった。
【００２８】ここで実施例１と同様の方法で顔料，ＩＴ
Ｏ粒子共析膜を作製した。膜厚は均一でそれぞれ０．８
８μｍ，０．９３μｍであった。以上の工程で得られた
顔料，ＩＴＯ共析膜（以下ＣＦ層という）の導電率を測
定したところ１×１０5.6 Ωｃｍ，１×１０5.5 Ωｃｍ
であった。また、この液を１週間放置した後、同様の方
法でＣＦ層を作製し特性を測定した結果、膜厚は０．８
８μm，０．８４μm導電率は１×１０5.6 Ωｃｍ，１×
１０5.7 Ωｃｍとなり経時的に安定している。
Ｏ粒子共析膜を作製した。膜厚は均一でそれぞれ０．８
８μｍ，０．９３μｍであった。以上の工程で得られた
顔料，ＩＴＯ共析膜（以下ＣＦ層という）の導電率を測
定したところ１×１０5.6 Ωｃｍ，１×１０5.5 Ωｃｍ
であった。また、この液を１週間放置した後、同様の方
法でＣＦ層を作製し特性を測定した結果、膜厚は０．８
８μm，０．８４μm導電率は１×１０5.6 Ωｃｍ，１×
１０5.7 Ωｃｍとなり経時的に安定している。
【００２９】（実施例４）純水１０００ｍｌに臭化リチ
ウム一水和物１０．４８ｇとフェロセニルポリエチレン
グリコール（Ｆ−ＰＥＧ）４．００ｇとジアントラキノ
ニルレッド１５．９６ｇとジスアゾイエローＨＲ３．２
８ｇとを混合した。攪拌混合した後、超音波ホモジナイ
ザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：
２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条
件下、４時間分散した。この超音波分散した分散液を冷
却遠心機を用いて２２００×ｇの遠心加速度で１０分間
遠心分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸
着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、
０．０５であった。
ウム一水和物１０．４８ｇとフェロセニルポリエチレン
グリコール（Ｆ−ＰＥＧ）４．００ｇとジアントラキノ
ニルレッド１５．９６ｇとジスアゾイエローＨＲ３．２
８ｇとを混合した。攪拌混合した後、超音波ホモジナイ
ザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出力：
２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃の条
件下、４時間分散した。この超音波分散した分散液を冷
却遠心機を用いて２２００×ｇの遠心加速度で１０分間
遠心分離を行った。この時のミセル分散液中の顔料に吸
着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、
０．０５であった。
【００３０】次に、疎水化表面処理ＩＴＯ粒子１８．０
ｇとＦ−ＰＥＧ１．２４ｍｌとＬｉＢｒ５．２４ｇを純
水５００ｍｌ中で攪拌混合した。混合後、超音波ホモジ
ナイザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出
力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃
の条件下、３０分分散した。この時のミセル分散液中の
顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比
率は、０．１３であった。
ｇとＦ−ＰＥＧ１．２４ｍｌとＬｉＢｒ５．２４ｇを純
水５００ｍｌ中で攪拌混合した。混合後、超音波ホモジ
ナイザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出
力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃
の条件下、３０分分散した。この時のミセル分散液中の
顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比
率は、０．１３であった。
【００３１】さらに、上記顔料分散液３００ｍｌとＩＴ
Ｏ粒子分散液３００ｍｌを混合した。混合後、超音波ホ
モジナイザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００
Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３
±２℃の条件下、４０分分散した。この時のセル分散液
中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化
体比率は、０．２８であった。
Ｏ粒子分散液３００ｍｌを混合した。混合後、超音波ホ
モジナイザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００
Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３
±２℃の条件下、４０分分散した。この時のセル分散液
中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化
体比率は、０．２８であった。
【００３２】ここで実施例１と同様の方法で顔料，ＩＴ
Ｏ粒子共析膜を作製した。膜厚は均一で０．８１μｍで
あった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共析膜（以
下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１×１０
6.3 Ωｃｍであった。
Ｏ粒子共析膜を作製した。膜厚は均一で０．８１μｍで
あった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共析膜（以
下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１×１０
6.3 Ωｃｍであった。
【００３３】（実施例５）純水５００ｍｌにフェロセニ
ルポリエチレングリコール（Ｆ−ＰＥＧ）０．３８ｇと
臭化リチウム一水和物５．２４ｇと疎水化表面処理ＩＴ
Ｏ粒子５．４ｇとを混合した。混合後、超音波ホモジナ
イザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出
力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃
の条件下、６０分分散した。分散液は、沈殿がなく均一
であった。この時のミセル分散液中の顔料に吸着してい
ないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．１４で
あった。ここで実施例１と同様の方法でＩＴＯ粒子のみ
の膜を作製した。膜厚は均一で０．１０μｍであった。
ルポリエチレングリコール（Ｆ−ＰＥＧ）０．３８ｇと
臭化リチウム一水和物５．２４ｇと疎水化表面処理ＩＴ
Ｏ粒子５．４ｇとを混合した。混合後、超音波ホモジナ
イザー（日本精機製作所、形式：ＲＵＳ６００Ｔ，出
力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用いて、液温１３±２℃
の条件下、６０分分散した。分散液は、沈殿がなく均一
であった。この時のミセル分散液中の顔料に吸着してい
ないフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．１４で
あった。ここで実施例１と同様の方法でＩＴＯ粒子のみ
の膜を作製した。膜厚は均一で０．１０μｍであった。
【００３４】（比較例１）実施例１と同様の組成の混合
液を超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形式：Ｒ
ＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用い
て、液温１３±２℃の条件下、１８０分散させた。分散
後、分散液を１昼夜放置したところＩＴＯ粒子が多量に
沈殿してしまった。ここで実施例１と同様の方法で顔
料，ＩＴＯ粒子共析膜を作製した。膜厚は０．８１μｍ
であった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共析膜
（以下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１×１
０7.9 Ωｃｍであり、十分な導電率を得ることができな
かった。この時のミセル分散液中の顔料に吸着していな
いフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．３７であ
った。
液を超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形式：Ｒ
ＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用い
て、液温１３±２℃の条件下、１８０分散させた。分散
後、分散液を１昼夜放置したところＩＴＯ粒子が多量に
沈殿してしまった。ここで実施例１と同様の方法で顔
料，ＩＴＯ粒子共析膜を作製した。膜厚は０．８１μｍ
であった。以上の工程で得られた顔料，ＩＴＯ共析膜
（以下ＣＦ層という）の導電率を測定したところ１×１
０7.9 Ωｃｍであり、十分な導電率を得ることができな
かった。この時のミセル分散液中の顔料に吸着していな
いフリーなＦ−ＰＥＧ中の酸化体比率は、０．３７であ
った。
【００３５】（比較例２）実施例５と同様の組成の混合
液を超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形式：Ｒ
ＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用い
て、液温１３±２℃の条件下、１５０，１８０，２４０
分の２水準を分散させた。分散後、分散液を３時間放置
したところＩＴＯ粒子のほとんどが沈殿してしまった。
また、実施例１と同様の方法でＩＴＯ粒子のみの膜を作
製しようとしたが、成膜しなかった。この時のミセル分
散液中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の
酸化体比率は、それぞれ０．３１，０．３５，０．４５
であった。
液を超音波ホモジナイザー（日本精機製作所、形式：Ｒ
ＵＳ６００Ｔ，出力：２０ｋＨｚ，６００Ｗ）を用い
て、液温１３±２℃の条件下、１５０，１８０，２４０
分の２水準を分散させた。分散後、分散液を３時間放置
したところＩＴＯ粒子のほとんどが沈殿してしまった。
また、実施例１と同様の方法でＩＴＯ粒子のみの膜を作
製しようとしたが、成膜しなかった。この時のミセル分
散液中の顔料に吸着していないフリーなＦ−ＰＥＧ中の
酸化体比率は、それぞれ０．３１，０．３５，０．４５
であった。
【００３６】ここで、実施例１〜５および比較例１，２
の酸化体比率、膜厚、導電率についてまとめたものを表
１に示した。
の酸化体比率、膜厚、導電率についてまとめたものを表
１に示した。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１からわかるように酸化体比率が０．３
を越えると分散状態が不安定になり、粒子の沈殿が生じ
たりあるいは目的の導電率を得ることができなくなる。
また、顔料等の疎水性物質の分散を十分に行なった後で
酸性表面を持つ粒子を添加して再分散を行なうことによ
り、酸化体比率の急激な上昇を起こすことなく安定な分
散状態を得ることができる。
を越えると分散状態が不安定になり、粒子の沈殿が生じ
たりあるいは目的の導電率を得ることができなくなる。
また、顔料等の疎水性物質の分散を十分に行なった後で
酸性表面を持つ粒子を添加して再分散を行なうことによ
り、酸化体比率の急激な上昇を起こすことなく安定な分
散状態を得ることができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、分散液中の顔料や機能
性材料の安定な分散状態を得ることができる。また、酸
化体比率を管理することにより、液の状態や変化を見る
ことができる。さらに、酸化体比率を一定値以下に保つ
ことで経時的にも安定な分散状態を保っているので、高
品質の疎水性物質薄膜や機能性薄膜を長期間，安定に製
造することが可能である。
性材料の安定な分散状態を得ることができる。また、酸
化体比率を管理することにより、液の状態や変化を見る
ことができる。さらに、酸化体比率を一定値以下に保つ
ことで経時的にも安定な分散状態を保っているので、高
品質の疎水性物質薄膜や機能性薄膜を長期間，安定に製
造することが可能である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ 5/20 １０１ 1/10 Ｚ
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも疎水性物質および酸化還元可能
なフェロセン誘導体界面活性剤を水性媒体に分散してな
るミセル分散液の製造方法において、前記疎水性物質と
前記界面活性剤を水性媒体中に分散する工程で、フェロ
セン誘導体界面活性剤中の酸化体の比率を、０以上０．
３以下に保つことを特徴とするミセル分散液の製造方
法。 - 【請求項２】 前記疎水性物質として酸性表面を持つ物
質と酸性表面を持たない物質を含むことを特徴とする請
求項１記載のミセル分散液の製造方法。 - 【請求項３】 前記疎水性物質を水性媒体中に分散する
工程で、酸性表面を持たない疎水性物質を分散した後に
酸性表面を持つ疎水性物質を添加し分散することを特徴
とする請求項１記載のミセル分散液の製造方法。 - 【請求項４】 疎水性物質およびフェロセン誘導体界面
活性剤を水性媒体に分散してなるミセル分散液に導電性
基板を挿入し通電処理して疎水性物質の薄膜を製造する
方法において、前記ミセル分散液が少なくとも通電処理
されている間、前記フェロセン誘導体界面活性剤中の酸
化体の比率を０を越え且つ０．３以下の範囲内に保つこ
とを特徴とする薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１あるいは請求項２あるいは請求
項３記載の方法で製造したミセル分散液を用いることを
特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12271697A JPH10310898A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | ミセル分散液の製造方法および薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12271697A JPH10310898A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | ミセル分散液の製造方法および薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310898A true JPH10310898A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14842833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12271697A Withdrawn JPH10310898A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | ミセル分散液の製造方法および薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10310898A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000053828A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispersion de micelles et procede de preparation associe |
| WO2003064732A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Sakata Inx Corp. | Procede de production d'une dispersion de micelles, et dispersion de micelles ainsi produite |
| WO2015034041A1 (ja) | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 国立大学法人北海道大学 | 有機ｅｌデバイス用薄膜及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12271697A patent/JPH10310898A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000053828A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispersion de micelles et procede de preparation associe |
| US6521671B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-02-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Micelle dispersion and method for preparation thereof |
| WO2003064732A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Sakata Inx Corp. | Procede de production d'une dispersion de micelles, et dispersion de micelles ainsi produite |
| WO2015034041A1 (ja) | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 国立大学法人北海道大学 | 有機ｅｌデバイス用薄膜及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |