JPH032535A - 積層基板を用いたセンサの製造方法 - Google Patents
積層基板を用いたセンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH032535A JPH032535A JP1135539A JP13553989A JPH032535A JP H032535 A JPH032535 A JP H032535A JP 1135539 A JP1135539 A JP 1135539A JP 13553989 A JP13553989 A JP 13553989A JP H032535 A JPH032535 A JP H032535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- area
- flexible
- unit
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 46
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 22
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 19
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49103—Strain gauge making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49789—Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は抵抗素子を用いたセンサの製造方法、特に半導
体基板上に形成された抵抗素子に対して加えられる機械
的変形を、電気抵抗の変化として検出するセンサの製造
方法に関する。
体基板上に形成された抵抗素子に対して加えられる機械
的変形を、電気抵抗の変化として検出するセンサの製造
方法に関する。
力、加速度、磁気などのセンサとして、半導体基板上に
抵抗素子を形成し、力、加速度、磁気などの作用により
この抵抗素子に機械的変形を生じさせ、この機械的変形
を電気抵抗の変化として検出するセンサが提案されてい
る。たとえば、特許協力条約に基づく国際出願の国際公
開第ＷＯ３８１０８５２２号公報には、本願発明者と同
一人の発明による抵抗素子を用いた力・加速度・磁気の
検出装置が開示されている。
抵抗素子を形成し、力、加速度、磁気などの作用により
この抵抗素子に機械的変形を生じさせ、この機械的変形
を電気抵抗の変化として検出するセンサが提案されてい
る。たとえば、特許協力条約に基づく国際出願の国際公
開第ＷＯ３８１０８５２２号公報には、本願発明者と同
一人の発明による抵抗素子を用いた力・加速度・磁気の
検出装置が開示されている。
このようなセンサを製造するには、まず、半導体ウェハ
に不純物拡散などを行って多数の抵抗素子を所定位置に
形成し、必要な配線や可撓性を持たせるための溝の形成
などを行う。そして、この半導体ウェハをダイシング工
程によって複数の半導体ペレットに切断する。この各ペ
レットが、１つの独立した力センサの中枢ユニットとな
る。このあと、加速度センサを製造するには、このペレ
ットの作用部に重錘体を接合し、磁気センサを製造する
には、重錘体の代わりに磁性体を接合する。
に不純物拡散などを行って多数の抵抗素子を所定位置に
形成し、必要な配線や可撓性を持たせるための溝の形成
などを行う。そして、この半導体ウェハをダイシング工
程によって複数の半導体ペレットに切断する。この各ペ
レットが、１つの独立した力センサの中枢ユニットとな
る。このあと、加速度センサを製造するには、このペレ
ットの作用部に重錘体を接合し、磁気センサを製造する
には、重錘体の代わりに磁性体を接合する。
そして、このペレットをパッケージの中に納めワイヤボ
ンディングを行えば、センサとしてのチップが完成する
。
ンディングを行えば、センサとしてのチップが完成する
。
前述した従来の製造方法では、半導体ウエノ＼の加工段
階においては、１枚のウエノ１上に形成された複数のセ
ンサユニットに対して同時に処理を行ってゆくことがで
きる。しかしながら、ウエノ＼をダイシングして切り離
した後は、各ユニットごと別々に加工してゆく必要があ
る。たとえば、加速度センサでは重錘体を各ユニットご
とに接合し、磁気センサでは磁性体を各ユニットごとに
接合する必要がある。この他にも、ペレットを支持する
ための台座も各ユニットごとに接合しなければならない
。また、重錘体あるいは磁性体に大きな力が加わった場
合に、半導体基板が機械的に破損するのを防ぐため、重
錘体あるいは磁性体が許容範囲を越えて動かないように
するための制御部材も各ユニットごとに接合する必要が
ある。このように従来の製造方法では、ウニ／％単位で
はなく、ペレット単位で処理すべき工程が多く、効率が
悪く生産性が上がらない。すなわち、従来の方法は大量
生産には不適当てあり、製品がコスト高になるという問
題があった。
階においては、１枚のウエノ１上に形成された複数のセ
ンサユニットに対して同時に処理を行ってゆくことがで
きる。しかしながら、ウエノ＼をダイシングして切り離
した後は、各ユニットごと別々に加工してゆく必要があ
る。たとえば、加速度センサでは重錘体を各ユニットご
とに接合し、磁気センサでは磁性体を各ユニットごとに
接合する必要がある。この他にも、ペレットを支持する
ための台座も各ユニットごとに接合しなければならない
。また、重錘体あるいは磁性体に大きな力が加わった場
合に、半導体基板が機械的に破損するのを防ぐため、重
錘体あるいは磁性体が許容範囲を越えて動かないように
するための制御部材も各ユニットごとに接合する必要が
ある。このように従来の製造方法では、ウニ／％単位で
はなく、ペレット単位で処理すべき工程が多く、効率が
悪く生産性が上がらない。すなわち、従来の方法は大量
生産には不適当てあり、製品がコスト高になるという問
題があった。
そこで本発明は、抵抗素子を用いたセンサを、効率良く
大量生産することができる製造方法を提供することを目
的とする。
大量生産することができる製造方法を提供することを目
的とする。
本願箱１の発明は、抵抗素子を用いたセンサの製造方法
において、 第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領域内
において、その中心部に作用領域、この作用領域の周囲
に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞ
れ定義する段階と、第１の基板の第１の面上の各可撓領
域内に、抵抗素子を形成する段階と、 各可撓領域に可撓性を持たせるために、第１の基板を部
分的に除去する加工を行う段階と、第１の基板の第２の
面に、第２の基板の第１の面を接合する段階と、 第２の基板を切断することにより、各単位領域において
、第１の基板の作用領域に接合しており第２の基板の一
部分から構成される作用体と、第１の基板の固定領域に
接合しており第２の基板の一部分から構成される台座と
、を形成する段階と、第１の基板および第２の基板を、
各単位領域ごとに切り離し、それぞれ独立したセンサを
形成する段階と、 を行うようにしたものである。
において、 第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領域内
において、その中心部に作用領域、この作用領域の周囲
に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞ
れ定義する段階と、第１の基板の第１の面上の各可撓領
域内に、抵抗素子を形成する段階と、 各可撓領域に可撓性を持たせるために、第１の基板を部
分的に除去する加工を行う段階と、第１の基板の第２の
面に、第２の基板の第１の面を接合する段階と、 第２の基板を切断することにより、各単位領域において
、第１の基板の作用領域に接合しており第２の基板の一
部分から構成される作用体と、第１の基板の固定領域に
接合しており第２の基板の一部分から構成される台座と
、を形成する段階と、第１の基板および第２の基板を、
各単位領域ごとに切り離し、それぞれ独立したセンサを
形成する段階と、 を行うようにしたものである。
本願箱２の発明は、上記第１の発明において、基板を各
単位領域ごとに切り離す前に、更に、第３の基板の第１
の面上に、作用体が所定の自由度をもって動きうるよう
な溝を形成した後、この第３の基板の第１の面を第２の
基板の第２の面に接合する段階を行い、第１、第２、お
よび第３の基板を、各単位領域ごとに切り離し、それぞ
れセンサを形成するようにしたものである。
単位領域ごとに切り離す前に、更に、第３の基板の第１
の面上に、作用体が所定の自由度をもって動きうるよう
な溝を形成した後、この第３の基板の第１の面を第２の
基板の第２の面に接合する段階を行い、第１、第２、お
よび第３の基板を、各単位領域ごとに切り離し、それぞ
れセンサを形成するようにしたものである。
本願箱３の発明は、上記第１の発明において、基板を各
単位領域ごとに切り離す前に、更に、第３の基板の第１
の面上に、第１の基板の作用部が所定の自由度をもって
動きつるような溝を形成した後、この第３の基板の第１
の面を第１の基板の第１の面に接合する段階を行い、第
１、第２、および第３の基板を、各単位領域ごとに切り
離し、それぞれセンサを形成するようにしたものである
。
単位領域ごとに切り離す前に、更に、第３の基板の第１
の面上に、第１の基板の作用部が所定の自由度をもって
動きつるような溝を形成した後、この第３の基板の第１
の面を第１の基板の第１の面に接合する段階を行い、第
１、第２、および第３の基板を、各単位領域ごとに切り
離し、それぞれセンサを形成するようにしたものである
。
本願箱４の発明は、上記第１の発明において、第１の基
板の第１の面に含まれ互いに直交する第１．の軸および
第２の軸と、この第１の軸および第２の軸に直交する第
３の軸と、の３つの軸方向に関して各作用領域に作用す
る力を検出することができるように、抵抗素子を形成す
るようにしたものである。
板の第１の面に含まれ互いに直交する第１．の軸および
第２の軸と、この第１の軸および第２の軸に直交する第
３の軸と、の３つの軸方向に関して各作用領域に作用す
る力を検出することができるように、抵抗素子を形成す
るようにしたものである。
本願節１の発明によれば、第２の基板の一部に、よって
重錘体あるいは磁性体が形成され、別な一部によって第
１の基板を支えるための台座が形成される。すなわち、
ダイシング工程を行う前に、ウェハ単位て重錘体、磁性
体、台座の形成が可能になる。また、本願節２の発明に
よれば、重錘体あるいは磁性体（本願ではこれらの総称
を作用体としている）の下方への動きを制限するための
制御部材を、ダイシング工程を行う前に第３の基板によ
って形成することができる。また、本願節３の発明によ
れば、第１の基板の作用部の上方への動きを制限するた
めの制御部材を、ダイシング工程を行う前に第３の基板
によって形成することができる。更に本願節４の発明に
よれば、互いに直交する３軸に関して作用領域に作用す
る力が検出できるので、作用体の動きを３次元でとらえ
ることができ、立体的な検出を行うセンサが実現できる
。
重錘体あるいは磁性体が形成され、別な一部によって第
１の基板を支えるための台座が形成される。すなわち、
ダイシング工程を行う前に、ウェハ単位て重錘体、磁性
体、台座の形成が可能になる。また、本願節２の発明に
よれば、重錘体あるいは磁性体（本願ではこれらの総称
を作用体としている）の下方への動きを制限するための
制御部材を、ダイシング工程を行う前に第３の基板によ
って形成することができる。また、本願節３の発明によ
れば、第１の基板の作用部の上方への動きを制限するた
めの制御部材を、ダイシング工程を行う前に第３の基板
によって形成することができる。更に本願節４の発明に
よれば、互いに直交する３軸に関して作用領域に作用す
る力が検出できるので、作用体の動きを３次元でとらえ
ることができ、立体的な検出を行うセンサが実現できる
。
このように本発明によれば、ダイシング工程前にウェハ
単位で大半の処理が完了するため、大量生産に適した効
率のよいセンサの製造か可能になる。
単位で大半の処理が完了するため、大量生産に適した効
率のよいセンサの製造か可能になる。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
センサの構造
はじめに、本発明の対象となる抵抗素子を用いたセンサ
の構造を簡単に説明する。第１図は加速度センサの一例
を示す構造断面図である。このセンサの中枢ユニットと
なるのは、半導体ペレット１０である。この半導体ペレ
ット１０の上面図を第２図に示す。第１図の中央部分に
示されている半導体ペレット１０の断面は、第２図をＸ
軸に沿って切断した断面に相当する。この半導体ペレッ
ト］０は、内側から外側に向がって順に、作用部１１、
可撓部１２、固定部１３の３つの領域に分けられる。第
２図に破線で示されているように、可撓部１２の下面に
は、環状に溝が形成されている。この溝によって、可撓
部１２は肉厚が薄くなり、可撓性をもっことになる。し
たがって、固定部１３を固定したまま作用部１１に力を
作用させると、可撓部１２が撓んで機械的変形が生じる
。
の構造を簡単に説明する。第１図は加速度センサの一例
を示す構造断面図である。このセンサの中枢ユニットと
なるのは、半導体ペレット１０である。この半導体ペレ
ット１０の上面図を第２図に示す。第１図の中央部分に
示されている半導体ペレット１０の断面は、第２図をＸ
軸に沿って切断した断面に相当する。この半導体ペレッ
ト］０は、内側から外側に向がって順に、作用部１１、
可撓部１２、固定部１３の３つの領域に分けられる。第
２図に破線で示されているように、可撓部１２の下面に
は、環状に溝が形成されている。この溝によって、可撓
部１２は肉厚が薄くなり、可撓性をもっことになる。し
たがって、固定部１３を固定したまま作用部１１に力を
作用させると、可撓部１２が撓んで機械的変形が生じる
。
可撓部１２の上面には、第２図に示すように、抵抗素子
Ｒｘｌ 〜Ｒｘ４． ＲｙＬ 〜Ｒｙ４． Ｒｚｌ 〜
Ｒｚ４が所定の向きに形成されている。
Ｒｘｌ 〜Ｒｘ４． ＲｙＬ 〜Ｒｙ４． Ｒｚｌ 〜
Ｒｚ４が所定の向きに形成されている。
第１図に示すように、作用部１１の下方には重錘体２０
が接合されており、固定部１３の下方には台座３０が接
合されている。台座３０の底面はパッケージ４０の内側
底面に接合されており、半導体ペレット１０および重錘
体２０はこの台座３０によって支持される。重錘体２０
は内部で宙吊りの状態となっている。パッケージ４０に
は蓋４１が被せられる。半導体ペレット１０に設けられ
１ ま たポンディングパッド１４は、各抵抗素子に対してペレ
ット内で電気的に接続されており、このポンディングパ
ッド１４とパッケージ側方に設けられたり一部４２とは
、ホンディングワイヤ１５によって接続されている。
が接合されており、固定部１３の下方には台座３０が接
合されている。台座３０の底面はパッケージ４０の内側
底面に接合されており、半導体ペレット１０および重錘
体２０はこの台座３０によって支持される。重錘体２０
は内部で宙吊りの状態となっている。パッケージ４０に
は蓋４１が被せられる。半導体ペレット１０に設けられ
１ ま たポンディングパッド１４は、各抵抗素子に対してペレ
ット内で電気的に接続されており、このポンディングパ
ッド１４とパッケージ側方に設けられたり一部４２とは
、ホンディングワイヤ１５によって接続されている。
このセンサに加速度が加わると、重錘体２０に外力が作
用することになる。この外力は作用部１１に伝達され、
可撓部１２に機械的変形が生じる。
用することになる。この外力は作用部１１に伝達され、
可撓部１２に機械的変形が生じる。
これによって、抵抗素子の電気抵抗に変化が生じ、この
変化はボンディングワイヤ１５およびリード４２を介し
て外部に取り出すことができる。作用部コ、１に加わっ
た力のＸ方向成分は抵抗素子Ｒｘｌ〜Ｒｘ４の電気抵抗
の変化により、Ｙ方向成分は抵抗素子ＲｙＬ〜Ｒｙ４の
電気抵抗の変化により、Ｚ方向成分は抵抗素子Ｒｚｌ〜
Ｒｚ４の電気抵抗の変化により、それぞれ検出される。
変化はボンディングワイヤ１５およびリード４２を介し
て外部に取り出すことができる。作用部コ、１に加わっ
た力のＸ方向成分は抵抗素子Ｒｘｌ〜Ｒｘ４の電気抵抗
の変化により、Ｙ方向成分は抵抗素子ＲｙＬ〜Ｒｙ４の
電気抵抗の変化により、Ｚ方向成分は抵抗素子Ｒｚｌ〜
Ｒｚ４の電気抵抗の変化により、それぞれ検出される。
この検出方法については本発明の本旨ではないため、こ
こでは説明を省略する。詳細は特許協力条約に基づく国
際出願の国際公開第ＷＯ３８１０８５２２号公報などを
参照されたい。なお、上述のセンサは加速度センザであ
るが、磁気センサの場合には、重錘体２０を磁性体で構
成すればよい。
こでは説明を省略する。詳細は特許協力条約に基づく国
際出願の国際公開第ＷＯ３８１０８５２２号公報などを
参照されたい。なお、上述のセンサは加速度センザであ
るが、磁気センサの場合には、重錘体２０を磁性体で構
成すればよい。
加速度センサとして実用した場合、大きな加速度がかか
ると、重錘体２０に過度な外力が作用することになる。
ると、重錘体２０に過度な外力が作用することになる。
その結果、可撓部１２に大きな機械的変形が生じ、半導
体ペレット１０が破損する可能性かある。磁気センサに
大きな磁界かかかった場合も同様である。このような破
損を防ぐため、第１図に示ずセンサでは、制御部材５１
，５２゜５３が設けられている。制御部材５１は、重錘
体２０の横方向の変位か許容値を越えないように制御す
るものであり、制御部材５２は、重錘体２０の下方向の
変位が許容値を越えないように制御するものであり、制
御部材５３は、重錘体２０（実際には作用部１１）の上
方向の変位が許容値を越えないように制御するものであ
る。重錘体２０に過度の外力が作用して、上述の許容値
を越えて動こうとしても、重錘体２０はこれらの制御部
材に衝突してその移動が阻まれることになる。結局、半
導体ペレット１０には、許容値以上の機械的変形が加え
られることはなく、破損から保護される。
体ペレット１０が破損する可能性かある。磁気センサに
大きな磁界かかかった場合も同様である。このような破
損を防ぐため、第１図に示ずセンサでは、制御部材５１
，５２゜５３が設けられている。制御部材５１は、重錘
体２０の横方向の変位か許容値を越えないように制御す
るものであり、制御部材５２は、重錘体２０の下方向の
変位が許容値を越えないように制御するものであり、制
御部材５３は、重錘体２０（実際には作用部１１）の上
方向の変位が許容値を越えないように制御するものであ
る。重錘体２０に過度の外力が作用して、上述の許容値
を越えて動こうとしても、重錘体２０はこれらの制御部
材に衝突してその移動が阻まれることになる。結局、半
導体ペレット１０には、許容値以上の機械的変形が加え
られることはなく、破損から保護される。
本発明による製造工程Ｉ
それでは、第１図に示すセンサを本発明による方法で製
造する工程について詳述する。まず、製造工程Ｉとして
、ウェハをダイシングするまでの工程について説明する
。はじめに、半導体ウェハ上に複数の単位領域を定義す
る。半導体ウェハは、後のダイシング工程において各単
位領域ごとに別々に切り離され、それぞれが独立してセ
ンサの機能ををする半導体ペレットとなる。第３図（ａ
）は、半導体ウェハ１．００上に形成された複数の単位
領域を示す。ハツチングを施した部分が１つの単位領域
であり、各単位領域はそれぞれ正方形をしている。この
ように、実際には円盤状の半導体ウェハの上に多数の単
位領域が形成されるが、ここでは説明の便宜上、第３図
（ｂ）に示すように正方形の半導体ウェハ１００の上に
４つの単位領域を形成する場合を例にとり、以下の説明
を続けることにする。
造する工程について詳述する。まず、製造工程Ｉとして
、ウェハをダイシングするまでの工程について説明する
。はじめに、半導体ウェハ上に複数の単位領域を定義す
る。半導体ウェハは、後のダイシング工程において各単
位領域ごとに別々に切り離され、それぞれが独立してセ
ンサの機能ををする半導体ペレットとなる。第３図（ａ
）は、半導体ウェハ１．００上に形成された複数の単位
領域を示す。ハツチングを施した部分が１つの単位領域
であり、各単位領域はそれぞれ正方形をしている。この
ように、実際には円盤状の半導体ウェハの上に多数の単
位領域が形成されるが、ここでは説明の便宜上、第３図
（ｂ）に示すように正方形の半導体ウェハ１００の上に
４つの単位領域を形成する場合を例にとり、以下の説明
を続けることにする。
それでは、以下第４図を参照しながら、ダイン］。５
ングまでの工程を説明する。はじめに、第５図に示すよ
うに、シリコンなどの半導体ウェハ１００についての加
工を行う。前述のように、この半導体ウェハ１００は説
明の便宜上、正方形をしており、４つの単位領域に分か
れているので、この４つの単位領域のそれぞれについて
、全く同じ加工が施される。第５図（ｂ）は加工後の半
導体ウェハ１００の下面図、同図（ａ）はこれを切断線
Ａ−Ａで切断した状態を示す側断面図である。半導体ウ
ェハ１００の上面には、複数の抵抗素子Ｒが所定位置に
形成される。これは不純物の拡散などの方法によればよ
い。また、下面には、エツチングなどの方法によって溝
１０１を形成し、その部分の肉厚を薄くして可撓性をも
たしている。この実施例では、溝１０１は第５図（ｂ）
に示すように円形をしている。この溝１０１の内側が作
用部１１０１外側が固定部１３０、そして溝の部分が可
撓部１２０となる。したがって、抵抗素子Ｒはちょうど
この溝の上に形成されている。第４図（ａ）は、この半
導体ウェハ１００の加工が終了した状態を示す。
うに、シリコンなどの半導体ウェハ１００についての加
工を行う。前述のように、この半導体ウェハ１００は説
明の便宜上、正方形をしており、４つの単位領域に分か
れているので、この４つの単位領域のそれぞれについて
、全く同じ加工が施される。第５図（ｂ）は加工後の半
導体ウェハ１００の下面図、同図（ａ）はこれを切断線
Ａ−Ａで切断した状態を示す側断面図である。半導体ウ
ェハ１００の上面には、複数の抵抗素子Ｒが所定位置に
形成される。これは不純物の拡散などの方法によればよ
い。また、下面には、エツチングなどの方法によって溝
１０１を形成し、その部分の肉厚を薄くして可撓性をも
たしている。この実施例では、溝１０１は第５図（ｂ）
に示すように円形をしている。この溝１０１の内側が作
用部１１０１外側が固定部１３０、そして溝の部分が可
撓部１２０となる。したがって、抵抗素子Ｒはちょうど
この溝の上に形成されている。第４図（ａ）は、この半
導体ウェハ１００の加工が終了した状態を示す。
さて、続いて第６図に示すような補助基板２００を用意
する。この補助基板２００は、最終的にはその一部分が
重錘体を、残りの部分が台座を、それぞれ構成するもの
であるから、重錘体および台座に適した材料を用いるよ
うにする。また、半導体ウェハ１００に対して接合され
るため、半導体ウェハ１００と熱膨張係数がほぼ等しい
材料を用いた方か好ましい。たとえば、半導体ウェハ１
００と同じシリコン基板や、ガラス基板を用いるのが好
ましい。第６図（ｂ）は加工後の補助基板２００の上面
図、同図（ａ）はこれを切断線Ａ、−Ａて切断した状態
を示す側断面図である。このように、補助基板２００の
上面には、縦横に溝２０１が形成される。これは、後に
この基板をダイシングしやすくするためのものである。
する。この補助基板２００は、最終的にはその一部分が
重錘体を、残りの部分が台座を、それぞれ構成するもの
であるから、重錘体および台座に適した材料を用いるよ
うにする。また、半導体ウェハ１００に対して接合され
るため、半導体ウェハ１００と熱膨張係数がほぼ等しい
材料を用いた方か好ましい。たとえば、半導体ウェハ１
００と同じシリコン基板や、ガラス基板を用いるのが好
ましい。第６図（ｂ）は加工後の補助基板２００の上面
図、同図（ａ）はこれを切断線Ａ、−Ａて切断した状態
を示す側断面図である。このように、補助基板２００の
上面には、縦横に溝２０１が形成される。これは、後に
この基板をダイシングしやすくするためのものである。
この溝２０１を形成する位置は、要するに、半導体ウェ
ハ１００の作用部１１０に対応する部分２１０（図の４
か所の部分）と、固定部１３０に対応する部分２２０（
その他の部分）と、が分離されるような位置になってい
ればよい。別言すれば、補助基板２００を半導体ウェハ
１００上に重ねて接合し、溝２０１に沿って補助基板２
００のみを切断した場合に、補助基板２００が重錘体（
部分２１０）と台座（部分２２０）とに分離するように
すればよい。
ハ１００の作用部１１０に対応する部分２１０（図の４
か所の部分）と、固定部１３０に対応する部分２２０（
その他の部分）と、が分離されるような位置になってい
ればよい。別言すれば、補助基板２００を半導体ウェハ
１００上に重ねて接合し、溝２０１に沿って補助基板２
００のみを切断した場合に、補助基板２００が重錘体（
部分２１０）と台座（部分２２０）とに分離するように
すればよい。
このような補助基板２００が用意できたら、これを第４
図（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１００に接合する
。この接合は、接着剤による接着でもかまわないが、確
実な接合を行うために、材料どうしを直接接合できる陽
極接合を用いるのが好ましい。すなわち、両者間に電圧
を印加し、両者の温度を上げ、加圧しながら接合するの
である。
図（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１００に接合する
。この接合は、接着剤による接着でもかまわないが、確
実な接合を行うために、材料どうしを直接接合できる陽
極接合を用いるのが好ましい。すなわち、両者間に電圧
を印加し、両者の温度を上げ、加圧しながら接合するの
である。
続いて、第４図（Ｃ）に示すように、補助基板２００を
溝２０１に沿ってダイシングブレードで切断する。切断
路２０２は、溝２０１とは逆側（図の下方）に形成され
る。これにより、部分２１０（重錘体となる）と部分２
２０（台座となる）とが、完全に切り離されることにな
る。第６図（ｂ）に示すように、部分２１０（重錘体）
は４か所に位置するが、これが第５図（ｂ）に示す作用
部１１０のみに接合された状態となる。また、それ以外
の部分２２０（台座）は、第５図（ｂ）に示す固定部１
３０のみに接合された状態となる。なお、可撓部１２０
は補助基板２００からは浮いた状態になっているため、
いずれの部分とも接合されない。
溝２０１に沿ってダイシングブレードで切断する。切断
路２０２は、溝２０１とは逆側（図の下方）に形成され
る。これにより、部分２１０（重錘体となる）と部分２
２０（台座となる）とが、完全に切り離されることにな
る。第６図（ｂ）に示すように、部分２１０（重錘体）
は４か所に位置するが、これが第５図（ｂ）に示す作用
部１１０のみに接合された状態となる。また、それ以外
の部分２２０（台座）は、第５図（ｂ）に示す固定部１
３０のみに接合された状態となる。なお、可撓部１２０
は補助基板２００からは浮いた状態になっているため、
いずれの部分とも接合されない。
このように、補助基板２００をダイシングすることによ
り、重錘体２１０と台座２２０とを同時に形成すること
ができる。ここて、台座２２０は固定部１３０を支える
台座としての機能を果たすだけでなく、重錘体２１０の
横方向の変位が許容範囲を越えないように制御する制御
部材としての機能（第１図に示すセンサにおける制御部
材５１の機能）も果たす。この許容範囲は、切断路２０
２の幅によって決定されることになる（切断路２０２の
幅よりも溝２０１の幅が小さい場合は、溝２０１の幅に
よって決定される）。なお、ここで行ったダイシング工
程は、補助基板２００のみに対するダイシング工程であ
り、半導体ウェハ１００はまだ１枚の状態である。
り、重錘体２１０と台座２２０とを同時に形成すること
ができる。ここて、台座２２０は固定部１３０を支える
台座としての機能を果たすだけでなく、重錘体２１０の
横方向の変位が許容範囲を越えないように制御する制御
部材としての機能（第１図に示すセンサにおける制御部
材５１の機能）も果たす。この許容範囲は、切断路２０
２の幅によって決定されることになる（切断路２０２の
幅よりも溝２０１の幅が小さい場合は、溝２０１の幅に
よって決定される）。なお、ここで行ったダイシング工
程は、補助基板２００のみに対するダイシング工程であ
り、半導体ウェハ１００はまだ１枚の状態である。
次に、第７図に示すような制御基板３００を用意する。
この制御基板３００は、重錘体２１０の下方向の変位を
許容範囲に制御するためのものである。材質としては、
補助基板２００と同様に、シリコン基板あるいはガラス
基板を用いればよい。
許容範囲に制御するためのものである。材質としては、
補助基板２００と同様に、シリコン基板あるいはガラス
基板を用いればよい。
この制御基板３００の上面には、４つの単位領域のそれ
ぞれについて、全く同じ加工が施される。
ぞれについて、全く同じ加工が施される。
第７図（ｂ）は加工後の制御基板３００の上面図、同図
（ａ）はこれを切断線Ａ−Ａで切断した状態を示す側断
面図である。上面には、４か所に正方形の溝３０１が形
成されている。この溝３０１は、重錘体２１０の変位の
下方向の自由度を制御するためのものであり、自由度は
溝３０１の深さによって決定されることになる。この制
御基板３００を、第４図（ｄ）に示すように、補助基板
２００に接合する。この接合にも、陽極接合を用いるの
が好ましい。
（ａ）はこれを切断線Ａ−Ａで切断した状態を示す側断
面図である。上面には、４か所に正方形の溝３０１が形
成されている。この溝３０１は、重錘体２１０の変位の
下方向の自由度を制御するためのものであり、自由度は
溝３０１の深さによって決定されることになる。この制
御基板３００を、第４図（ｄ）に示すように、補助基板
２００に接合する。この接合にも、陽極接合を用いるの
が好ましい。
次に、第８図に示すような制御基板４００を用意する。
この制御基板４００は、作用部１１０の上方向の変位を
許容範囲に制御するためのものである。材質としては、
補助基板２００と同様に、シリコン基板あるいはガラス
基板を用いればよい。
許容範囲に制御するためのものである。材質としては、
補助基板２００と同様に、シリコン基板あるいはガラス
基板を用いればよい。
この制御基板４００の下面には、４つの単位領域のそれ
ぞれについて、全く同じ加工が施される。
ぞれについて、全く同じ加工が施される。
第８図（ｂ）は加工後の制御基板４００の下面図、同図
（ａ）はこれを切断線Ａ−Ａで切断した状態を示す側断
面図である。下面には、４か所に正方形の溝４０１が形
成されている。この溝４０１は、作用部１１０の変位の
上方向の自由度を制御するためのものであり、自由度は
溝４０１の深さによって決定されることになる。この制
御基板４００のもう１つの特徴は、横幅が他の基板に比
べて少し短くなっており、中央には縦に長い溝４０２が
形成されている点である。これは、後述するように、ワ
イヤボンディングのための便宜を図るための工夫である
。この制御基板４００を、第４図（ｅ）に示すように、
半導体ウェハ１００に接合する。この接合にも、陽極接
合を用いるのが好ましい。
（ａ）はこれを切断線Ａ−Ａで切断した状態を示す側断
面図である。下面には、４か所に正方形の溝４０１が形
成されている。この溝４０１は、作用部１１０の変位の
上方向の自由度を制御するためのものであり、自由度は
溝４０１の深さによって決定されることになる。この制
御基板４００のもう１つの特徴は、横幅が他の基板に比
べて少し短くなっており、中央には縦に長い溝４０２が
形成されている点である。これは、後述するように、ワ
イヤボンディングのための便宜を図るための工夫である
。この制御基板４００を、第４図（ｅ）に示すように、
半導体ウェハ１００に接合する。この接合にも、陽極接
合を用いるのが好ましい。
この後、第４図（ｆ）に示すように、溝４０２の上方を
切断路４０３によって切除する。更に、第４図（ｇ）に
示すように、各単位領域を切断路５０１に沿って切断す
れば、第３図（ｂ）に示す４つの単位領域がそれぞれ分
離され、センサ中枢部５００が完成する。完成したセン
サ中枢部５００の斜視図を第９図に示す。制御基板４０
０の横幅を短くし、縦に長い溝４０２を形成しておいた
のは、この第９図に示すように、ポンディングパッド５
０１を露出させるために他ならない。
切断路４０３によって切除する。更に、第４図（ｇ）に
示すように、各単位領域を切断路５０１に沿って切断す
れば、第３図（ｂ）に示す４つの単位領域がそれぞれ分
離され、センサ中枢部５００が完成する。完成したセン
サ中枢部５００の斜視図を第９図に示す。制御基板４０
０の横幅を短くし、縦に長い溝４０２を形成しておいた
のは、この第９図に示すように、ポンディングパッド５
０１を露出させるために他ならない。
本発明による製造工程■
続いて、ウェハをダイシングした後の工程について説明
する。第９図に示ずようなセンサ中枢部５００が害られ
たら、これを第１０図の側断面図に示すように、パッケ
ージ６００の内部に収容する。すなわち、センサ中枢部
５００の底部を、パッケージ６００の内部に接着すれば
よい。バツケジ６００には、実装用のリードが取り付け
られており、ポンディングパッド５０１とリード６１０
の内側端とが、ボンデインクワイヤ６２０によってボン
ディングされる。この後、パッケージ６００に蓋６３０
を被せて封止すれば、加速度センサが完成する。
する。第９図に示ずようなセンサ中枢部５００が害られ
たら、これを第１０図の側断面図に示すように、パッケ
ージ６００の内部に収容する。すなわち、センサ中枢部
５００の底部を、パッケージ６００の内部に接着すれば
よい。バツケジ６００には、実装用のリードが取り付け
られており、ポンディングパッド５０１とリード６１０
の内側端とが、ボンデインクワイヤ６２０によってボン
ディングされる。この後、パッケージ６００に蓋６３０
を被せて封止すれば、加速度センサが完成する。
このように、ウェハ単位の製造工程（前述の製造工程■
）に比べて、ダイシング後のペレット単位の製造工程（
上述した製造工程■）は非常に簡単である。すなわち、
本発明によれば、製造工程のほとんどをウェハ単位で行
うことができ、大量生産に適した効率よい製造が可能に
なる。
）に比べて、ダイシング後のペレット単位の製造工程（
上述した製造工程■）は非常に簡単である。すなわち、
本発明によれば、製造工程のほとんどをウェハ単位で行
うことができ、大量生産に適した効率よい製造が可能に
なる。
他の実施例
以上、本発明を図示する一実施例について述べたが、本
発明はこの実施例のみに限定されるものではなく、種々
の態様で実施することができる。
発明はこの実施例のみに限定されるものではなく、種々
の態様で実施することができる。
以下に、別な態様による実施例を例示する。
（１） 上述の実施例では、制御基板３００および４
００を接合しているが、本発明の基本思想は、補助基板
２００によって重錘体と台座とを形成する点にある。し
たがって、制御基板３００および４００を接合する工程
は必ずしも必要な工程ではない。本願特許請求の範囲第
１項に記載された第１の発明は、この基本思想について
の発明であり、制御基板の接合は構成要素にはなってい
ない。同第２項に記載された第２の発明は、第１の発明
に更に制御基板３００を接合する工程を加えたものであ
り、同第３項に記載された第３の発明は、第１の発明に
更に制御基板４００を接合する工程を加えたものである
。
００を接合しているが、本発明の基本思想は、補助基板
２００によって重錘体と台座とを形成する点にある。し
たがって、制御基板３００および４００を接合する工程
は必ずしも必要な工程ではない。本願特許請求の範囲第
１項に記載された第１の発明は、この基本思想について
の発明であり、制御基板の接合は構成要素にはなってい
ない。同第２項に記載された第２の発明は、第１の発明
に更に制御基板３００を接合する工程を加えたものであ
り、同第３項に記載された第３の発明は、第１の発明に
更に制御基板４００を接合する工程を加えたものである
。
（２） 上述の実施例では、加速度センサを製造する
方法を説明したが、磁気センサを製造する場合も全く同
様の工程を行うことができる。たたし、加速度センサの
場合は、作用部に力を作用させる作用体が重錘体２１０
であったのに対し、磁気センサの場合、作用体を磁性体
としなければならない。したがって、補助基板２００の
材質としては磁性材料を用いることになる。
方法を説明したが、磁気センサを製造する場合も全く同
様の工程を行うことができる。たたし、加速度センサの
場合は、作用部に力を作用させる作用体が重錘体２１０
であったのに対し、磁気センサの場合、作用体を磁性体
としなければならない。したがって、補助基板２００の
材質としては磁性材料を用いることになる。
（３） 第６図に示す補助基板２００では、予め溝２
１０を形成している。この溝２０１は、後の工程で補助
基板２００を切断する作業を容易にするだめのものであ
り、必ずしも必要なものではない。後に補助基板２００
をうまく切断することができれば、溝２０１は不要であ
る。
１０を形成している。この溝２０１は、後の工程で補助
基板２００を切断する作業を容易にするだめのものであ
り、必ずしも必要なものではない。後に補助基板２００
をうまく切断することができれば、溝２０１は不要であ
る。
（４） 第７図に示す制御基板３００ては、正方形の
溝３０１を各単位領域ごとに形成したが、代わりに第１
２図に示すような単位領域にまたがって形成された細長
い溝３０２を有する制御基板３００′を用いてもかまわ
ない。
溝３０１を各単位領域ごとに形成したが、代わりに第１
２図に示すような単位領域にまたがって形成された細長
い溝３０２を有する制御基板３００′を用いてもかまわ
ない。
（５） 上述の実施例は、第９図に示すように、ポン
ディングパッド５０１と抵抗素子Ｒ（第９図には示され
ていない）との電気的接続は、半導体ウェハ内部の拡散
層によって行われている。ところが、第１１図に示すセ
ンサ中枢部５００′のように、ウェハ上にアルミニウム
などからなる配線層５０２を形成して両者の電気的接続
を行うタイプのものでは、この配線層５０２のための間
隙５０３を確保する必要がある。この場合は、第８図に
示す制御基板４００の代わりに、第１３図に示すような
溝４０４を有する制御基板４００’を用いるようにすれ
ばよい。
ディングパッド５０１と抵抗素子Ｒ（第９図には示され
ていない）との電気的接続は、半導体ウェハ内部の拡散
層によって行われている。ところが、第１１図に示すセ
ンサ中枢部５００′のように、ウェハ上にアルミニウム
などからなる配線層５０２を形成して両者の電気的接続
を行うタイプのものでは、この配線層５０２のための間
隙５０３を確保する必要がある。この場合は、第８図に
示す制御基板４００の代わりに、第１３図に示すような
溝４０４を有する制御基板４００’を用いるようにすれ
ばよい。
（６） 前述したように、上述の実施例では説明の便
宜上、第３図（ｂ）に示す正方形のウェハを用いて４組
のセンサ中枢部を製造する例を述べたが、実際には同図
（ａ）に示すような円盤状のウエノ１を用いてより多数
のセンサ中枢部か製造できる。
宜上、第３図（ｂ）に示す正方形のウェハを用いて４組
のセンサ中枢部を製造する例を述べたが、実際には同図
（ａ）に示すような円盤状のウエノ１を用いてより多数
のセンサ中枢部か製造できる。
（７） 上述の実施例では、重錘体２１．０の周囲の
空間は空気で満たされているが、この空間にシリコンオ
イルなどを封入すると、衝撃や振動の吸収効果が得られ
、耐衝撃性、耐振動性が向上する。
空間は空気で満たされているが、この空間にシリコンオ
イルなどを封入すると、衝撃や振動の吸収効果が得られ
、耐衝撃性、耐振動性が向上する。
（８） 半導体ウェハ１００の上面に、複数の抵抗素
子Ｒを形成する場合、第１−４図に示すようなマスク７
００を用意しておくと便利である。図で破線は半導体ウ
ェハ１００の肉厚が薄い部分に対応する領域を示し、添
字を付加した記号Ｒで示す部分は、各抵抗素子Ｒを形成
するためにマスクに開けられた窓部である。このマスク
７００の特徴は、Ｚ軸方向の力を検出するための抵抗素
子が２とおり形成できる点である。すなイつち、Ｒｚｌ
〜Ｒ７４の第１の組と、Ｒｚｌ’ −Ｒｚ４’ の第２
の組と、の両方が形成できる。いずれの組を用いるかは
、用いる半導体ウェハ１００の面方位によって決めるこ
とになる。マスク７００はシリコンの面方位（１１０）
のウェハと（１００）のウェハとの両方に適したマスク
パターンである。面方位（１１０）のウェハの場合は第
１の絹、面方位（１００）のウェハの場合は第２の組を
用いるのがよい。これはどの方向に抵抗素子を配したら
応力に対する検出感度が良好になるかという条件が、用
いるウェハの面方位によって異なるためである。したが
って、第２図に示した抵抗素子の配列は一列であり、実
際には用いるウェハの面方位により最適な配列をとるこ
とになる。
子Ｒを形成する場合、第１−４図に示すようなマスク７
００を用意しておくと便利である。図で破線は半導体ウ
ェハ１００の肉厚が薄い部分に対応する領域を示し、添
字を付加した記号Ｒで示す部分は、各抵抗素子Ｒを形成
するためにマスクに開けられた窓部である。このマスク
７００の特徴は、Ｚ軸方向の力を検出するための抵抗素
子が２とおり形成できる点である。すなイつち、Ｒｚｌ
〜Ｒ７４の第１の組と、Ｒｚｌ’ −Ｒｚ４’ の第２
の組と、の両方が形成できる。いずれの組を用いるかは
、用いる半導体ウェハ１００の面方位によって決めるこ
とになる。マスク７００はシリコンの面方位（１１０）
のウェハと（１００）のウェハとの両方に適したマスク
パターンである。面方位（１１０）のウェハの場合は第
１の絹、面方位（１００）のウェハの場合は第２の組を
用いるのがよい。これはどの方向に抵抗素子を配したら
応力に対する検出感度が良好になるかという条件が、用
いるウェハの面方位によって異なるためである。したが
って、第２図に示した抵抗素子の配列は一列であり、実
際には用いるウェハの面方位により最適な配列をとるこ
とになる。
（９） ウェハの面方位によって異なるのは、抵抗素
子の感度だけではない。エツチングの特性も面方位によ
って左右される。第２図に示した実施例では、半導体ペ
レット１０の下面に円環状の溝をエツチングにより掘り
、可撓部１２を形成していた。ところが一般にシリコン
のウェハを円環状に掘ることは困難である。たとえば面
方位（１００）のウェハては円環状の溝をエツチング形
成しようとしても、方形の溝が形成される傾向がある。
子の感度だけではない。エツチングの特性も面方位によ
って左右される。第２図に示した実施例では、半導体ペ
レット１０の下面に円環状の溝をエツチングにより掘り
、可撓部１２を形成していた。ところが一般にシリコン
のウェハを円環状に掘ることは困難である。たとえば面
方位（１００）のウェハては円環状の溝をエツチング形
成しようとしても、方形の溝が形成される傾向がある。
したがって、可撓部を形成するために設ける溝は、用い
るウェハによって加工が容易な形状にするのがよい。ま
た、可撓部を形成する手段としては、溝を設ける方法た
けでなく貫通孔を設ける方法を用いてもよい。要するに
部分的に除去する加工によって可撓性を生じさせること
ができればどのような方法を用いてもよい。第１５図に
貫通孔を設ける方法によって可撓部を形成した実施例を
示す。
るウェハによって加工が容易な形状にするのがよい。ま
た、可撓部を形成する手段としては、溝を設ける方法た
けでなく貫通孔を設ける方法を用いてもよい。要するに
部分的に除去する加工によって可撓性を生じさせること
ができればどのような方法を用いてもよい。第１５図に
貫通孔を設ける方法によって可撓部を形成した実施例を
示す。
この半導体ペレット１０′には、４か所に方形の貫通孔
１６が設けられており、これによって架橋部１７が形成
される。この架橋部１７は可撓性をもつことになり、こ
こに抵抗素子が形成される。
１６が設けられており、これによって架橋部１７が形成
される。この架橋部１７は可撓性をもつことになり、こ
こに抵抗素子が形成される。
もちろん方形の貫通孔］−６のかわりに方形の溝を形成
してもよい。一般にシリコンの面方位（１００）のウェ
ハは方形のエツチングに適している。
してもよい。一般にシリコンの面方位（１００）のウェ
ハは方形のエツチングに適している。
（１０） 第４図（Ｃ）に示す工程において、補助
基板２００を溝２０１に沿ってダイシングブレドで切断
し、切断路２０２を形成したが、このとき削りかすが溝
２０１内に入り込むと好ましくない。そこでこのような
ダイシング時の削りかすを逃がすための溝を更に形成し
ておくとよい。第１６図は補助基板２００の下面に、こ
のような溝２０３を形成した実施例である。同図（ａ）
はその上面図、同図（ｂ）はこれを切断線Ｘ−Ｘで切っ
た側断面図である。溝２０３は、台座２２０の制御部材
としての機能に何ら支障を与えることはない。
基板２００を溝２０１に沿ってダイシングブレドで切断
し、切断路２０２を形成したが、このとき削りかすが溝
２０１内に入り込むと好ましくない。そこでこのような
ダイシング時の削りかすを逃がすための溝を更に形成し
ておくとよい。第１６図は補助基板２００の下面に、こ
のような溝２０３を形成した実施例である。同図（ａ）
はその上面図、同図（ｂ）はこれを切断線Ｘ−Ｘで切っ
た側断面図である。溝２０３は、台座２２０の制御部材
としての機能に何ら支障を与えることはない。
ダイシング時の削りかすはこの溝２０３から落下し、溝
２０１に入り込むのを防ぐことができる。
２０１に入り込むのを防ぐことができる。
以上のとおり本発明によれば、ウェハ単位で作用体（重
錘体あるいは磁性体）と台座とを形成し、更にこの作用
体の変位を制御する制御部材までもウェハ単位で形成す
るようにしたため、抵抗素子を用いたセンサを効率良く
大量生産することができるようになる。
錘体あるいは磁性体）と台座とを形成し、更にこの作用
体の変位を制御する制御部材までもウェハ単位で形成す
るようにしたため、抵抗素子を用いたセンサを効率良く
大量生産することができるようになる。
第１図は本発明に係る加速度センサの構造を示す側断面
図、第２図は第１図に示すセンサの一部を構成する半導
体ペレツトの上面図、第３図は本発明に用いる半導体ウ
ェハに単位領域を定義した状態を示す図、第４図は本発
明の一実施例に係る加速度センサ中枢部の製造方法を示
す工程図、第５図（ａ）および（ｂ）は第４図に示す方
法に用いる半導体ウェハを示す側断面図および下面図、
第６図（ａ）および（ｂ）は第４図に示す方法に用いる
補助基板を示す側断面図および上面図、第７図（ａ）お
よび（ｂ）は第４図に示す方法に用いる制御基板を示す
側断面図および上面図、第８図（ａ）および（ｂ）は第
４図に示す方法に用いるもう１枚の制御基板を示す側断
面図および下面図、第９図は第４図に示す方法で製造さ
れた加速度センサ中枢部を示す斜視図、第１０図は第９
図に示す加速度センサ中枢部をパッケージに収容した状
態を示す側断面図、第１１図は本発明の別な実施例に係
る方法で製造された加速度センサ中枢部を示す斜視図、
第１２図（ａ）および〈ｂ）は本発明の別な実施例に係
る方法に用いる制御基板を示す側断面図および上面図、
第］−３図（ａ）および（ｂ）は第１１図に示す加速度
センサ中枢部を製造するのに用いる制御基板を示す側断
面図および下面図、第１４図は本発明における抵抗素子
形成工程に用いるのに適したマスクの一例を示す図、第
１５図は本発明の別な実施例に係るセンサに用いる半導
体ペレットの上面図、第１６図（ａ）および（１））は
本発明の別な実施例に用いる制御基板を示す側断面図お
よび上面図である。 １０．１０’ ・・・半導体ペレット、１コ・・作用部
、１２・・・可撓部、１３・・・固定部、１４・・・ポ
ンディングパッド、］−５・・ボンディングワイヤ、１
．６・・・貫通孔、１７・・・架橋部、２０・・重錘体
、３０・・・台座、４Ｑ・・・パッケージ、４１・・・
蓋、４２・・・リード、５］、、５２．５３・・・制御
部材、Ｒ・−・抵抗素子、１００・・・半導体ウェハ、
１０１・・・溝、］１０・・・作用部、１２０・・・可
撓部、１３０・・・固定部、２００・・・補助基板、２
０１・・・溝、２０２・・・切断路、２０３・・・溝、
２１−０・・・重錘体、２２０・・・台座、３００゜３
００′・・・制御基板、３０１，３０２・・・溝、４０
０．４００’ ・・・制御基板、４０１，４０２・・・
溝、４０３・・切断路、４０４・・・溝、５００゜５０
０′・・・センサ中枢部、５０］、・・・切断路、５０
２・・・配線層、５０３・・・配線層用間隙、６００・
・・パッケージ、６１０・・・リード、６２０・・・ボ
ンデイン３コ グワイヤ、６３０・・蓋、７００・・マスク。
図、第２図は第１図に示すセンサの一部を構成する半導
体ペレツトの上面図、第３図は本発明に用いる半導体ウ
ェハに単位領域を定義した状態を示す図、第４図は本発
明の一実施例に係る加速度センサ中枢部の製造方法を示
す工程図、第５図（ａ）および（ｂ）は第４図に示す方
法に用いる半導体ウェハを示す側断面図および下面図、
第６図（ａ）および（ｂ）は第４図に示す方法に用いる
補助基板を示す側断面図および上面図、第７図（ａ）お
よび（ｂ）は第４図に示す方法に用いる制御基板を示す
側断面図および上面図、第８図（ａ）および（ｂ）は第
４図に示す方法に用いるもう１枚の制御基板を示す側断
面図および下面図、第９図は第４図に示す方法で製造さ
れた加速度センサ中枢部を示す斜視図、第１０図は第９
図に示す加速度センサ中枢部をパッケージに収容した状
態を示す側断面図、第１１図は本発明の別な実施例に係
る方法で製造された加速度センサ中枢部を示す斜視図、
第１２図（ａ）および〈ｂ）は本発明の別な実施例に係
る方法に用いる制御基板を示す側断面図および上面図、
第］−３図（ａ）および（ｂ）は第１１図に示す加速度
センサ中枢部を製造するのに用いる制御基板を示す側断
面図および下面図、第１４図は本発明における抵抗素子
形成工程に用いるのに適したマスクの一例を示す図、第
１５図は本発明の別な実施例に係るセンサに用いる半導
体ペレットの上面図、第１６図（ａ）および（１））は
本発明の別な実施例に用いる制御基板を示す側断面図お
よび上面図である。 １０．１０’ ・・・半導体ペレット、１コ・・作用部
、１２・・・可撓部、１３・・・固定部、１４・・・ポ
ンディングパッド、］−５・・ボンディングワイヤ、１
．６・・・貫通孔、１７・・・架橋部、２０・・重錘体
、３０・・・台座、４Ｑ・・・パッケージ、４１・・・
蓋、４２・・・リード、５］、、５２．５３・・・制御
部材、Ｒ・−・抵抗素子、１００・・・半導体ウェハ、
１０１・・・溝、］１０・・・作用部、１２０・・・可
撓部、１３０・・・固定部、２００・・・補助基板、２
０１・・・溝、２０２・・・切断路、２０３・・・溝、
２１−０・・・重錘体、２２０・・・台座、３００゜３
００′・・・制御基板、３０１，３０２・・・溝、４０
０．４００’ ・・・制御基板、４０１，４０２・・・
溝、４０３・・切断路、４０４・・・溝、５００゜５０
０′・・・センサ中枢部、５０］、・・・切断路、５０
２・・・配線層、５０３・・・配線層用間隙、６００・
・・パッケージ、６１０・・・リード、６２０・・・ボ
ンデイン３コ グワイヤ、６３０・・蓋、７００・・マスク。
Claims (4)
- （１）第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位
領域内において、その中心部に作用領域、この作用領域
の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、を
それぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面上
の前記各可撓領域内に、抵抗素子を形成する段階と、 前記各可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の
基板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、第２の基板の第１の面を
接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
１の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
の一部分から構成される台座と、を形成する段階と、 前記第１の基板および前記第２の基板を、各単位領域ご
とに切り離し、それぞれ独立したセンサを形成する段階
と、 を有することを特徴とする抵抗素子を用いたセンサの製
造方法。 - （２）第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位
領域内において、その中心部に作用領域、この作用領域
の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、を
それぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面上
の前記各可撓領域内に、抵抗素子を形成する段階と、 前記各可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の
基板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、第２の基板の第１の面を
接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
１の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
の一部分から構成される台座と、を形成する段階と、 第３の基板の第１の面上に、前記作用体が所定の自由度
をもって動きうるような溝を形成した後、この第３の基
板の前記第１の面を前記第２の基板の第２の面に接合す
る段階と、 前記第１、第２、および第３の基板を、各単位領域ごと
に切り離し、それぞれ独立したセンサを形成する段階と
、 を有することを特徴とする抵抗素子を用いたセンサの製
造方法。 - （３）第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位
領域内において、その中心部に作用領域、この作用領域
の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、を
それぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面上
の前記各可撓領域内に、抵抗素子を形成する段階と、 前記各可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の
基板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、第２の基板の第１の面を
接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
１の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
の一部分から構成される台座と、を形成する段階と、 第３の基板の第１の面上に、前記第１の基板の作用部が
所定の自由度をもって動きうるような溝を形成した後、
この第３の基板の前記第１の面を前記第１の基板の第１
の面に接合する段階と、前記第１、第２、および第３の
基板を、各単位領域ごとに切り離し、それぞれ独立した
センサを形成する段階と、 を有することを特徴とする抵抗素子を用いたセンサの製
造方法。 - （４）第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位
領域内において、その中心部に作用領域、この作用領域
の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、を
それぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面に
含まれ互いに直交する第１の軸および第２の軸と、この
第１の軸および第２の軸に直交する第３の軸と、の３つ
の軸方向に関して前記各作用領域に作用する力を検出す
ることができるように、前記第１の基板の第１の面上の
前記各可撓領域内に、抵抗素子を形成する段階と、 前記各可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の
基板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、第２の基板の第１の面を
接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
１の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
の一部分から構成される台座と、を形成する段階と、 前記第１の基板および前記第２の基板を、各単位領域ご
とに切り離し、それぞれ独立したセンサを形成する段階
と、 を有することを特徴とする抵抗素子を用いたセンサの製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135539A JP2681215B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 積層基板を用いたセンサの製造方法 |
| US07/526,837 US5014415A (en) | 1989-05-29 | 1990-05-22 | Manufacturing method of a detector using resistance elements |
| DE69021280T DE69021280T2 (de) | 1989-05-29 | 1990-05-28 | Herstellungsverfahren für einen Messaufnehmer mit Widerstandselementen. |
| EP90110066A EP0401635B1 (en) | 1989-05-29 | 1990-05-28 | Manufacturing method of a detector using resistance elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135539A JP2681215B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 積層基板を用いたセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032535A true JPH032535A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2681215B2 JP2681215B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=15154148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135539A Expired - Lifetime JP2681215B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 積層基板を用いたセンサの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5014415A (ja) |
| EP (1) | EP0401635B1 (ja) |
| JP (1) | JP2681215B2 (ja) |
| DE (1) | DE69021280T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029654A1 (en) | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Semiconductor sensor device and method for manufacturing same |
| JP2012007984A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | New Japan Radio Co Ltd | ピエゾ抵抗素子内蔵センサチップの製造方法及びそのセンサチップ |
| US8474318B2 (en) | 2007-07-27 | 2013-07-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Acceleration sensor |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5295386A (en) | 1989-12-28 | 1994-03-22 | Kazuhiro Okada | Apparatus for detecting acceleration and method for testing this apparatus |
| US6864677B1 (en) * | 1993-12-15 | 2005-03-08 | Kazuhiro Okada | Method of testing a sensor |
| US5225373A (en) * | 1990-03-07 | 1993-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor pressure sensor device with two semiconductor pressure sensor chips |
| US5421213A (en) * | 1990-10-12 | 1995-06-06 | Okada; Kazuhiro | Multi-dimensional force detector |
| US6314823B1 (en) * | 1991-09-20 | 2001-11-13 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US5303593A (en) * | 1991-06-07 | 1994-04-19 | Maclean-Fogg Company | Strain gauge distribution for resistive strain gauge pressure sensor |
| JP3141954B2 (ja) * | 1991-07-17 | 2001-03-07 | 株式会社ワコー | 圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサ |
| US5317921A (en) * | 1992-05-05 | 1994-06-07 | Maclean Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
| JP2776142B2 (ja) * | 1992-05-15 | 1998-07-16 | 株式会社日立製作所 | 加速度センサ |
| US6282956B1 (en) * | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
| US5646346A (en) * | 1994-11-10 | 1997-07-08 | Okada; Kazuhiro | Multi-axial angular velocity sensor |
| JP3256346B2 (ja) * | 1993-07-29 | 2002-02-12 | 和廣 岡田 | 圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサ |
| JP3549590B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2004-08-04 | 和廣 岡田 | 加速度・角速度センサ |
| JP3585980B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2004-11-10 | 株式会社ワコー | 角速度センサ |
| US6003371A (en) | 1995-02-21 | 1999-12-21 | Wacoh Corporation | Angular velocity sensor |
| JPH0949856A (ja) * | 1995-05-31 | 1997-02-18 | Wako:Kk | 加速度センサ |
| JPH09119943A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-06 | Wako:Kk | 加速度センサ |
| US6367326B1 (en) | 1996-07-10 | 2002-04-09 | Wacoh Corporation | Angular velocity sensor |
| JP4011626B2 (ja) * | 1996-07-10 | 2007-11-21 | 株式会社ワコー | 角速度センサ |
| JP4176849B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2008-11-05 | 株式会社ワコー | センサの製造方法 |
| US7168352B2 (en) * | 1999-09-13 | 2007-01-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Process for sawing substrate strip |
| JP4295883B2 (ja) | 1999-12-13 | 2009-07-15 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
| JP3636030B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2005-04-06 | 株式会社村田製作所 | モジュール基板の製造方法 |
| US6809529B2 (en) * | 2001-08-10 | 2004-10-26 | Wacoh Corporation | Force detector |
| JP4216525B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2009-01-28 | 株式会社ワコー | 加速度センサおよびその製造方法 |
| JP4125931B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-07-30 | 株式会社ワコー | 回転操作量の入力装置およびこれを利用した操作装置 |
| JP2004264053A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 加速度センサ及び傾斜検出方法 |
| JP4907050B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2012-03-28 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
| JP4271475B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-06-03 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
| JP4387691B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2009-12-16 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
| US7337671B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Georgia Tech Research Corp. | Capacitive microaccelerometers and fabrication methods |
| US7578189B1 (en) * | 2006-05-10 | 2009-08-25 | Qualtre, Inc. | Three-axis accelerometers |
| JP2008190931A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Wacoh Corp | 加速度と角速度との双方を検出するセンサ |
| JP5439068B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2014-03-12 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
| JP5529328B1 (ja) | 2013-09-04 | 2014-06-25 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 発電素子 |
| TWI588918B (zh) * | 2014-04-01 | 2017-06-21 | 亞太優勢微系統股份有限公司 | 具精確間隙機電晶圓結構與及其製作方法 |
| JP6053247B1 (ja) | 2015-01-26 | 2016-12-27 | 株式会社ワコーテック | 力覚センサ |
| WO2016163033A1 (ja) | 2015-04-07 | 2016-10-13 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 力覚センサおよびこれに用いる構造体 |
| JP5843302B1 (ja) * | 2015-08-19 | 2016-01-13 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 複合センサデバイスの製造方法 |
| JP5996078B1 (ja) | 2015-10-19 | 2016-09-21 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 発電素子 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1300118A (en) * | 1970-03-11 | 1972-12-20 | Ferranti Ltd | Improvements relating to semiconductor strain transducers |
| US4188258A (en) * | 1978-05-18 | 1980-02-12 | Gulton Industries, Inc. | Process for fabricating strain gage transducer |
| JPS5780532A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor load converter |
| US4891985A (en) * | 1985-07-22 | 1990-01-09 | Honeywell Inc. | Force sensor with attached mass |
| US4649363A (en) * | 1985-07-22 | 1987-03-10 | Honeywell Inc. | Sensor |
| GB2183040B (en) * | 1985-11-19 | 1990-02-07 | Stc Plc | Transducer |
| US4773972A (en) * | 1986-10-30 | 1988-09-27 | Ford Motor Company | Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers |
| US4745812A (en) * | 1987-03-25 | 1988-05-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Triaxial tactile sensor |
| US4771639A (en) * | 1987-09-02 | 1988-09-20 | Yokogawa Electric Corporation | Semiconductor pressure sensor |
| EP0542719A3 (en) * | 1988-09-23 | 1993-06-02 | Automotive Systems Laboratory Inc. | A method for establishing a value for the sensitivity of an acceleration sensor |
| US5295386A (en) * | 1989-12-28 | 1994-03-22 | Kazuhiro Okada | Apparatus for detecting acceleration and method for testing this apparatus |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1135539A patent/JP2681215B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-22 US US07/526,837 patent/US5014415A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-28 DE DE69021280T patent/DE69021280T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-28 EP EP90110066A patent/EP0401635B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029654A1 (en) | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Semiconductor sensor device and method for manufacturing same |
| US8022433B2 (en) | 2006-09-06 | 2011-09-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Semiconductor sensor device and method for manufacturing same |
| US8474318B2 (en) | 2007-07-27 | 2013-07-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Acceleration sensor |
| JP2012007984A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | New Japan Radio Co Ltd | ピエゾ抵抗素子内蔵センサチップの製造方法及びそのセンサチップ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681215B2 (ja) | 1997-11-26 |
| DE69021280D1 (de) | 1995-09-07 |
| EP0401635B1 (en) | 1995-08-02 |
| EP0401635A2 (en) | 1990-12-12 |
| DE69021280T2 (de) | 1996-01-25 |
| EP0401635A3 (en) | 1992-11-04 |
| US5014415A (en) | 1991-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH032535A (ja) | 積層基板を用いたセンサの製造方法 | |
| US9376310B2 (en) | Microelectronic packages having stacked accelerometer and magnetometer die and methods for the production thereof | |
| JP6351141B2 (ja) | センサパッケージング方法およびセンサパッケージ | |
| KR101231082B1 (ko) | 가속도 센서 | |
| KR100903472B1 (ko) | 웨이퍼로부터 반도체 다이를 분리하는 방법 | |
| JP4944365B2 (ja) | 積層パッケージングを使用して包囲されたセンサ構造体を保護する方法 | |
| US8709868B2 (en) | Sensor packages and method of packaging dies of differing sizes | |
| US7514286B2 (en) | Method for forming individual semi-conductor devices | |
| US20080224293A1 (en) | Method And Apparatus For Fabricating A Plurality Of Semiconductor Devices | |
| CN102482072A (zh) | 具有应力隔离的mems器件及其制造方法 | |
| EP2051294A2 (en) | Hypersensitive sensor comprising SOI flip-chip | |
| US5202281A (en) | Method of manufacturing silicon semiconductor acceleration sensor devices | |
| JP5147491B2 (ja) | 加速度センサ装置 | |
| US6770503B1 (en) | Integrated packaging of micromechanical sensors and associated control circuits | |
| US8101470B2 (en) | Foil based semiconductor package | |
| US7033914B2 (en) | Method of making a package structure by dicing a wafer from the backside surface thereof | |
| CN108117034A (zh) | Mems组件及其制造方法 | |
| JPH09171033A (ja) | 加速度センサ | |
| JP3025313B2 (ja) | 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法 | |
| JP2844116B2 (ja) | 物理量を検出するセンサの製造方法 | |
| JPH0484725A (ja) | 物理量を検出するセンサの製造方法 | |
| JPH05340957A (ja) | 半導体センサの製造方法および半導体センサ | |
| JP4674622B2 (ja) | センサモジュール及びその製造方法 | |
| JP2009079948A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH01131425A (ja) | 力検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |