JP4674622B2 - センサモジュール及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、センサモジュール及びその製造方法に関し、例えば加速度センサや角速度センサ等のセンサモジュール及びその製造方法に関する。

一般に加速度センサや角速度センサ等のセンサモジュールは、センシング部とＩＣ（Integrated Circuit）部とを有し、センシング部によって得た検出信号をＩＣ部によって信号変換処理や増幅処理を施して外部に出力するようになっている。

ところで、この種のセンサは、例えばゲームコントローラ等の玩具や、自動車の衝撃検出装置、ハードディスクの落下検知装置、携帯電話機の入力装置等に内蔵されて用いられることから、高い検出精度は勿論のこと、小型であることが求められる。

この要求を充たすための技術として、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されたものがある。以下、これらの技術について簡単に説明する。

特許文献１には、図５に示す断面形状でなる加速度センサが記載されている。図５の加速度センサは、大きく分けて、加速度センサ素子１と、ＩＣが形成されたＩＣ規制板２と、加速度センサ素子１及びＩＣ規制板２をパッケージングするケース３とを有する。加速度センサ素子１とＩＣ規制板２は、ケース３内において互いに積層されている。ＩＣ規制板２は、一端がケース３の段差面４に接着されている。これにより、ＩＣ規制板２は、加速度センサ素子１の錘部の上方への規定値以上の揺動を規制することで、規定値以上の揺動による梁部の損傷を防止する。特許文献１では、このような構成を採ることにより、高感度と耐衝撃性を同時に充たすことができる小型かつ薄型の３軸加速度センサを実現できる、と記載されている。

一方、特許文献２には、図６に示す断面形状でなるセンサモジュールが記載されている。図６のセンサモジュールは、センサ基板５の表裏に電極形成基板６と回路形成基板７とを積層した３層構造の積層体であり、センサ基板５、電極形成基板６及び回路形成基板７が封着されている。特許文献２では、このような構成を採ることにより、小型のチップサイズパッケージを容易に実現できる、と記載されている。また、特許文献２の構成においては、センサ基板５に形成された錘部８の上下方向の揺動を、電極形成基板６の下面及び回路形成基板７の上面によって規制することで、錘部８が規定値以上揺動することによる梁部の損傷を防止することができるようになっている。なお、センサ基板５、電極形成基板６及び回路形成基板７は、貫通孔配線によって電気的に接続されている。
特開２００７−３２２１６０号公報 特開２００７−２６６３２０号公報 特開２００８−５１６５８号公報 特開２００５−１７０８０号公報

ところで、特許文献１のような構成において、錘部の揺動を確保しつつ、錘部の既定値以上の揺動による梁部の損傷を回避するといった目的を達成するためには、錘部上面とＩＣ規制板下面との間隙（以下これをストッパーギャップと呼ぶ）を所望の値に設定しなければならない。実際上、前記目的を達成するためには前記ストッパーギャップを、１０［μｍ］以下の精度で設定することが好ましい。

しかしながら、特許文献１のような構成においては、ストッパーギャップはケースの段差面の高さと接着剤の厚さとに委ねられるので、ストッパーギャップを１０［μｍ］以下の精度で形成することは困難である。因みに、ケース（セラミックパッケージ）は寸法公差が大きいので、ケース内部の段差面を１０［μｍ］以下の精度で形成することは困難であり、さらに接着剤（接着剤樹脂）の厚みの精度誤差も加わるので、前記ストッパーギャップの精度誤差が大きくなる。

また、特許文献１のように、ケース（セラミックパッケージ）内に、センシング部及びＩＣ部を収容する構成では、外枠（ケース側面部）が存在するので、その分だけモジュール全体の面積が大きくなる欠点がある。

また、特許文献２のような構成においては、センサ基板に形成された錘部の上下方向の揺動を電極形成基板の下面及び回路形成基板の上面によって規制することで、梁部の損傷を防止しているが、回路形成基板の上面にはＩＣ部が形成されており、錘部がＩＣ部に衝突することによってＩＣが損傷するおそれがある。

さらに、特許文献１、２のような従来のセンサモジュールにおいては、効率的にセンサモジュールを製造する点及びセンサモジュールの歩留まりを向上させる点については、配慮が少なかった。

本発明は、かかる点を考慮してなされたものであり、歩留まりの良い小型のセンサモジュールを効率的に製造できる、センサモジュールの構造及びその製造方法を提供する。

本発明のセンサモジュールの一つの態様は、ウェハレベルパッケージングされたセンサ部と、前記センサ部とは別個にウェハレベルパッケージングされて構成され、前記センサ部に積層した状態で電気的に接続されたＩＣ部と、を有し、前記センサ部は、センサ基板と、前記センサ基板の一面側で前記センサ基板に接合され、前記センサ基板の前記一面側に対向する面に凹部が形成され、かつ前記センサ素子と前記ＩＣ部とを電気的に接続する貫通電極が形成された貫通基板と、がウェハレベルパッケージングされて構成されており、前記ＩＣ部は、一面側にＩＣが形成され、かつ貫通電極が形成されたＩＣ基板と、前記ＩＣが形成された前記一面側で前記ＩＣ基板に接合され、かつ貫通電極が形成された貫通基板と、がウェハレベルパッケージングされて構成されており、前記積層状態における、前記センサ部と前記ＩＣ部との対向面の面積は、前記ＩＣ部の対向面の面積の方が前記センサ部の対向面の面積よりも大きい、構成を採る。

本発明のセンサモジュールの一つの態様は、前記センサ部と前記ＩＣ部とは、前記積層状態における、対向面の面積が異なる構成を採る。

本発明のセンサモジュール製造方法の一つの態様は、センサ部をウェハレベルパッケージングして製造するセンサ部製造工程と、ＩＣ部をウェハレベルパッケージングして製造するＩＣ部製造工程と、ウェハレベルパッケージングされた前記センサ部をダイシングすることで、個片化されたセンサパッケージを得る工程と、前記個片化されたセンサパッケージを、前記ウェハレベルパッケージングされた前記ＩＣ部にフリップチップ実装する工程と、前記個片化されたセンサパッケージがフリップチップ実装された前記ＩＣ部を、ダイシングする工程と、を含む。

これらの構成及び製造方法によれば、センサ部とＩＣ部とが独立にウェハレベルパッケージングされているので、センサ部のサイズとＩＣ部とのサイズを合わせる必要がなく、センサ部とＩＣ部とを個々に可能な限り小型化できる。よって、ウェハ１枚当たりからの個々の取り数を最大化することができ、小型のセンサモジュールを効率的に製造することが可能となる。また、センサ部とＩＣ部とが独立にウェハレベルパッケージングされているので、センサ部とＩＣ部とを独立に検査することが可能となり、歩留まりの良いセンサモジュールを製造することができる。

本発明によれば、歩留まりの良い小型のセンサモジュールを効率的に製造できる、センサモジュール及び製造方法を実現できる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

（１）構成
図１に、本発明の実施の形態に係るセンサモジュールの構成を示す。なお、以下の説明では、図１において上方側に位置するものを上、下方側に位置するものを下と表現するが、本発明のセンサモジュールは上下方向に本質的な意義をもたないので、以下の説明における上下を逆に読み替えてもよい。

センサモジュール１００は、センサ部１０とＩＣ部２０とから構成されている。センサ部１０とＩＣ部２０は、それぞれ別個にウェハレベルパッケージされた後に、積層状態で電気的に接続されている。本実施の形態の場合、センサ部１０とＩＣ部２０はフリップチップ接続されている。

（１−１）センサ部
センサ部１０は、センサ基板１１と、保護基板１２と、貫通基板１３とから構成されている。センサ基板１１の上面に保護基板１２が接合されており、センサ基板１１の下面に貫通基板１３が接合されている。センサ基板１１、保護基板１２及び貫通基板１３は、全て同一の平面形状であり、例えば平面が同一面積の正方形の基板である。また、センサ基板１１、保護基板１２及び貫通基板１３は、全てシリコン基板である。

センサ基板１１は、錘部１１ａと、梁部１１ｂと、支持部１１ｃと、梁部１１ｂに設けられたセンサ素子１１ｄとを有する。このような、錘部１１ａと梁部１１ｂと支持部１１ｃとセンサ素子１１ｄとを有するセンサ基板１１は、例えば特許文献１〜４等に記載された既知の構成なので、ここでは簡単に説明する。錘部１１ａは、梁部１１ｂを介して支持部１１ｃに揺動自在に連結されている。梁部１１ｂは例えば４箇所に設けられている。センサ素子１１ｄは、例えばピエゾ抵抗素子である。センサ基板の下面にはピエゾ抵抗素子を用いたブリッジ回路が形成されている。かかる構成において、センサモジュール１００に加速度が加わると、錘部１１ａが加速度に応じて揺動し、梁部１１ｂが撓み、センサ素子１１ｄにその撓みに応じた電圧が発生する。このようにして、センサ基板１１は、加速度を電気信号に変換することができる。

貫通基板１３は、貫通電極１３ａが形成されている。この貫通電極１３ａは、基板に貫通孔を形成し、貫通孔の表面に絶縁膜を形成した後に、導体膜を形成することで形成される。貫通基板１３は、センサ基板１１とＩＣ部２０とを電気的に接続する機能と、センサ基板１１の下面側を保護する機能を果たす。

センサ基板１１と保護基板１２はシリコン−シリコン接合されている。例えば、加重及び熱を加えることによって接合させる方法、プラズマ常温接合、表面活性接合又は金属溶融接合を用いればよい。これにより、基板間（接合面間）の距離がほとんど無くなるので、例えば樹脂接着剤を用いて接着した場合（換言すれば接着剤の厚みによってストッパーギャップを形成する場合）と比較して、接合によって生じる基板間の距離の誤差を無くすことができる。例えば樹脂接着剤を用いた場合には、塗布する接着剤の量に応じてストッパーギャップに２〜３［μｍ］程度の誤差が生じてしまう。

ここで、保護基板１２の下面における、錘部１１ａと対向する位置には、凹部１２ａが形成されている。これにより、センサ基板１１と保護基板１２が接合された状態において、錘部１１ａの上面と保護基板１２の下面との間にはストッパーギャップ１４が生じる。このストッパーギャップ１４によって錘部１１ａは揺動が可能とされていると共に規定値以上の揺動が規制される。ストッパーギャップ１４の値は梁部１１ｂの強度や感度等を加味して設計時に決められるものであり、錘部１１ａの揺動を確保しつつ、錘部１１ａの既定値以上の揺動による梁部１１ｂの損傷を回避するためには、製造物における実際のストッパーギャップを設計時に決められた値に高精度で一致させる必要がある。

本実施の形態のセンサモジュール１００においては、凹部１２ａを半導体プロセスのエッチング処理によって高精度で形成でき、かつ基板間の距離がほとんど無く接合できるので、ストッパーギャップ１４を所望値に高精度で形成できる。本実施の形態の場合、ストッパーギャップ１４は１０［μｍ］とされている。

なお、上述したように保護基板１２の下面に凹部１２ａを形成することによってストッパーギャップ１４を形成してもよいが、錘部１１ａの上面を基板接合面から引っ込んだ位置に形成することによってストッパーギャップ１４を形成してもよい。

センサ基板１１と貫通基板１３は、貫通電極１３ａの位置においてパット同士が金属溶融接合されている。これにより、基板同士が接合されると共に、センサ素子１１ｄを含むブリッジ回路と貫通電極１３ａとが電気的に接続される。なお、図ではブリッジ回路を省略しているが、ブリッジ回路は貫通電極１３ａに電気的に接続されている。

貫通基板１３の上面における、錘部１１ａ及び梁部１１ｂと対向する位置には、凹部１３ｂが形成されている。これにより、センサ基板１１と貫通基板１３が接合された状態において、錘部１１ａ及び梁部１１ｂの下面と貫通基板１３の上面との間には間隙１５が生じる。この間隙１５によって錘部１１ａの揺動及び梁部１１ｂの撓みが可能とされている。

本実施の形態の場合、センサ基板１１の厚みは４００〜５００［μｍ］、保護基板１２の厚みは１００〜２００［μｍ］、貫通基板１３の厚みは１００〜２００［μｍ］とされている。

（１−２）ＩＣ部
ＩＣ部２０は、ＩＣ基板２１と、貫通基板２２とから構成されている。

ＩＣ基板２１は、下面にＩＣ２１ａが形成されている。また、ＩＣ基板２１には貫通電極２１ｂが形成されている。なお、ＩＣ２１ａは貫通電極２１ｂに電気的に接続されている。また、ＩＣ基板２１の上面には、ＩＣ基板２１の貫通電極２１ｂと貫通基板１３の貫通電極１３ａとを電気的に接続するための配線２１ｃが形成されている。なお、ＩＣ基板２１の貫通電極２１ｂと貫通基板１３の貫通電極１３ａとの位置が一致する場合には、配線２１ｃは必要ない。

貫通基板２２は、外部電極基板と言い換えてもよく、下面にプリント配線基板２２ａが設けられている。また、貫通基板２２には、ＩＣ基板２１の貫通電極２１ｂと対応する位置に、貫通電極２２ｂが形成されている。また、貫通基板２２の下面には外部出力端子２２ｃが設けられている。なお、プリント配線基板２２ａは貫通電極２２ｂ及び外部出力端子２２ｃに電気的に接続されている。

（２）製造方法
本実施の形態のセンサモジュール１００の製造方法を、図２を用いて説明する。

本実施の形態のセンサモジュール１００の製造方法は、大きく分けて、ＩＣ部製造工程ＳＴ１０と、センサ部製造工程ＳＴ２０と、接続工程ＳＴ３０とに分かれる。

ＩＣ部製造工程ＳＴ１０では、先ず、ＩＣウェハを準備する（ＳＴ１１）と共に貫通配線ウェハを準備する（ＳＴ１２）。ここで、ＩＣウェハとは図１に示した構成のＩＣ基板２１が１枚のウェハ上に複数形成されたものであり、貫通配線ウェハとは図１に示した構成の貫通基板２２が１枚のウェハ上に複数形成されたものである。次に、ＩＣウェハと貫通配線ウェハとを貼り合わせる（ＳＴ１３）。これにより、ＩＣ部２０がウェハレベルパッケージされる。次に、貼り合わせたウェハを検査し選別する（ＳＴ１４）。

センサ部製造工程ＳＴ２０では、先ず、センサ形成ウェハ、保護ウェハ及び貫通ウェハをそれぞれ準備する（ＳＴ２１、ＳＴ２２、ＳＴ２３）。ここで、センサ形成ウェハとは図１に示した構成のセンサ基板１１が１枚のウェハ上に複数形成されたものであり、保護ウェハとは図１に示した構成の保護基板１２が１枚のウェハ上に複数形成されたものであり、貫通ウェハとは図１に示した構成の貫通基板１３が１枚のウェハ上に複数形成されたものである。次に、センサ形成ウェハと保護ウェハとを貼り合わせると共に、センサ形成ウェハと貫通ウェハとを貼り合わせる（ＳＴ２４）。これにより、センサ部１０がウェハレベルパッケージされる。次に、貼り合わせたウェハを検査し選別する（ＳＴ２５）。次に、貼り合わせたウェハをダイシングする（ＳＴ２６）ことで、チップ単位（すなわち図１の単位）のセンサ部１０を形成する。

このように、センサ形成ウェハと保護ウェハと貫通ウェハとを貼り合わせた後にダイシングしたことにより、センサ基板１１を破損させることなく、通常の半導体と同じようにダイシングやチップピックアップが可能となる。因みに、センサ形成ウェハに保護ウェハを貼り合わせる前にセンサ形成ウェハをダイシングすると、ダイシング時の切削水等によって梁部１１ｂが破損したり、センサ基板１１をピックアップする際に梁部１１ｂが破損するおそれがある。

接続工程ＳＴ３０では、先ず、ＩＣ部製造工程ＳＴ１０で製造したウェハ上であって、ＩＣウェハの検査・選別（ＳＴ１４）の際に、良品判定されたＩＣ基板に対して、センサ部製造工程ＳＴ２０で製造したセンサ部チップを、フリップチップ接続によってボンディングする（ＳＴ３１）。このように、ウェハレベルのＩＣ部２０にチップレベルのセンサ部１０をボンディングできるのは、センサ部１０の面積の方がＩＣ部２０の面積よりも小さいからである。次に、ＩＣ側ウェハをダイシングする（ＳＴ３２）ことで、チップ単位（すなわち図１の単位）のセンサモジュール１００を形成する。

なお、上述した製造方法では、ＩＣ部製造工程ＳＴ１０で製造したウェハ上に、センサ部製造工程ＳＴ２０で製造したセンサ部チップをボンディングする場合について述べたが、図３に示すように、ＩＣ部製造工程ＳＴ１０でウェハをダイシングし（ＳＴ１５）、接続工程ＳＴ３０で、ＩＣ部製造工程ＳＴ１０で製造したチップとセンサ部製造工程ＳＴ２０で製造したチップとをボンディングしてもよい。

（３）効果
以上説明したように、本実施の形態によれば、センサ部１０とＩＣ部２０とを独立にウェハレベルパッケージングし、それらの不良を独立に判定した後に、それらを接続したことにより、歩留まりの良いセンサモジュールを製造することができる。すなわち、センサ部１０とＩＣ部２０とを直接ウェハレベルで接合すると、製造されるセンサモジュールの不良率は、センサ部１０の不良率×ＩＣ部２０の不良率となり、歩留まりが下がる。これに対して、本発明では、接合時点でのセンサ部１０の不良率及びＩＣ部２０の不良率の両方を検査によって下げることができるので、それらから形成されるセンサモジュールの歩留まりが向上する。

また、センサ部１０とＩＣ部２０とを独立にウェハレベルパッケージングし、それらを接続したことにより、センサ部１０のサイズとＩＣ部２０とのサイズを合わせる必要がないので、センサ部１０とＩＣ部２０とを個々に可能な限り小型化できる。よって、ウェハ１枚当たりからの個々の取り数を最大化することができる。一般に、センサ部１０を構成するのに必要なチップ面積はＩＣ部２０を構成するのに必要なチップ面積よりも小さいので、本発明を採用すれば、センサ部１０を形成するのに要するウェハを節約できる。

また、個々に封止（パッケージング）されているセンサ部１０とＩＣ部２０とを接続するので、ある程度ラフな実装を行っても、センサ基板１１、ＩＣ２１ａ及び配線の損傷を回避できる。よって、実装の工法の選択肢が増える。例えば、Ｃ４工法、ＥＳＣ工法、ＮＣＰ工法等を利用できる。

また、ほとんどの製造工程を半導体プロセスを用いて行うことができるので、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）対応の特殊なカスタム実装装置を用いなくても、一般的な半導体実装装置をそのまま使用して製造できる。

また、錘部１１ａの揺動を規制するためのストッパーギャップ１４を、半導体エッチングで形成するので、ストッパーギャップ１４を高精度で形成でき、錘部１１ａの揺動を高精度で規制できる。加えて、センサ基板１１と保護基板１２がシリコン−シリコン接合によって距離がほとんど無く接合されるので、ストッパーギャップ１４を一段と高精度で形成でき、錘部１１ａの揺動を一段と高精度で規制できる。

また、センサ基板１１に貫通電極を設けることなく、センサ基板１１に比して薄い貫通基板１３、２２及びＩＣ基板２１に貫通電極１３ａ、２１ｂ、２２ｂを設けた構成としたので、貫通電極の製造が容易となり、タクトが早くかつＡＲＤＥ（アスペクト依存エッチング効果）による悪影響も回避できる。因みに、センサ基板１１は感度を上げるために、ＩＣ基板２１や外部電極基板（実施の形態の貫通基板２２に相当）に比して厚くされているので、センサ基板１１に貫通電極を形成することは、ＩＣ基板や外部電極基板に貫通電極を形成するよりも困難であると考えられる。

また、センサモジュール１００は、特許文献１の構成と比較して、特別な外枠（パーケージ）やワイヤボンディングを用いない構成とされているので、センサ部１０及びＩＣ部２０の面積がそのままモジュールの面積となり、モジュールを小型化できる。

（４）他の実施の形態
図１との対応部分に同一符号を付して示す図４に、本発明におけるセンサモジュールの別の構成例を示す。センサモジュール２００のセンサ部１０は、図１のセンサ部１０と同じ構成である。センサモジュール２００は、ＩＣ部がＩＣ基板３０のみから構成されている点が図１のセンサモジュール１００と異なる。

ＩＣ基板３０は、上面にＩＣ３０ａが形成されており、下面にプリント配線基板３０ｂが設けられている。また、ＩＣ基板３０には貫通電極３０ｃが形成されている。貫通電極３０ｃは、貫通基板１３の貫通電極１３ａ、ＩＣ３０ａ、プリント配線基板３０ｂ及び外部出力端子３０ｄを電気的に接続する。

ＩＣ基板３０と貫通基板１３は、フリップチップ接続されている。ここで、ＩＣ３０ａの表面及び貫通電極３０ｃにおける接続部以外の表面には、ウェハの状態から予め、図示しない樹脂が塗布されている。つまり、ＩＣ基板３０は、ウェハレベルパッケージングされている。これにより、ＩＣ基板３０と貫通基板１３は、ＩＣ３０ａの表面及び貫通電極３０ｃにおける接続部以外の表面が樹脂によって保護されながら、フリップチップ接続される。つまり、それぞれ別々にウェハレベルパッケージングされた、センサ部１０とＩＣ部（ＩＣ基板３０）とが、フリップチップ接続により接合される。ＩＣ基板３０と貫通基板１３が接合されると、ＩＣ３０ａは貫通基板１３によっても封止され保護される。

センサモジュール２００は、センサモジュール１００と比較して貫通基板２２が無い分だけ、部品点数を削減でき、モジュールの低背化が可能となる。

なお、上述の実施の形態では、本発明のセンサモジュールの構造及び製造方法を、加速度センサに適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、センサ部とＩＣ部とを有する種々のセンサモジュールに適用することができる。

本発明のセンサモジュール及びその製造方法は、例えば加速度センサや角速度センサ等のセンサモジュール及びその製造方法に広く適用可能である。

本発明の実施の形態に係るセンサモジュールの構成を示す断面図 実施の形態によるセンサモジュール製造方法を示すフローチャート 実施の形態によるセンサモジュール製造方法を示すフローチャート 他の実施の形態によるセンサモジュールの構成を示す断面図 特許文献１に記載された加速度センサの構成を示す断面図 特許文献２に記載されたセンサモジュールの構成を示す断面図

符号の説明

１００、２００ センサモジュール
１０ センサ部
１１ センサ基板
１１ａ 錘部
１１ｂ 梁部
１１ｃ 支持部
１１ｄ センサ素子
１２ 保護基板
１２ａ、１３ｂ 凹部
１３、２２ 貫通基板
１３ａ、２１ｂ、２２ｂ、３０ｃ 貫通電極
１４ ストッパーギャップ
１５ 間隙
２０ ＩＣ部
２１、３０ ＩＣ基板
２１ａ、３０ａ ＩＣ
２２ａ、３０ｂ プリント配線基板
２２ｃ、３０ｄ 外部出力端子

Claims (5)

1. ウェハレベルパッケージングされたセンサ部と、
   前記センサ部とは別個にウェハレベルパッケージングされて構成され、前記センサ部に積層した状態で電気的に接続されたＩＣ部と、
   を有し、
   前記センサ部は、センサ基板と、前記センサ基板の一面側で前記センサ基板に接合され、前記センサ基板の前記一面側に対向する面に凹部が形成され、かつ前記センサ素子と前記ＩＣ部とを電気的に接続する貫通電極が形成された貫通基板と、がウェハレベルパッケージングされて構成されており、
   前記ＩＣ部は、一面側にＩＣが形成され、かつ貫通電極が形成されたＩＣ基板と、前記ＩＣが形成された前記一面側で前記ＩＣ基板に接合され、かつ貫通電極が形成された貫通基板と、がウェハレベルパッケージングされて構成されており、
   前記積層状態における、前記センサ部と前記ＩＣ部との対向面の面積は、前記ＩＣ部の対向面の面積の方が前記センサ部の対向面の面積よりも大きい、
   センサモジュール。
2. 前記センサ部と前記ＩＣ部とは、フリップチップ接続されている、
   請求項１に記載のセンサモジュール。
3. センサ部をウェハレベルパッケージングして製造するセンサ部製造工程と、
   ＩＣ部をウェハレベルパッケージングして製造するＩＣ部製造工程と、
   ウェハレベルパッケージングされた前記センサ部をダイシングすることで、個片化されたセンサパッケージを得る工程と、
   前記個片化されたセンサパッケージを、前記ウェハレベルパッケージングされた前記ＩＣ部にフリップチップ実装する工程と、
   前記個片化されたセンサパッケージがフリップチップ実装された前記ＩＣ部を、ダイシングする工程と、
   を含むセンサモジュール製造方法。
4. 前記フリップチップ実装する工程の前に、前記センサ部製造工程により得られた前記センサ部と、前記ＩＣ部製造工程により得られた前記ＩＣ部とを、独立に検査する工程を、さらに含む、
   請求項３に記載のセンサモジュール製造方法。
5. 前記センサ部製造工程は、センサ基板と、前記センサ基板を保護する保護基板と、貫通電極が形成された貫通基板と、をウェハレベルパッケージングするステップを含み、
   前記ＩＣ部製造工程は、ＩＣ基板と、貫通電極が形成された貫通基板と、をウェハレベルパッケージングするステップを含む、
   請求項３又は請求項４に記載のセンサモジュール製造方法。

Images