JP3025313B2 - 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法 - Google Patents

静電容量の変化を利用したセンサの製造方法

Info

Publication number
JP3025313B2
JP3025313B2 JP2416188A JP41618890A JP3025313B2 JP 3025313 B2 JP3025313 B2 JP 3025313B2 JP 2416188 A JP2416188 A JP 2416188A JP 41618890 A JP41618890 A JP 41618890A JP 3025313 B2 JP3025313 B2 JP 3025313B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
electrode layer
region
forming
joined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2416188A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04249726A (ja
Inventor
和廣 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacoh Corp
Original Assignee
Wacoh Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacoh Corp filed Critical Wacoh Corp
Priority to JP2416188A priority Critical patent/JP3025313B2/ja
Priority to US07/764,159 priority patent/US5421213A/en
Priority to DE69133193T priority patent/DE69133193T2/de
Priority to EP91117418A priority patent/EP0480471B1/en
Priority to DE69126501T priority patent/DE69126501T2/de
Priority to EP96119715A priority patent/EP0767363B1/en
Publication of JPH04249726A publication Critical patent/JPH04249726A/ja
Priority to US08/292,496 priority patent/US5406848A/en
Priority to US08/394,310 priority patent/US5531002A/en
Priority to US08/647,178 priority patent/US5639973A/en
Priority to US08/819,357 priority patent/US5811693A/en
Priority to US09/109,560 priority patent/US6053057A/en
Priority to US09/375,334 priority patent/US6158291A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3025313B2 publication Critical patent/JP3025313B2/ja
Priority to US09/907,444 priority patent/US6477903B2/en
Priority to US10/247,772 priority patent/US6779408B2/en
Priority to US10/247,771 priority patent/US6716253B2/en
Priority to US10/889,549 priority patent/US7152485B2/en
Priority to US11/521,218 priority patent/US20070012109A1/en
Priority to US11/724,037 priority patent/US7360455B2/en
Priority to US12/075,916 priority patent/US7533582B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電容量の変化を利用し
たセンサの製造方法、特に、対向する２枚の基板のそれ
ぞれに形成された一対の電極間の静電容量の変化に基づ
いて、力、加速度、磁気といった物理量を検出しうるセ
ンサを、大量生産するのに適した方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車産業や機械産業などでは、力、加
速度、磁気といった物理量を正確に検出できる検出装置
の需要が高まっている。特に、二次元あるいは三次元の
各成分ごとにこれらの物理量を検出しうる小型の装置が
望まれている。このような需要に応えるため、特願平２
−２７４２９９号明細書には、静電容量の変化を利用し
た新規なセンサが提案されている。このセンサは、力、
加速度、磁気などの物理量を二次元あるいは三次元の各
成分ごとに検出することができ、しかも製造コストが比
較的安価であるという特徴をもっている。
【０００３】このセンサの基本となる構成要素は、装置
筐体に固定される固定部と、外部からの力が伝達される
作用部と、固定部と作用部との間に形成され可撓性をも
った可撓部と、の３つの各部を有する可撓基板と、この
可撓基板に対向するように装置筐体に固定された固定基
板と、可撓基板の固定基板に対する対向面に形成された
変位電極と、固定基板の可撓基板に対する対向面に形成
された固定電極と、である。外部からの力が作用部に加
わると可撓基板が撓み、変位電極と固定電極との間の距
離が変わることになる。したがって、両電極間の静電容
量が変化する。この静電容量の変化は、外部から加えら
れた力に依存したものであり、静電容量の変化を検出す
ることにより力の検出が可能になる。作用部に重錘体を
接続しておけば、この重錘体に作用する加速度を検出す
る加速度センサとして用いることができ、作用部に磁性
体を接続しておけば、この磁性体に作用する磁気を検出
する磁気センサとして用いることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したセンサをより
低コストで供給するためには、効率良い大量生産の方法
を採ることが不可欠である。しかしながら、上述のよう
な構造をもったセンサを大量生産するための効率的な方
法は、現時点では知られておらず、量産化が図れない状
態である。特に、加速度センサや磁気センサとして用い
るには、重錘体や磁性体を各ユニットごとに接合する必
要があり、この重錘体や磁性体を所定の自由度をもって
支持するための構造も必要になる。このため、どうして
も生産コストが高くなるという問題があった。
【０００５】そこで本発明は、静電容量の変化を利用し
たセンサを、効率良く大量生産することができる製造方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】(1) 本願第１の発明
は、第１の基板、第２の基板、第３の基板を用意する段
階と、第１の基板の中心部に作用領域、この作用領域の
周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそ
れぞれ定義する段階と、第１の基板の第１の面と第３の
基板の第１の面とを対向させた状態で両者を接合した場
合に両者間に空間が形成されるように加工を行う段階
と、第１の基板の第１の面上に、第１の電極層を形成す
る段階と、可撓領域に可撓性をもたせるために、第１の
基板を部分的に除去する加工を行う段階と、第１の基板
の第２の面に、第２の基板の第２の面を接合する段階
と、第２の基板を切断することにより、第１の基板の作
用領域に接合しており第２の基板の一部分から構成され
る作用体と、第１の基板の固定領域に接合しており第２
の基板の一部分から構成される台座と、を形成する段階
と、第３の基板の第１の面上に第２の電極層を形成し、
空間を介して第１の電極層と第２の電極層とが対向する
ように、第３の基板を第１の基板に接合する段階と、を
行い静電容量の変化を利用したセンサを製造するように
したものである。
【０００７】(2) 本願第２の発明は、第１の基板、第
２の基板、第３の基板、第４の基板を用意する段階と、
第１の基板の中心部に作用領域、この作用領域の周囲に
可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞれ
定義する段階と、第１の基板の第１の面と第４の基板の
第１の面とを対向させた状態で両者を接合した場合に両
者間に第１の空間が形成されるように加工を行う段階
と、 第２の基板の第１の面と第３の基板の第１の面とを
対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に第２の
空間が形成されるように加工を行う段階と、第１の基板
の第１の面上に、第１の電極層を形成する段階と、可撓
領域に可撓性をもたせるために、第１の基板を部分的に
除去する加工を行う段階と、第１の基板の第２の面に、
第２の基板の第２の面を接合する段階と、第２の基板を
切断することにより、第１の基板の作用領域に接合して
おり第２の基板の一部分から構成される作用体と、第１
の基板の固定領域に接合しており第２の基板の一部分か
ら構成される台座と、を形成する段階と、第３の基板の
第１の面を台座に接合し、作用体が第２の空間内で所定
の自由度をもって動きうるようにする段階と、 第４の基
板の第１の面上に第２の電極層を形成し、第１の空間を
介して第１の電極層と第２の電極層とが対向するよう
に、第４の基板を第１の基板に接合する段階と、を行い
静電容量の変化を利用したセンサを製造するようにした
ものである。
【０００８】(3) 本願第３の発明は、第１の基板、第
２の基板、第３の基板を用意する段階と、第１の基板上
に複数の単位領域を定義し、各単位領域内において、そ
の中心部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、
この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞれ定義する段
階と、第１の基板の第１の面と第３の基板の第１の面と
を対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に各単
位領域ごとに空間が形成されるように加工を行う段階
と、第１の基板の第１の面上に、各単位領域ごとに第１
の電極層を形成する段階と、各可撓領域に可撓性をもた
せるために、第１の基板を部分的に除去する加工を行う
段階と、第１の基板の第２の面に、第２の基板の第１の
面を接合する段階と、第２の基板を切断することによ
り、各単位領域において、第１の基板の作用領域に接合
しており第２の基板の一部分から構成される作用体と、
第１の基板の固定領域に接合しており第２の基板の一部
分から構成される台座と、を形成する段階と、第３の基
板の第１の面上に、各単位領域ごとに第２の電極層を形
成し、空間を介して第１の電極層と第２の電極層とが対
向するように、第３の基板を第１の基板に接合する段階
と、第１、第２、および第３の基板を、各単位領域ごと
に切り離し、それぞれ独立したセンサを形成する段階
と、を行い静電容量の変化を利用したセンサを製造する
ようにしたものである。
【０００９】(4) 本願第４の発明は、第１の基板、第
２の基板、第３の基板、第４の基板を用意する段階と、
第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領域内
において、その中心部に作用領域、この作用領域の周囲
に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞ
れ定義するとともに、第２の基板上に、第１の基板に対
応した各単位領域を定義する段階と、 第１の基板の第１
の面と第４の基板の第１の面とを対向させた状態で両者
を接合した場合に両者間に各単位領域ごとに第１の空間
が形成されるように加工を行う段階と、 第２の基板の第
１の面と第３の基板の第１の面とを対向させた状態で両
者を接合した場合に両者間に各単位領域ごとに第２の空
間が形成されるように加工を行う段階と、第１の基板の
第１の面上に、各単位領域ごとに第１の電極層を形成す
る段階と、可撓領域に可撓性をもたせるために、第１の
基板を部分的に除去する加工を行う段階と、第１の基板
の第２の面に、第２の基板の第２の面を接合する段階
と、第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
いて、第１の基板の作用領域に接合しており第２の基板
の一部分から構成される作用体と、第１の基板の固定領
域に接合しており第２の基板の一部分から構成される台
座と、を形成する段階と、第３の基板の第１の面を台座
に接合し、作用体が第２の空間内で所定の自由度をもっ
て動きうるようにする段階と、第４の基板の第１の面上
に第２の電極層を形成し、第１の空間を介して第１の電
極層と第２の電極層とが対向するように、第４の基板を
第１の基板に接合する段階と、第１、第２、第３および
第４の基板を、各単位領域ごとに切り離し、それぞれ独
立したセンサを形成する段階と、を行い静電容量の変化
を利用したセンサを製造するようにしたものである。
【００１０】
【作 用】本願第１の発明によれば、第２の基板の一部
によって重錘体あるいは磁性体（本願ではこれらの総称
を作用体としている）が形成され、別な一部によって第
１の基板を支えるための台座が形成される。すなわち、
第２の基板を切断することにより、作用体と台座との両
方を形成することができ、効率良いセンサの製造が可能
になる。また、本願第２の発明によれば、更に、作用体
の下方への動きを制限するための制御部材を、別な基板
によって形成することができる。
【００１１】本願第３の発明は、上述の第１の発明にお
いて、同一の基板上に複数のセンサユニットを形成する
ようにしたものである。すなわち、各ユニットごとへの
切断工程を行う前に、各単位領域ごとに作用体と台座の
形成が可能になる。このように、各ユニットごとへの切
断工程前に、各基板単位で大半の処理を行うことができ
るため、大量生産に適した効率のよいセンサの製造が可
能になる。また、本願第４の発明によれば、更に、作用
体の下方への動きを制限するための制御部材を、別な基
板によって形成することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例に基づいて詳
述する。ここで説明する実施例は、静電容量の変化を利
用した加速度センサに、本発明に係る方法を適用した例
である。
【００１３】センサの構造および原理 本発明に係る製造方法について説明する前に、本発明
の適用対象となるセンサの構造およびその原理について
簡単に述べておく。図１は、本発明の適用対象となる加
速度センサの基本構造を示す側断面図である。このセン
サの主たる構成要素は、固定基板１０、可撓基板２０、
作用体３０、そして装置筐体４０である。図２に、固定
基板１０の下面図を示す。図２の固定基板１０をＸ軸に
沿って切断した断面が図１に示されている。固定基板１
０は、図示のとおり円盤状の基板であり、周囲は装置筐
体４０に固定されている。この下面には、同じく円盤状
の固定電極１１が形成されている。一方、図３に可撓基
板２０の上面図を示す。図３の可撓基板２０をＸ軸に沿
って切断した断面が図１に示されている。可撓基板２０
も、図示のとおり円盤状の基板であり、周囲は装置筐体
４０に固定されている。この上面には、扇状の変位電極
２１〜２４および円盤状の変位電極２５が図のように形
成されている。作用体３０は、その上面が図３に破線で
示されているように、円柱状をしており、可撓基板２０
の下面に、同軸接合されている。装置筐体４０は、円筒
状をしており、固定基板１０および可撓基板２０の周囲
を固着支持している。
【００１４】固定基板１０および可撓基板２０は、互い
に平行な位置に所定間隔をおいて配設されている。いず
れも円盤状の基板であるが、固定基板１０は剛性が高く
撓みを生じにくい基板であるのに対し、可撓基板２０は
可撓性をもち、力が加わると撓みを生じる基板となって
いる。いま、図１に示すように、作用体３０の重心に作
用点Ｐを定義し、この作用点Ｐを原点とするＸＹＺ三次
元座標系を図のように定義する。すなわち、図１の右方
向にＸ軸、上方向にＺ軸、紙面に対して垂直に紙面裏側
へ向かう方向にＹ軸、をそれぞれ定義する。ここで、こ
のセンサ全体をたとえば自動車に搭載したとすると、自
動車の走行に基づき作用体３０に加速度が加わることに
なる。この加速度により、作用点Ｐに外力が作用する。
作用点Ｐに力が作用していない状態では、図１に示すよ
うに、固定電極１１と変位電極２１〜２５とは所定間隔
をおいて平行な状態を保っている。ところが、たとえ
ば、作用点ＰにＸ軸方向の力Ｆｘが作用すると、この力
Ｆｘは可撓基板２０に対してモーメント力を生じさせ、
図４に示すように、可撓基板２０に撓みが生じることに
なる。この撓みにより、変位電極２１と固定電極１１と
の間隔は大きくなるが、変位電極２３と固定電極１１と
の間隔は小さくなる。作用点Ｐに作用した力が逆向きの
−Ｆｘであったとすると、これと逆の関係の撓みが生じ
ることになる。このように力Ｆｘまたは−Ｆｘが作用し
たとき、変位電極２１および２３に関する静電容量に変
化が表れることになり、これを検出することにより力Ｆ
ｘまたは−Ｆｘを検出することができる。このとき、変
位電極２２，２４，２５のそれぞれと固定電極１１との
間隔は、部分的に大きくなったり小さくなったりする
が、全体としては変化しないと考えてよい。一方、Ｙ方
向の力Ｆｙまたは−Ｆｙが作用した場合は、変位電極２
２と固定電極１１との間隔、および変位電極２４と固定
電極１１との間隔、についてのみ同様の変化が生じる。
また、Ｚ軸方向の力Ｆｚが作用した場合は、図５に示す
ように、変位電極２５と固定電極１１との間隔が小さく
なり、逆向きの力−Ｆｚが作用した場合は、この間隔は
大きくなる。ことき、変位電極２１〜２４と固定電極１
１との間隔も、小さくあるいは大きくなるが、変位電極
２５に関する変化が最も顕著である。そこで、この変位
電極２５に関する静電容量の変化を検出することにより
力Ｆｚまたは−Ｆｚを検出することができる。
【００１５】一般に、容量素子の静電容量Ｃは、電極面
積をＳ、電極間隔をｄ、誘電率をεとすると、 Ｃ＝εＳ／ｄ で定まる。したがって、対向する電極間隔が接近すると
静電容量Ｃは大きくなり、遠ざかると静電容量Ｃは小さ
くなる。本センサは、この原理を利用し、各電極間の静
電容量の変化を測定し、この測定値に基づいて作用点Ｐ
に作用した外力、別言すれば作用した加速度を検出する
ものである。すなわち、Ｘ軸方向の加速度は変位電極２
１，２３と固定電極１１との間の容量変化に基づき、Ｙ
軸方向の加速度は変位電極２２，２４と固定電極１１と
の間の容量変化に基づき、Ｚ軸方向の加速度は変位電極
２５と固定電極１１との間の容量変化に基づき、それぞ
れ検出が行われる。本発明は、このような原理に基づく
センサの製造方法に関するものである。よって、このよ
うなセンサ自体の具体的な構造や実施例については、前
掲の特願平２−２７４２９９号明細書を参照されたい。
【００１６】本発明による製造工程Ｉ それでは、図１に示すセンサを本発明による方法で製
造する工程について詳述する。本発明による方法の特徴
は、複数のセンサユニットを１枚の基板上に形成してお
き、後にこれを各ユニットごとに切断（ダイシング）す
る点にある。まず、製造工程Ｉとして、各ユニットごと
のダイシングを行うまでの工程について説明する。はじ
めに、主基板上に複数の単位領域を定義する。主基板
は、後のダイシング工程において各単位領域ごとに別々
に切り離され、それぞれが独立して変位基板として機能
することになる。図６は、主基板１００上に形成された
複数の単位領域を示す。ハッチングを施した部分が１つ
の単位領域であり、各単位領域はそれぞれ正方形をして
いる。主基板１００として半導体などのウエハを用いる
場合には、このように円盤状の基板の上に多数の単位領
域を形成するのが一般的であるが、ここでは説明の便宜
上、図７に示すように正方形の主基板１００の上に４つ
の単位領域を形成する場合を例にとり、以下の説明を続
けることにする。
【００１７】図８は、この製造方法の各工程を示す断面
図である。以下、この工程を詳述する。まず、図９に示
すように主基板１００を加工する。この実施例では、主
基板１００として単結晶シリコン基板を用いているが、
ガラス基板など他の材質の基板を用いてもよい。前述の
ように、この主基板１００は説明の便宜上、正方形をし
ており、４つの単位領域に分かれているので、この４つ
の単位領域のそれぞれについて、全く同じ加工が施され
る。図９の(b) は加工後の主基板１００の下面図、(a)
はこれを切断線ａ−ａで切断した状態を示す側断面図で
ある。主基板１００の上面には、第１の電極層Ｅ１が所
定位置に形成される。この第１の電極層Ｅ１は、図３に
示す５つの変位電極２１〜２５に相当するものであり
（図９では、このうちの３つの断面が２ユニット分示さ
れている）、図３に示すような位置に形成される。この
実施例では、単結晶シリコン基板からなる主基板１００
の表面に、不純物を拡散することにより、この第１の電
極層Ｅ１を形成している。このほか、主基板１００上に
アルミニウム層を付着させる方法により第１の電極層Ｅ
１を形成してもよい。要するに、導電性をもった層を形
成できる方法であればどのような方法によって第１の電
極層Ｅ１を形成してもかまわない。ただ、不純物拡散層
の形成や、アルミニウム層の形成による方法は、従来の
半導体プレーナプロセスの技術をそのまま利用すること
ができる点で好ましい。一方、主基板１００の下面に
は、エッチングなどの方法によって溝１０１を形成し、
その部分の肉厚を薄くして可撓性をもたしている。この
実施例では、溝１０１は図９の(b) に示すように円形を
している。この溝１０１の内側が作用部１１０、外側が
固定部１３０、そして溝の部分が可撓部１２０となる。
第１の電極層Ｅ１のうち、図３に示す変位電極２１〜２
４に相当するものは、ちょうどこの溝の上の可撓部１２
０に形成されており、変位電極２５に相当するものは、
この溝で囲まれた作用部１１０に形成されている。図８
の(a) は、この主基板１００の加工が終了した状態を示
す。
【００１８】さて、続いて図１０に示すような補助基板
２００を用意する。この補助基板２００は、最終的には
その一部分が重錘体を、残りの部分が台座を、それぞれ
構成するものであるから、重錘体および台座に適した材
料を用いるようにする。また、主基板１００に対して接
合されるため、主基板１００と熱膨脹係数がほぼ等しい
材料を用いた方が好ましい。たとえば、主基板１００と
同じシリコン基板や、ガラス基板を用いるのが好まし
い。図１０の(b) は加工後の補助基板２００の上面図、
(a) はこれを切断線ａ−ａで切断した状態を示す側断面
図である。このように、補助基板２００の上面には、縦
横に溝２０１および２０２が形成される。溝２０１は幅
Ｌ１をもった深い溝であり、溝２０２は幅Ｌ２をもった
浅い溝である。溝２０１は、後にこの基板をダイシング
しやすくするためのものである。この溝２０１を形成す
る位置は、要するに、主基板１００の作用部１１０に対
応する部分２１０（図の４か所の部分）と、固定部１３
０に対応する部分２２０（その他の部分）と、が分離さ
れるような位置になっていればよい。別言すれば、補助
基板２００を主基板１００上に重ねて接合し、溝２０１
に沿って補助基板２００のみを切断した場合に、補助基
板２００が重錘体（部分２１０）と台座（部分２２０）
とに分離するようにすればよい。また、溝２０２は、切
断後の重錘体の上方向への変位に関する自由度を与える
ためのものである。このような補助基板２００が用意で
きたら、これを図８の(b) に示すように、主基板１００
に接合する。この接合は、接着剤による接着でもかまわ
ないが、確実な接合を行うために、材料どうしを直接接
合できる陽極接合を用いるのが好ましい。すなわち、両
者間に電圧を印加し、両者の温度を上げ、加圧しながら
接合するのである。
【００１９】続いて、図８の(c) に示すように、補助基
板２００を溝２０１に沿ってダイシングブレードで切断
する。切断路２０３は、溝２０１とは逆側（図の下方）
に形成される。これにより、部分２１０（重錘体とな
る）と部分２２０（台座となる）とが、完全に切り離さ
れることになる。図１０の(b)に示すように、部分２１
０（重錘体）は４か所に位置するが、これが図９の(b)
に示す作用部１１０のみに接合された状態となる。ま
た、それ以外の部分２２０（台座）は、図９の(b) に示
す固定部１３０のみに接合された状態となる。なお、可
撓部１２０は補助基板２００からは浮いた状態になって
いるため、いずれの部分とも接合されない。このよう
に、補助基板２００をダイシングすることにより、重錘
体２１０と台座２２０とを同時に形成することができ
る。ここで、台座２２０は固定部１３０を支える台座と
しての機能を果たすだけでなく、重錘体２１０の横方向
の変位が許容範囲を越えないように制御する制御部材と
しての機能も果たす。この許容範囲は、切断路２０３の
幅によって決定されることになる（切断路２０３の幅よ
りも溝２０１の幅が小さい場合は、溝２０１の幅によっ
て決定される）。なお、ここで行ったダイシング工程
は、補助基板２００のみに対するダイシング工程であ
り、主基板１００はまだ１枚の状態である。
【００２０】次に、図１１に示すような制御基板３００
を用意する。この制御基板３００は、重錘体２１０の下
方向の変位を許容範囲に制御するためのものである。材
質としては、補助基板２００と同様に、シリコン基板あ
るいはガラス基板を用いればよい。この制御基板３００
の上面には、４つの単位領域のそれぞれについて、全く
同じ加工が施される。図１１の(b) は加工後の制御基板
３００の上面図、(a) はこれを切断線ａ−ａで切断した
状態を示す側断面図である。上面には、４か所に正方形
の溝３０１が形成されている。この溝３０１は、重錘体
２１０の変位の下方向の自由度を制御するためのもので
あり、自由度は溝３０１の深さによって決定されること
になる。この制御基板３００を、図８の(d) に示すよう
に、補助基板２００に接合する。この接合にも、陽極接
合を用いるのが好ましい。
【００２１】次に、図１２に示すような副基板４００を
用意する。この副基板４００は、第２の電極層Ｅ２を支
持するためのものである。材質としては、主基板１００
と同様に、シリコン基板あるいはガラス基板を用いれば
よい。この副基板４００の下面には、４つの単位領域の
それぞれについて、全く同じ加工が施される。図１２の
(b) は加工後の副基板４００の下面図、(a) はこれを切
断線ａ−ａで切断した状態を示す側断面図である。下面
には、４か所に正方形の溝４０１が形成されており、こ
の溝４０１の底面に、それぞれ第２の電極層Ｅ２が形成
されている。この第２の電極層Ｅ２は、図３に示す固定
電極１１に相当するものであり、図３に示すような位
置、すなわち変位電極２１〜２５に対向する位置に形成
される。この実施例では、単結晶シリコン基板からなる
副基板４００の表面に、エッチングなどの方法により溝
４０１を形成した後、この溝４０１の底面にアルミニウ
ム層を付着させる方法により第２の電極層Ｅ２を形成し
ている。もちろん、第１の電極層Ｅ１と同様に不純物拡
散の方法により、この第２の電極層Ｅ２を形成してもか
まわない。要するに、導電性をもった層を形成できる方
法であればどのような方法によって第２の電極層Ｅ２を
形成してもかまわない。ただ、不純物拡散層の形成や、
アルミニウム層の形成による方法は、従来の半導体プレ
ーナプロセスの技術をそのまま利用することができる点
で好ましい。溝４０１の形成や第２の電極層Ｅ２の形成
は、半導体プロセスで用いられるマイクロマシーニング
技術を利用することにより、きわめて高い精度で行うこ
とができる。この副基板４００のもう１つの特徴は、横
幅が他の基板に比べて少し短くなっており、中央には縦
に長い溝４０２が形成されている点である。これは、後
述するように、ワイヤボンディングのための便宜を図る
ための工夫である。この副基板４００を、図１３の(a)
に示すように、主基板１００に接合する。この接合に
も、陽極接合を用いるのが好ましい。このようにして、
第１の電極層Ｅ１と第２の電極層Ｅ２とが、図の上下で
対向することになる。両電極間距離は、できるだけ狭く
した方が静電容量を増やし高感度の測定を行う上で好ま
しい。前述したマイクロマシーニング技術を利用すれ
ば、両電極間距離を数μｍ程度にすることが可能であ
る。
【００２２】この後、図１３の(b) に示すように、溝４
０２の上方を切断路４０３によって切除する。更に、図
１３の(c) に示すように、各単位領域を切断路５１０に
沿って切断すれば、図７に示す４つの単位領域がそれぞ
れ分離され、センサ中枢部５００が完成する。完成した
センサ中枢部５００の斜視図を図１４に示す。副基板４
００の横幅を短くし、縦に長い溝４０２を形成しておい
たのは、この図１４に示すように、ボンディングパッド
５０１を露出させるために他ならない。
【００２３】本発明による製造工程ＩＩ 続いて、各基板をダイシングした後の工程について説
明する。図１４に示すようなセンサ中枢部５００が得ら
れたら、これを図１５の側断面図に示すように、パッケ
ージ６００の内部に収容する。すなわち、センサ中枢部
５００の底部を、パッケージ６００の内部に接着すれば
よい。パッケージ６００には、実装用のリード６１０が
取り付けられており、ボンディングパッド５０１とリー
ド６１０の内側端とが、ボンディングワイヤ６２０によ
ってボンディングされる。この後、パッケージ６００に
蓋６３０を被せて封止すれば、加速度センサが完成す
る。
【００２４】このように、基板単位の製造工程（前述の
製造工程Ｉ）に比べて、ダイシング後の各ユニット単位
の製造工程（上述した製造工程ＩＩ）は非常に簡単であ
る。すなわち、本発明によれば、製造工程のほとんどを
基板単位で行うことができ、大量生産に適した効率よい
製造が可能になる。
【００２５】他の実施例 以上、本発明を図示する一実施例について述べたが、
本発明はこの実施例のみに限定されるものではなく、種
々の態様で実施することができる。以下に、別な態様に
よる実施例を例示する。
【００２６】(1) 上述の実施例では、制御基板３００
を接合しているが、本発明の基本思想は、補助基板２０
０によって重錘体と台座とを形成する点にある。したが
って、制御基板３００を接合する工程は必ずしも必要な
工程ではない。たとえば、重錘体２１０の底面を削るな
どして、台座２２０の厚みより重錘体２１０の厚みを若
干小さくしておけば、台座２２０の底面を直接パッケー
ジ６００の内部底面に接合してもかまわない。重錘体２
１０の厚みが若干小さいため、加速度が作用しない状態
では、重錘体２１０をパッケージ６００の内部底面から
浮いた状態に維持できる。本願特許請求の範囲第１項に
記載された第１の発明は、この基本思想についての発明
であり、制御基板の接合は構成要素にはなっていない。
同第２項に記載された第２の発明は、第１の発明に更に
制御基板３００を接合する工程を加えたものである。
【００２７】(2) 上述の実施例では、加速度センサを
製造する方法を説明したが、磁気センサを製造する場合
も全く同様の工程を行うことができる。ただし、加速度
センサの場合は、作用部に力を作用させる作用体が重錘
体２１０であったのに対し、磁気センサの場合、作用体
を磁性体としなければならない。したがって、補助基板
２００の材質としては磁性材料を用いることになる。
【００２８】(3) 図１０に示す補助基板２００では、
予め溝２０１を形成している。この溝２０１は、後の工
程で補助基板２００を切断する作業を容易にするための
ものであり、必ずしも必要なものではない。後に補助基
板２００をうまく切断することができれば、溝２０１は
不要である。
【００２９】(4) 図１１に示す制御基板３００では、
正方形の溝３０１を各単位領域ごとに形成したが、代わ
りに図１７に示すような単位領域にまたがって形成され
た細長い溝３０２を有する制御基板３００′を用いても
かまわない。
【００３０】(5) 上述の実施例は、図１４に示すよう
に、ボンディングパッド５０１と各電極層（図１４には
示されていない）との電気的接続は、主基板内部の拡散
層によって行われている。ところが、図１６に示すセン
サ中枢部５００′のように、基板上にアルミニウムなど
からなる配線層５０２を形成して両者の電気的接続を行
うタイプのものでは、この配線層５０２のための間隙５
０３を確保する必要がある。この場合は、図１２に示す
副基板４００の代わりに、図１８に示すような溝４０４
を有する副基板４００′を用いるようにすればよい。
【００３１】(6) 前述したように、上述の実施例では
説明の便宜上、図７に示す正方形の基板を用いて４組の
センサ中枢部を製造する例を述べたが、実際には図６に
示すような円盤状のウエハを用いてより多数のセンサ中
枢部が製造できる。もちろん１枚の基板（ウエハ）によ
り１組のセンサ中枢部のみを製造してもかまわない。
【００３２】(7) 上述の実施例では、重錘体２１０の
周囲の空間は空気で満たされているが、この空間にシリ
コンオイルなどを封入すると、衝撃や振動の吸収効果が
得られ、耐衝撃性、耐振動性が向上する。
【００３３】(8) 静電容量の変化を信号として取り出
すには、一般に、容量素子に接続された発振回路、この
発振回路の出力を増幅する増幅回路、そして増幅された
信号の周波数を計数する計数回路などが必要となるが、
主基板１００を半導体基板で構成すれば、これらの回路
を主基板１００上に形成することもできる。
【００３４】(9) 図２および図３に示すように、ここ
で述べた実施例では、固定基板１０側に１枚の固定電極
１１を、変位基板２０側に５枚の変位電極２１〜２５を
形成しているが、逆に、固定基板１０側に５枚の固定電
極を、変位基板２０側に１枚の変位電極を、それぞれ形
成してもよい。
【００３５】(10) また、上述の実施例では、対向する
電極の一方を１枚の電極層、もう一方を５枚の電極層、
でそれぞれ形成している。この場合、検出回路の構成
上、１枚の電極層を共通電極として用いることになる。
これに対し、双方ともに５枚の電極層を形成するように
してもかまわない。この場合、５組の完全に独立した容
量素子が構成されることになり、より自由度をもった検
出処理が可能になる。
【００３６】(11) 上述の実施例では、図３に示すよう
な形態で５枚の変位電極２１〜２５を配し、三次元方向
の加速度を検出しているが、変位電極２５を用いずにＺ
軸方向の加速度成分の検出も可能である。すなわち、変
位電極２１〜２４の４枚だけを用いて三次元方向の加速
度検出を行うこともできる（詳細は、特願平２−２７４
２９９号明細書参照）。しかしながら、他軸成分の干渉
を抑制した精度良い測定を行う場合には、図３に示すよ
うな５枚の電極配置が理想的である。別言すれば、Ｚ軸
方向成分の検出を、中央に配した電極２５で行い、Ｘ軸
あるいはＹ軸方向成分の検出を、その周囲に配した電極
２１〜２４で行うのが好ましい。Ｘ軸あるいはＹ軸方向
成分の力が作用した場合、電極２５の変位に比べて電極
２１〜２４の変位が顕著であることが図４から理解でき
よう（電極２５は中央に配置されているため、全体とし
てみれば変位していないと考えることができる）。した
がって、Ｘ軸あるいはＹ軸方向成分の検出には、電極２
１〜２４を用いるのが適当である。また、Ｚ軸方向成分
の力が作用した場合、電極２１〜２４の変位に比べて電
極２５の変位が顕著であることが図５から理解できよ
う。したがって、Ｚ軸方向成分の検出には、電極２５を
用いるのが適用である。
【００３７】
【発明の効果】以上のとおり本発明によれば、基板単位
で作用体（重錘体あるいは磁性体）と台座とを形成し、
また、必要な電極層の形成も基板単位で行うようにした
ため、静電容量の変化を利用したセンサを効率良く大量
生産することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の適用対象となる加速度センサの基本構
造を示す側断面図である。
【図２】図１に示すセンサの固定基板１０の下面図であ
る。図２の固定基板１０をＸ軸に沿って切断した断面が
図１に示されている。
【図３】図１に示すセンサの可撓基板２０の上面図であ
る。図３の可撓基板２０をＸ軸に沿って切断した断面が
図１に示されている。
【図４】図１に示すセンサの作用点ＰにＸ軸方向の力Ｆ
ｘが作用したときの、センサの撓み状態を示す側断面図
である。
【図５】図１に示すセンサの作用点ＰにＺ軸方向の力Ｆ
ｚが作用したときの、センサの撓み状態を示す側断面図
である。
【図６】本発明による製造方法により、基板に単位領域
を定義した状態を示す図である。
【図７】説明の便宜上、より単純な単位領域を定義した
状態を示す図である。
【図８】本発明の一実施例に係る加速度センサ中枢部の
製造方法の前段階を示す工程図である。
【図９】図８に示す方法に用いる主基板の側断面および
下面を示す図である。
【図１０】図８に示す方法に用いる補助基板の側断面図
および下面を示す図である。
【図１１】図８に示す方法に用いる制御基板の側断面図
および下面を示す図である。
【図１２】図８に示す方法に用いる副基板の側断面図お
よび下面を示す図である。
【図１３】本発明の一実施例に係る加速度センサ中枢部
の製造方法の後段階を示す工程図である。
【図１４】図１３に示す方法で製造された加速度センサ
中枢部を示す斜視図である。
【図１５】図１４に示す加速度センサ中枢部をパッケー
ジに収容した状態を示す側断面図である。
【図１６】本発明の別な実施例に係る方法で製造された
加速度センサ中枢部を示す斜視図である。
【図１７】本発明の別な実施例に係る方法に用いる制御
基板の側断面図および上面を示す図である。
【図１８】本発明の別な実施例に係る方法に用いる副基
板の側断面図および下面を示す図である。
【符号の説明】
１０…固定基板 １１…固定電極 ２０…可撓基板 ２１〜２５…変位電極 ３０…作用体 １００…主基板 １０１…溝 １１０…作用部 １２０…可撓部 １３０…固定部 ２００…補助基板 ２０１，２０２…溝 ２０３…切断路 ２１０…重錘体 ２２０…台座 ３００，３００′…制御基板 ３０１，３０２…溝 ４００，４００′…副基板 ４０１，４０２…溝 ４０３…切断路 ４０４…溝 ５００，５００′…センサ中枢部 ５０１…ボンディングパッド ５０２…配線層 ５０３…配線層用間隙 ５１０…切断路 ６００…パッケージ ６１０…リード ６２０…ボンディングワイヤ ６３０…蓋 Ｅ１…第１の電極層 Ｅ２…第２の電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01L 1/14 G01L 5/16 G01L 13/06 G01P 15/125 H01L 29/84

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の基板、第２の基板、第３の基板を
    用意する段階と、 前記 第１の基板の中心部に作用領域、この作用領域の周
    囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれ
    ぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面と前記第３の基板の第１の面
    とを対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に空
    間が形成されるように加工を行う段階と、 前記第１の基板の前記第１の面上に、第１の電極層を形
    成する段階と、 前記可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の基
    板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、前記第２の基板の第１の
    面を接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、前記第１の基板
    の前記作用領域に接合しており前記第２の基板の一部分
    から構成される作用体と、前記第１の基板の前記固定領
    域に接合しており前記第２の基板の一部分から構成され
    る台座と、を形成する段階と、前記第３の基板の前記第１の面上に 第２の電極層を形成
    し、前記空間を介して前記第１の電極層と前記第２の電
    極層とが対向するように、前記第３の基板を前記第１の
    基板に接合する段階と、 を有することを特徴とする静電容量の変化を利用したセ
    ンサの製造方法。
  2. 【請求項２】 第１の基板、第２の基板、第３の基板、
    第４の基板を用意する段階と、 前記 第１の基板の中心部に作用領域、この作用領域の周
    囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれ
    ぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面と前記第４の基板の第１の面
    とを対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に第
    １の空間が形成されるように加工を行う段階と、 前記第２の基板の第１の面と前記第３の基板の第１の面
    とを対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に第
    ２の空間が形成されるように加工を行う段階と、 前記第１の基板の前記第１の面上に、第１の電極層を形
    成する段階と、 前記可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の基
    板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、前記第２の基板の第２の
    面を接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、前記第１の基板
    の前記作用領域に接合しており前記第２の基板の一部分
    から構成される作用体と、前記第１の基板の前記固定領
    域に接合しており前記第２の基板の一部分から構成され
    る台座と、を形成する段階と、前記第３の基板の前記第１の面を前記台座に接合し、 前
    記作用体が前記第２の空間内で所定の自由度をもって動
    きうるようにする段階と、 前記第４の基板の前記第１の面上に 第２の電極層を形成
    し、前記第１の空間を介して前記第１の電極層と前記第
    ２の電極層とが対向するように、前記第４の基板を前記
    第１の基板に接合する段階と、 を有することを特徴とする静電容量の変化を利用したセ
    ンサの製造方法。
  3. 【請求項３】 第１の基板、第２の基板、第３の基板を
    用意する段階と、 前記 第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領
    域内において、その中心部に作用領域、この作用領域の
    周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそ
    れぞれ定義する段階と、前記第１の基板の第１の面と前記第３の基板の第１の面
    とを対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に各
    単位領域ごとに空間が形成されるように加工を行う段階
    と、 前記第１の基板の前記第１の面上に、各単位領域ごとに
    第１の電極層を形成する段階と、 前記各可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の
    基板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、前記第２の基板の第１の
    面を接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
    いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
    記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
    １の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
    の一部分から構成される台座と、を形成する段階と、前記第３の基板の前記第１の面上に、各単位領域ごとに
    第２の電極層を形成し、前記空間を介して前記第１の電
    極層と前記第２の電極層とが対向するように、前記第３
    の基板を前記第１の基板に接合する段階と、 前記第１、第２、および第３の基板を、各単位領域ごと
    に切り離し、それぞれ独立したセンサを形成する段階
    と、 を有することを特徴とする静電容量の変化を利用したセ
    ンサの製造方法。
  4. 【請求項４】 第１の基板、第２の基板、第３の基板、
    第４の基板を用意する段階と、 前記 第１の基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領
    域内において、その中心部に作用領域、この作用領域の
    周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそ
    れぞれ定義するとともに、前記第２の基板上に、前記第
    １の基板に対応した各単位領域を定義する段階と、 前記第１の基板の第１の面と前記第４の基板の第１の面
    とを対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に各
    単位領域ごとに第１の空間が形成されるように加工を行
    う段階と、 前記第２の基板の第１の面と前記第３の基板の第１の面
    とを対向させた状態で両者を接合した場合に両者間に各
    単位領域ごとに第２の空間が形成されるように加工を行
    う段階と、 前記第１の基板の前記第１の面上に、各単位領域ごとに
    第１の電極層を形成する段階と、 前記可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の基
    板を部分的に除去する加工を行う段階と、 前記第１の基板の第２の面に、前記第２の基板の第２の
    面を接合する段階と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
    いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
    記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
    １の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
    の一部分から構成される台座と、を形成する段階と、前記第３の基板の前記第１の面を前記台座に接合し、 前
    記作用体が前記第２の空間内で所定の自由度をもって動
    きうるようにする段階と、 前記第４の基板の前記第１の面上に 第２の電極層を形成
    し、前記第１の空間を介して前記第１の電極層と前記第
    ２の電極層とが対向するように、前記第４の基板を前記
    第１の基板に接合する段階と、 前記第１、第２、第３および第４の基板を、各単位領域
    ごとに切り離し、それぞれ独立したセンサを形成する段
    階と、 を有することを特徴とする静電容量の変化を利用したセ
    ンサの製造方法。
JP2416188A 1990-10-12 1990-12-31 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法 Expired - Lifetime JP3025313B2 (ja)

Priority Applications (19)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2416188A JP3025313B2 (ja) 1990-12-31 1990-12-31 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法
US07/764,159 US5421213A (en) 1990-10-12 1991-09-20 Multi-dimensional force detector
DE69133193T DE69133193T2 (de) 1990-10-12 1991-10-11 Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Detektors mit drei Substraten, sich umgebenden Regionen und einem Arbeitskörper ( Kraft, Beschleunigung, magnetisch )
EP91117418A EP0480471B1 (en) 1990-10-12 1991-10-11 Force detector and acceleration detector
DE69126501T DE69126501T2 (de) 1990-10-12 1991-10-11 Kraftdetektor und Beschleunigungsdetektor
EP96119715A EP0767363B1 (en) 1990-10-12 1991-10-11 Methods of manufacturing a capacitive detector with three substrates, surrounding regions, and a working body ( force, acceleration, magnetism )
US08/292,496 US5406848A (en) 1990-10-12 1994-08-18 Multi-dimensional and acceleration detector
US08/394,310 US5531002A (en) 1990-10-12 1995-02-24 Method of manufacturing physical quantity detector
US08/647,178 US5639973A (en) 1990-10-12 1996-05-09 Force detector
US08/819,357 US5811693A (en) 1990-10-12 1997-03-18 Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
US09/109,560 US6053057A (en) 1990-10-12 1998-07-02 Force detector
US09/375,334 US6158291A (en) 1990-10-12 1999-08-16 Force detector and acceleration detector
US09/907,444 US6477903B2 (en) 1990-10-12 2001-07-17 Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
US10/247,772 US6779408B2 (en) 1990-10-12 2002-09-19 Force detector
US10/247,771 US6716253B2 (en) 1990-10-12 2002-09-19 Force detector
US10/889,549 US7152485B2 (en) 1990-10-12 2004-07-12 Acceleration detector
US11/521,218 US20070012109A1 (en) 1990-10-12 2006-09-14 Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
US11/724,037 US7360455B2 (en) 1990-10-12 2007-03-14 Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
US12/075,916 US7533582B2 (en) 1990-10-12 2008-03-14 Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2416188A JP3025313B2 (ja) 1990-12-31 1990-12-31 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9320331A Division JP3025468B2 (ja) 1997-11-06 1997-11-06 静電容量の変化を利用したセンサおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04249726A JPH04249726A (ja) 1992-09-04
JP3025313B2 true JP3025313B2 (ja) 2000-03-27

Family

ID=18524429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2416188A Expired - Lifetime JP3025313B2 (ja) 1990-10-12 1990-12-31 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3025313B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2773495B2 (ja) * 1991-11-18 1998-07-09 株式会社日立製作所 三次元加速度センサ
US5646346A (en) * 1994-11-10 1997-07-08 Okada; Kazuhiro Multi-axial angular velocity sensor
US6282956B1 (en) 1994-12-29 2001-09-04 Kazuhiro Okada Multi-axial angular velocity sensor
JP2655058B2 (ja) * 1993-12-20 1997-09-17 日本電気株式会社 半導体センサ
DE19858826A1 (de) * 1998-12-19 2000-06-29 Micronas Intermetall Gmbh Kapazitiver Magnetfeldsensor
JP4362559B2 (ja) 1999-03-04 2009-11-11 独立行政法人理化学研究所 電気容量式力測定装置
JP4550500B2 (ja) 2004-04-01 2010-09-22 多摩川精機株式会社 多軸センサを有する力センサ装置における応力検出方法及び、この方法を用いる力センサ装置。
JP2011022018A (ja) 2009-07-16 2011-02-03 Mitsubishi Electric Corp 静電容量型加速度センサー

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04249726A (ja) 1992-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7360455B2 (en) Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
US7533582B2 (en) Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
JP2681215B2 (ja) 積層基板を用いたセンサの製造方法
EP1514123B1 (en) Monolithic silicon acceleration sensor
JP4335545B2 (ja) 圧力と加速度との双方を検出するセンサおよびその製造方法
JP3025313B2 (ja) 静電容量の変化を利用したセンサの製造方法
JPH09171033A (ja) 加速度センサ
JP3109556B2 (ja) パッケージ構造３軸加速度センサ、およびその製造方法
JP7452492B2 (ja) 慣性センサおよびその製造方法
JP2971610B2 (ja) 力・加速度・磁気の検出装置およびその製造方法
KR20040097952A (ko) 커패시턴스형 동적량 센서
JP3025468B2 (ja) 静電容量の変化を利用したセンサおよびその製造方法
JPH0484725A (ja) 物理量を検出するセンサの製造方法
JP2844116B2 (ja) 物理量を検出するセンサの製造方法
JPH06163938A (ja) 半導体振動・加速度検出装置
JPH07225243A (ja) 加速度センサ及びその製造方法、当該加速度センサによる加速度検出方法、並びに加速度センサアレイ
JPH1048243A (ja) 加速度センサおよび加速度センサの製造方法
JP2000088579A (ja) 角速度センサとその製造方法
JPH09203746A (ja) 力学量センサ、及び、力学量センサの製造方法
JPH0886805A (ja) 加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121

Year of fee payment: 11