JPH03252388A - Ｃｚ法による単結晶ネック部育成自動制御方法 - Google Patents
Ｃｚ法による単結晶ネック部育成自動制御方法Info
- Publication number
- JPH03252388A JPH03252388A JP2048934A JP4893490A JPH03252388A JP H03252388 A JPH03252388 A JP H03252388A JP 2048934 A JP2048934 A JP 2048934A JP 4893490 A JP4893490 A JP 4893490A JP H03252388 A JPH03252388 A JP H03252388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- diameter
- melt
- crystal
- set time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 101001129796 Homo sapiens p53-induced death domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 102100031691 p53-induced death domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ＣＺ法による単結晶育成装置に適用される単
結晶ネック部育成自動制御方法に関する。
結晶ネック部育成自動制御方法に関する。
ＣＺ法による単結晶育成装置では、コーン部以降は自動
制御方法が確立されているが、結晶育成開始後コーン部
育成に移るまでのネック部分については、熟練者による
手動制御が行なわれている。 これは、ネック部では転移を結晶表面から排出させるた
めに、例えば育成結晶の直径を２〜５ｍｍ程度に絞り、
２ ｍｍ／ｍｉｎ以上の比較的高速度で結晶を引上げ、
しかも、直径制御偏差の絶対値を０．５ｍｍ程度以下に
し、絞り部分をその直径の１０倍以上の長さ育成しなけ
ればならないなど、高度の制御を必要とするためである
。この絞り工程及び次に結晶直径を再び増大させる工程
にわたって、結晶の形状を所望の形状にしかつ結晶を無
転移化することは、熟練者でさえもその試しみの約１０
％は失敗に終わる程度に難しい。結晶直径を絞りすぎる
と、湯面と育成結晶下端との間が切れて育成続行不可能
となったり、強度が弱くてその後育成される直胴部を支
持できなくなったりする。また、結晶直径が太すぎると
、転移が充分に排出されず、コーン部の育成に移ること
ができない。
制御方法が確立されているが、結晶育成開始後コーン部
育成に移るまでのネック部分については、熟練者による
手動制御が行なわれている。 これは、ネック部では転移を結晶表面から排出させるた
めに、例えば育成結晶の直径を２〜５ｍｍ程度に絞り、
２ ｍｍ／ｍｉｎ以上の比較的高速度で結晶を引上げ、
しかも、直径制御偏差の絶対値を０．５ｍｍ程度以下に
し、絞り部分をその直径の１０倍以上の長さ育成しなけ
ればならないなど、高度の制御を必要とするためである
。この絞り工程及び次に結晶直径を再び増大させる工程
にわたって、結晶の形状を所望の形状にしかつ結晶を無
転移化することは、熟練者でさえもその試しみの約１０
％は失敗に終わる程度に難しい。結晶直径を絞りすぎる
と、湯面と育成結晶下端との間が切れて育成続行不可能
となったり、強度が弱くてその後育成される直胴部を支
持できなくなったりする。また、結晶直径が太すぎると
、転移が充分に排出されず、コーン部の育成に移ること
ができない。
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、ＣＺ法によ
る単結晶ネック部育成自動制御方法を提供することにあ
る。
る単結晶ネック部育成自動制御方法を提供することにあ
る。
結晶引き上げ速度により結晶直径を制御する方法は、コ
ーン部や直胴部と同様の方法を用いることができるが、
融液温度により結晶直径を制御する方法は、コーン部や
直胴部と同様の方法を用いることができない。これは、
融液温度に対する結晶直径の応答性が、結晶引き上げ速
度に対する結晶直径の応答性よりも相当率さいので、コ
ーン部や直胴部の場合と同様の方法で、融液温度により
結晶直径を制御すると、直径制御偏差が絞り部分で許容
値を越えてしまうからである。 しかし、結晶直径は結晶引き上げ速度と融液温度の両方
に大きく依存するので、ネック部直径制御の成功率を高
くするためには、結晶引き上げ速度のみならず、なんら
かの方法で融液温度を直径制御に寄与させるべきである
。 そこで、本発明では、次の（１）又は（２）の方法のよ
うに、融液温度を直径制御に緩やかに取り入れることに
より、上記目的を達成している。 （１）坩堝内融液表面に接触している種結晶を定速で設
定時間引き上げて単結晶を育成するステップと、該設定
時間経過後に、該単結晶の下端直径を測定するステップ
と、該測定直径の期待値からのずれに応じて、該融液を
加熱するためのヒータに供給する電力を修正するステッ
プと、を有する方法。 （２）坩堝内融液を加熱するた必のヒータに供給する電
力を、設定時間の間、一定にして、該融液から引き上げ
育成される単結晶の下端直径が目標値に近づくように単
結晶引き上げ速度を制御し、この設定時間の間に、該単
結晶の引上げ速度を繰り返し測定するステップと、該引
上げ速度の平均値の目標値（目標値は目標範囲を含む）
からのずれに応じて、該供給電力を修正するステップと
、を交互に繰り返す方法。 （１）の方法を実行した後に、（２）の方法を実行する
ことにより、ネック部自動制御の成功率を高くすること
ができる。 この場合、（１）の方法を実行完了した時点では、直径
の細い絞り部分にまだ移っていないので、（１）の方法
から直ちに（２）の方法に移ることもできるが、（１）
と（２）の間で、設定時間、例えば５分経過するのを待
つようにすれば、ヒータへの供給電力修正による融液温
度が安定し、（２）の方法がより効果的に実行される。
ーン部や直胴部と同様の方法を用いることができるが、
融液温度により結晶直径を制御する方法は、コーン部や
直胴部と同様の方法を用いることができない。これは、
融液温度に対する結晶直径の応答性が、結晶引き上げ速
度に対する結晶直径の応答性よりも相当率さいので、コ
ーン部や直胴部の場合と同様の方法で、融液温度により
結晶直径を制御すると、直径制御偏差が絞り部分で許容
値を越えてしまうからである。 しかし、結晶直径は結晶引き上げ速度と融液温度の両方
に大きく依存するので、ネック部直径制御の成功率を高
くするためには、結晶引き上げ速度のみならず、なんら
かの方法で融液温度を直径制御に寄与させるべきである
。 そこで、本発明では、次の（１）又は（２）の方法のよ
うに、融液温度を直径制御に緩やかに取り入れることに
より、上記目的を達成している。 （１）坩堝内融液表面に接触している種結晶を定速で設
定時間引き上げて単結晶を育成するステップと、該設定
時間経過後に、該単結晶の下端直径を測定するステップ
と、該測定直径の期待値からのずれに応じて、該融液を
加熱するためのヒータに供給する電力を修正するステッ
プと、を有する方法。 （２）坩堝内融液を加熱するた必のヒータに供給する電
力を、設定時間の間、一定にして、該融液から引き上げ
育成される単結晶の下端直径が目標値に近づくように単
結晶引き上げ速度を制御し、この設定時間の間に、該単
結晶の引上げ速度を繰り返し測定するステップと、該引
上げ速度の平均値の目標値（目標値は目標範囲を含む）
からのずれに応じて、該供給電力を修正するステップと
、を交互に繰り返す方法。 （１）の方法を実行した後に、（２）の方法を実行する
ことにより、ネック部自動制御の成功率を高くすること
ができる。 この場合、（１）の方法を実行完了した時点では、直径
の細い絞り部分にまだ移っていないので、（１）の方法
から直ちに（２）の方法に移ることもできるが、（１）
と（２）の間で、設定時間、例えば５分経過するのを待
つようにすれば、ヒータへの供給電力修正による融液温
度が安定し、（２）の方法がより効果的に実行される。
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第１図は、本発明方法が適用された単結晶ネック部自動
育成装置の要部を示す。 軸１０の上端に固着されたテーブル１２上には、黒鉛坩
堝１４が載置され、黒鉛坩堝１４内に石英坩堝１６が嵌
合されている。この黒鉛坩堝１４はヒータ１８に囲繞さ
れ、ヒータ１８は黒鉛断熱材２０に囲繞されている。石
英坩堝１６内に多結晶シリコンの塊を入れ、ヒータ１８
に電力を供給すると、この多結晶シリコンは融液２２に
なる。 方、融液２２の上方に配置されたモータ２４により昇降
されるワイヤ２６の下端には、種ホルダ２８を介して種
結晶３０が取り付けられている。 この種結晶３０の下端を融液２２の湯面２２３に接触さ
せて引き上げると、種結晶３０の先端にシリコン単結晶
３２が育成される。シリコン単結晶３２の育成は、アル
ゴンガスで空気がパージされるチャンバ３４内で行われ
る。 シリコン単結晶３２の下端直径りを測定するために、チ
ャンバ３４の肩部に設けられた窓３６の上方には、光軸
を場面２２Ｓの中心に向けてＣＣＤカメラ３８が配置さ
れている。ＣＣＤカメラ３８から出力されるビデオ信号
は直径計測器４０へ供給され、直径計測器４０は、画像
処理により、シリコン単結晶３２と湯面２２Ｓとの界面
に形成された処理の直径Ｄ１すなわちシリコン単結晶３
２の下端直径りを測定する。シリコン単結晶３２の絞り
部分の直径は小さいので、測定精度を高めるために、１
本の走査線幅が例えば実物の０．０５卸に対応するよう
に、ＣＣＤカメラ３８の拡大倍率を大きくしている。 この結晶直径りの目標値り。は、シリコン単結晶３２の
長さＬの関数として、メモリで構成された直径設定器４
２に格納されている。結晶長しと目標直径Ｄ０との関係
は、例えば第３図に示す如くなっている。直径設定器４
２は、入力された結晶長しに対し、目標直径り。を出力
する。この結晶長しは、回転軸がモータ２４の駆動軸に
連結されたロータリエンコーダ４４から出力されるパル
スを、アップダウンカウンタ４６で計数することにより
得られる。アップダウンカウンタ４６の計数値は、種結
晶３０が上限位置にあるとき及び種結晶３０が湯面２２
Ｓに接触したときにクリアされる。この接触は、例えば
、ワイヤ２６と軸１０との間に電圧を印加しておき、こ
れらの間に流れる電流を検出することにより知ることが
できる。 本単結晶育成装置は、結晶直径りが目標値り。 に近づくようにワイヤ２６の引き上げ速度■をカスケー
ド制御する構成を備えている。 すなわち、結晶直径り及び目標直径り。はＰＩＤＤ：／
）Ｄ−ラ４８へ供給すれ、ＰＩＤコントローラ４８の出
力電圧ＥＶｏがモータ２４の回転速度の目標値として可
変速モータコントローラ５０へ供給される。一方、ロー
タリエンコーダ４４の出力は、Ｆ／Ｖ変換器５２により
、周波数に比例した電圧ＥＶに変換され、この電圧ＥＶ
がフィードバック量として可変速モータコントローラ５
０へ供給される。可変速モータコントローラ５０は通常
ＰＩＤコントローラであり、ＥＶがＥＶｏに近づくよう
に、可変速モータコントローラ５０はアナログ切換スイ
ッチ５４及びドライバ５６を介しモータ２４の回転速度
、すなわちワイヤ２６の引き上げ速度Ｖを制御する。こ
のアナログ切換スイッチ５４は、可変速モータコントロ
ーラ５０の出力とマイクロコンピュータ５８の出力とを
選択的にドライバ５６へ供給するたｔのものであり、モ
ータ２４の回転速度を一定に閉ループ制御する場合には
、マイクロコンピュータ５８の出力が用いられる。 結晶直径りは融液２２の温度にも大きく依存するが、結
晶直径りの応答速度は単結晶引上げ速度よりも融液温度
の方が相当遅い。したがって、細くて直径制御偏差の許
容範囲が±０．５ｗ程度の狭いネック部において融液温
度を結晶直径りの制御に用いるには、コーン部や直胴部
の場合とは異なる特殊な制御方法を用いる必要がある。 そこで、本単結晶育成装置は、結晶直径りが目標値り。 に近づくようにヒータ１８へ供給する電力を制御する次
のような構成を備えている。 すなわち、チャンバ３４の肩部に設けられた窓６０の上
方に、湯面２２Ｓの中心から第１図左方に少しずれた位
置に光軸を向けて２色放射温度計６２を配置している。 ２色放射温度計６２の出力は、Ａ／Ｄ変換器６４でデジ
タル化されてマイクロコンピュータ５８へ供給すれる。 マイクロコンピュータ５８は、後述の如く、直径計測器
４０からの結晶直径Ｄ１０−タリエンコーダ４４からの
引上げ速度Ｖ （Ｖはロータリエンコーダ４４の出力パ
ルスの周期に反比例するので、ソフトウェアでこの周期
を測定して速度Ｖを算出する）及びＡ／Ｄ変換器６４か
らの湯面温度Ｔを用いて、ヒータ１８へ供給する電力の
修正量を算出し、ドライバ６６を介してヒータ１８へ供
給する電力を調整する。 次に、第２Ａ〜２０図に示す、マイクロコンピュータ５
８による単結晶ネック部育成制御手順を説胡する。この
手順は、第２Ａ〜２０図にそれぞれ対応した以下のＡ）
、〜Ｃ）、に大別される。 Ａ）、引き上げ開始迄の制御 （１００）種結晶３０は、最初、上限位置にあり、この
時、Ａ／Ｄ変換器６４から湯面温度Ｔを読み込み、この
湯面温度Ｔが設定温度になるように、ドライバ６６を介
しヒータ１８へ電力を供給する。この設定温度は、例え
ば種結晶３０を定速２１ＩＩＩｌ／ｍｌｎで引き上げた
ときにシリコン単結晶３２の直径を種結晶３０の直径、
例えば１０ｍｍに等しくするための温度であり、経験的
に決定される。 （１ｅ ２）アナログ切換スイッチ５４をマイクロコン
ビニ−タラ８側にし、モータ２４をオンにしてワイヤ２
６を定速降下させる。種結晶３０の下端が場面２２Ｓに
接する少し前に、モータ２４をオフにする。この種結晶
３０の停止位置は、了ツブダウンカウンタ４６の計数値
が設定値になったことで判定する。 （１０４）種結晶３０を予熱するために、設定時間、例
えば７分経過するのを待つ。 （１０６）種結晶３０の下端が融液２２に接する迄、モ
ータ２４をオンにして種結晶３０を降下させる。 （１０８）種結晶３０の下端を湯面２２Ｓに馴染ませる
ために、設定時間、例えば５分間経過するのを待つ。 以上のステップ１００〜１０８は、公知の方法である。 Ｂ）、定速引上げ （１１０）次に、モータ２４をオンにして種結晶３０を
定速、例えば２＋ｏｍ／ｍｉｎで引き上げる。 （１１２）融液２２の温度が適当であるかどうかを見る
ために、設定時間、例えば５分間経過するのを待つ。 （１１３）モータ２４をオフにし、直径計測器４０から
結晶直径りを読み込む。 （１１４）結晶直径りの期待値（これは、本例では、こ
の時の直径設定器４２の出力り。に等しい）からのずれ
に応じた、ヒータ１８に供給する電力の修正量ΔＰを算
出し、ヒータ１８へ供給する電力を現在値からこのΔＰ
だけ変化させる。 このΔＰは、例えば、次式で算出される。 八Ｐ＝Ｋ （Ｄ−Ｄ、、 ） ・・・ （１
）（１１６）融液２２の温度が安定するのを待った給に
、設定時間、例えば５分間経過するのを持つ。 Ｃ）、絞り部直径制御 （１１８）アナログ切換スイッチ５４を可変速モータコ
ントローラ５０側にして、モータ２４をオンし、ワイヤ
２６の引上げ速度をＰＩＤ動作で制御する。 （１２０＞設定時間ｔ。、例えば１０分間における引上
げ速度Ｖの平均値を求めるために、総和Ｓに現在の引上
げ速度Ｖを加えた値を新たな総和Ｓとする。総和Ｓの初
期値は０である。 （１２２）結晶長しとＬｏの値を仕較する。このり。は
、ネック部育成終了時点を判定するためのものであり、
例えば１５０ ｍｍである。Ｌ＜Ｌ。 のときは、次のステップ１２４へ進む。 （１２４）ステップ１１８からの経過時間ｔとｔｏの値
を比較し、１＜１０であればステップ１１８へ戻り、ｔ
≧ｔｏであれば次のステップ１２６へ進む。ｔｏの初期
値は後述のｔに等しく、例えば１０分である。 （１２６）引上げ速度■の平均値Ｖ＝Ｓ／Ｎを求する。 このＮは、ステップ１１８〜１２４の繰り返し実行回数
である。 （１２８）ＩＶ−Ｖ、 とΔＶの値を比較するこのＶ
、は、絞り部分の目標引上げ速度であり、第３図の場合
には３． ５＋ａｍ／ｍｉｎである。また、ΔＶは例え
ば ０． ５ｍｍ／ｆｆ１ｉｎである。 Ｖ−Ｖ。 ≧Δ■であれば、次のステップ１３０へ進み、そうでな
ければ、温度変動を緩やかにして直径制御偏差を小さく
するために、ステップ１３０を飛ばしてステップ１３２
へ進む。 （１３０）ＩＶ、ＶＳ １（７）値＋；＝ 応シタ、
ヒータ１８への供給電力修正量ΔＰを算出し、ヒータ１
８へ供給する電力を現在値からこの八Ｐだけ変化させる
。この算出式は、例えば次式で表される。 ΔＰ＝Ｋ （Ｖ−ＶＳ ） −・・ （２
）（１３２）ｔ、にｔｌ、例えば１０分を加えた値を新
たなｔｏとし、Ｓを０とする。そして、上記ステップ１
２０へ戻る。 ステップ１２２でＬ≧Ｌｏと判定された場合には、ネッ
ク部育成制御を終了し、コーン部育成制御に移行する。 このような制御により、高い成功率でネック部を自動育
成することができる。 第４図は、上記制御を実行した場合の、単結晶引上げ開
始時点からの経過時間ｔに対する結晶直径Ｄ１引き上げ
速度Ｖ及び湯面温度Ｔの変化の一例を示す。この例は、
ステップ１１２及び１１６での設定時間を５分とし、結
晶長しに対する目標直径Ｄ０を第３図と同一にし、ステ
ップ１２８でのＶｓを３． ５ｗ／ｍｉｎとし、ΔＶを
０．５１１０＋ｉｎとしたものである。 ネック部育成制御をこれと同一条件下で１７０回行った
ところ、成功率は約９０％となり、熟練者が手動制御を
行った場合とほぼ同率になった。
育成装置の要部を示す。 軸１０の上端に固着されたテーブル１２上には、黒鉛坩
堝１４が載置され、黒鉛坩堝１４内に石英坩堝１６が嵌
合されている。この黒鉛坩堝１４はヒータ１８に囲繞さ
れ、ヒータ１８は黒鉛断熱材２０に囲繞されている。石
英坩堝１６内に多結晶シリコンの塊を入れ、ヒータ１８
に電力を供給すると、この多結晶シリコンは融液２２に
なる。 方、融液２２の上方に配置されたモータ２４により昇降
されるワイヤ２６の下端には、種ホルダ２８を介して種
結晶３０が取り付けられている。 この種結晶３０の下端を融液２２の湯面２２３に接触さ
せて引き上げると、種結晶３０の先端にシリコン単結晶
３２が育成される。シリコン単結晶３２の育成は、アル
ゴンガスで空気がパージされるチャンバ３４内で行われ
る。 シリコン単結晶３２の下端直径りを測定するために、チ
ャンバ３４の肩部に設けられた窓３６の上方には、光軸
を場面２２Ｓの中心に向けてＣＣＤカメラ３８が配置さ
れている。ＣＣＤカメラ３８から出力されるビデオ信号
は直径計測器４０へ供給され、直径計測器４０は、画像
処理により、シリコン単結晶３２と湯面２２Ｓとの界面
に形成された処理の直径Ｄ１すなわちシリコン単結晶３
２の下端直径りを測定する。シリコン単結晶３２の絞り
部分の直径は小さいので、測定精度を高めるために、１
本の走査線幅が例えば実物の０．０５卸に対応するよう
に、ＣＣＤカメラ３８の拡大倍率を大きくしている。 この結晶直径りの目標値り。は、シリコン単結晶３２の
長さＬの関数として、メモリで構成された直径設定器４
２に格納されている。結晶長しと目標直径Ｄ０との関係
は、例えば第３図に示す如くなっている。直径設定器４
２は、入力された結晶長しに対し、目標直径り。を出力
する。この結晶長しは、回転軸がモータ２４の駆動軸に
連結されたロータリエンコーダ４４から出力されるパル
スを、アップダウンカウンタ４６で計数することにより
得られる。アップダウンカウンタ４６の計数値は、種結
晶３０が上限位置にあるとき及び種結晶３０が湯面２２
Ｓに接触したときにクリアされる。この接触は、例えば
、ワイヤ２６と軸１０との間に電圧を印加しておき、こ
れらの間に流れる電流を検出することにより知ることが
できる。 本単結晶育成装置は、結晶直径りが目標値り。 に近づくようにワイヤ２６の引き上げ速度■をカスケー
ド制御する構成を備えている。 すなわち、結晶直径り及び目標直径り。はＰＩＤＤ：／
）Ｄ−ラ４８へ供給すれ、ＰＩＤコントローラ４８の出
力電圧ＥＶｏがモータ２４の回転速度の目標値として可
変速モータコントローラ５０へ供給される。一方、ロー
タリエンコーダ４４の出力は、Ｆ／Ｖ変換器５２により
、周波数に比例した電圧ＥＶに変換され、この電圧ＥＶ
がフィードバック量として可変速モータコントローラ５
０へ供給される。可変速モータコントローラ５０は通常
ＰＩＤコントローラであり、ＥＶがＥＶｏに近づくよう
に、可変速モータコントローラ５０はアナログ切換スイ
ッチ５４及びドライバ５６を介しモータ２４の回転速度
、すなわちワイヤ２６の引き上げ速度Ｖを制御する。こ
のアナログ切換スイッチ５４は、可変速モータコントロ
ーラ５０の出力とマイクロコンピュータ５８の出力とを
選択的にドライバ５６へ供給するたｔのものであり、モ
ータ２４の回転速度を一定に閉ループ制御する場合には
、マイクロコンピュータ５８の出力が用いられる。 結晶直径りは融液２２の温度にも大きく依存するが、結
晶直径りの応答速度は単結晶引上げ速度よりも融液温度
の方が相当遅い。したがって、細くて直径制御偏差の許
容範囲が±０．５ｗ程度の狭いネック部において融液温
度を結晶直径りの制御に用いるには、コーン部や直胴部
の場合とは異なる特殊な制御方法を用いる必要がある。 そこで、本単結晶育成装置は、結晶直径りが目標値り。 に近づくようにヒータ１８へ供給する電力を制御する次
のような構成を備えている。 すなわち、チャンバ３４の肩部に設けられた窓６０の上
方に、湯面２２Ｓの中心から第１図左方に少しずれた位
置に光軸を向けて２色放射温度計６２を配置している。 ２色放射温度計６２の出力は、Ａ／Ｄ変換器６４でデジ
タル化されてマイクロコンピュータ５８へ供給すれる。 マイクロコンピュータ５８は、後述の如く、直径計測器
４０からの結晶直径Ｄ１０−タリエンコーダ４４からの
引上げ速度Ｖ （Ｖはロータリエンコーダ４４の出力パ
ルスの周期に反比例するので、ソフトウェアでこの周期
を測定して速度Ｖを算出する）及びＡ／Ｄ変換器６４か
らの湯面温度Ｔを用いて、ヒータ１８へ供給する電力の
修正量を算出し、ドライバ６６を介してヒータ１８へ供
給する電力を調整する。 次に、第２Ａ〜２０図に示す、マイクロコンピュータ５
８による単結晶ネック部育成制御手順を説胡する。この
手順は、第２Ａ〜２０図にそれぞれ対応した以下のＡ）
、〜Ｃ）、に大別される。 Ａ）、引き上げ開始迄の制御 （１００）種結晶３０は、最初、上限位置にあり、この
時、Ａ／Ｄ変換器６４から湯面温度Ｔを読み込み、この
湯面温度Ｔが設定温度になるように、ドライバ６６を介
しヒータ１８へ電力を供給する。この設定温度は、例え
ば種結晶３０を定速２１ＩＩＩｌ／ｍｌｎで引き上げた
ときにシリコン単結晶３２の直径を種結晶３０の直径、
例えば１０ｍｍに等しくするための温度であり、経験的
に決定される。 （１ｅ ２）アナログ切換スイッチ５４をマイクロコン
ビニ−タラ８側にし、モータ２４をオンにしてワイヤ２
６を定速降下させる。種結晶３０の下端が場面２２Ｓに
接する少し前に、モータ２４をオフにする。この種結晶
３０の停止位置は、了ツブダウンカウンタ４６の計数値
が設定値になったことで判定する。 （１０４）種結晶３０を予熱するために、設定時間、例
えば７分経過するのを待つ。 （１０６）種結晶３０の下端が融液２２に接する迄、モ
ータ２４をオンにして種結晶３０を降下させる。 （１０８）種結晶３０の下端を湯面２２Ｓに馴染ませる
ために、設定時間、例えば５分間経過するのを待つ。 以上のステップ１００〜１０８は、公知の方法である。 Ｂ）、定速引上げ （１１０）次に、モータ２４をオンにして種結晶３０を
定速、例えば２＋ｏｍ／ｍｉｎで引き上げる。 （１１２）融液２２の温度が適当であるかどうかを見る
ために、設定時間、例えば５分間経過するのを待つ。 （１１３）モータ２４をオフにし、直径計測器４０から
結晶直径りを読み込む。 （１１４）結晶直径りの期待値（これは、本例では、こ
の時の直径設定器４２の出力り。に等しい）からのずれ
に応じた、ヒータ１８に供給する電力の修正量ΔＰを算
出し、ヒータ１８へ供給する電力を現在値からこのΔＰ
だけ変化させる。 このΔＰは、例えば、次式で算出される。 八Ｐ＝Ｋ （Ｄ−Ｄ、、 ） ・・・ （１
）（１１６）融液２２の温度が安定するのを待った給に
、設定時間、例えば５分間経過するのを持つ。 Ｃ）、絞り部直径制御 （１１８）アナログ切換スイッチ５４を可変速モータコ
ントローラ５０側にして、モータ２４をオンし、ワイヤ
２６の引上げ速度をＰＩＤ動作で制御する。 （１２０＞設定時間ｔ。、例えば１０分間における引上
げ速度Ｖの平均値を求めるために、総和Ｓに現在の引上
げ速度Ｖを加えた値を新たな総和Ｓとする。総和Ｓの初
期値は０である。 （１２２）結晶長しとＬｏの値を仕較する。このり。は
、ネック部育成終了時点を判定するためのものであり、
例えば１５０ ｍｍである。Ｌ＜Ｌ。 のときは、次のステップ１２４へ進む。 （１２４）ステップ１１８からの経過時間ｔとｔｏの値
を比較し、１＜１０であればステップ１１８へ戻り、ｔ
≧ｔｏであれば次のステップ１２６へ進む。ｔｏの初期
値は後述のｔに等しく、例えば１０分である。 （１２６）引上げ速度■の平均値Ｖ＝Ｓ／Ｎを求する。 このＮは、ステップ１１８〜１２４の繰り返し実行回数
である。 （１２８）ＩＶ−Ｖ、 とΔＶの値を比較するこのＶ
、は、絞り部分の目標引上げ速度であり、第３図の場合
には３． ５＋ａｍ／ｍｉｎである。また、ΔＶは例え
ば ０． ５ｍｍ／ｆｆ１ｉｎである。 Ｖ−Ｖ。 ≧Δ■であれば、次のステップ１３０へ進み、そうでな
ければ、温度変動を緩やかにして直径制御偏差を小さく
するために、ステップ１３０を飛ばしてステップ１３２
へ進む。 （１３０）ＩＶ、ＶＳ １（７）値＋；＝ 応シタ、
ヒータ１８への供給電力修正量ΔＰを算出し、ヒータ１
８へ供給する電力を現在値からこの八Ｐだけ変化させる
。この算出式は、例えば次式で表される。 ΔＰ＝Ｋ （Ｖ−ＶＳ ） −・・ （２
）（１３２）ｔ、にｔｌ、例えば１０分を加えた値を新
たなｔｏとし、Ｓを０とする。そして、上記ステップ１
２０へ戻る。 ステップ１２２でＬ≧Ｌｏと判定された場合には、ネッ
ク部育成制御を終了し、コーン部育成制御に移行する。 このような制御により、高い成功率でネック部を自動育
成することができる。 第４図は、上記制御を実行した場合の、単結晶引上げ開
始時点からの経過時間ｔに対する結晶直径Ｄ１引き上げ
速度Ｖ及び湯面温度Ｔの変化の一例を示す。この例は、
ステップ１１２及び１１６での設定時間を５分とし、結
晶長しに対する目標直径Ｄ０を第３図と同一にし、ステ
ップ１２８でのＶｓを３． ５ｗ／ｍｉｎとし、ΔＶを
０．５１１０＋ｉｎとしたものである。 ネック部育成制御をこれと同一条件下で１７０回行った
ところ、成功率は約９０％となり、熟練者が手動制御を
行った場合とほぼ同率になった。
第１図乃至第３図は本発明に係る、ＣＺ法による単結晶
ネック部育成自動制御方法が適用された一実施例に係り
、 第１図は単結晶ネック部自動育成装置の要部構成図、 第２Ａ〜２Ｃ図はマイクロコンピュータ５８によるネッ
ク部育成制御手順を示すフローチャート、第３図は直径
設定器４２の入出力関係の一例を示す線図である。 第４図は本実施例実行データに係り、単結晶弓上げ開始
時点からの経過時間ｔに対する引き上げ速度Ｖ１結晶直
径り及び湯面温度Ｔの変化を示すグラフである。 図中、 １４は黒鉛坩堝 １６は石英坩堝 １８はヒータ ２０は黒鉛断熱材 ２２は融液 ２８は種ホルダ ３０は種結晶 ３２はシリコン単結晶 ３８はＣＣＤカメラ ４４はロータリエンコーダ ６２は２色放射温度計
ネック部育成自動制御方法が適用された一実施例に係り
、 第１図は単結晶ネック部自動育成装置の要部構成図、 第２Ａ〜２Ｃ図はマイクロコンピュータ５８によるネッ
ク部育成制御手順を示すフローチャート、第３図は直径
設定器４２の入出力関係の一例を示す線図である。 第４図は本実施例実行データに係り、単結晶弓上げ開始
時点からの経過時間ｔに対する引き上げ速度Ｖ１結晶直
径り及び湯面温度Ｔの変化を示すグラフである。 図中、 １４は黒鉛坩堝 １６は石英坩堝 １８はヒータ ２０は黒鉛断熱材 ２２は融液 ２８は種ホルダ ３０は種結晶 ３２はシリコン単結晶 ３８はＣＣＤカメラ ４４はロータリエンコーダ ６２は２色放射温度計
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）、坩堝（１６）内融液（２２）表面（２２Ｓ）に接
触している種結晶（３０）を定速で設定時間引き上げて
単結晶（３２）を育成するステップ（１１０、１１２）
と、 該設定時間経過後に、該単結晶の下端直径を測定するス
テップ（１１３）と、 該測定直径の期待値からのずれに応じて、該融液を加熱
するためのヒータ（１８）に供給する電力を修正するス
テップ（１１４）と、 を有することを特徴とする、ＣＺ法による単結晶ネック
部育成自動制御方法。 ２）、坩堝内融液を加熱するためのヒータに供給する電
力を、設定時間の間、一定にして、 該融液から引き上げ育成される単結晶の下端直径が目標
値に近づくように単結晶引き上げ速度を制御し、 この設定時間の間に、該単結晶の引上げ速度を繰り返し
測定するステップ（１１８〜１２４）と、該引上げ速度
の平均値の目標値からのずれに応じて、該供給電力を修
正するステップ（１２６〜１３０）と、 を交互に繰り返すことを特徴とするＣＺ法による単結晶
ネック部育成自動制御方法。 ３）、請求項１の方法を実行した後に、請求項２の方法
を実行することを特徴とする、ＣＺ法による単結晶ネッ
ク部育成自動制御方法。 ４）、請求項１の方法を実行した後、設定時間経過（１
１６）した後に、請求項２の方法を実行することを特徴
とする、ＣＺ法による単結晶ネック部育成自動制御方法
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048934A JPH06102590B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | Ｃｚ法による単結晶ネック部育成自動制御方法 |
| DE69104517T DE69104517T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles nach dem Czochralski-Verfahren. |
| EP91102879A EP0444628B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Method of automatic control of growing neck portion of a single crystal by the CZ method |
| US07/661,348 US5183528A (en) | 1990-02-28 | 1991-02-28 | Method of automatic control of growing neck portion of a single crystal by the cz method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048934A JPH06102590B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | Ｃｚ法による単結晶ネック部育成自動制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252388A true JPH03252388A (ja) | 1991-11-11 |
| JPH06102590B2 JPH06102590B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=12817092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048934A Expired - Fee Related JPH06102590B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | Ｃｚ法による単結晶ネック部育成自動制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5183528A (ja) |
| EP (1) | EP0444628B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06102590B2 (ja) |
| DE (1) | DE69104517T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011001248A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN104562194A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 上海西门子工业自动化有限公司 | 一种工艺过程控制方法 |
| CN106801250A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-06 | 中山大学 | 反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统 |
| CN110344109A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-18 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0717475B2 (ja) * | 1991-02-14 | 1995-03-01 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ネック部育成自動制御方法 |
| JP2966322B2 (ja) * | 1995-02-27 | 1999-10-25 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | シリコン単結晶インゴット及びその製造方法 |
| US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
| US5578284A (en) * | 1995-06-07 | 1996-11-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon single crystal having eliminated dislocation in its neck |
| DE19548845B4 (de) * | 1995-12-27 | 2008-04-10 | Crystal Growing Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren |
| US5888299A (en) * | 1995-12-27 | 1999-03-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for adjusting initial position of melt surface |
| JP2937115B2 (ja) * | 1996-03-15 | 1999-08-23 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引き上げ方法 |
| US6093244A (en) * | 1997-04-10 | 2000-07-25 | Ebara Solar, Inc. | Silicon ribbon growth dendrite thickness control system |
| US6045610A (en) * | 1997-02-13 | 2000-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnance |
| US6485807B1 (en) | 1997-02-13 | 2002-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon wafers having controlled distribution of defects, and methods of preparing the same |
| SG64470A1 (en) * | 1997-02-13 | 1999-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnace and ingots and wafers manufactured thereby |
| US6503594B2 (en) | 1997-02-13 | 2003-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon wafers having controlled distribution of defects and slip |
| US5846318A (en) * | 1997-07-17 | 1998-12-08 | Memc Electric Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
| US5882402A (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
| US5922127A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield for crystal puller |
| US6340392B1 (en) | 1997-10-24 | 2002-01-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pulling methods for manufacturing monocrystalline silicone ingots by controlling temperature at the center and edge of an ingot-melt interface |
| DE69904639T2 (de) * | 1998-10-14 | 2003-11-06 | Memc Electronic Materials | Verfahren zur genauen ziehung eines kristalles |
| US6171391B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-01-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
| CN1177956C (zh) * | 1999-02-02 | 2004-12-01 | 埃伯乐太阳能公司 | 硅带生长枝晶厚度的控制系统 |
| US6197111B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-03-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for crystal puller |
| US6776840B1 (en) * | 1999-03-22 | 2004-08-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal in a locked seed lift growth process |
| CN1396965A (zh) | 2000-02-01 | 2003-02-12 | Memc电子材料有限公司 | 用于控制硅晶体生长使生长速率和直径的偏差减至最小的方法 |
| US6869477B2 (en) * | 2000-02-22 | 2005-03-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Controlled neck growth process for single crystal silicon |
| US6482263B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-11-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for crystal pulling apparatus |
| US6514337B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-02-04 | Seh America, Inc. | Method of growing large-diameter dislocation-free<110> crystalline ingots |
| FR2859033B1 (fr) * | 2003-08-20 | 2006-03-03 | Total France | Procede et dispositif pour le pilotage en continu d'un processus de cristallisation dans un milieu reactionnel |
| JP4561513B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2010-10-13 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 単結晶引き上げ装置の液面位置調整機構及び液面位置調整方法並びに単結晶引き上げ装置の液面位置合わせ機構及び液面位置合わせ方法 |
| US20100319612A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | Sumco Corporation | Method of producing silicon single crystal |
| KR101218847B1 (ko) * | 2010-12-13 | 2013-01-21 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 직경 제어시스템 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치 |
| CN104278320A (zh) * | 2013-07-04 | 2015-01-14 | 有研新材料股份有限公司 | 一种用于测量直拉硅单晶炉中硅熔体液面位置的装置 |
| CN103575734B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-06-08 | 晶格码（青岛）智能科技有限公司 | 晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统及方法 |
| KR101623641B1 (ko) * | 2014-08-04 | 2016-05-23 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳성장장치 |
| CN105780111B (zh) * | 2016-05-16 | 2018-08-31 | 西安创联新能源设备有限公司 | 多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置 |
| TWI758058B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-03-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 矽晶棒的製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6512921A (ja) * | 1965-10-06 | 1967-04-07 | ||
| US3621213A (en) * | 1969-11-26 | 1971-11-16 | Ibm | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals |
| DE2446293C2 (de) * | 1974-04-03 | 1986-01-30 | National Research Development Corp., London | Vorrichtung zur Regelung des Stabquerschnitts beim Czochralski-Ziehen |
| US4207293A (en) * | 1974-06-14 | 1980-06-10 | Varian Associates, Inc. | Circumferential error signal apparatus for crystal rod pulling |
| US3958129A (en) * | 1974-08-05 | 1976-05-18 | Motorola, Inc. | Automatic crystal diameter control for growth of semiconductor crystals |
| US4058429A (en) * | 1975-12-04 | 1977-11-15 | Westinghouse Electric Corporation | Infrared temperature control of Czochralski crystal growth |
| WO1983002464A1 (en) * | 1982-01-04 | 1983-07-21 | Seymour, Robert, Stephen | Diameter control in czochralski crystal growth |
| JPS59102896A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-14 | Toshiba Corp | 単結晶の形状制御方法 |
| JPH0631194B2 (ja) * | 1984-02-22 | 1994-04-27 | 株式会社東芝 | 単結晶の製造方法 |
| JPH0649631B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1994-06-29 | 信越半導体株式会社 | 結晶径測定装置 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048934A patent/JPH06102590B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-27 EP EP91102879A patent/EP0444628B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-27 DE DE69104517T patent/DE69104517T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-28 US US07/661,348 patent/US5183528A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011001248A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN104562194A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 上海西门子工业自动化有限公司 | 一种工艺过程控制方法 |
| CN106801250A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-06 | 中山大学 | 反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统 |
| CN106801250B (zh) * | 2017-01-13 | 2019-05-07 | 中山大学 | 反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统 |
| CN110344109A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-18 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5183528A (en) | 1993-02-02 |
| EP0444628A1 (en) | 1991-09-04 |
| EP0444628B1 (en) | 1994-10-12 |
| DE69104517D1 (de) | 1994-11-17 |
| DE69104517T2 (de) | 1995-03-09 |
| JPH06102590B2 (ja) | 1994-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03252388A (ja) | Ｃｚ法による単結晶ネック部育成自動制御方法 | |
| JPH04260688A (ja) | 単結晶ネック部育成自動制御方法 | |
| JP4602561B2 (ja) | 育成プロセス中のシリコン結晶に係る径を制御するための方法及び装置 | |
| EP1169497B1 (en) | Method and system of controlling taper growth in a semiconductor crystal growth process | |
| KR20020081287A (ko) | 성장 속도 및 직경 편차를 최소화하도록 실리콘 결정의성장을 제어하는 방법 | |
| EP0482438B1 (en) | Single crystal conical portion growth control method and apparatus | |
| JPS63242991A (ja) | 結晶径制御方法 | |
| EP1068375B1 (en) | Open-loop method and system for controlling growth of semiconductor crystal | |
| KR20010080084A (ko) | 결정을 정확하게 인상하는 방법 및 장치 | |
| EP0134680A2 (en) | Apparatus for manufacturing a single crystal | |
| JP2001019588A (ja) | 単結晶直径の制御方法及び結晶成長装置 | |
| JPH0651599B2 (ja) | 浮遊帯域制御方法 | |
| JP3592909B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| US5888299A (en) | Apparatus for adjusting initial position of melt surface | |
| KR20030020474A (ko) | 잉곳 성장 장치 제어 시스템 | |
| JPH09118585A (ja) | 単結晶引上装置および単結晶の引上方法 | |
| JPS6054994A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPH07133185A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2004035353A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2000281481A (ja) | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 | |
| JP2002321995A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS60246294A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS63270380A (ja) | 半導体棒浮遊熔融帯域制御方法 | |
| RU97101248A (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
| JPS61136989A (ja) | 引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071214 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 14 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |