RU97101248A - Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществленияInfo
- Publication number
- RU97101248A RU97101248A RU97101248/25A RU97101248A RU97101248A RU 97101248 A RU97101248 A RU 97101248A RU 97101248/25 A RU97101248/25 A RU 97101248/25A RU 97101248 A RU97101248 A RU 97101248A RU 97101248 A RU97101248 A RU 97101248A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- crystal
- diameter
- seed
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 8
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 1
Claims (2)
1. Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, включающий изменение температуры расплава за счет управления, скоростей вытягивания и вращения кристалла и тигля, при одновременном измерении высоты подъема затравки и перемещения тигля, отличающийся тем, что, с целью повышения качества кристалла и выхода готовой продукции, при постоянном уровне расплава, вводится величина скорости подъема тигля несколько большей (на величину опережения), чем это необходимо для условия постоянства уровня расплава при данных параметрах скоростей вытягивания, заданного диаметра кристалла и внутреннего диаметра тигля, что позволяет периодически за время цикла замера диаметра, осуществляя управление подъемом тигля вверх при разомкнутом контактном датчике расплава, на основе вычисленных перемещений тигля и затравки, выделить разностный сигнал управления, пропорциональный отклонению текущего диаметра от заданного, заведя его в систему автоматического регулирования по каналам температуры боковой точки нагревателя, скорости вытягивания и вращения затравки и тигля, осуществляя тем самым в течение всего цикла вытягивания кристалла стабилизацию заданной площади (диаметра) растущего кристалла.
2. Устройство для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, содержащее контактный датчик уровня с преобразователем, приводы вращения затравки, тигля, скорости вытягивания кристалла и перемещения тигля с шаговым двигателем, измеритель температуры боковой точки нагревателя с регулятором температуры, управляющую микроЭВМ, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов и выхода готовой продукции, одновременно со стабилизацией уровня расплава, осуществляется управление подъемом тигля вверх, при разомкнутом контактном датчике расплава, с несколько большей скоростью, чем это необходимо для стабилизации уровня расплава, в результате чего, при микроприостановках тигля, за время цикла работы системы по оценке диаметра, на основе замеренных перемещений затравки и тигля, определяется сигнал рассогласования по отклонению диаметра от заданного, на основе которого в микроЭВМ вырабатываются управляющие воздействия для стабилизации заданной площади растущего кристалла.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97101248/25A RU2128250C1 (ru) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97101248/25A RU2128250C1 (ru) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU97101248A true RU97101248A (ru) | 1999-02-10 |
RU2128250C1 RU2128250C1 (ru) | 1999-03-27 |
Family
ID=20189389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU97101248/25A RU2128250C1 (ru) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2128250C1 (ru) |
-
1997
- 1997-01-16 RU RU97101248/25A patent/RU2128250C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5183528A (en) | Method of automatic control of growing neck portion of a single crystal by the cz method | |
US6241818B1 (en) | Method and system of controlling taper growth in a semiconductor crystal growth process | |
US5288363A (en) | Automatic control method for growing single-crystal neck portions | |
KR20020081287A (ko) | 성장 속도 및 직경 편차를 최소화하도록 실리콘 결정의성장을 제어하는 방법 | |
US5096677A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
KR20010080084A (ko) | 결정을 정확하게 인상하는 방법 및 장치 | |
CN1295632A (zh) | 控制半导体晶体生长的开环方法和系统 | |
CN107208307A (zh) | 单晶锭直径的控制系统及控制方法 | |
RU97101248A (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
US5888299A (en) | Apparatus for adjusting initial position of melt surface | |
US5292486A (en) | Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof | |
RU2128250C1 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
RU2184803C2 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
JPS6337080B2 (ru) | ||
KR102662342B1 (ko) | 잉곳 성장 제어 장치 및 방법 | |
JPS55140796A (en) | Automatic crystal growing method | |
JPH07133187A (ja) | 半導体単結晶の育成方法 | |
RU99123739A (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
SU859490A1 (ru) | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава | |
SU220961A1 (ru) | Способ контроля диаметра кристалла | |
RU2000127356A (ru) | Способ контроля диаметра монокристалла кремния, выращиваемого из расплава | |
KR20030034357A (ko) | 단결정 잉곳 성장장치에서의 잉곳 직경 조절장치 및 잉곳직경 조절 방법 | |
SU1533371A1 (ru) | Способ контрол процесса кристаллизации из расплава | |
RU1798396C (ru) | Способ выращивани кристаллов из расплава в автоматическом режиме | |
RU2023063C1 (ru) | Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме |