SU1533371A1 - Способ контрол процесса кристаллизации из расплава - Google Patents
Способ контрол процесса кристаллизации из расплава Download PDFInfo
- Publication number
- SU1533371A1 SU1533371A1 SU874265557A SU4265557A SU1533371A1 SU 1533371 A1 SU1533371 A1 SU 1533371A1 SU 874265557 A SU874265557 A SU 874265557A SU 4265557 A SU4265557 A SU 4265557A SU 1533371 A1 SU1533371 A1 SU 1533371A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- melt
- disk
- crucible
- crystal
- interface
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к выращиванию монокристаллов из расплава и позвол ет повысить качество выращиваемых кристаллов. Дл этого определ ют положение границы расплав-кристалл путем погружени в расплав диска, . приводимого в относительное вращение с тиглем, при этом измер ют крут щий момент на валу тигл или диска, по значению которого и по положению диска определ ют положение границы раздела фаз. 1 ил.
Description
Изобретение относитс к выращиванию монокристаллов нэ расплава и может быть использовано дл контрол процессов кристаллизации поликристаллических и аморфных слитков методом Брнджмен .
Цель изобретени - повышение качества выращиваемых кристаллов.
На чертеже представлена блок-схема устройства дл реализации предлагаемого способа.
Устройство содержит тигель 1, кристалл 2 г границей 3 раздела фаз, расплав 4, диск 5, вал 6, нагреватель 7, датчик 8 крут щего момента, привод 9 вращени диска, привод 10 линейного перемещени диска и датчик 1 1 положени диска.
Устройство, реализующее предлагаемый способ, работает следующим образом .
В полость нагревател 7 устанавлн- наетс тигель 1 с шихтой и затравочным кристаллом в зонной части тигл . После расплавлени шихты начинаетс рост кристалла, дл чего создаетс осевой «температурный градиент путем перемещени тигл вниз или изменением мощности секций нагревател . В начале процесса кристаллизации в расплав 4 с помощью привода 10 вводитс вращающийс с заданной скоростью диск 5, укрепленный на валу 6, св занном с датчиком 8 и приводом 9. Диск устанавливают на заданном рассто нии от , границы 3 расплав-кристалл, которое определ етс по градуировочной зависимости крут щего момента в функции рассто ни между диском и границей. При этом регистрируетс положение лиска по датчику 11. По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещаетс в направлении движени границы расплав- кристалл со скоростью, обеспечивающей посто нство или изменение в заданных пределах крут щего момента. Положение
г tf
ел
СО
оо Со
sl
гртницы раздела определ етс пп пока ни м датчиков 8 и 1 1 и по градукро- почцом зависимости крут 1ч то момента 01 рассто ни между диском и границей м гплап-кристалл. В конце процесса кристаллизации диск извлекаетс из
ТИГЛЯ .
Гртдуцро очную зависимость крут - МОМЕНТА в функции рассто ни
между диском и границей раздала фа от грел«л жег следующим образом. В тигель г расплавом диаметром, например АО мм, ппод диск диаметром, например,35 мм, нрлщающнйс со скоростью 30 оС/мин, и опускают его до соприкосновени с кристаллом, которое отмечают по скачку момента на валу диска. Затем постепенно поднимают диск и через каждые 0,5 мм измер ют крут щий момент. Ус- 1анайливают днгк на заданном рассто нии от границы раздела фаз (например 1-2) и ведут процесс кристаллизации. Абсолютна погрешность определени положени границы расплав-кристалл при использовании данного способа составл ет +0,5 мм.
Вращение диска в плоскости, параллельной границе раздела фаз, не создает ударных волн на фронт кристаллн- зацнн, тем самым данный способ контрол не вносит Шумов л механизм кристаллизации .
Claims (1)
- Формула изобретени Способ контрол процесса кристаллизации из расплава путем введени по осевой линии тигл в расплав зонда в виде диска, перемещени диска к границе раздела расплав-кристалл, с одновременным сообщением ему дополнительного движени относительно расплава и измерением параметра, характеризующего в зкостное действие расплава на диск, при котором диск устанавливают на заданном минимальном рассто нии от границы раздела и поддерживают его посто нным по мере роста кристалла за счет поддержани посто нства величины избранного измер емого параметра, а о положении границы раздела суд т по положению диска, отличающийс тем, что, с целью повышени качества выращиваемых кристаллов, дополнительное движение относительно расплава диску сообщают путем его вращени относительно тигл , а в качестве параметра, характеризующего в зкостное воздействие расплава на диск, измер ют крут щий мент на валу привода диска или на валу тигл .7/
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874265557A SU1533371A1 (ru) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Способ контрол процесса кристаллизации из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874265557A SU1533371A1 (ru) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Способ контрол процесса кристаллизации из расплава |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1533371A1 true SU1533371A1 (ru) | 1992-06-15 |
Family
ID=21312231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874265557A SU1533371A1 (ru) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Способ контрол процесса кристаллизации из расплава |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1533371A1 (ru) |
-
1987
- 1987-06-19 SU SU874265557A patent/SU1533371A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Степанов И.В. Искусственный флюорит. Сб. Рост кристаллов. И.: 1957, т.1, с. 229. Авторское свидетельство СССР С 552750, кл. С 30 В 15/24, 1982, * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5183528A (en) | Method of automatic control of growing neck portion of a single crystal by the cz method | |
US3621213A (en) | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals | |
US3998598A (en) | Automatic diameter control for crystal growing facilities | |
EP0482438B1 (en) | Single crystal conical portion growth control method and apparatus | |
KR20020081287A (ko) | 성장 속도 및 직경 편차를 최소화하도록 실리콘 결정의성장을 제어하는 방법 | |
EP0285943B1 (en) | Crystal diameter controlling method | |
US5096677A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
KR20010080084A (ko) | 결정을 정확하게 인상하는 방법 및 장치 | |
CA1272105A (en) | System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace | |
SU1533371A1 (ru) | Способ контрол процесса кристаллизации из расплава | |
US5292486A (en) | Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof | |
JPS5825078B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPS6287481A (ja) | 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法 | |
CN1766179B (zh) | 一种高质量单晶的生长方法 | |
JPH01212291A (ja) | 結晶育成方法および育成装置 | |
JPS6321280A (ja) | 単結晶テール部の直径制御方法 | |
JPH04300294A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 | |
SU1700395A1 (ru) | Способ воспроизведени температурных реперных точек | |
RU2184803C2 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
JPS6287482A (ja) | 単結晶製造装置 | |
RU1798396C (ru) | Способ выращивани кристаллов из расплава в автоматическом режиме | |
RU2128250C1 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
SU1629361A1 (ru) | Устройство дл выращивани монокристаллов тугоплавких оксидов | |
SU1358480A1 (ru) | Устройство дл контрол процесса кристаллизации | |
RU2000127356A (ru) | Способ контроля диаметра монокристалла кремния, выращиваемого из расплава |