SU1533371A1 - Способ контрол процесса кристаллизации из расплава - Google Patents

Способ контрол процесса кристаллизации из расплава Download PDF

Info

Publication number
SU1533371A1
SU1533371A1 SU874265557A SU4265557A SU1533371A1 SU 1533371 A1 SU1533371 A1 SU 1533371A1 SU 874265557 A SU874265557 A SU 874265557A SU 4265557 A SU4265557 A SU 4265557A SU 1533371 A1 SU1533371 A1 SU 1533371A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melt
disk
crucible
crystal
interface
Prior art date
Application number
SU874265557A
Other languages
English (en)
Inventor
Э.Л. Лубе
Original Assignee
Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова filed Critical Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова
Priority to SU874265557A priority Critical patent/SU1533371A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1533371A1 publication Critical patent/SU1533371A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к выращиванию монокристаллов из расплава и позвол ет повысить качество выращиваемых кристаллов. Дл  этого определ ют положение границы расплав-кристалл путем погружени  в расплав диска, . приводимого в относительное вращение с тиглем, при этом измер ют крут щий момент на валу тигл  или диска, по значению которого и по положению диска определ ют положение границы раздела фаз. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к выращиванию монокристаллов нэ расплава и может быть использовано дл  контрол  процессов кристаллизации поликристаллических и аморфных слитков методом Брнджмен .
Цель изобретени  - повышение качества выращиваемых кристаллов.
На чертеже представлена блок-схема устройства дл  реализации предлагаемого способа.
Устройство содержит тигель 1, кристалл 2 г границей 3 раздела фаз, расплав 4, диск 5, вал 6, нагреватель 7, датчик 8 крут щего момента, привод 9 вращени  диска, привод 10 линейного перемещени  диска и датчик 1 1 положени  диска.
Устройство, реализующее предлагаемый способ, работает следующим образом .
В полость нагревател  7 устанавлн- наетс  тигель 1 с шихтой и затравочным кристаллом в зонной части тигл . После расплавлени  шихты начинаетс  рост кристалла, дл  чего создаетс  осевой «температурный градиент путем перемещени  тигл  вниз или изменением мощности секций нагревател . В начале процесса кристаллизации в расплав 4 с помощью привода 10 вводитс  вращающийс  с заданной скоростью диск 5, укрепленный на валу 6, св занном с датчиком 8 и приводом 9. Диск устанавливают на заданном рассто нии от , границы 3 расплав-кристалл, которое определ етс  по градуировочной зависимости крут щего момента в функции рассто ни  между диском и границей. При этом регистрируетс  положение лиска по датчику 11. По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещаетс  в направлении движени  границы расплав- кристалл со скоростью, обеспечивающей посто нство или изменение в заданных пределах крут щего момента. Положение
г tf
ел
СО
оо Со
sl
гртницы раздела определ етс  пп пока ни м датчиков 8 и 1 1 и по градукро- почцом зависимости крут 1ч то момента 01 рассто ни  между диском и границей м гплап-кристалл. В конце процесса кристаллизации диск извлекаетс  из
ТИГЛЯ .
Гртдуцро очную зависимость крут - МОМЕНТА в функции рассто ни 
между диском и границей раздала фа от грел«л жег следующим образом. В тигель г расплавом диаметром, например АО мм, ппод  диск диаметром, например,35 мм, нрлщающнйс  со скоростью 30 оС/мин, и опускают его до соприкосновени  с кристаллом, которое отмечают по скачку момента на валу диска. Затем постепенно поднимают диск и через каждые 0,5 мм измер ют крут щий момент. Ус- 1анайливают днгк на заданном рассто нии от границы раздела фаз (например 1-2) и ведут процесс кристаллизации. Абсолютна  погрешность определени  положени  границы расплав-кристалл при использовании данного способа составл ет +0,5 мм.
Вращение диска в плоскости, параллельной границе раздела фаз, не создает ударных волн на фронт кристаллн- зацнн, тем самым данный способ контрол  не вносит Шумов л механизм кристаллизации .

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Способ контрол  процесса кристаллизации из расплава путем введени  по осевой линии тигл  в расплав зонда в виде диска, перемещени  диска к границе раздела расплав-кристалл, с одновременным сообщением ему дополнительного движени  относительно расплава и измерением параметра, характеризующего в зкостное действие расплава на диск, при котором диск устанавливают на заданном минимальном рассто нии от границы раздела и поддерживают его посто нным по мере роста кристалла за счет поддержани  посто нства величины избранного измер емого параметра, а о положении границы раздела суд т по положению диска, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества выращиваемых кристаллов, дополнительное движение относительно расплава диску сообщают путем его вращени  относительно тигл , а в качестве параметра, характеризующего в зкостное воздействие расплава на диск, измер ют крут щий мент на валу привода диска или на валу тигл .
    7/
SU874265557A 1987-06-19 1987-06-19 Способ контрол процесса кристаллизации из расплава SU1533371A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874265557A SU1533371A1 (ru) 1987-06-19 1987-06-19 Способ контрол процесса кристаллизации из расплава

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874265557A SU1533371A1 (ru) 1987-06-19 1987-06-19 Способ контрол процесса кристаллизации из расплава

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1533371A1 true SU1533371A1 (ru) 1992-06-15

Family

ID=21312231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874265557A SU1533371A1 (ru) 1987-06-19 1987-06-19 Способ контрол процесса кристаллизации из расплава

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1533371A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Степанов И.В. Искусственный флюорит. Сб. Рост кристаллов. И.: 1957, т.1, с. 229. Авторское свидетельство СССР С 552750, кл. С 30 В 15/24, 1982, *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5183528A (en) Method of automatic control of growing neck portion of a single crystal by the cz method
US3621213A (en) Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals
US3998598A (en) Automatic diameter control for crystal growing facilities
EP0482438B1 (en) Single crystal conical portion growth control method and apparatus
KR20020081287A (ko) 성장 속도 및 직경 편차를 최소화하도록 실리콘 결정의성장을 제어하는 방법
EP0285943B1 (en) Crystal diameter controlling method
US5096677A (en) Single crystal pulling apparatus
KR20010080084A (ko) 결정을 정확하게 인상하는 방법 및 장치
CA1272105A (en) System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace
SU1533371A1 (ru) Способ контрол процесса кристаллизации из расплава
US5292486A (en) Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof
JPS5825078B2 (ja) 単結晶の製造方法
JPS6287481A (ja) 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法
CN1766179B (zh) 一种高质量单晶的生长方法
JPH01212291A (ja) 結晶育成方法および育成装置
JPS6321280A (ja) 単結晶テール部の直径制御方法
JPH04300294A (ja) ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法
SU1700395A1 (ru) Способ воспроизведени температурных реперных точек
RU2184803C2 (ru) Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления
JPS6287482A (ja) 単結晶製造装置
RU1798396C (ru) Способ выращивани кристаллов из расплава в автоматическом режиме
RU2128250C1 (ru) Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления
SU1629361A1 (ru) Устройство дл выращивани монокристаллов тугоплавких оксидов
SU1358480A1 (ru) Устройство дл контрол процесса кристаллизации
RU2000127356A (ru) Способ контроля диаметра монокристалла кремния, выращиваемого из расплава