SU859490A1 - Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава - Google Patents
Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава Download PDFInfo
- Publication number
- SU859490A1 SU859490A1 SU2856546A SU2856546A SU859490A1 SU 859490 A1 SU859490 A1 SU 859490A1 SU 2856546 A SU2856546 A SU 2856546A SU 2856546 A SU2856546 A SU 2856546A SU 859490 A1 SU859490 A1 SU 859490A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- single crystals
- melt
- speed
- growing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к способам управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава и может быть использовано при выращивании тугоплавких кристаллов различными методами.
Известен способ управлени процессом вУрапшвани монокристаллов из расплава, включающий регулирование мощности нагрева и скорости перемещени кристалла по заданной программе 1.
Недостатком данного способа вл етс отсутствие обратной св зи по параметрам процесса, а заданна заранее программа управлени не учитывает всех возмущений, действующих на процесс, и вызывающих дефекты в кристалле.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава путем регулировани мощности нагрева и/или скорости перемещени кристалла с обратной св зью по результатам измерени диаметра растущего кристалла 2.
Недостатком известного способа вл етс отсутствие в процессе выращивани информации о возникновении структурных дефектов в кристалле, образующихс вследствие неоптимальности рйда параметJJOB процесГса, в частности температурных paдиeнтoв,
Цель изобретени - повыщение структурного совершенства монокристаллов.
Поставленна цель достигаетс тем, что в процессе выращивани измер ют интенсивность импульсов акустической эмиссии, возникающих в монокристаллах при образовании в нем структурных дефектов, в зависимости от которой регулируют мощность нагрева и/или скорость перемещени 10 кристалла.
На чертеже представлена функциональна схема устройства дл реализации предлагаемого способа управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава. 15 Устройство содержит тигель 1 х расплавом 2, кристалл 3, преобразователь 4 акустической эмиссии в электрический сигнал, привод 5 перемещени кристалла, первый нагреватель 6, второй нагреватель 7, источ .20 НИКИ 8 и 9 питани , регул торы 10 и 11 мощности, подводимой к нагревател м, усилитель 12 импульсов акустической эмиссии, блок 13 измерени интенсивности импульсов акустической эмиссии, регул тор 14 25 скорости перемещени кристалла, электродвигатель 15 привода кристалла.
Способ осуществл етс следующим образом .
В процессе выращивани монокристалла, 30 например лейкосапфира, непрерывно
р етс интенсивность импульсов акустической - миссии. Если кристалл 3.растет без структурных дефектов, на выходе преобразовател 4 акустической эмиссии сигнал отсутствует на Входах регул торов 10 и 11 мощности, подводимой к нагревател м 6 и 7, и регул тора 14 скорости перемещени кристалла отсутствуют корректирующие сигналы.
Если при росте кристалла 3 происходит образование структурных дефектов, в нем возникают импульсы акустической эмиссии, которые воспринимаютс преобразователем 4. Электрические импульсы с выхода преобразовател 4 поступают на вход усилител 12 и далее - в блок 13 измерени интенсивности импульсов акустической эмиссии. Сигнал с выхода блока 13 измерени интенсивности импульсов акустической эмиссии, пропорциональный измеренной интенсивности , воздействует на регул торы 10 1 11 мон1,ности первого и второго нагревателей . Соотношение мощностей устанавливаетс таким образом, чтобы уменьшить температурный градиент в кристалле 3. Одновременно сигнал с выхода блока 13 измерени интенсивности импульсов аку 5тической эмиссии поступает иа регул тор 14
скорости перемещени кристалла 3, уменьша скорость электродвигател 15.
Использование предлагаемого способа позвол ет увеличить число кристаллов высокого структурного coBcpuJCHCTBa с 60 .ш 85-90%, что дает большой экономический эффект.
Формула нзобретенн
Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава путем регулировани мощности иагрева и/или скорости перемещени кристалла, отличающ и и с тем, что, с целью повыиюни структурного совершенства монокристаллов, и:«мер ют интенсивность импульсов акустической эмиссии, возникающих в монокристалле при образовании в нем структурных дефектйв , в зависимости от которой регулируют мощность нагрева и/илн скорость псремещеии кристалла.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Теоретические основы химической технологии . 1973, т. 1, № 6, с. 848-858.
2. Патент США № 3621213, кл. 235-150, 1969.
Claims (1)
- Формула изобретения ЮСпособ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава путем регулирования мощности нагрева н/или скорости перемещения кристалла, отличаю15 щ и й с я тем, что, с целью повышения структурного совершенства монокристаллов, измеряют интенсивность импульсов акустической эмиссии, возникающих в монокристалле при образовании в нем структурных дефектов, в зависимости от которой регулируют мощность нагрева и/нлн скорость перемещения кристалла.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2856546A SU859490A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2856546A SU859490A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU859490A1 true SU859490A1 (ru) | 1981-08-30 |
Family
ID=48230510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2856546A SU859490A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU859490A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4832922A (en) * | 1984-08-31 | 1989-05-23 | Gakei Electric Works Co., Ltd. | Single crystal growing method and apparatus |
-
1979
- 1979-12-21 SU SU2856546A patent/SU859490A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4832922A (en) * | 1984-08-31 | 1989-05-23 | Gakei Electric Works Co., Ltd. | Single crystal growing method and apparatus |
| US4874458A (en) * | 1984-08-31 | 1989-10-17 | Gakei Electric Works Co., Ltd. | Single crystal growing method having improved melt control |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1311558A (en) | Growing crystals | |
| EP0400995B1 (en) | Single crystal pulling apparatus and method | |
| JPS59102896A (ja) | 単結晶の形状制御方法 | |
| EP0294311B1 (en) | Automatic control of crystal rod diameter | |
| ES8603290A1 (es) | Una instalacion de control de optimizacion para un reactor de polimerizacion tubular de olefinas | |
| SU859490A1 (ru) | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава | |
| US5292486A (en) | Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof | |
| SU599403A1 (ru) | Система автоматического регулировани диаметра кристалла, выращиваемого из расплава | |
| JPS5490086A (en) | Method of producing single crystal | |
| JPS6027685A (ja) | 複数段ヒ−タ−の制御方法 | |
| JPS5727998A (en) | Controlling apparatus for growth of crystal having uniform diameter | |
| RU2023063C1 (ru) | Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме | |
| SU1101429A1 (ru) | Устройство управлени диаметром стекловолокна | |
| RU1798396C (ru) | Способ выращивани кристаллов из расплава в автоматическом режиме | |
| SU981958A1 (ru) | Устройство дл регулировани температуры | |
| SU113806A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава | |
| JPS55140796A (en) | Automatic crystal growing method | |
| JPS6330394A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| SU773589A1 (ru) | Регул тор температуры дл прот женных движущихс объектов | |
| HUT36191A (en) | Method and apparatus for crystal growing of predetermined form as well as measuring unit for apparatus | |
| SU706836A1 (ru) | Пропорциональный регул тор температуры | |
| SU688514A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса пиролиза | |
| JPH01188488A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| SU796809A1 (ru) | Устройство дл регулировани температуры | |
| JPS55104995A (en) | Production of single crystal |